Anda di halaman 1dari 7

ESCUELA POLITÉCNICA NACIONAL

LABORATORIO DE DISPOSITIVOS ELECTRONICOS


NOMBRE: Wellington Moposita

PARALELO: GR1

PRÁCTICA Nº: 01

TEMA: Amplificador en configuración de Emisor Común

OBJETIVO: Diseñar e implementar un amplificador en configuración de Emisor Común


utilizando un TBJ y comprobar su funcionamiento.

CUESTIONARIO:

1. Consultar:
 Principales características de un Amplificador Emisor Común. (disposición de elementos,
tipos de ganancias V / I / ambas, impedancias esperadas)

• Esta configuración al tener una ganancia de voltaje negativa, tiene un desfase


de 180 de la señal de salida con respecto a la señal de entrada.
• Al permitir la amplificación de voltaje y corriente se considera a este circuito
un amplificador de potencia.
• Los circuitos amplificadores en emisor común presentan más estabilidad con
respecto a los de base común, en especial si se conectan dos resistencias en el
emisor ya que se controlara la ganancia de voltaje y la polarización del emisor
• La ganancia de corriente oscila entre 80 y 300.
• El 𝑉𝑐𝑒 disminuye al aumentar el voltaje de entrada (𝑉𝑖𝑛) y 𝑉𝑐𝑒 aumenta si
disminuye 𝑉𝑖𝑛
• Un aumento en la resistencia de emisor 𝑅𝐸1 disminuye la ganancia y aumenta
la impedancia de entrada.
 Expresiones de Ganancia de Voltaje e Impedancia de entrada con su debida justificación.

En el análisis de este tipo de amplificador se usa el modelo T basado en el diseño


presentado en el punto anterior.

Cabe recalcar que el modelo T se lo obtiene del análisis AC del circuito, por lo cual 𝑅𝐸2 no
se toma en cuenta debido al comportamiento del capacitor en AC, además de que aparece
𝑅3 que es la resistencia dinámica del TBJ.

 Ganancia de voltaje

𝑉𝑠𝑎𝑙𝑖𝑑𝑎 −(𝑅𝐶 ∥ 𝑅𝐿 )𝐼𝐶


𝐴𝑉 = = ; 𝐴𝑠𝑢𝑚𝑖𝑒𝑛𝑑𝑜 𝐼𝐸 ≈ 𝐼𝐶
𝑉𝑖𝑛 (𝑟𝑒 + 𝑅𝐸1 )𝐼𝐸

𝑹𝑪 ∥ 𝑹𝑳
𝑨𝑽 = −
𝒓𝒆 + 𝑹𝑬𝟏

 Impedancia de entrada

𝑉𝑖𝑛 (𝑅𝐵1 ∥ 𝑅𝐵2 ∥ 𝑍𝑖𝑛𝑇 )𝐼𝑖𝑛


𝑍𝑖𝑛 = =
𝐼𝑖𝑛 𝐼𝑖𝑛

𝑍𝑖𝑛 = 𝑅𝐵1 ∥ 𝑅𝐵2 ∥ 𝑍𝑖𝑛𝑇


𝑉𝑖𝑛 𝐼𝑒 (𝑟𝑒 + 𝑅𝐸1 ) (𝛽 + 1)𝐼𝐵
𝑍𝑖𝑛𝑇 = = = (𝑟𝑒 + 𝑅𝐸1 ) = (𝛽 + 1)(𝑟𝑒 + 𝑅𝐸1 )
𝐼𝐵 𝐼𝐵 𝐼𝐵

𝒁𝒊𝒏 = 𝑹𝑩𝟏 ∥ 𝑹𝑩𝟐 ∥ (𝜷 + 𝟏)(𝒓𝒆 + 𝑹𝑬𝟏 )

 Impedancia de salida

𝑉𝑜 𝑅𝐶 𝐼𝐶
𝑍𝑜 = =
𝐼𝑜 𝐼𝐶

𝒁𝒐 = 𝑹𝑪

 Principales consideraciones de Diseño

Partir del hecho de conocer el valor de la carga ya que con esto podemos seleccionar
adecuadamente una resistencia en colector y así poder iniciar con los cálculos.

Con el fin de tener un circuito que cumpla con la máxima transferencia de potencia se
puede escoger 𝑅𝐶 = 𝑅𝐿

Considerar un rango adecuado de la corriente en colector con el fin de que la señal no se


vea recortada a la salida.

Considerar la tolerancia de todos los elementos, ya que si no se considera este punto


podríamos tener un circuito de baja calidad o en el peor de los casos totalmente fuera de lo
esperado.

Siempre usar valores estándar en los resistores.

Asumir que la corriente en emisor es similar a la de colector.

Verificar la estabilidad del circuito, considerando una resistencia dinámica (𝑟𝑒 ) al menos 10
veces menor a la resistencia 1 en emisor (𝑅𝐸1 ).

2. Diseñar un amplificador con TBJ en configuración Emisor Común que cumpla con las
siguientes condiciones:

GANANCIA DE
DIA Vin[mV] (pico) RL[K Ohm] (Carga)
VOLTAJE

LUNES 16 90 2.2

Frecuencia=1KHz, para todos los días

𝑉𝑜 𝑉𝑜
𝐴𝑣 = − ; −16 = − ; 𝑉𝑜 = 1.44 [𝑉]
𝑉𝑖𝑛 0.09

𝑅𝑐 = 2.2 𝑘

𝑉𝑅𝐶 ≥ 2.88 ∗ (1.2)


𝑉𝑅𝐶 ≥ 3.46

𝑽𝑹𝑪 = 𝟒 [𝑽]

𝟒
𝑰𝑪 = = 𝟏. 𝟖𝟏[𝒎𝑨]
𝟐. 𝟐𝒌
26𝑚𝑉
𝒓𝒆 = = 𝟏𝟒. 𝟑 [𝜴]
1.81𝑚𝐴
2.2 ∥ 2.2
𝑹𝑬𝟏 = − 𝑟𝑒 = 𝟓𝟔 [𝜴]
|16|

 𝑨𝒍 𝒄𝒐𝒎𝒑𝒂𝒓𝒂𝒓 𝒓𝒆 𝒄𝒐𝒏 𝑹𝑬𝟏 𝒗𝒆𝒎𝒐𝒔 𝒒𝒖𝒆 𝒏𝒐 𝒄𝒖𝒎𝒑𝒍𝒆 𝒄𝒐𝒏 𝒓𝒆 ≪ 𝑹𝑬𝟏 𝒑𝒐𝒓 𝒍𝒐 𝒒𝒖𝒆 𝒂𝒔𝒖𝒎𝒊𝒎𝒐𝒔:

𝒓𝒆 = 𝟓 [𝜴]

26𝑚𝑉
𝑰𝑪 = = 𝟓. 𝟐[𝒎𝑨]
5

𝑉𝑅𝐶 = 𝐼𝐶 ∗ 𝑅𝐶 = 11.44 [𝑉]

𝑽𝑹𝑪 = 𝟏𝟐[𝑽]

𝐼𝐶
𝑰𝑩 = = 𝟓𝟐[𝝁𝑨]; 𝑰𝟏 = 11𝐼𝐵 = 𝟓𝟕𝟐[𝝁𝑨] ; 𝑰𝟐 = 10𝐼𝐵 = 𝟓𝟐𝟎[𝝁𝑨]
𝛽

𝑉𝐸 ≥ (1 + 𝑉𝑖𝑛𝑝 ) ∗ (1.2)

𝑉𝐸 ≥ (1 + 0.09) ∗ (1.2)

𝑉𝐸 ≥ 1.38

𝑽𝑬 = 𝟐[𝑽]

𝑉𝐵 = 𝑉𝐸 + 𝑉𝐵𝐸

𝑽𝑩 = 𝟐. 𝟕[𝑽]

𝑉𝐶𝐸 ≥ 𝑉𝑜𝑝 + 𝑉𝑖𝑛𝑝 + 𝑉𝑎𝑐𝑡.

𝑉𝐶𝐸 ≥ 1.44 + 0.09 + 2

𝑉𝐶𝐸 ≥ 3.53

𝑽𝑪𝑬 = 𝟒 [𝑽]

𝑉𝑐𝑐 = 𝑉𝑅𝐶 + 𝑉𝐶𝐸 + 𝑉𝐸 = 4 + 12 + 2

𝑽𝒄𝒄 = 𝟏𝟖[𝑽]

𝑉𝑅1 = 𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝐵
𝑉𝑅1 = 18 − 2.7

𝑽𝑹𝟏 = 𝟏𝟓. 𝟑[𝑽]

𝑉𝐸
𝑅𝐸2 = − 𝑅𝐸1
𝐼𝐸

𝑹𝑬𝟐 = 𝟑𝟑𝟎[𝜴]

𝑉𝑅1 𝑉𝐵
𝑅1 = 𝑅2 =
𝐼1 𝐼2

𝑹𝟏 = 𝟐𝟕[𝑲𝜴] 𝑹𝟐 = 𝟓. 𝟔[𝑲𝜴]

10 10 10
𝐶𝐵 = ; 𝐶𝐸 = ; 𝐶𝐶 =
2 ∗ 𝜋 ∗ 𝑓 ∗ 𝑍𝑖𝑛 2 ∗ 𝜋 ∗ 𝑓 ∗ (𝑅𝐸1 + 𝑟𝑒 ) 2 ∗ 𝜋 ∗ 𝑓 ∗ (𝑅𝐶 ∥ 𝑅𝐿 )

𝑪𝑩 = 𝟏 [𝝁𝒇] ; 𝑪𝑬 = 𝟐𝟎 [𝝁𝒇] ; 𝑪𝑪 = 𝟏[𝝁𝒇]

3. Realizar la simulación del circuito diseñado en un software computacional, presentar las


formas de onda obtenidas en los terminales del TBJ y un cuadro con las mediciones de valores
en DC del circuito.
𝑽𝑩 [𝑽] 𝑽𝑪 [𝑽] 𝑽𝑬 [𝑽] 𝑰𝑩 [𝝁𝑨] 𝑰𝑪 [𝒎𝑨] 𝑰𝑬 [𝒎𝑨]

2.93 5.23 2.22 36.7 5.81 5.99

BIBLIOGRAFIA:

 Robert L. Boylestad, Prentice Hall, 10ma Edición, Electrónica: teoría de circuitos y dispositivos
electrónicos
 Sánchez A. Tarquino, Escuela Politécnica Nacional, 2ª edición, Electrónica: dispositivos y
aplicaciones.