Ing.

Christian Lezama Cuellar

1. Conducción en los materiales
 Diodo semiconductor: Componente electrónico
formado por la unión de dos materiales
semiconductores con distintos tipos de impurezas.

 Modelo de bandas de energía:

Materiales (por el ancho de banda prohibida):

 Aislante: Anchura del orden de varios eV (aprox. 6 eV).

 Semiconductor: Anchura relativamente pequeña

(aprox.1eV). Aislante a bajas temperaturas y con su
aumento algunos electrones obtienen energía térmica
para superar la banda prohibida. Usuales los del grupo
IV de la T.P: Silicio (1.21a 0ºK), Germanio (0.785 a 0ºK).

 Metal: Bandas de valencia y conducción solapadas a

temperatura ambiente de modo que los electrones
circulan libremente.
Algo sobre la estructura de los semiconductores
Semiconductores más comunes
La capacidad de compartir o aceptar 4 electrones es una
característica común en ellos

Todos tienen una brecha indirecta, eso los hace pobres

para posibles aplicaciones ópticas.

Compuesto

Este tipo de compuesto tienen la cualidad de tener una

brecha directa. Esto lo hace apto para aplicaciones ópticas
como foto diodos y láseres.
2. Conducción en los materiales semiconductores
 Comportamiento del Germanio:
 Representación plana del Germanio a 0ºK

 Situación del Germanio a 300ºK

3. Materiales semiconductores
Tipos de semiconductores:
◦ Semiconductores intrínsecos: Semiconductores
puros.

◦ Semiconductores extrínsecos: Semiconductores

dopados (añadidos átomos de impurezas a un
intrínseco). Tipos:
 Tipo n: Se le añaden impurezas donadoras
(electrones). Ej: Sb al Ge.

 Tipo p: Se le añaden impurezas receptoras (huecos).

Ej: Al al Ge
Comportamiento:
 + + +
+
+ +
Impurezas grupo V
+ +
+ +
+
+
+
300ºK
+ + +

Electrones libres Átomos de impurezas ionizados

Los portadores de carga en un semiconductor tipo N son electrones

libres
 - - -
-
- -
- -
- -
-
-
-
300ºK
- - -

Huecos libres Átomos de impurezas ionizados

Los portadores de carga en un semiconductor tipo P son huecos.

Actúan como portadores de carga positiva.
La unión P-N en equilibrio

- - - + + +
+
- +
- - +
- +
- +
- + +
- - -
+
- +
- + + +
- - +

Semiconductor tipo P Semiconductor tipo N

 La unión P-N en equilibrio Zona de transición

- - - + + +
+
- +
- - +
- +
- +
- + +
- - -
+
- +
- + + +
- - +

Semiconductor tipo P Semiconductor tipo N

- +

Al unir un semiconductor tipo P con uno de tipo N aparece una zona de

carga espacial denominada “zona de transición”. Que actúa como una
barrera para el paso de los portadores mayoritarios de cada zona.
 Note como ante una fuente externa, después de
hacerse agotado el intercambio de electrones en la
región de agotamiento, se produce un flujo masivo
de electrones hacia los huecos (corriente
electrónica). Por convención se ha adoptado el
movimiento de huecos como el sentido de la
corriente eléctrica
 La unión P-N polarizada en directa

P - - - + + + + N
- +
- - +
- +
- +
- + +
- - -
+
- +
- + + +
- - +

La zona de transición se hace más pequeña. La corriente comienza a

circular a partir de un cierto umbral de tensión directa.
 La unión P-N polarizada en directa

P - - - + + + + N
- +
- - +
- +
- +
- + +
- - -
+
- +
- + + +
- - +

Concentración de huecos Concentración de electrones

+

La recombinación electrón-hueco hace que la concentración de electrones

en la zona P disminuya al alejarse de la unión.
Consideremos un diodo PN polarizado como se muestra.
La polarización jala a los huecos y a los electrones alejándolos
de la unión incrementando el ancho de la región de
agotamiento.
Se produce una pequeña corriente de huecos provenientes del
lado n y electrones de lado p llamada Corriente Inversa de
Saturación.
 La unión P-N polarizada inversamente

P - - - + + + + N
- +
- - +
- +
- +
- + +
- - -
+
- +
- + + +
- - +

La zona de transición se hace más grande. Con polarización inversa no hay

circulación de corriente.
 P N

DIODO SEMICONDUCTOR
 CARACTERÍSTICA DEL DIODO
Idealmente, permite corriente directa (se comporta como un cable) y bloquea o
no permite la corriente inversa (se comporta como un cable roto)

I
I
+ ¡¡ PRESENTA UN
P COMPORTAMIENTO
NO LINEAL !!
V

N V
-

ANÉCDOTA
Un símil hidráulico podría ser una válvula anti-retorno, permite pasar el agua
(corriente) en un único sentido.
Funcionamiento de una válvula anti-retorno

Caudal
h1 h2

h1 - h2
DIODO REAL

i [mA]
ánodo cátodo 1

p n Ge Si

A K
V [Volt.]
Símbolo -0.25
0
0.25 0.5
Silicio
Germanio IS = Corriente Saturación Inversa
K = Cte. Boltzman
K = 11600/ (=1 para Ge, y =2 para Si)
 VKDTq  VD = Tensión diodo
I D  I S   e  1 q = Carga del electrón
  T = Temperatura (ºK)
ID = Corriente diodo
 DIODO REAL (Distintas escalas)

i [mA] Ge: mejor en conducción i [mA]

Si: mejor en bloqueo 30 Ge
1
Si Si
Ge

V [Volt.] V [Volt.]
-0.25 0 -4 0 1
0.25 0.5

i [A] i [pA]

V [Volt.] V [Volt.]
-0.5 0 0
-0.5

Si
Ge
-0.8 -10
DIODO: DISTINTAS APROXIMACIONES

I I
Solo tensión
Ideal de codo
Ge = 0.3
Si = 0.6
V V

I I
Curva real
Tensión de codo y (simuladores,
Resistencia directa análisis gráfico)

V V
 DIODO: LIMITACIONES
Corriente máxima
I
Tensión inversa
Límite térmico,
máxima
sección del conductor
Ruptura de la Unión
por avalancha

600 V/6000 A 1000 V /1 A

200 V /60 A
 DIODO: Parámetros facilitados por fabricantes
id

IOmax

VR = 1000V Tensión inversa máxima

IOMAX (AV)= 1A Corriente directa máxima VR
VF = 1V Caída de Tensión directa
IR = 50 nA Corriente inversa iS Vd

NOTA:
Se sugiere con un buscador obtener las
VR = 100V Tensión inversa máxima
hojas de características de un diodo (p.e.
IOMAX (AV)= 150mA Corriente directa máxima
VF = 1V Caída de Tensión directa 1N4007). Normalmente aparecerán varios
IR = 25 nA Corriente inversa fabricantes para el mismo componente.
 DIODO: Parámetros facilitados por fabricantes

Tiempo de recuperación inversa

UE
iS
Bajafrecuencia
Alta frecuencia
+
UE R
iS

trr = tiempo de recuperación inversa

A alta frecuencia se aprecia un intervalo en el cual el diodo conduce

corriente inversa.
DIODOS ESPECIALES

Diodo Zener (Zener diode) La ruptura no es destructiva.

(Ruptura Zener).

En la zona Zener se comporta

Tensión I como una fuente de tensión
Zener (Tensión Zener).
(VZ)
Necesitamos, un límite de
corriente inversa.

V Podemos añadir al modelo lineal

la resistencia Zener.

Límite máximo Aplicaciones en pequeñas

fuentes de tensión y referencias.
Normalmente, límite
de potencia máxima
DIODOS ESPECIALES

Diodo LED (LED diode) Diodo emisor de Luz = Light Emitter Diode

El semiconductor es un compuesto III-V (p.e. Ga As). Con la unión

PN polarizada directamente emiten fotones (luz) de una cierta
longitud de onda. (p.e. Luz roja)

A K
 DIODOS ESPECIALES
Los diodos basados en compuestos III-V, presentan
Fotodiodos (Photodiode) una corriente de fugas proporcional a la luz incidente
(siendo sensibles a una determinada longitud de onda).

Estos fotodiodos se usan en el tercer cuadrante.

Siendo su aplicaciones principales:
i Sensores de luz (fotómetros)
Comunicaciones
V
0
COMENTARIO
iopt Los diodos normales presentan variaciones en la corriente
de fugas proporcionales a la Temperatura y pueden ser
usados como sensores térmicos
i
El modelo puede ser una fuente de
I = f(T)
V
corriente dependiente de la luz o de
T1 0
la temperatura según el caso
T2>T1
 DIODOS ESPECIALES Cuando incide luz en una unión PN, la
característica del diodo se desplaza hacia el 4º
Células solares (Solar Cell) cuadrante.

i En este caso, el dispositivo puede usarse como

generador.

VCA V

Zona
uso
iCC

Paneles de células
solares
DIODOS ESPECIALES

Diodo Schottky (Schottky diode)

 Unión Metal-semiconductor N. Produciéndose el llamado efecto

schottky.

 La zona N debe estar poco dopada.

 Dispositivos muy rápidos (capacidades asociadas muy bajas).

 Corriente de fugas significativamente mayor.

 Menores tensiones de ruptura.

 Caídas directas mas bajas (tensión de codo  0.2 V).

 Aplicaciones en Electrónica Digital y en Electrónica de Potencia

El efecto Schottky fue predicho teóricamente en 1938 por Walter H.

Schottky
 ASOCIACIÓN DE DIODOS
Puente rectificador

Monofásico
Diodo de alta tensión +
(Diodos en serie)

-
Trifásico
+

DISPLAY
-
 Símbolo

 Ecuación característica:
Regiones de Operación
 Región de polarización directa o región de conducción
(VD>Vγ)
 Región de polarización inversa (VZ < VD < Vγ)

 Región de ruptura o Zener (VD<VZ)

 Característica Tensión-Intensidad
 Limitación de intensidad
◦ Los diodos poseen cotas máximas de intensidad (potencias de
mW)
◦ Para limitar se suele emplear una resistencia en serie con el diodo
 Dependencia de la temperatura.

• Cada 10ºC Is se duplica

• VT=KT/q crece linealmente con la
temperatura.

 En conmutación
◦ Tiempo de recuperación inversa: del orden de los 10 μseg.
◦ Tiempo de recuperación directa: suele despreciarse
 Punto de trabajo: conjunto de valores de tensión e
intensidad que satisfacen tanto las ecuaciones
características de un dispositivo electrónico como
aquellas ecuaciones impuestas por la topología del
circuito del que forma parte el dispositivo.
 Recta de carga:
Q: punto de trabajo
 Modelado de dispositivos: Modelar un dispositivo consiste
en simplificar la expresión matemática que describe su
comportamiento.
◦ Condiciones:
 Modelo que abstraiga el funcionamiento básico del dispositivo a nivel
físico.
 Debe establecerse un rango de validez para el modelo.
Usualmente un modelo para cada región de operación.
 Relación entre el grado de complejidad y la precisión del modelo.

 Análisis de un circuito en gran señal: Supone el rango

completo de sus variables V,I considerando que los
dispositivos operen en distintas zonas de funcionamiento
y por tanto utilizando el modelo correspondiente.

 Análisis de un circuito en pequeña señal: Supone la

linealización del comportamiento de un dispositivo en
torno a un Punto de Trabajo (Q).
  Modelos de circuito del diodo de unión PN
Modelo Ideal:

Modelo Simplificado: Modelo de segmentos lineales:

VT VT rav
 Rectificador: Circuito capaz de convertir una señal
alterna (que toma valores positivos y negativos) en
una señal directa o unidireccional (sólo toma
valores positivos o negativos pero no ambos).
 Regulador: Circuito cuyo propósito es
proporcionar una tensión de continua de valor
constante a su salida. Esta tensión de salida ha de
permanecer insensible frente a cambios en la
fuente de señal y en la carga.
 Limitador: Circuito empleado para eliminar en la
salida una porción de la señal de entrada que se
encuentre por encima, por debajo o situada fuera
de dos niveles de referencia, sirviendo también
como circuitos de protección contra sobretensiones
 Puertas lógicas
In1 In2 V0 In1 D1

0 0
Vo.
In2 D2
0 1

1 0 1k

1 1
0

In1 D1 In1 In2 V0

Vo. 0 0
In2 D2

0 1
1k

5V
1 0

1 1
0
APLICACIONES DE DIODOS EN LAS INDUSTRIAS

Detectores reflexión de objeto

Detectores de barrera
APLICACIONES DE DIODOS

Sensores de luz: Fotómetros

Sensor de lluvia en vehículos
Detectores de humo
Turbidímetros
Sensor de Color
LED

Fotodetector

Objetivo

LED azul

LED verde LED

LED rojo Fotodiodo
COMENTARIOS SOBRE CIRCUITOS

Los diodos (y el resto de dispositivos electrónicos) son dispositivos

no lineales.

¡Cuidado, no se puede aplicar el principio de superposición!

VE VS
EJEMPLO TÍPICO: +
RECTIFICADOR VS
t VE
- t

VMAX ID
VE R

t
 VMAX VD
RECTA DE CARGA Y PUNTO DE FUNCIONAMIENTO

CIRCUITO
LINEAL ID
RTH +

VTH VD

-
I
Característica
VTH
del diodo
RTH
ID
Característica del
PUNTO DE circuito lineal
FUNCIONAMIENTO (RECTA DE CARGA)

VD VTH V
 Resumen
Representación del componentes eléctricos en
diagrama V-I

I I I I I I
+ + +
V V
V
- V - V - V
Abierto Corto Resistencia
(R = ∞) (R = 0) (R)

I I I I
+ +
V V
- V - V
Batería Fuente
Corriente
 Savant. C, Roden. M, Carpenter. G, “DISEÑO
ELECTRÓNICO”, Addison-Wesley
Iberoamericana, 2010
 Millman. J, Grabel. A, “MICROELECTRÓNICA”,
(6ª Ed), Hispano Europea, 2012