UNIVERSIDAD NACIONAL

MAYOR DE SAN MARCOS

(Universidad del Perú, Decana de América)

FACULTAD DE INGENIERÍA ELECTRÓNICA Y

ELECTRÍCA

RESPUESTA DE ALTA FRECUENCIA

DE UN AMPLIFICADOR DE UNA
SOLA ETAPA
(Informe Previo)

Curso : Laboratorio de Circuitos Electrónicos II

Integrante : KEVIN OSORIO MIRANDA 10190082

2014
a) Definir rbb’, rb’e, rb’c, rce, Cb’e, Cb’c, gm, f β y fT.

rb’b: Para esta resistencia se toma en cuenta la resistencia de contacto (conexión

real de la base), la del volumen (incluye la resistencia desde el terminal externo
hasta la región activa de los transistores) y la resistencia de propagación de la
base(resistencia real dentro de la base). Su valor está entre 10 y 50  .
rb’e: (Solo cuando el ckto esta en la región activa)Resistencia entre los
terminales b’ y e.
rb’c: Resistencia entre los terminales b’ y c.
rce: Resistencia entre los terminales c y e.
Cb’e: O capacitancia de difusión. Capacitancia entre los terminales b’ y e. Es el
resultado del retardo, ocasionado por un hueco al pasar a través de la base del
emisor al colector.
Cb’c: O capacitancia de transición. Capacitancia entre los terminales b’ y c. Su
valor es empieza desde los 30pF para transistores en baja frecuencia hasta 1 pF
para transistores en alta frecuencia.
gm: Conductancia dinámica.
Ic
gm  .
26mV

fβ : Frecuencia de corte en corto circuito para la configuración emisor común.

1
f  
2 med re Cb' e  Cb' c 

fT : producto ganancia-anchura de banda del amplificador.

f T  hfef 

b) En el circuito del experimento (fig 5) de acuerdo al modelo 𝝅 del transistor

en altas frecuencias, encontrar una expresión para f β / fT.
Haciendo el análisis en continua:

med  100
9.882k
2.12  Ic (  0.69k )  0.7  Ic  1.648mA
100
26mV
re   15.77  re  1577.65
Icc

Según el manual de dispositivos:

Cb’e= 25 pF y Cb’c=8 pF
Entonces, con lo anterior:l
1
f 
2 med re Cb' e  Cb' c 
1
f   3096252.08Hz
2.1577.6525 pF  8 pF 

c) Considerando que Cbc <0.1-50pF>, Cbe <100-1000pF> y rbe=Vihfe)/IEQ,

encontrar el punto de corte superior aproximado en nuestro circuito.

Entonces, con estas consideraciones, se tiene:

1
f   1020742.446 Hz
21577.65100 pF  0.1 pF 

d) En altas frecuencias ¿Cuál de las configuraciones del transistor será más

conveniente?¿Porqué?

La configuración más conveniente será la de emisor común. Ya que la

capacitancia de efecto millar al depender de Cce en base común es muy
pequeño. Por lo tanto, ésta desaparece. De modo que Ci y Co, serán mucho mas
pequeñas, y la frecuencia de corte sería más alta.
Veamos:
Ci  Cwi  Cbe  Cmi  Cwi  Cbe  (1  Av)Cce
Co  Cwo  Cce  Cmo  Cwi  Cbc  (1  1 / Av)Cce