AMPLIFICADOR CON TRNASISTOR BIPOLAR EN COLECTOR COMÚN

I. Objetivo
Estudio de las características del amplificador en colector común, llamado también
seguidor emisivo, Zin y Zout.

II. Fundamento teórico

Configuración Colector Común

La configuración en colector común, mostrada en la figura 3.20 con las direcciones de
la corriente y notación de voltaje correctas. La configuración en colector común se
utiliza sobre todo para igualar impedancias, puesto que tiene una alta impedancia de
entrada y una baja impedancia de salida, lo contrario de las configuraciones en base
común y en emisor común.
Para la configuración en colector común las características de salida son una gráfica de IE
contra VCE con un rango de valores de IB. La corriente de entrada es, por consiguiente, la misma
tanto con las características en emisor común como en colector común. Por último, ocurre un
cambio casi imperceptible en la escala vertical de IC de las características en emisor común si IC
se reemplaza con IE para las características en colector común (puesto que α≅ 1). Para el
circuito de entrada de la configuración en colector común bastan las características básicas en
emisor común para obtener la información requerida.

Límites de Operación

Para cada transistor hay una región de operación en las características que garantizará que no
se excedan las capacidades nominales máximas y que la señal de salida exhiba distorsión
mínima. Dicha región se definió para las características del transistor de la figura 3.22. Todos
los límites de operación se definen en una hoja de especificaciones del. Algunos de los límites
de operación se explican por sí solos, como la corriente máxima del colector (normalmente
aparece en la hoja de especificaciones como corriente continua en el colector) y el voltaje
máximo del colector al emisor (a menudo abreviado VCEO o V(BR)CEO en la hoja de
especificaciones). Para el transistor de la figura 3.22, IC max se especificó como 50 mA y VCEO
como 20 V. La línea vertical en las características definida como VCE sat especifica el VCE mínimo
que se puede aplicar sin caer en la región no lineal llamada región de saturación. El nivel de VCE
sat está por lo común cerca de 0.3 V, especificado para este transistor. El nivel máximo de
disipación lo define la siguiente ecuación:
Si las curvas de características no están disponibles o no aparecen en la hoja de
especificaciones (como sucede a veces), basta con asegurarse de que IC, VCE y su producto VCE*
IC queden comprendidos en el intervalo siguiente:

Para las características de base común el siguiente producto de cantidades de salida define la
curva de potencia máxima:
Hoja de especificaciones
III. Simulaciones

1. Tensión DC a las salidas del transistor antes de conectar la fuente alterna

VE = 12V
VB = 5.155V
VC = 5.824V
2. Conectando el generador a 50mVpico, con frecuencia de 1kHz

VL = 2.475mV

3. Desconectando la carga
VL = 3.58mV
 4. Mida la relación de fase entre Vin y VL

Vin 3.112
𝐴𝑣 = = = 0.06224
VL 50

5. Varíe la frecuencia del generador y llene la siguiente tabla, con Vin = 50mVpico

Vin(Vpico)mV 50 50 50 50 50 50 50 50 50
f(Hz) 100 500 1K 2K 5K 10K 30K 50K 100K
VL(Vpico)mV 3.099 3.112 3.112 3.112 3.112 3.112 3.111 3.11 3.103

6. Dibuje el gráfico de respuesta en frecuencia indicando la ganancia de tensión

vs frecuencia en escala semilogarítmica.

0.0623

0.06225

0.0622

0.06215
Av

0.0621

0.06205

0.062

0.06195
0 20 40 60 80 100 120
Frecuencia(kHz)

7. Determine la impedancia de entrada a 1kHz

𝑽𝒊 𝟓𝟎
𝒁𝒊 = = = 𝟏𝟎𝟖. 𝟔𝟗Ω
𝑰𝒊 𝟎. 𝟒𝟔
 8. Determine la impedancia de salida a 1kHz

𝑽𝒍 𝟑. 𝟏𝟏𝟐
𝒁𝒐𝒖𝒕 = = = 𝟏𝟎𝟎. 𝟐𝟕Ω
𝑰𝒐𝒖𝒕 𝟎. 𝟎𝟑𝟏

𝐼𝑙 0.031 𝑉𝐿
9. Determine 𝐼𝐺
= 0.46
= 0.067 , 𝑉𝐺
= 0.06224

IV. Referencia bibliográfica

 file:///F:/DISPOSITIVOS%20ELECTRONICOS/electrc3b3nica-teorc3ada-de-circuitos-y-
dispositivos-electrc3b3nicos-r-boylestad-10m-edicic3b3n.pdf
 Guía de laboratorio
 file:///F:/DISPOSITIVOS%20ELECTRONICOS/Dispositivos%20electronicos%208va%20ed-
Floyd.pdf