INGENIERÍA MECATRÓNICA – TECNOLÓGICO NACIONAL DE MÉXICO en CELAYA

PRIMER PARCIAL

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Spanish Title
Author 11, Author 22

ABSTRACT
Keywords:

RESUMEN
Palabras clave:

Received: March 15th 2018

Metodología1 2 de hacer nuestra propia escala, pero resultaba que

consumía muchos recursos de la computadora uti-
lizada y en algunas ocasiones tardaba en responder
el VI o simplemente no respondía, esto debida al
gran número de iteraciones que se realizaban, de-
Desarrollo
bido a esto optamos por modificar la escala de
Una vez con todos los datos recabados de las prue- tiempo desde el documento de Excel, para así
bas hechas al transistor procedimos con realizar el cuando importáramos los datos a LabVIEW se pu-
VI. Lo primero que se realizo fue exportar los da- diera graficar de manera correcta.
tos que se tenían en Excel a LabVIEW, para ello
fue necesario agrupar todos los resultados obteni- Una vez hecho todo esto se realizo el ajuste al pa-
dos (𝑡𝑖𝑒𝑚𝑝𝑜, 𝑉𝐶𝐸 , 𝑉𝐺𝐸 𝑦 𝑉𝑅 ) en un solo docu- nel frontal para que tuviera las especificaciones
mento para facilitar así el tomar todos los valores solicitadas. En la siguiente figura se muestra parte
de un misma fuente. Una vez teniendo toda la in- del panel frontal
formación en LabVIEW se prosiguió en la elabo-
ración de una estructura de casos para todas las
frecuencias (1kHz, 10kHz, 20kHz y 100kHz), en
cada caso se obtenían valores del documento de
Excel ya mencionado en base a posiciones de fila
y columna y finalmente esos valores se desplega-
ban en tres gráficas, una que correspondía al vol-
taje Gate-Emisor, otra para el voltaje que cae en la
resistencia y finalmente el voltaje Colector-Emi-
sor.
El principal problema al realizar el VI fue en los
tiempos, ya que eran bastantes pequeños, y esto
ocasionaba que no se realizaran las gráficas de
manera correcta, lo primero que se intento fue el

1
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A esta frecuencia el transistor seleccionado esta

dentro del rango de operación, el tiempo de con-
mutación es todavía posible, para explicarlo de
mejor forma se muestra a continuación la si-
guiente figura.

Figura 1 Vista del panel frontal, curvas características y caracte-

rísticas del transistor
Source: Sánchez Cuevas, Morales Gonzales, Valdovinos Maldo-
nado

Una de las especificaciones del VI es que tuviera

unos botones en donde se desplegaran las curvas
características y las características del IGBT (fre-
cuencias, voltajes, tiempo de conmutación, resis-
tencia de conducción).
Figura 3 Resultados obtenidos a una frecuencia igual a 1kHz
Source: Sánchez Cuevas, Morales González , Valdovinos Maldo-
nado

Otra especificación requerida es una pequeña
descripción del IGBT así como su símbolo, en la
siguiente figura se puede apreciar eso.
Como se puede apreciar cuando el voltaje de
Gate-Emisor es igual a cero, el transistor no per-
mite la conducción y todo el voltaje Vcc cae en
el transistor y la carga se queda en 0 volts, pero
una vez que llega el flanco positivo el transistor
se queda con lo mínimo que requiere (aproxima-
damente 0.8 volts) y en la carga cae todo el resto.
A esta frecuencia el transistor IGBT puede operar
sin problema alguno ya que el tiempo de conmu-
tación permite que haga estos cambios, por ello
hay un buen prendido y apagado del semiconduc-
tor.

Figura 2 Vista de panel frontal, descripción del transistor. En el segundo de los casos es donde tenemos una
Source: Sánchez Cuevas, Morales Gonzales, Valdovinos Maldo-
frecuencia de 10kHz, en la siguiente figura se
nado
puede apreciar el caso ya mencionado.
En esta sección se puede observar la breve des-
cripción del transistor, así como la configuración
que se utilizó.

Resultados
Una vez cubiertas todas las especificaciones del
VI los resultados fueron los siguientes.
a) 1kHz

2

Figura 4 Resultados obtenidos a una frecuencia igual a 10kHz
Source: Sánchez Cuevas, Morales González , Valdovinos Maldo-
nado
En este caso se puede considerar que el transistor
IGBT aun funciona de manera correcta, ya que el
tiempo de conmutación aun permite el encendido
y apagado del transistor en el momento ade-
cuado, y de forma muy similar al caso anterior
cuando conduce el transistor se queda con lo su-
ficiente para operar y cuando se encuentra en
corte el transistor se queda con todo el voltaje y
la carga en cero.
Los dos casos anteriores están dentro del límite
de frecuencia soportada por el IGBT, la siguiente
prueba que se muestra es a una frecuencia igual a
20kHz, cabe mencionar que de acuerdo a la data
este valor de frecuencia ya sobrepasa el límite del
transistor.
AUTHOR 1, AUTHOR 2
Figura 5 Resultados obtenidos a una frecuencia igual a 20kHz
Source: Sánchez Cuevas, Morales González , Valdovinos Maldo-
nado
Aquí se comienza a detectar las fallas en el tran-
sistor, sobre todo en el voltaje de la carga, se
puede apreciar una pequeña cantidad de voltaje
negativo, esto se debe a que la frecuencia ya su-
pera al tiempo de conmutación, los cambios son
tan rápidos que le es imposible seguirlos al tran-
sistor para que este apague y se encienda.
Ya para finalizar se presentará un caso en
100kHz, es importante señalar que a esta fre-
cuencia el transistor ya es imposible que funcione
de manera correcta.
Figura 6 Resultados obtenidos a una frecuencia igual a 100kHz
Source: Sánchez Cuevas, Morales González , Valdovinos Maldo-
nado
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ENGLISH TITLE

En este último caso el transistor no puede entrar a

la zona de saturación ni de corte en los instantes
precisos, el tiempo de conmutación ya está muy
por debajo al que se necesita para operar correc-
tamente, por lo que existe ya una caída de voltaje
negativo a considerar en la carga debido al vol-
taje que existe en Gate-Emisor, lo que da como
resultado caídas de voltajes tanto en la carga
como de Colector-Emisor.

Conclusiones individuales
Valdovinos Maldonado Jesús Rafael
En este proyecto se puso a prueba un transistor
IGBT, y en lo personal fue de gran ayuda para
comprender de mejor manera como es que fun-
ciona y sobretodo el saber cuándo utilizarlo, tiene
una gran cantidad de ventajas por encima de los
transistores BJT, la principal para mi es su activa-
ción por voltaje, esto es de gran ayuda porque así
te ahorras cálculos para determinar corrientes,
cosa que es necesaria en los transistores BJT, otro
aspecto importante a mi parecer son los rangos de
frecuencia de operación, si bien no son tan altos
como el de un MOSFET son bastante aceptables
en mi opinión, y como ya he mencionado lo im-
portante es saber cuándo utilizarlos, sin embargo
uno de sus aspectos negativos es que al menos en
mi ciudad son bastante difíciles de conseguir, y el
único medio de encontrarlos rápidamente es por
internet, en cambio, otros transistores son más co-
munes y fáciles de encontrar.
References