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Universidad Pedagógica y Tecnológica de Colombia. Muñoz, Osuna. Circuitos con diodos.

CURVAS CARACTERÍSTICAS DEL BJT


Jean Carlos Muñoz Reyes, e-mail: jean.munoz@uptc.edu.co, Daniel Fernando Osuna Monsalve, e-mail: Daniel.osuna@uptc.edu.co
Universidad Pedagógica y Tecnológica de Colombia. Muñoz, Osuna. Circuitos con diodos. 2

Resumen— En el siguiente informe de laboratorio se mostrarán las Figura 2. Regiones usuales de operación del BJT.
distintas formas en las que puede actuar un diodo dependiendo del
circuito que se emplee, ya sea sujetador, recortador o
multiplicador. Los materiales que se usaron son diodos,
condensadores, un generador de ondas y un osciloscopio para
visualizar las señales. Todos los montajes son sustentados tanto
teórica como experimentalmente.

Palabras claves—Condensador, valor máximo, valor mínimo,


Diodo rectificador, voltaje de transición.

I. INTRODUCCIÓN

Los transistores son uno de los dispositivos que se encuentran con


mayor frecuencia en circuitos electrónicos. Gracias a su aparición
en los años cuarenta, se disparó a nivel mundial el desarrollo de
diversos dispositivos que hoy día hacen parte tanto de nuestra vida
diaria como de múltiples procesos en la industria y la investigación.
Esta práctica estará enfocada en determinar algunas de las Zonas de funcionamiento de un transistor:
características de este tipo de dispositivos mediante el empleo de  Zona activa: la juntura base-emisor debe estar polarizada en
algunos equipos de laboratorio. directo (VBE = 0.7v) y la juntura base-colector debe estar
polarizada en inverso.
II. MARCO TEORICO
 Zona de corte: Se produce cuando la juntura base-emisor no recibe
Un transistor puede controlar una corriente de colector el potencial suficiente para encenderse (VBE < 0.7 o
(relativamente grande), con una pequeña inyección corriente en su
negativo). En dicho caso no existen corrientes en el
base. El transistor de juntura bipolar, varía su nivel de resistencia
transistor ya que si la corriente en la base es cero, la
en función de la corriente de base. Obsérvese en la figura 2, que a corriente de colector también será cero (IB = 0 , IC = 0). La
medida que la corriente de colector IC disminuye, el voltaje entre
resistencia equivalente entre el colector y el emisor aparece
colector – emisor VCE aumenta. Debido a las características con un valor grande haciendo que prácticamente se
eléctricas y térmicas de un dispositivo semiconductor. presente un circuito abierto en la trayectoria C-E. En un
Figura 1. a) Transistor Q1, con polarización fija. b) algunos tipos de transistor que tenga sólo resistencia en su colector se
encapsulados de transistores. produce Vcecorte = Vcc.

a) Vcc  Zona de saturación: Se produce cuando se hace crecer la


corriente de base a un valor tan alto que el transistor
intentaría conducir también una corriente de colector muy
grande (contemplando no exceder la máxima que pueda
Rc soportar el dispositivo), pero el circuito introduce un límite, si la Ic
crece se puede llegar a VRC = Ic · Rc» Vcc y en ese caso, VCE » 0 y
la Ic no puede crecer más. La resistencia equivalente entre el
colector y el emisor aparece con un valor pequeño haciendo que
prácticamente se presente un corto circuito en la trayectoria C-
E.

b)
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la ganancia de corriente es diferente dependiendo de


las especificaciones de fabrica.
I. PROCEDIMIENTO

1. Elija un transistor 2N3904, y utilice por lo menos tres Repita el procedimiento (numeral 1) para el 2N3906, TIP 31 Y TIP 32
multímetros diferentes para medir el beta del transistor. y anexe los resultados en las siguientes tablas.
Tenga cuidado de insertarlo en las ranuras correctas de
acuerdo a su tipo.
Tabla 2. Valores de β obtenidos con multímetro para un 2N3906.

Luego, tome medidas a otros dos transistores de la misma


referencia (pueden pedirse prestados los dispositivos a otros BETA HOJA TÉCNICA:
grupos de trabajo) y reporte las mediciones en la siguiente tabla: β1 β2 β3
Marca: Goldstar 219 383 320
Figura 3. Medición de un transistor. Ref: DM332
Marca: Hi-tronic 240 403 278
Ref: UDT830E
Marca: UNI-T 236 398 256
Ref: UT30c

Tabla 3. Valores de β obtenidos con multímetro para un TIP 31.

REF. TRANSISTOR:npn

MULTÍMETRO BETA HOJA TÉCNICA:


𝛽1 𝛽2 𝛽3
Marca: Goldstar 146 191 160
Ref: DM332
Marca: Hi-tronic 165 214 223
Ref: UDT830E
Tabla 1. Valores de β obtenidos con multímetro para un 2N3904
Marca: UNI-T 163 206 219
Ref: UT30c
REF. TRANSISTOR: npn
Tabla 4. Valores de β obtenidos con multímetro para un TIP 32.
MULTÍMETRO BETA HOJA TÉCNICA:
𝛽1 𝛽2 𝛽3
REF. TRANSISTOR: pnp
Marca:Hi-tronic 243 296 256
Ref:UDT830E MULTÍMETRO BETA HOJA TÉCNICA:
Marca: GoldStar 191 263 201
Ref: DM332 𝛽1 𝛽2 𝛽3
Marca:UNI-T 244 291 288 Marca: GoldStar 118 202 189
Ref:UT30c Ref: DM332
Marca: Hi-tronic 152 261 194
Ref: UDT830E
Taller
Marca: UNI-T 150 254 200
1. ¿Qué puede observar de los datos obtenidos?
R/ Se puede observer que el valor del beta de los Ref: UT30c
transistores varia de acuerdo al multimetro usado y
tambien a la diferencia de fabricante.
2. Con el circuito de la figura 3, escoja uno de los transistores
2. ¿El beta es el mismo para los diferentes transistores?
NPN trabajados en el literal anterior y con el osciloscopio,
Justifique.
mida en formato XY, el voltaje entre emisor - colector y
R/ El beta es diferente en los transistores debido que entre emisor – el otro terminal de Re; Recuerde que IC ≈
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(VRe / Re) [mA]. Varíe V2 y observe los resultados. Graficar posteriormente 𝐼𝐶 vs𝐼𝐵. Según la gráfica obtenida, determine el
Beta (𝛽) del transistor utilizado. Recuerde que:
Figura 4. Circuito de pruebas para un BJT.
𝛽= ∆Ic/∆Ib = hFE
10V

5V

0V

-5V

-10V
0s 1ms 2ms 3ms 4ms 5ms 6ms 7ms 8ms 9ms 10ms
V(D1:2) V(V1:+)
Time

II. ASEGÚRESE DE AISLAR LA TIERRA DEL OSCILOSCOPIO CON EL CONECTOR  Obtenga la curva de potencia del transistor utilizado.
TRES A DOS PARA EVITAR DAÑOS A LOS EQUIPOS.
Figura 6. Salida en osciloscopio.

Taller:
1. Explique de manera concreta el funcionamiento del circuito
R/. Durante el semiciclo positive la corriente circula por el diodo
D1 polarizado en directa, mientras que en el semiciclo negativo el
diodo D1 se polariza en inversa y no deja atravesar la señal, por lo
que se comporta como un rectificador de media onda de media
frecuencia.
2. ¿Por qué es posible obtener la característica de salida del
transistor sin medir la corriente de colector?
R/ Porque la corriente viaja a través del emisor.
3. ¿Para cada delta de corriente dentro de la región activa el β sigue
igual?
R/ Porque los valores de las Corrientes de base y de colector
siguen estando estables.

Para el informe:
Cambiando la fuente V1 por una fuente DC de 10.7V, realice el barrido
 Incluya en el informe las curvas obtenidas para mínimo 3 valores de voltaje de la fuente V2 hasta el valor de V1 (utilizar multímetros).
diferentes de V2 (fotografías) y concluya. Apunte los valores de 𝑉𝐶𝐸, 𝐼𝐵 y de 𝐼𝐶 en la siguiente tabla:

Tabla 5. Valores medidos para el circuito de la figura 3 con NPN


Figura 5. Montaje practico Figura 4, NPN.
reemplazando V1 por una fuente DC.

IB IC VC
E
0 0.05m 10.17
0 1.4m 8.75
0 2.5m 7.68
0 3.6m 7.05
0 4.6m 6.12
0.7m 5.7m 5.16
 Grafique y haga una interpolación para obtener la recta de 0.9m 6.5m 4.18
carga DC del circuito. Según los datos obtenidos, 1.13m 7.1m 2.96
establezca los valores de 𝐼𝐶𝑠𝑎𝑡, 𝑉𝐶𝐸𝑐𝑜𝑟𝑡.
1.22m 7.9m 2.20
1.41m 8.87m 1.22
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1.8m 9.45m 0.6(llega a 10.7) 0.06m -8.7m -0.9


0.04 -9.26m -0.3

Taller
4. ¿Qué cambios se realizarían al circuito de la figura 5  Grafique y haga una interpolación para obtener la recta de carga DC
para utilizar un transistor PNP y realizar las mismas del circuito. Según los datos obtenidos, establezca los valores de
mediciones? 𝐼𝐶𝑠𝑎𝑡, 𝑉𝐶𝐸𝑐𝑜𝑟𝑡 .
 Graficar posteriormente 𝐼𝐶 vs𝐼𝐵. Según la gráfica obtenida,
R/ Se debe invertir la polaridad del colector con el emisor
determine el Beta (𝛽) del transistor utilizado. Recuerde que

Repita el procedimiento desde el numeral 2 para un transistor


PNP. Analice los cambios necesarios para hacer funcionar
𝛽= ∆Ic/∆Ib = hFE
correctamente el circuito.
 Obtenga la curva de potencia del transistor utilizado.

Para el informe: Figura 8. Curva característica PNP.


 Incluya en el informe las curvas obtenidas para mínimo 3
valores diferentes de V2 (fotografías) y concluya.

Figura 7. Montaje practico PNP.

5. TEMAS RELACIONADOS

Cambiando la fuente V1 por una fuente DC de 10.7V, realice el 1. ¿Qué determina el beta de un transistor en el momento de su
fabricación? Explique de manera concreta.
barrido de voltaje de la fuente V2 hasta el valor de V1 (utilizar
R/ Lo que determina el beta en un transistor es el incremento
multímetros). Apunte los valores de V_CE, I_B y de I_C en la de la corriente de colector respecto a la corriente de base.
siguiente tabla: β = ΔIc/ ΔIb
2. ¿La resistencia en un dispositivo semiconductor aumenta o
disminuye con el aumento de la temperatura? Explique a nivel
Tabla 6. Valores medidos para el circuito de la figura 3 con PNP físico a qué se debe este fenómeno.
R/ La resistencia varia respecto a la temperatura debido a una
reemplazando V1 por una fuente DC.
excitación del material semiconductor, lo cual indica que si
hay mayor temperatura la resistencia disminuirá, o por el
contrario si la temperatura disminuye, la resistencia
IB IC VCE permanecerá cerca de su valor real.
----- -0.27m -9.82 3. Explique es un modelo de pequeña señal y un modelo de señal
------ -1.2m -8.69 grande para un transistor BJT y que tipos de modelos existen.
--------- -2.16m -7.74 R/ Existen modelos de pequeña señal que se encargan de
0.02m -3.12m -6.71 trabajar con frecuencias muy bajas; sus modelos son los de
tipo h y el modelo II, modelo hibrido en emisor común,
0.04m -3.81m -5.78 modelo hibrido en base y colector común, modelo de
0. -4.87m -4.79 Giacoletto.
0.03m -5.88m -3.84 4. ¿Qué es una red de polarización de un transistor? ¿Para qué
0.04m -6.7m -2.92 sirve?
R/ Consiste en preparar el transistor para que trabaje en la
0.05m -7.63m -1.94
región activa dentro de un circuito en el cual se le quiere
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utilizar, se busca que a través del colector circule una cantidad


de corriente IC, y a su vez se obtenga una tensión entre el  MALVINO, Albert Paul. Principios de electrónica.
colector y el emisor VCE para esa cantidad de corriente IC, a Editorial McGraw-Hill, 1991.
esto se le llama obtener el punto de operación o punto Q del
transistor. La corriente IC va depender de la corriente en la  MILLMAN, Jacob. Electrónica integrada. Editorial
base IB que exista en la malla de entrada, esto porque Hispano Americano, 1986.
IC=β*IB, la VCE dependerá de la malla de salida del circuito,
para ver esto será de utilidad uso de las curvas características y  SAVANT, Cj, Jr†. Diseño Electrónico. Circuitos y
la ecuación de recta de carga. sistemas. Editorial Prentice Hall. Tercera edición, 2000.
5. Mencione los tipos de polarización de transistores BJT y  Las mediciones realizadas en esta práctica y el manejo de
establezca las características de cada una. unidades, deben estar basadas en las guías establecidas para
R/ Están los NPN y los PNP que se caracterizan por su mayor este curso:
utilización en baja y media potencia. También están los IGBT
que consisten en un diseño mejorado del MOSFET, y se  Guía SI –Sistema Internacional de Unidades. ICONTEC.
encargan de controlar altas potencias, y por ultimo están los ISBN 958938329-7
fototransistores que cumplen funciones de amplificación,
oscilación, conmutación o rectificación de la señal eléctrica
dentro de un circuito determinado, y se utilizan en gran parte
de los circuitos integrados de los artefactos electrónicos,

CONCLUSIONES

 Hacer el análisis teórico y simulado antes que el


experimental es demasiado importante para evitar
accidentes como usar elementos que no puedan soportar la
tensión o corriente suficiente requerida en el circuito.
 Para los sujetadores el objetivo de un condensador es
permitir el paso de bajas frecuencias hacia la carga e
impedir el paso de altas frecuencias.
 Para un sujetador, con respecto al semiciclo en donde el
diodo conducirá por primera vez se asignará la polaridad
del condensador. Esto es importante tenerlo en cuenta para
evitar posibles accidentes.
 Al usar los condensadores en los sujetadores y
multiplicadores se debe tener en cuenta la tensión máxima
a la que se someterán dichos elementos, por ejemplo, para
el caso del multiplicador, la señal de salida es de 40v, esto
quiere decir que se deben usar condensadores que soporten
dicha tensión.
 Para los sujetadores, el diodo solo conducirá cuando la
tensión de entrada sea superior sea superior a la tensión
mantenida por el condensador.
 Las ecuaciones, los análisis teóricos y los matemáticos
pudieron ser comprobados gracias a las simulaciones y a la
práctica.

REFERENCIAS

 BOYLESTAD, Robert L. Electrónica: Teoría de Circuitos.


Editorial. Prentice Hall, 1995.
 MALVINO, Albert Paul. Principios de electrónica.
Editorial
McGraw-Hill, 1991.
 MILLMAN, Jacob. Electrónica integrada. Editorial
Hispano
Americano, 1986.

6. BIBLIOGRAFÍA

 BOYLESTAD, Robert L. Electrónica: Teoría de Circuitos.


Editorial Prentice Hall, 1995.

 FLOYD, Thomas. A. Dispositivos Electrónicos. Editorial


Limusa, 2003.