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Laboratorio I E S F M – I P N Práctica No.

10

Escuela Superior de Física y Matemáticas


Instituto Politécnico Nacional
U.P “Adolfo López Mateos”, Zacatenco, Ciudad de México, México 07738
Laboratorio I
Practica 10
Propiedades ópticas en semiconductores.
Nombre del alumno:
Jiménez Campero Christian
Correo: libertad4232@hotmail.com
Nombre del profesor:
Miramontes Lira Rafael Carlos

Resumen:
En esta práctica se estudiara la conductividad eléctrica de los semiconductores y de
cómo esta cambia a través de la emisión de luz en el semiconductor. En este caso se
utilizara una muestra de silicio para observar estos efectos, se observaran otras
características eléctricas del material como son la vida media de los portadores de
carga a través de una emisión de luz en la muestra de silicio.

1. Introducción
Fotoconductividad

La fotoconductividad es definida como el cambio de la conductividad eléctrica (σ) de un


material debido a la acción de radiación incidente. El primer reporte sobre
fotoconductividad ocurrió en 1873 por W. Smith, quien observa que la resistividad del
selenio disminuía por efecto de la radiación del sol. Cuando un fotón de energía mayor
o igual que la brecha del material incide sobre un semiconductor puede ser absorbido
por el material, pasando un electrón a la banda de conducción, dejando un hueco
(vacío) en la banda de valencia; estos dos portadores contribuyen al aumento de la
conductividad del material. En este caso la conductividad es denominada intrínseca.

En el caso de materiales con defectos, impurezas o cualquier tipo de distorsión


puede ocurrir que un fotón de energía menor que la brecha del material sea absorbido y
los electrones pasen a la banda de conducción o se formen huecos en la banda de
valencia, en este caso solo se incrementa un tipo de portador. Este proceso da lugar a
la fotoconductividad extrínseca.

Tenemos que la ley de ohm está dada por la siguiente ecuación:

𝐽⃗ = 𝜎𝐸⃗⃗

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Donde 𝑗⃗ es la densidad de corriente de conducción, E es el campo eléctrico y 𝜎


es la conductividad eléctrica. Para una densidad de corriente y campo eléctrico
homogéneo tenemos lo siguiente.

𝐽 = 𝜎𝐸

Dónde: 𝐽 = 𝐼𝑆 y 𝐸 = 𝑉𝐿 , para una sección como la que se muestra en la Figura 1

Figura 1. Distribución de muestra de silicio.

Despejando 𝜎 y sustituyendo J y E tenemos que la conductividad eléctrica viene dada


por:
𝐼𝑆
𝜎=
𝑉𝐿

Teoría de bandas.

En la teoría de sólidos, se denomina banda de valencia al más alto de los


intervalos de energías electrónicas (o bandas) que se encuentra ocupado por
electrones en el cero absoluto. En semiconductores y aislantes aparece una banda
prohibida o gap por encima de la banda de valencia, seguida de una banda de
conducción a energías aún mayores. En los metales, por el contrario, no hay ningún
intervalo de energías prohibidas entre las bandas de valencia y de conducción.

Figura 2. Diagrama para bandas de valencia y de conducción.

En semiconductores y aislantes, la banda de conducción es el intervalo de


energías electrónicas que, estando por encima de la banda de valencia, permite a los
electrones sufrir aceleraciones por la presencia de un campo eléctrico externo y, por
tanto, permite la presencia de corrientes eléctricas. Los electrones de un semiconductor
pueden alcanzar esta banda cuando reciben suficiente energía.

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La banda prohibida, brecha de bandas o brecha energética, en la física del


estado sólido es la diferencia de energía entre la parte superior de la banda de valencia
y la parte inferior de la banda de conducción.

Figura 3. Salto entre banda de valencia y banda de conducción.

La conductividad eléctrica de un semiconductor intrínseco (puro) depende en


gran medida de la anchura del gap.

Conductividad en los semiconductores intrínsecos

En el proceso de conducción eléctrica de un semiconductor intrínseco, electrones


y huecos se mueven por la acción del campo eléctrico exterior. Los electrones,
procedentes de la rotura de un enlace por efectos térmicos, se mueven hacia el polo
positivo y lo huecos, también generados por ese efecto térmico, hacia el negativo. El
hueco no es una partícula real, sino que lo interpretamos en términos de "falta de un
electrón".
Se puede ver que el fenómeno de fotoconductividad es un proceso complicado
dentro del semiconductor ya que se origina del equilibrio entre la generación de
portadores libres y su posterior recombinación, primer y segundo término de la
ecuación:

Donde
n es el número de portadores
𝜂 Es la eficiencia del proceso
α es el coeficiente de absorción para cada longitud de onda
Io es la intensidad de la radiación incidente
𝜏 es el tiempo de relajación de los electrones

El régimen estacionario ocurre cuando los procesos de generación y


recombinación se han igualado, este régimen tiene muchas similitudes con las técnicas
de absorción óptica y fotoluminiscencia, en general las estructuras que aparecen en
este régimen se definen para la menor energía donde comienza el cambio de
conductividad,

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El régimen transitorio tiene dos partes cuando el semiconductor es iluminado y


se mueve al punto de la fotoconductividad estacionaria y cuando es dejado en la
oscuridad y va al equilibrio termodinámico, en los dos casos se obtiene información
sobre los tiempos de relajación de los diferentes procesos internos del material, por
ejemplo: trampas, centros de recombinación, tiempo de vida de los portadores libres,
etc.
El análisis de estos casos depende de los procesos que se asuma a ocurrir en la
recombinación del material, para los casos más simples donde la recombinación es
proporcional al exceso de portadores, se tiene:

Δn = no (1 – exp(-t/τi)) Curvas de subida


Δn = no exp (-t/τi) Curvas de decaimiento

Donde se ha supuesto que los portadores de carga sean electrones, similares


ecuaciones pueden ser escritas para los huecos, el termino τi representa cada uno de
los procesos involucrados en el sistema.

2. Experimentación
Desarrollo Experimental

Para iniciar con el experimento el profesor nos proporcionó el siguiente circuito:

Figura 4. Diafragma de circuito utilizado en la práctica.

Este circuito al fluir una pequeña corriente dado que la resistencia eléctrica de la
muestra de silicio es del orden de mega ohm se producía una pequeña caída de voltaje
sobre la resistencia colocada en serie, esta lectura de voltaje se toma en un voltímetro y
conociendo la resistencia eléctrica de dicho resistor se conocía la corriente que fluye en
el circuito, la resistencia del resistor debe ser lo suficientemente grande para producir
una caída de voltaje relativamente grande, pero lo suficientemente pequeña para que la
resistencia interna del aparato de medición no interfiera con el circuito de la muestra de
silicio, esta resistencia se elegido de 10 KΩ, se midió el voltaje suministrado en la
muestra de silicio y la corriente que fluía por el para así poder observar cómo cambia la
resistencia en la muestra debido a la acción térmica provocada por el flujo de corriente
(efecto Joule).
A continuación se con la ayuda del equipo mostrado en la figura 2 se midió el
tiempo de vida de los portadores de carga.

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Figura 5. Equipo experimental utilizado en la práctica.

Se una lámpara estroboscópica como emisor de luz y un matraz con agua para
utilizarlo como lente y además como filtro infrarrojo producido por la lámpara para así
evitar el flujo de calor hacia la muestra y alterar su resistencia eléctrica, este mismo
matraz se colocó muy cerca de la muestra ya que en una lente esférica su foco está
localizado muy cerca de la lente para así enfocar gran parte de la luz de la lámpara
hacia la muestra, con la ayuda del osciloscopio colocado en paralelo al resistor 10 kΩ
para medir los pulsos de corriente producidor por la muestra al ser expuestas a
destellos de luz por la lámpara y así estimar el tiempo de vida de los portadores de
carga. Se intentó exponer la muestra a la luz de un láser violeta ya que la energía de
este es mayor a cualquier laser de distinto color, este laser tenía una potencia de
100mW y con la ayuda de un chopper para cortar el haz luminoso y así emitir destellos
de luz a la muestra, desafortunadamente no se registró ninguna pulso de corriente en la
muestra producido por dichos destellos de luz lo que nos sorprendió ya que el láser
utilizado es altamente energético.

Resultados

Mostramos los datos de la variación de la resistencia en la muestra de silicio en


función de la corriente circulante en dicha muestra.

Chart Title
350000
300000
250000
200000
150000
100000
50000
0
0 0.00002 0.00004 0.00006 0.00008 0.0001

Grafica 1. I (𝜇𝐴) Vs. R (𝛺) para muestra de Silicio.

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Para medir el tiempo muerto de los portadores de carga presentamos la siguiente


señal mostrada en el osciloscopio.

Figura 6. Señal promediada obtenida en el osciloscopio para la medición del tiempo de vida de
los portadores de carga.

Notamos que la señal parece decaer y después aumentar, esto se debe a que la
polaridad en la muestra estaba invertida en la parte del conector, donde la verdadera
forma de la señal es de forma invertida verticalmente. Notamos un tiempo de vida de los
portadores en un intervalo de 150 𝜇𝑆 200 𝜇

3. Conclusiones
Observamos las características de un semiconductor ante un conductor y un aislante
estudiando los niveles las energías necesarias para pasar de la banda de valencia a la
de conducción; observando que el semiconductor tiene características intermedias
entre un conductor y un aislante. Medimos el efecto que tiene un semiconductor ante el
efecto Joule donde observamos que al aumentar la temperatura en el semiconductor su
resistencia de este mismo disminuía de forma cada vez más lenta. Este descenso de
resistencia al aumentar la temperatura se debe al incremento en la energía de los
electrones por procesos térmicos donde algunos alcanzan la energía suficiente para
pasar de la banda de valencia a la de conducción y de esa manera un flujo mayor de
corriente con el mismo potencial y por ende un aumento en la resistencia.
Notamos que al hacer incidir luz en el semiconductor de igual manera hay un
incremento en la corriente, esto de igual manera ocurre por un incremento en la energía
de los electrones pero en este caso por el efecto fotoeléctrico y de esta manera una
mayor densidad de corriente en el semiconductor,

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Observamos que al interrumpir la emisión de luz el aumento en la corriente


desciende de manera exponencial donde los portadores de carga se van perdiendo por
la pérdida de energía en los electrones y por ende la combinación electrón-hueco
perdiéndose los portadores de carga donde el tiempo de vida de estos portadores es en
esencia el tiempo en que un electrón encuentra un hueco.

5. Bibliografía.
-Gartenhaus, Solomon. Física 2 Electricidad y Magnetismo. Nueva Editorial
Interamericana. Primera Edición, 1981
-file:///F:/Curso%20Fisica%20II_%20octubre%202013.html
- https://es.wikipedia.org/wiki/Conductividad_el%C3%A9ctrica
- http://hyperphysics.phy-astr.gsu.edu/hbasees/Solids/band.html