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Dispositivos semiconductores de potencia.

Tema VII. Interruptores


Lección 16 El diodo de potencia

16.1 Construcción y encapsulado


16.2 Características estáticas
16.2.1 Curvas características
16.2.2 Estados de bloqueo y conducción
16.2.3 Cálculo de pérdidas
16.3 Características dinámicas
16.3.1 Salida de conducción: Recuperación inversa
16.3.2 Entrada en conducción: Recuperación directa
16.3.3 Cálculo de pérdidas

Lección 16. – El diodo de potencia.

16.4 Tipos de diodos de potencia


16.4.1 Diodos rectificadores para baja frecuencia
16.4.2 Diodos rápidos y ultrarrápidos
16.4.3 Diodos Schotkky
16.4.4 Diodos para aplicaciones especiales
16.5 Uso de los datos de catálogo de fabricantes

Lección 16. – El diodo de potencia.


16.1 Construcción y encapsulado
CARACTERÍSTICAS
CARACTERÍSTICASDESEABLES:
DESEABLES:
--Corriente
Corriente elevada conbaja
elevada con bajacaída
caídade
detensión
tensión
--Tensión
Tensión inversa elevada con mínimasfugas
inversa elevada con mínimas fugas

COMPARACIÓN DE LOS DIODOS DE POTENCIA:

Caída
Caídade
de Temp.
Temp. Tensión
Tensión Intensidad
Intensidad Densidad
Densidad
Corriente
Corriente
Tipo
Tipo tensión
tensión interna
interna inversa
inversa directa
directa de
decorriente
corriente
de
defugas
fugas 2
directa
directa(V)
(V) máx. (ºC) máx. (V)
máx. (ºC) máx. (V) máx. (A)
máx. (A) (A/cm)2)
(A/cm

Mercurio
Mercurio 15
15aa19
19 baja
baja 400
400 20.000
20.000 5.000
5.000 4.000
4.000
Selenio
Selenio 11 alta
alta 150
150 50
50 50
50 11
Germanio
Germanio 0,5
0,5 baja
baja 120
120 800
800 200
200 100
100
Silicio
Silicio 11 muy
muybaja
baja 200
200 3.500
3.500 1.000
1.000 100
100
Oxido
Oxidode de 0,6 alta 70 30 10 11
cobre 0,6 alta 70 30 10
cobre

Lección 16. – El diodo de potencia.

16.1 Construcción y encapsulado

ENCAPSULADOS - Aislamiento
- Conexión Eléctrica
- Disipación térmica
DO - 5

Terminal de cobre
(ánodo)

Soldaduras Cierre aislante


Au-Si

Cierre metálico
Base de cobre
(cátodo) P
Pastilla
N
semiconductora

Lección 16. – El diodo de potencia.


16.1 Construcción y encapsulado

DO – 200AC

Grandes corrientes
(3500 – 5000 A)

Base de cobre
(ánodo)
Pastilla
semiconductora Cierre metálico

Cierre cerámico

Soldaduras

Base de cobre P
(cátodo) N

Cierre metálico

Lección 16. – El diodo de potencia.

16.2 Características estáticas


Curvas características: Vd
VF
rd

id

tg α = 1/rd
VRRM

IR Vd VAK

VR
Diodo real

Lección 16. – El diodo de potencia.


16.2 Características estáticas
Curvas características:

id

Vd = 0
rd = 0
VAK

Diodo ideal

Lección 16. – El diodo de potencia.

16.2 Características estáticas


Estado de conducción:

DIODO IDEAL
Ve

Ve RL VS Ve RL VS VS

DIODO REAL
Vd rd
Ve

Ve RL VS Ve RL VS VS

V-Vd -rd·id

Lección 16. – El diodo de potencia.


16.2 Características estáticas
Estado de conducción. Parámetros:

Intensidad media nominal (IFAV):


Es el valor medio de la máxima intensidad de impulsos
senoidales de 180º que el diodo puede soportar con la
cápsula mantenida a determinada temperatura (110 ºC
normalmente).

Intensidad de pico repetitivo (IFRM ):


Máxima intensidad que puede ser soportada cada 20 ms
por tiempo indefinido, con duración de pico de 1ms a
determinada temperatura de la cápsula.

Intensidad de pico único (IFSM ):


Es el máximo pico de intensidad aplicable por una vez
cada 10 minutos o más, con duración de pico de 10ms.

Lección 16. – El diodo de potencia.

16.2 Características estáticas


Estado de bloqueo:

Ve RL VS Ve RL VS

Ve

V
VS

Lección 16. – El diodo de potencia.


16.2 Características estáticas
Estado de bloqueo. Parámetros:

Tensión inversa de trabajo (VRWM ):


Tensión inversa máxima que puede ser soportada por el diodo
de forma continuada sin peligro de avalancha.

Tensión inversa de pico repetitivo (VRRM ):


Tensión inversa máxima que puede ser soportada en picos de
1ms repetidos cada 10 ms por tiempo indefinido.

Tensión inversa de pico único (VRSM ):


Tensión inversa máxima que puede ser soportada por una
sola vez cada 10 min o más, con duración de pico de 10ms.

Tensión de ruptura (VR):


Si es alcanzada, aunque sea por una vez, el diodo puede
destruirse o al menos degradar sus características eléctricas.

Lección 16. – El diodo de potencia.

16.2 Características estáticas


Cálculo de pérdidas:

id
1 T
Pdis =
T ∫0
v F (t) ⋅ i d (t) ⋅ dt
VF

id
PPdis = V ·I dm+r
dis = Vdd·Idm +rdd·(I
·(Idef )22
def )

Vd rd
VVd:: Tensión
Tensiónumbral.
umbral.
d
Idm
Idm:: Corriente
Corrientemedia.
media.
rrd:: Resistencia
Resistenciadinámica.
dinámica.
d
Idef
I :: Corriente eficaz.
Corriente eficaz.
def

Lección 16. – El diodo de potencia.


16.3 Características dinámicas
Entrada de conducción: Recuperación directa
Diodo Ideal: Diodo Real: id

did/dt
Id
Cierre
t

VF
Id
VFP

t
Vd -VR
trd

trd
t ::tiempo
tiempode
derecuperación
recuperacióndirecta
directa
rd

Lección 16. – El diodo de potencia.

16.3 Características dinámicas


Salida de conducción: Recuperación inversa

Pico de corriente de recuperación Inversa: id Id

did
Irr = t a Qrr=Irr·trr/2
dt

Tiempo de recuperación inversa: t


Irr
t rr = t a + t b
ta tb
ta = tiempo de almacenamiento.
VF
tb = tiempo de caída. trr

Carga de Almacenamiento:

1
Q rr = t rr Irr t
2 VR
Vrr
2 Q rr
t rr = di d
di d Irr = 2 Q rr
dt
dt

Lección 16. – El diodo de potencia.


16.3 Características dinámicas
Cálculo de pérdidas: id Id

Las pérdidas de entrada Qrr=Irr·trr/2


en conducción son muy
pequeñas ( trd << trr) y
suelen despreciarse! t
Irr

1 T
Pdis =
T ∫
0
v F (t) ⋅ i d (t) ⋅ dt VF
trr

PPdis = Q ·V ·f
dis = Qrrrr·VRR·fSS
t
ffS::Frec. de conmutación. VR
S Frec. de conmutación.

Observar la dependencia de (aproximación de la salida


las pérdidas con la frecuencia de conducción)
de conmutación.

Lección 16. – El diodo de potencia.

16.4 Tipos de diodos de potencia


Diodos rectificadores para baja frecuencia:

IFAV
I ::1A
1A––6000
6000AA
FAV

VVRRM::400 – 3600 V
RRM 400 – 3600 V

VVFmax::1,2V (a II )
Fmax 1,2V (a FAVmax
FAVmax)

ttrr::10 µs
rr 10 µs

Aplicaciones:
Aplicaciones:--Rectificadores
RectificadoresdedeRed.
Red.
--Baja frecuencia (50Hz).
Baja frecuencia (50Hz).

Lección 16. – El diodo de potencia.


16.4 Tipos de diodos de potencia
Diodos rápidos (fast) y ultrarrápidos (ultrafast):

IFAV
I ::30A
30A––200
200AA
FAV

VVRRM::400 – 1500 V
RRM 400 – 1500 V

VVFmax::1,2V (a II )
Fmax 1,2V (a FAVmax
FAVmax)

ttrr::0,1 - 10 µs
rr 0,1 - 10 µs

Aplicaciones:
Aplicaciones:--Conmutación
Conmutaciónaaalta
altafrecuencia
frecuencia(>20kHz).
(>20kHz).
--Inversores.
Inversores.
--UPS.
UPS.
--Accionamiento
Accionamientode
demotores
motoresCA.
CA.

Lección 16. – El diodo de potencia.

16.4 Tipos de diodos de potencia


Diodos Schotkky:

IFAV
I ::1A
1A––120
120AA
FAV

VVRRM::15 – 150 V
RRM 15 – 150 V

VVFmax::0,7V (a II )
Fmax 0,7V (a FAVmax
FAVmax)

ttrr::55ns
ns
rr

Aplicaciones:
Aplicaciones:--Fuentes
Fuentesconmutadas.
conmutadas.
--Convertidores.
Convertidores.
--Diodos
Diodosdedelibre
librecirculación.
circulación.
--Cargadores de baterías.
Cargadores de baterías.

Lección 16. – El diodo de potencia.


16.4 Tipos de diodos de potencia
Diodos para aplicaciones especiales (alta tensión):

IFAV
I ::0,45A
0,45A––22AA
FAV

VVR::7,5kV – 18kV
R 7,5kV – 18kV

VVRRM::20V – 100V
RRM 20V – 100V

ttrr::150 ns
rr 150 ns

Aplicaciones:
Aplicaciones:--Aplicaciones
Aplicacionesde
dealta
altatensión.
tensión.

Lección 16. – El diodo de potencia.

16.4 Tipos de diodos de potencia


Diodos para aplicaciones especiales (alta corriente):

IFAV
I ::50A
50A––7000
7000AA
FAV

VVRRM::400V – 2500V
RRM 400V – 2500V

VVF::2V
F 2V

ttrr:10 µs
rr:10 µs

Aplicaciones:
Aplicaciones:--Aplicaciones
Aplicacionesde
dealta
altacorriente.
corriente.

Lección 16. – El diodo de potencia.


16.4 Tipos de diodos de potencia

Ánodo Rectificador
1500V
200V 168A
DO - 5 60A 1.8V

Cátodo
Encapsulado (roscado)
cerámico Schottky
600V/6000A 120A – 150V

Alta Tensión Fast


40.000V 1500V
0.45A 168A
32V (VF) 1.8V
32

Lección 16. – El diodo de potencia.

16.5 Uso de los datos de catálogo de fabricantes

Lección 16. – El diodo de potencia.


16.5 Uso de los datos de catálogo de fabricantes

Lección 16. – El diodo de potencia.

16.5 Uso de los datos de catálogo de fabricantes

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16.5 Uso de los datos de catálogo de fabricantes

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16.5 Uso de los datos de catálogo de fabricantes

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16.5 Uso de los datos de catálogo de fabricantes

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