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UNIVERSIDAD FRANCISCO DE PAULA SANTANDER Versión: 1.0
PROGRAMA DE INGENIERÍA ELECTRÓNICA
ELECTRÓNICA III
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Informe de la práctica de laboratorio N°1:


“Amplificador multietapa con etapa de
potencia”
Miguel Angel Califa Urquiza – 1160950
Juan David Carrillo – 1160802

INTRODUCCIÓN
g) Respuesta en la banda de paso máximamente plana.

L os transistores discretos desempeñan una labor crucial


en el desarrollo de sistemas electrónicos y su principal
función es la amplificación de señales, que como su
propio nombre lo indican son demasiado pequeñas, sin embargo
esta es quizá la mas complicada dado que cualquier variación
h) El amplificador debe estar compensado con respecto a
variaciones de temperatura.
i) Fuentes de alimentación de ± 12v.

inesperada , un valor indeseado o tan simple como un III. HERRAMIENTAS UTILIZADAS


cortocircuito puede inhabilitar completamente el amplificador,
casos como estos se analizaran en los siguientes laboratorios Herramienta de simulación ORCAD PSPICE 10.3 ,
intentando buscar que lo que ocurre externamente no cause Protoboard, Fuente de voltaje Regulada (±12 𝑉), Generador
daños a la estructura básica del amplificador. de señal casero (diseño propio)(60 hz), Osciloscopio con sus
respectivas puntas de prueba (0-200Mhz), Multímetro Digital
I. OBJETIVOS (500V / 10 A /10 Mhz ), Transistores 2N2222, TIP 41C, TIP
 Diseñar un amplificador multietapa que cumpla los 42C, Diodos 1N4001, Resistencias ½ W, 10 W,
requerimientos solicitados al comienzo de la practica. Condensadores, Pinzas, Pelacables, cables.
 Realizar la simulacion el circuito diseñado en OrCad
para la respuesta temporal y frecuencial. IV. DESARROLLO DE LA PRÁCTICA
 Implementar el diseño y confrontar los resultados
obtenidos con los simulados y los teoricos. Como sugerencia al momento de diseñar la guía propone
realizar un diseño que conste de 4 etapas inversoras
II. PLANTEAMIENTO DEL PROBLEMA consecutivas , 1 etapa seguidora y por ultimo una etapa de
potencia clase ab que realice el acople de impedancias en su
Se requiere para una aplicación no especificada un amplificador ultimo y mas brusco golpe a 8 ohmios, dado que sin las etapas
que posea internamente las siguientes características: seguidora y clase ab el amplificador caería en una perdida
de ganancia que haría que la meta o el sueño deseado sea solo
a) Ganancia de voltaje mayor o igual a 250 ± 2%. (Medido ello un “sueño”.
a 20 kHz).
b) Manejo de señal a la salida: 12 V pico a pico. (Medido
a 20 kHz).
c) Resistencia de entrada mayor o igual 100KΩ.
d) Resistencia de salida igual a 8Ω.
e) Punto terminal de -3dB de baja frecuencia menor o igual
a 40Hz (fL≤40Hz).
f) Punto terminal de -3dB de alta frecuencia mayor o igual Figura 1. Diagrama de bloques.
40Khz (fh≥40KHz).
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DISEÑO

Como es habitual, el diseño se realiza de derecha a izquierda Las resistencias deben ser iguales, del concepto extraido en
del diagrama , es decir comenzando con la etapa de potencia clase y sugerencia de clase es que el valor de estas resistencias
clase AB, utilizando como principal soporte los conceptos tiene que ser bajo .
comprendidos en clase. Tomando de concepto que la resistencia de entrada de dicha
etapa es aproximadamente el paralelo que forma las resistencias
 Etapa de Potencia , se decide por testear con un valor de 1k que en paralelo serian
500 ohmios de impedancia de entrada, lo sorprendente ocurre
Para que el amplificador operacional funcione correctamente el cuando descubrimos que al emplear estos valores las corrientes
ingeniero debe analizar a que carga se afrontara la salida de su de polarización son estables , y la ganancia se mantiene , el
amplificador, que en este caso especifico es de 8 ohmios, a circuito evoluciona sin recortes por lo que dichos valores se
simple vista se sabe que inmediatamente el voltaje alcance su mantienen en el diseño.
valor máximo la corriente pico en dicho momento será:
𝑣 2 (12)2  5 Etapa: Amplificador CC
𝐼𝑝 = = = 18 𝑤𝑎𝑡𝑡
𝑟 8
Razón por la cual de inmediato se sabe que se debe usar un Aunque de la etapa de potencia la impedancia ha aumentado
transistor que venga en un empaque que soporte dichas considerablemente , 62 veces aproximadamente mas grande por
corrientes pico apoyado de un disipador de calor y que de igual que ha pasado de ser 8 ohmios a 500 ohmios se sigue
manera la resistencia deberá estar apoyada en un disipador de observando que es un valor inaceptable para una etapa
calor , que de ser necesario deberá tener un ventilador que inversora dado que causaría los efectos de carga indeseados.
realizara el proceso que se llama disipación activa para reducir Por lo que hemos estudiado podemos concluir que la mejor
rápidamente esas altas temperaturas producidas por la potencia salida a ello es implementar una etapa de colector común para
disipada en forma de calor por cada uno de los elementos. acoplar dichas etapas ya que esto es una decisión prudente dado
El transistor elegido es el TIP41C y el TIP42C que pertenecen que aunque no se obtiene ninguna ganancia de voltaje , se
a la misma familia y por lo tanto tienen condiciones de trabajo obtiene una ganancia en impedancia que en estos casos es mas
similares , ellos es una ventaja dado que los betas , voltajes de
necesaria.
polarización , corrientes de saturación son lo bastante similares
Para diseñar esta etapa se ha decidido asumir que el transistor
como para emular las condiciones de una pareja de transistores
pareados, ( la hoja de datos de cada uno de ellos se encuentra tiene un beta bastante bajo , por que el diseño es estable asi que
en los anexos). si tiene un beta mayor que sabemos que lo tiene simplemente el
circuito se auto compensara.

Los voltajes de polarización los hemos asumido de 10 voltios


dado que al aumentar la fuente si es verdad que hay un cambio
pero que es para bien dado que al aumentar el voltaje el rango
de excursión aumenta y el beta sigue relativamente en el centro
, y dado que los valores de la resistencias variaran a la hora de
implementar todo esto tendera a moverse unas milésimas
tolerables.

Anexo A. ECUACIONES.

𝐵 = 164 𝑅1 = 10.8 K Ω

𝑉𝐶𝐶 = 10 𝑉 Valor Comercial = 11 K Ω

𝑉𝐸𝐸 = −10 𝑉 𝑅2 = 36.1 K Ω


Figura 2. Amplificador clase AB
𝑅𝐸 = 𝑅𝐿 = 510 Ω Valor Comercial = 36 K Ω
Para este diseño es de saberse que el único valor que hay
que seleccionar es el de R18 y R19 que para nuestro caso ha 2 ∗ 𝑉𝐶𝐶 𝑍𝐼 = 7.02 𝐾Ω
sido bastante fácil dado que la señal de entrada es simétrica , 𝐼𝐶𝑄 = = 26 𝑚𝐴
𝑅𝐶𝐴 + 𝑅𝐷𝐶
las condiciones de polarización deben ser iguales por lo tanto 𝐴𝑉5 = 0.996
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𝑉𝐶𝐸 = 6.6 𝑉

Figura 4. Amplificador EC Cuarta Etapa


Figura 3. Amplificador CC Quinta Etapa
 3 Etapa: Amplificador EC
 4 Etapa: Amplificador EC
Aquí ya vemos que hay una impedancia de entrada bastante En esta etapa se observa que el procedimiento que se mantiene
razonable entonces la decisión es empezar a diseñar las etapas es igual , el factor sigue siendo el mismo pero la corriente de
de amplificación . colector tiende a disminuir dado que buscamos que la primera
Al igual que en la anterior etapa el voltaje de vcc y vee se asume etapa tenga una corriente de polarización muy pequeña que
como +/- 10 VDC para que al momento de aumentar a +/- 12 permita que la impedancia de entrada sea cercana a los
VDC se aumente el rango de excursión y las resistencias que no 100Kohmios.
posean un valor exacto mantengan centrado el punto Q. Para esta etapa se sigue el mismo procedimiento que la anterior.

Apartir de este momento se asumirán las corriente Ic,que para 𝐵 = 262 Valor Comercial = 7.5 KΩ
el caso de la primera etapa será de 0.1 mA, lo suficientemente
pequeña para lograr una impedancia de entrada mayor a 𝑉𝐶𝐶 = 10 𝑉 𝑅𝐸 = 816 Ω
100 𝐾Ω. Incrementando las corrientes de colector en un factor
𝑉𝐸𝐸 = −10 𝑉 Valor Comercial = 820 Ω
de 4 [1], se tiene:
𝐴𝑉3 = −4.17 𝑅1 = 200 𝐾Ω
𝐵 = 269 Valor Comercial = 1.3 KΩ
𝑅𝐿 = 6.52 𝐾Ω Valor Comercial = 200 K Ω
𝑉𝐶𝐶 = 10 𝑉 𝑅𝐸 = 258.2 Ω
𝐼𝐶 = 1.6 𝑚𝐴 𝑅2 = 23.9 𝐾Ω
𝑉𝐸𝐸 = −10 𝑉 Valor Comercial = 270 Ω
𝑉𝐶𝐸 = 6.87 𝑉 Valor Comercial = 24 K Ω
𝐴𝑉4 = −4.17 𝑅1 = 54.5 𝐾Ω
𝑅𝐶 = 7.41 𝐾Ω 𝑍𝐼 = 19.5 𝐾Ω
𝑅𝐿 = 7.02 𝐾Ω Valor Comercial = 56 K Ω

𝐼𝐶 = 6.5 𝑚𝐴 𝑅2 = 8 𝐾Ω

𝑉𝐶𝐸 = 8.8 𝑉 Valor Comercial = 8.2 K Ω

𝑅𝐶 = 1.38 𝐾 𝑍𝐼 = 6.52 𝐾Ω
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Figura 6. Amplificador EC Segunda Etapa


Figura 5. Amplificador EC Tercera Etapa

 1 Etapa: Amplificador EC
 2 Etapa: Amplificador EC
En esta primera etapa se repite sistemáticamente el mismo
proceso que en la anterior etapa , solo varia el valor de la
En estas etapas se observa que la excursión de la señal de salida
impedancia de salida que nos deja la etapa anterior como carga
es menor a 12 voltios por lo que con una sola fuente se puede
a esta nueva etapa.
dar el voltaje justo y necesario , esta decisión no solo hace mas
eficiente el amplificador sino que también hace mas simple el
𝐵 = 226 𝑅𝐸 = 5.6 𝐾Ω
diseño dado que los valores serán mas bajos y por ende las
resistencias serán mas grandes aumentando considerablemente
𝑉𝐶𝐶 = 10 𝑉 Valor Comercial = 5.6 KΩ
la impedancia de entrada para llegar al deseado final.
𝐴𝑉1 = −4.17 𝑅1 = 965 𝐾Ω
𝐵 = 250 𝑅𝐸 = 1.8 𝐾Ω
𝑅𝐿 = 41 𝐾Ω Valor Comercial = 966 K Ω
𝑉𝐶𝐶 = 10 𝑉 Valor Comercial = 1.8 KΩ
𝐼𝐶 = 0.1 𝑚𝐴 𝑅2 = 147 𝐾Ω
𝐴𝑉2 = −4.17 𝑅1 = 301.6 𝐾Ω
𝑉𝐶𝐸 = 3 𝑉 Valor Comercial = 150 K Ω
𝑅𝐿 = 19.5 𝐾Ω Valor Comercial = 300 K Ω
𝑅𝐶 = 63.6 𝐾Ω 𝑍𝐼 = 118 𝐾Ω
𝐼𝐶 = 0.4 𝑚𝐴 𝑅2 = 52.9 𝐾Ω
Valor Comercial = 62 KΩ
𝑉𝐶𝐸 = 3.84 𝑉 Valor Comercial = 53 K Ω
𝑅𝐶 = 13.4 𝐾Ω 𝑍𝐼 = 41 𝐾Ω
Valor Comercial = 13 KΩ

Figura 7. Amplificador EC Primera Etapa


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La ganancia total del circuito se expresa como: V. CONCLUSIONES

𝐴𝑉𝑇 = 𝐴𝑉1 ∗ 𝐴𝑉2 ∗ 𝐴𝑉3 ∗ 𝐴𝑉4 ∗ 𝐴𝑉5 ∗ 𝐴𝑉6 La opción más acertada para hacer el diseño de la etapa de
𝐴𝑉𝑇 = (−4.17)4 ∗ 0.996 ∗ 0.996 = 300 potencia es el clase AB por lo que este fue el que se
implemento aunque el diseño matemático no fuese tan extenso.
De acuerdo con la característica del 5%, 237.5 ≤ 𝐴𝑉 ≤ 262.5
Claramente cuando este amplificador enfrente las variaciones Para ganancias altas como las presentadas es un reto inmenso
en las fuentes de voltaje , los cambios bruscos de beta , los hacerlo con amplificadores discretos , los amplificadores
cambios por resistencias inexactas y por ultimo las operacionales simplifican notablemente estos diseños , sin
inclemencias de como se trate en el transporte , la mala embargo el conocimiento adquirido es invaluable.
continuidad aveces de las protoboard que tenemos , la ganancia
tiende a caer en un factor que no debera de estar por debajo de Se debe tener en cuenta que por lo general la corriente de
lo pronosticado dado que como se observa el diseño esta hecho colector del último amplificador (anterior al de potencia) es
por encima de la ganancia y no por debajo. moderadamente grande por lo que según esta se debe elegir un
Claramente si este diseño se lleva a una PCB doble capa con un transistor capaz de disipar un poco más de potencia.
reborde de GND que proteja de ruido externo y los cables de
entrada sean blindados se gozara de un valor de ganancia muy Para lograr la exactitud aveces se debe exagerar un poco para
cercano a los 300. que cuando las condiciones sean las de trabajo el transistor se
SIMULACIÓN mantenga dentro de los rangos deseados.

Los resultados de la simulación en OrCad Ps-Pice se Al utilizar un amplificador clase AB es necesario saber la
mostrarán en el Anexo B. SIMULACIÓN. cantidad de potencia disipada por la resistencia de carga para
que al implementarla se elija la adecuada y esta no se
IMPLEMENTACIÓN sobrecaliente y se dañe.

Los resultados de la implementación se mostrarán en el


Anexo C. IMPLEMENTACIÓN. REFERENCIAS

RESULTADOS
[1] Diseño Electronico, 3ª Edición - C. J. Savant. Prentice-
Tabla 1. Comparación de resultados Hall.
Teórico Simulación Implementación [2] Circuitos Microelectrónicos, 4ta Edición – Adel S. Sedra &
Kenneth C. Smith. Oxford University Press.
𝑽𝑪𝑬𝟏 3V 2.87 V 2.9 V
[3] Electrónica, 2da Edición – Allan R. Hambley. Prentice-
𝑰𝑪𝟏 0.1 mA 0.1 mA 0.1 mA Hall.
𝑽𝑪𝑬𝟐 3.8 V 4.3 V 4.1 V [4] Guia de Laboratorio Electronica III, Ing. Jose Alejo
𝑰𝑪𝟐 0.4 mA 0.38 mA 0.4 mA Rangel Rolón.
[5] 2N2222 Transistor Datasheet. Central Semiconductor
𝑽𝑪𝑬𝟑 6.8 V 7.4 V 7.2 V Corp.
𝑰𝑪𝟑 1.6 mA 1.5 mA 1.54 mA [6] Tip 41 Series Transistor Datasheet. Fairchild
𝑽𝑪𝑬𝟒 8.8 V 6.2 V 6.5 V Semiconductor.
[7] Tip 42 Series Transistor Datasheet. Fairchild
𝑰𝑪𝟒 6.5 mA 6 mA 6.2 mA
Semiconductor.
𝑽𝑪𝑬𝟓 6.6 V 6.8 V 6.7 V
𝑰𝑪𝟓 26.1 mA 26 mA 25.8 mA
𝑨𝑽𝑻 300 301 307
𝒁𝑰 118 KΩ 118 KΩ 120K
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ANEXO A. ECUACIONES

𝑉𝜋 𝛽𝑉𝑇 Emisor Común


𝑅𝜋 = =
𝐼𝐵 𝐼𝐶𝑄
𝛽(𝑅𝐶 ||𝑅𝐿 )
𝐴𝑉 = −
𝐼𝐶𝑄 𝛽 (𝑅𝜋 + 𝑅𝐸 (𝛽 + 1))
𝑔𝑚 = =
𝑉𝑇 𝑅𝜋
𝑍𝐼 = 𝑅𝑇𝐻 ||(𝑅𝜋 + 𝑅𝐸 (𝛽 + 1))
𝐼𝐶 = 𝛽𝐼𝐵
𝑅𝐶𝐴 = (𝑅𝐶 ||𝑅𝐿 ) + 𝑅𝐸
𝐼𝐸 = 𝐼𝐵 (𝛽 + 1)
𝑅𝐷𝐶 = 𝑅𝐶 + 𝑅𝐸
𝑅𝑇𝐻 = 0.1𝛽𝑅𝐸
Colector Común
𝑅1 𝑅2
𝑅𝑇𝐻 = 𝑅𝐸 = 𝑅𝐿
𝑅1 + 𝑅2

𝑉𝐶𝐶 𝑅2 𝑅𝑇𝐻𝐼𝐶 𝑍𝐼 = 𝑅𝑇𝐻 ||(𝑅𝜋 + 𝑅𝑃 (𝛽 + 1))


𝑉𝑇𝐻 = =( ) + 0.7 + 𝐼𝐸 𝑅𝐸
𝑅1 + 𝑅2 𝐵
1 1 −1
𝑉𝐶𝐶 𝑅𝑇𝐻 𝑍𝑂 = (𝑔𝑚 + + )
𝑅𝜋 𝑅𝑃
𝑅1 =
𝑉𝑇𝐻
(𝛽 + 1)𝑅𝑝
𝑅𝑇𝐻 𝐴𝑉 =
𝑅2 = (𝑅𝜋 + 𝑅𝑝 (𝛽 + 1))
𝑉
1 − ( 𝑇𝐻 )
𝑉𝐶𝐶
𝑅𝐶𝐴 = 𝑅𝐸 ||𝑅𝐿 = 𝑅𝑃
Máxima excursión simétrica
𝑅𝐷𝐶 = 2𝑅𝑃
𝑉𝐶𝐶
𝐼𝐶𝑄 =
𝑅𝐶𝐴 + 𝑅𝐷𝐶
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ANEXO B. SIMULACIÓN

Figura 8. Amplificador Multietapa con etapa de Potencia

Figura 9. Análisis en el dominio del tiempo para la señal de salida


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Figura 10. Ganancia del Amplificador para frecuencias superior e inferior

Figura 11. Impedancia de entrada


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Figura 12. Voltajes de polarización

Figura 13. Corrientes de polarización

Figura 14. Potencias de Los elementos


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ANEXO C. IMPLEMENTACIÓN

Figura 13. Circuito implementado en Protoboard


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Figura 14. Señal de salida del amplificador


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Figura 15. Voltajes suministrados por cada una de las fuente DC


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Figura 16. Divisor de voltaje utilizado para conectar al transformador con R1 = 10k y R2 igual a 90
Ohmios, generando una entrada de 24 mV aproximadamente.( Generador de señales DIY- MIGUEL
CALIFA)

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