GTO

 SIMBOLOGIA

La simbología generalmente usada para la representación de tiristor GTO

Símbolos usuales del GTO

 DISTRIBUCION DE PINES
El tiristor GTO presenta 3 terminales

Pines Descripción
1 Ánodo (A) Se le conecta el polo
positivo
2 Cátodo (C o K) se le conecta el polo
negativo
3 Puerta (G) Es el terminal que controla
al tiristor.

Mientras el GTO se encuentre apagado y no exista señal en la puerta (G), el dispositivo

se bloquea para cualquier polaridad en el ánodo,

Con un voltaje de polarización directo aplicado al ánodo y un pulso de corriente positiva

es aplicada al gate, el GTO se enciende y permanece de esa forma. Para ésta condición,
existen 2 formas de apagarlo. Una forma es reduciendo la corriente de ánodo IA por
medios externos hasta un valor menor a la corriente de holding Ih, en la cual, la acción
regenerativa interna no es efectiva. La segunda forma de apagarlo es por medio de un
pulso en el gate, y este es el método más recomendable porque proporciona un mejor
control.
Cuando un GTO está en el estado de encendido, la región de la base central es ocupada con huecos
suministrados del ánodo y electrones suministrados del cátodo. Si un voltaje inverso es aplicado
al hacer la compuerta negativa con respecto al cátodo, parte de los huecos en la capa de la base p
son extraídos a través de la compuerta, suprimiendo la inyección de electrones del cátodo. En
respuesta a esta supresión, más corriente de hueco es extraída a través de la compuerta,
fomentando la supresión de inyección de electrones. En el curco de este proceso, la unión emisor-
cátodo (J3) es puesta completamente en un estado de polarización inversa, el GTO es apagado.

 ESTRUCTURA FISICA

La estructura física de un GTO es esencialmente la de un tiristor (4 capas npnp) con

cambios que permiten su funcionamiento como llave apagable

Estructura física de un tiristor GTO

El mecanismo de disparo es parecido al del SCR: suponiendo que está directamente

polarizado, cuando se le inyecta corriente a la puerta, circula corriente entre puerta y
cátodo. Como la capa de la puerta es suficientemente fina, gran parte de los portadores
se mueven hasta la capa N adyacente, atravesando la barrera de potencial y siendo
atraídos por el potencial del ánodo, dando inicio a la corriente anódica. Si ésta
corriente se mantiene por encima de la corriente de mantenimiento, el dispositivo no
necesita de la señal de puerta para mantenerse en conducción.

Cuando un GTO está en el estado de encendido, la región de la base central es ocupada

con huecos suministrados del ánodo y electrones suministrados del cátodo. Si un
voltaje inverso es aplicado al hacer la compuerta negativa con respecto al cátodo,
parte de los huecos en la capa de la base p son extraídos a través de la compuerta,
suprimiendo la inyección de electrones del cátodo. En respuesta a esta supresión, más
 corriente de hueco es extraída a través de la compuerta, fomentando la supresión de
inyección de electrones [1]

Parámetros de operación y Curva característica del GTO

Curva característica V – I del GTO
Una vez que se ha conectado por suficiente corriente de puerta. A bajos niveles de
corriente de puerta, funciona en la región del transistor, con una familia de curvas de
ataques de puerta en aumento.

Curva característica V – I del GTO

 El GTO tiene un alto rango de tensión de bloqueo directo, comparable al que se puede
conseguir en un tiristor, pero su rango de tensión inversa es baja, entre 10 y 20V, y en
este aspecto es similar al transistor.
 El GTO también tiene una mayor caída de tensión y una mayor corriente de
enclavamiento que el tiristor. Este último parámetro significa que en la conexión, el
ataque de puerta tiene que mantenerse durante un período mayor, para asegurar que
se ha alcanzado la corriente de enclavamiento. [2]
 Curva Característica GTO
Si la corriente por la puerta es positiva, el semiconductor pasará del estado “OFF” al
estado “ON”. Por el contrario, si la corriente por la puerta es negativa, el
semiconductor dejará de conducir, pasando del estado de “ON” a “OFF”. Con ello se
tiene un control total del estado del semiconductor en cualquier momento. [3]
Fuente

Bibliografía

[1] «Tiristores,» [En línea]. Available:

file:///C:/Users/usuario/Downloads/Cap5_gtoygct.pdf.

[2] C. d. O. y. F. d. GTO., «Curvas de Operación y Funcionamiento del GTO.,» [En

línea]. Available: http://www.udb.edu.sv/udb/archivo/guia/electronica-
tecnologico/electronica-de-potencia/2013/i/guia-7.pdf. [Último acceso: 11 abril
2018].

[3] E. d. potencia, «Electronica de potencia,» [En línea]. Available:

http://electronicapotsena.blogspot.com/. [Último acceso: 11 abril 2018].