OLEH :
PUTU RUSDI ARIAWAN (0804405050)
PUTU RUSDI
ARIAWAN
PERCOBAAN II
BJT dan JFET
2.1 Tujuan
a. Memeriksa serta menentukan jenis dari BJT (NPN dan PNP) dan JFET
(channel P atau channel N).
PUTU RUSDI
ARIAWAN
tata letak kristal silikon, Arsenik akan memberikan elektron bebas dan hasilnya
memungkinkan terjadinya konduksi arus listrik. Ini karena Arsenik memiliki 5
atom di orbit terluarnya, sedangkan Silikon hanya 4. Konduksi terjadi karena
pembawa muatan bebas telah ditambahkan (oleh kelebihan elektron dari
Arsenik). Dalam kasus ini, sebuah Silikon tipe-n (n untuk negatif, karena
pembawa muatannya adalah elektron yang bermuatan negatif) telah terbentuk.
Selain dari itu, silikon dapat dicampur dengan Boron untuk membuat
semikonduktor tipe-p. Karena Boron hanya memiliki 3 elektron di orbit paling
luarnya, pembawa muatan yang baru, dinamakan "lubang" (hole, pembawa
muatan positif), akan terbentuk di dalam tata letak kristal silikon. Dalam tabung
hampa, pembawa muatan (elektron) akan dipancarkan oleh emisi thermionic dari
sebuah katode yang dipanaskan oleh kawat filamen. Karena itu, tabung hampa
tidak bisa membuat pembawa muatan positif (hole). Dapat disimak bahwa
pembawa muatan yang bermuatan sama akan saling tolak menolak, sehingga
tanpa adanya gaya yang lain, pembawa-pembawa muatan ini akan terdistribusi
secara merata di dalam materi semikonduktor. Namun di dalam sebuah transistor
bipolar (atau diode junction) dimana sebuah semikonduktor tipe-p dan sebuah
semikonduktor tipe-n dibuat dalam satu keping silikon, pembawa-pembawa
muatan ini cenderung berpindah ke arah sambungan P-N tersebut (perbatasan
antara semikonduktor tipe-p dan tipe-n), karena tertarik oleh muatan yang
berlawanan dari seberangnya.
PUTU RUSDI
ARIAWAN
memasang suatu beda tegangan. Dalam metal, tegangan ini sangat tinggi, jauh
lebih tinggi dari yang mampu menghancurkannya. Namun, dalam sebuah
semikonduktor hanya ada satu pembawa muatan dalam beberapa juta atom.
Jumlah tegangan yang diperlukan untuk menyapu pembawa muatan dalam
sejumlah besar semikonduktor dapat dicapai dengan mudah. Dengan kata lain,
listrik di dalam metal adalah inkompresible (tidak bisa dimampatkan), seperti
fluida. Sedangkan dalam semikonduktor, listrik bersifat seperti gas yang bisa
dimampatkan. Semikonduktor dengan doping dapat dirubah menjadi isolator,
sedangkan metal tidak.
(a) (b)
Gambar 2.2.1 Transistor BJT (a) tipe pnp (b) tipe npn
PUTU RUSDI
ARIAWAN
Kedua jenis PNP dan NPN tidak ada bedanya, kecuali hanya pada cara
pemberian biasnya saja. Bentuk fisik transistor ini bermacam-macam kemasan,
namun pada dasarnya karena transistor ini tidak tahan terhadap temperatur,
maka tabungnya biasanya terbuat dari bahan logam sebagai peredam panas
bahkan sering dibantu dengan pelindung (peredam) panas (heat-sink).
2.2.1 Pengujian Transistor
Dengan menganggap transistor adalah gabungan dua buah dioda, maka
anda dapat menguji kemungkinan kerusakan suatu transistor dengan
menggunakan ohmmeter dari suatu multitester. Kemungkinan terjadinya
kerusakan transistor ada tiga penyebab yaitu :
a. Dengan Multimeter.
Karakteristik digambarkan menggunakan kertas milimeter blok dengan
mengukur besar arus
1. karakteristik Ic terhadap Vce dengan mengukur masing-masing besaran
2. karakteristik VBE terhadap IB untuk berbagai nilai VBE
3. karakteristik hfe terhadap IC
b. Dengan Osiloskop
Pada pengukuran ini hanya akan mengukur karakteristik IC terhadap VCE
untuk berbagai nilai IB Input vertikal (Y) dari osiloskop digunakan untuk
mengamati besarnya IC yaitu dengan cara mengukur tegangan pada RC.
PUTU RUSDI
ARIAWAN
Sedangkan input horisontal (X) dari osiloskop, digunakan untuk mengamati
besarnya VCE. Gambar yang terbentuk pada layar osiloskop, sumbu horisontal ke
kiri adalah tegangan positif sedangkan arah kanan adalah negatif.
- BJT
Transistor bipolar (BJT) adalah suatu jenis transistor, alat penguat atau
pemilih yang dibuat dari semikonduktor yang dikotori. Transistor bipolar adalah
gabungan dari bagian yang dikotori secara berbeda, bisa NPN atau PNP. N
berarti negatif, dan P berarti positif.
PNP
NPN
IE= (1 + β) IB ≅ IC
IC = β IB
Dalam mencari solusi dari suatu rangkaian, umumnya nilai arus basis IB
yang pertama dihitung. Ketika IB sudah diperoleh, hubungan persamaan di atas
bisa digunakan untuk mencari besaran yang diinginkan. Titik Operasi (Q) Bias
pemberiaan tegangan DC untuk membentuk tegangan dan arus yang tetap.
Tegangan dan arus yang dihasilkan menyatakan titik operasi (quiescent point)
PUTU RUSDI
ARIAWAN
atau titik Q yang menentukan daerah kerja transistor. Pada gambar di bawah
ditunjukkan 4 buah titik kerja transistor. Rangkaian bias bisa di-disain untuk
memperoleh titik kerja pada titik-titik tersebut, atau titik lainnya dalam daerah
aktif. Rating maksimum ditentukan oleh Icmax dan VCE max. Daya maksimum
dibatasi oleh kurva Pcmax. BJT bisa di-bias di luar batasan maksimum tersebut,
tapi bisa memperpendek usia piranti atau bahkan merusaknya. Untuk kondisi
tanpa bias, piranti tidak bekerja, hasilnya adalah titik A dimana arus dan
tegangan bernilai nol.
Supaya BJT bisa di-bias dalam daerah linear (daerah aktif), beberapa
syarat berikut harus dipenuhi:
- Junction base-emitter dibias maju (forward bias)
- Junction base-collector dibias mundur (reverse bias)
Daerah kerja transistor (cut-off, aktif atau saturasi) ditentukan oleh bias
yang diberikan pada masing-masing junction :
1. Daerah aktif/daerah linear
- Junction base-emitter dibias maju (forward bias)
- Junction base-collector dibias mundur (reverse bias)
2. Daerah saturasi
- Junction base-emitter dibias maju (forward bias)
- Junction base-collector dibias maju (forward bias)
3. Daerah cut-off
PUTU RUSDI
ARIAWAN
- Junction base-emitter dibias mundur (reverse bias)
- Junction base-collector dibias mundur (reverse bias)
- Fixed Bias
Bias model ini ditunjukkan pada gambar berikut.
PUTU RUSDI
ARIAWAN
- Bias maju basis-emitter
a. Loop basis-emitter :
Dan
VBE = VB - VE
b. Loop collector-emitter
VCE = VCC – ICRC
VCE = VC - VE
Saturasi transistor Transistor saturasi jika juction base collector tidak lagi di
bias mundur
VCE = 0 V
ICsat = VCC/RC
PUTU RUSDI
ARIAWAN
- Bias Emitter stabil
JFET
No Keterangan
Kanal n Kanal p
1. Simbol
2. Kurva Karakteristik
3. Rumus ID
4. Kurva Tracer
- JFET
FET (juga dinamakan transistor unipolar) hanya menggunakan satu
jenis pembawa muatan (elektron atau hole, tergantung dari tipe FET). Dalam
FET, arus listrik utama mengalir dalam satu kanal konduksi sempit dengan
depletion zone di kedua sisinya (dibandingkan dengan transistor bipolar dimana
daerah Basis memotong arah arus listrik utama). Dan ketebalan dari daerah
perbatasan ini dapat dirubah dengan perubahan tegangan yang diberikan, untuk
mengubah ketebalan kanal konduksi tersebut.
JFET (Junction FET) terdapat isolasi oleh sambungan pn (junction).
Dalam hal ini akan dibahas mengenai bangun JFET saluran n. Ada 2 jenis JFET,
yaitu JFET saluran n dan JFET saluran p. Dalam JFET saluran n terdapat 1
bahan semikonduktor n yang membentuk saluran arus antara kedua sambungan
pada ujungnya. Kedua sambungan ini disebut dengan drain (D) atau
pengosongan dan source (S) atau sumber. Di samping balok saluran n dibentuk
+ +
dua daerah semikonduktor p . Semikonduktor p adalah semikonduktor p
dengan konsentrasi atom asing yang tinggi, sehingga terdapat banyak pembawa
+ +
muatan positif (maka dinamakan p ). Kedua daerah semikonduktor p
tersambung dan membentuk sambungan keluaran yang disebut sebagai gate (G)
atau gerbang. Antara semikonduktor p dan semikonduktor n terdapat daerah
pengosongan dimana tidak ada pembawa muatan. Karena konsentrasi atom
+
asing dalam semikonduktor p jauh lebih tinggi daripada yang terdapat dalam
semikonduktor n, maka daerah pengosongan lebih jauh masuk ke dalam daerah
semikonduktor n. Besar arus yang mengalir dari drain ke source ditenyukan oleh
resistivitas dari saluran n yang terdapat antara kedua daerah pengosongan di
samping saluran. Resistivitas tersebut tergantung dari konsentrasi pembawa
muatan n dan dari ukuran saluran (panjang, lebar dan tinggi saluran n).
sambungan kolektor. Karena daerah basis sangat tipis, hampir semua elektron
yang terinjeksi pada basis tersapu ke kolektor dimana mereka melakukan
rekombinasi dengan lubang yang “disediakan” dengan pemasangan baterai
luar. (Sebenarnya terjadi pengambilan elektron oleh baterai eksternal,
meninggalkan lubang untuk proses rekombinasi). Sebagai hasilnya terjadi
transfer arus dari rangkaian emitor ke rangkaian kolektor yang besarnya
hampir tidak tergantung pada tegangan kolektor-basis. Seperti akan kita lihat,
transfer tersebut memungkinkan pemasangan hambatan beban yang besar
untuk mendapatkan penguatan tegangan.
(a) (b)
Gambar 2.2.11 Pengoperasian transistor jenis NPN a). kondisi panjar b).
distribusi potensial
2.2.4 Karakteristik DC
Karakteristik DC dari BJT dapat diprediksi dengan melihat aliran
pembawa muatan melewati sambungan dan ke basis. Dengan sambungan
emitor berpanjar maju dan sambungan kolektor berpanjar mundur (biasa disebut
operasi normal, pengoperasian di daerah aktif).
yang benar namun biasanya lebih sering ditulis sebagai I O . Fuge factor ( )
untuk transistor biasanya tidak diperlukan. Tanda negatif hanya untuk memenuhi
perjanjian konvensional, tidak perlu terlalu dirisaukan. Harga arus iE sangat
tergantung pada tegangan v EB .
iC i
dimana = 1. Arus lain sebesar
iE iE iE 1
terlihat sebagai arus basis
iB iE 1
iC
1
iC
yaitu
iC .B
disebut penguatan iarus (current gain ), dimana harganya akan sangat
bervariasi dari satu transistor ke yang lain walaupun mempunyai seri dan tipe
yang sama, dapat berharga serendah 20 dan dapat berharga setinggi 2000,
namun biasanya berharga sekitar 100-200.
cukup kecil. Dengan v berharga positif dan emitor hubung terbuka, i = 0 volt
CB E
dan bagian basis - kolektor pada dasarnya berpanjar mundur. ( vCB berharga
negatif akan membuat sambungan kolektor - basis berpanjar maju dan akan
mengalir iC berharga negatif). Untuk i E = 0, iC ≈ I CBO (lihat gambar 2.2.13-c),
mA dan menampakkan bentuk kurva. Karena faktor selalu lebih kecil dari
E
atau
I
iC i CBO B
1 1
Gambar 2.2.14 transistor dalam konfigurasi emitter bersama
1
dan kita dapat mencatat besarnya arus cutoff kolektor sebagai
I CBO
1 I CBO I CEO
1
Dengan demikian bentuk sederhana persamaan arus keluaran (kolektor) dalam
bentuk arus masukan (basis) dan nisbah transfer-arus adalah
iC i I CEO
(a) (b)
Gambar 2.2.15 Karakteristik transistor NPN untuk konfigurasi emitter bersama
a) karakteristik basis, b) karakteristik kolektor
antara
v BE dengan iE , sedangkan pada konfigurasi emitor-bersama adalah
vCE tertentu. Ini dapat diperoleh dengan mudah dari karakteristik keluaran.
Kemiringan dari kurva yang diperoleh secara langsung akan memberikan harga
dari hubungan :
iC i
B
2
iD I DSS 1 vGS
VP
VP tegangan pinch-off
kenaikan atau penurunan mengikuti masukan. Dengan kata lain isyarat masukan
sefase dengan isyarat keluaran.
Penguat gerbang-bersama mempunyai karakteristik yang agak
spesifik. Besarnya penguatan tegangan relatif lebih rendah dibandingkan
penguat sumber bersama, yaitu berharga sekitar 2 - 5. Penguat ini memiliki
impedansi masukan yang sangat rendah (sekitar 200 – 1500 ) dan impedansi
keluaran sedang (sekitar 5 – 15k ). Konfigurasi ini banyak dipakai untuk
penguat isyarat frekuensi radio (RF).
2.2.11 Penguat Saluran-Bersama (Common-Drain Amplifier)
Penguat saluran-bersama mempunyai isyarat masukan yang
dikenakan pada G dan isyarat keluaran diambil dari S. D terhubung baik dengan
masukan maupun dengan keluaran. Penguat ini juga disebut sebagai pengikut-
saluran (drain follower) dan memiliki karakteristik mirip dengan rangkaian
pengikut emitor pada transistor BJT. Gambar 2.2.19 memperlihatkan bentuk
praktis rangkaian saluran-bersama dengan menggunakan JFET saluran-n.
Konfigurasi ini memiliki impedansi masukan yang sangat tinggi dengan
memasang R1 . Titik operasi transistor ditentukan oleh R2 . Pada rangkaian ini,
periode positif isyarat masukan, akan membuat G negatif. Ini akan membuat
saluran-n menjadi semakin konduktif. Dengan bertambahnya arus yang
melewati R3 dan R2 , maka S akan berubah/bergoyang positif. Demikian
sebaliknya pada saat periode isyarat masukan negatif, akan membuat saluran-n
menjadi kurang konduktif. Penguat saluran-bersama banyak digunakan sebagai
piranti penyesuai impedansi (impedance-matching), yaitu untuk menyambung
rangkaian dengan beban impedansi tinggi dengan rangkaian dengan beban
impedansi rendah.
Jika terjadi fluktuasi tegangan jala-jala pada sisi input atau jika ada
perubahan beban RL, maka tegangan UCB akan berubah dengan jumlah yang
sama, karena UZ tetap konstan sedangkan Ui = UCB + UZ. Pada saat terjadi
perubahan tegangan ini, Uo akan konstan karena UBE praktis tidak terpengaruh
oleh perubahan UCB.
Transistor mempunyai tiga buah elektroda, yaitu Emiter, Basis dan
Kolektor
dan juga terdiri atas dua jenis pengutuban yaitu PNP dan NPN. Transistor dibuat
untuk keperluan penguatan arus, tegangan, daya (Amplifier). Karena karakteristik
listriknya, transistor penggunaannya lebih luas diantaranya dapat digunakan
sebagai saklar elektronik. Kondisi transistor dapat diuji dengan sederhana
dengan menggunakan alat ohmmeter dari sebuah multitester pada tiga titik
pengutuban dan dua arah (Forward dan Reverse), Suhu maksimal untuk
transistor jenis germanium sekitar 75oC, sedangkan silikon sekitar 15 oC Karena
transistor tidak tahan terhadap temperature yang berlebihan, maka biasanya
digunakan peralatan pendingin seperti Heat-Sink, Fan atau Pasta Silikon guna
menurunkan suhu tersebut agar terhindar dari kerusakan.
Transistor Darlington
Nilai penguatan total dari transistor Darlington bisa mencapai 1000 kali
atau lebih. Dari luar transistor Darlington nampak seperti transistor biasa dengan
3 buah kutub: B (basis), C (Kolektor), dan E (Emitter). Dari segi tegangan
listriknya, voltase base-emitter rangkaian ini juga lebih besar, dan secara umum
merupakan jumlah dari kedua tegangan masing-masing transistornya, seperti
nampak dalam rumus berikut: VBE = VBE1 + VBE2
Digital
2 BC557 PNP Analog
Digital
Tabel 2.2 Resistansi channel JFET
FET AVO Hambatan Keterangan keadaan Keterangan
Meter
No Seri Type Drain Source Gate Source Baik Buruk
Digital
2. Karakteristik JFET
Buat rangkaian seperti pada gambar 2.2
Aturlah tegangan agar harga VGS dan VDS sesuai dengan tabel 2.4
catat besar ID pada tabel 2.4
4 2.5
5
2.4.3 Karakteristik BJT dan JFET dengan osiloskop
1. Karakteristik transistor
Besarnya arus kolektor dapat diketahui dengan membagi nilai tegangan
vertikal dengan nilai tahanan RC
Gambar hasilnya pada kertas milimeter block, untuk harga IB 30, 50, dan
75 mA
2. Karakteristik JFET
Buat rangkaian seperti pada gambar 2.4.
Gunakan osiloskop dua channel. Input horisontal (X/CH1) hubungkan
dengan DS (drain JFET hubungkan dengan ground osiloskop) dan input
Vertikal (Y/CH2) hubungkan dengan RD (Drain sebagai ground ).
Pada layar osiloskop sumbu horisontal arah kiri merupakan tegangan
positif sedangkan arah kanan merupakan tegangan negatif
Besarnya arus drain dapat diketahui dengan membagi nilai tegangan
vertikal dengan nilai tahanan RD.
Gambar hasilnya pada kertas milimeter block, untuk harga VGS 0; 0,3; dan
0,7 volt
Kemudian on-kan catu daya dan segera ukur dan catat nilai dari IB, IC,
VCE, dan VBE.
Setiap 5 menit catatlah nilai dari IB, IC, VCE, dan VBE. Isi tabel 2.6
Gambar 2.5. Konfigurasi Emiter stabilized bias
Kemudian on-kan catu daya dan segera ukur dan catat nilai dari IB, IC,
VCE, dan VBE.
Setiap 5 menit catatlah nilai dari IB, IC, VCE, dan VBE. Isi tabel 2.7
Gambar 2.6. Konfigurasi Voltage divider bias
Kemudian on-kan catu daya dan segera ukur dan catat nilai dari ID, IG,
VDS, dan VGS.
Setiap 5 menit catatlah nilai dari ID, IG, VDS, dan VGS. Isi tabel 2.9
Gambar 2.7. Konfigurasi Fixed bias
Kemudian on-kan catu daya dan segera ukur dan catat nilai dari I D, IG,
VDS, dan VGS.
Setiap 5 menit catatlah nilai dari ID, IG, VDS, dan VGS. Isi tabel 2.11
Gambar 2.8. Konfigurasi Voltage divider bias
Agama : Hindu
Email : turusdi.info@gmail.com
www.facebook.com/turusdi