Diodo

El diodo es la unión de dos materiales semiconductores dopados de tipo n y

de tipo p, formando una unión p-n. Antes de la unión, y considerando cada

uno de los materiales semiconductores por separado, el semiconductor de

tipo p tiene una concentración de huecos mucho mayor que la de electrones

y el de tipo n tiene una concentración de electrones mucho mayor que la de

huecos. Además, cada uno de estos materiales permanece eléctricamente

neutro. El hecho de unir ambos tipos de material provoca un elevado

gradiente de concentración de portadores en las proximidades de la unión

que se observa, por un lado, una corriente de difusión de huecos de la región

p a la n y, por otro, una corriente de difusión de electrones de la región n a la

p. Adicionalmente la marcha o difusión de estos portadores de su región

inicial deja al descubierto algunos iones fijos en la red cristalina, dando lugar

a una región que contiene átomos ionizados positivamente a un lado y

átomos ionizados negativamente al otro lado llamada zona de agotamiento o

región espacial de carga. Dicha zona de agotamiento es eléctricamente

neutra de manera que, si una de las dos partes (positiva o negativa) tiene

una concentración de iones mayor, ésta es más corta. La presencia de estas

cargas fijas da lugar a la aparición de un fuerte campo eléctrico dirigido desde

la zona n hacia la zona p, es decir, desde la zona de carga positiva a la zona

de carga negativa. En ausencia de polarización, la presencia de este campo

eléctrico provoca unas corrientes de arrastre (de electrones de la zona p a la

n y de huecos de la n a la p que atraviesan la zona de agotamiento

"arrastrados" por dicho intenso campo eléctrico) que se oponen a las de

difusión siendo nulas las corrientes netas de electrones y de huecos y, por

tanto, no circula corriente a través del dispositivo. La presencia del campo

eléctrico provoca una diferencia de potencial o barrera de potencial cuyo

valor es del orden de 0,3 V en compuestos de Ge, 0,7 V en compuestos de

Si y de 1,2 V a 1,8 V en compuestos de Ga.

Figure 1 imagen de un diodo

En polarización directa, la parte p se somete a un potencial positivo respecto

de la n reduciéndose la barrera de potencial en dicha cantidad. Se reduce

además la anchura de la zona de agotamiento, la cual depende de la

diferencia de potencial a la que está sometida la unión. La reducción de la

barrera de potencial (y por tanto del campo eléctrico en la unión) permite que

los portadores mayoritarios atraviesen la unión facilitando el proceso de

difusión y dando lugar a una corriente mensurable. Se tiene, por tanto, una

inyección de portadores minoritarios, es decir, de electrones en la zona p y

de huecos en la n. Para, en condiciones de polarización directa, obtener una

corriente significativa es necesaria una tensión mínima del orden de dicha

barrera de potencial.

Figure 2 Diodo conectado en corriente directa

En polarización inversa la parte n tiene una tensión positiva aplicada con

respecto de la p. La barrera de potencial se ve aumentada en dicha cantidad

viéndose, por tanto, muy reducidas las corrientes de difusión. Por otra parte,

la anchura de la zona de agotamiento aumenta. El resultado es que

únicamente una pequeña corriente inversa o de pérdidas atraviesa el

dispositivo. Se dice que el diodo está cortado.

 Figure 3 Diodo conectado en corriente inversa

Tipos de diodos

Diodo Zener

Es un diodo basado en una única unión p-n. Su comportamiento es igual

que el del diodo normal descrito hasta ahora pero generalmente se le hace

funcionar en lo que se denomina zona de ruptura, es decir, aplicándole una

tensión inversa superior a la tensión de ruptura. En la zona de ruptura es en

donde se utiliza el diodo zener y básicamente se hace como tensión de

referencia. Su símbolo electrónico es diferente del diodo normal.

Figure 4 Simbolo del diodo zener

Hay dos efectos que producen la ruptura de un diodo de unión p-n: el efecto

túnel o zener y la ruptura por efecto avalancha. Cuando la ruptura se produce

en uniones con tensiones por encima de los 8 V están causadas por el efecto

avalancha, mientras que para tensiones de ruptura por debajo de los 5 V la

ruptura se produce por efecto zener. Para tensiones de ruptura entre 5 V y 8

V ambos mecanismos operan al mismo tiempo.

Diodo Schottky

El diodo Schottky se caracteriza por una unión metal semiconductor

ligeramente dopado y como su nombre indica también produce un efecto

rectificador, si el dopado es muy fuerte la unión es de tipo óhmica y la

corriente circula en ambos sentidos. Al igual que en el diodo de unión se

forma una zona de agotamiento en la que los electrones de la zona n buscan

niveles de energía menores y, por tanto, pasan al metal. Cuando se forma la

zona de agotamiento hay un paso de electrones del metal al semiconductor,

forzado por el campo eléctrico presente, que iguala al anterior y, por tanto,

no circula corriente a través del dispositivo. En el diodo Schottky la barrera

de potencial es menor que en un diodo de unión y vale sólo 0,2 V.

Figure 5 Simbolo del diodo Schottky

Cuando se polariza directamente el diodo Schottky la altura de la barrera para

los electrones del semiconductor disminuye y los electrones de la zona n

pasan al metal. El resultado es que en el diodo Schottky la conducción la

protagonizan sólo los electrones y por ello se dice también que es un

dispositivo unipolar, que conduce por portadores mayoritarios. Esto también

se traduce en un tiempo de recuperación inversa muy pequeño al no haber

cargas almacenadas cuando se corta el diodo.

Con polarización inversa aumenta la altura de la barrera para los electrones

del semiconductor por lo que disminuye el flujo de electrones del

semiconductor al metal mientras el flujo de electrones del metal al

semiconductor permanece inalterado en un valor muy pequeño, dando como

resultado una pequeña corriente de pérdidas.

Figure 6 Comparacion de la curava del diodo Schottky con la curva del diodo de silicio.
Diodo Tunel o diodo Esaki

Como se ha comentado anteriormente, en un diodo de unión p-n con fuerte

dopado puede producirse el efecto túnel o zener en condiciones de

polarización inversa. En el caso que ambas regiones semiconductoras estén

muy fuertemente dopadas, del orden de 1000 veces más que en un diodo

zener, la zona de agotamiento es muy estrecha y el campo eléctrico en la

zona de agotamiento es tan grande que el efecto túnel o zener deviene

también importante para el caso de polarización directa. En estas

condiciones, la característica corriente-tensión del diodo cambia

drásticamente observándose una región en que la corriente disminuye

cuando aumenta la tensión de polarización. Un diodo operando de esta

manera es llamado diodo túnel o también diodo degenerado. Generalmente

se suele fabricar de AsGa en vez de Si o Ge.

Conforme aumenta la polarización directa, la corriente aumenta con mucha

rapidez desde cero hasta el valor de pico de iD (Ip) en que se produce la

ruptura. Entonces la corriente cae hasta Iv (corriente de valle), dando lugar a

la región de resistencia negativa. Dicha región se desarrolla de manera

característica en el intervalo de 50 mV a 250 mV. A partir de la tensión de

valle Vv, el diodo túnel se comporta prácticamente como un diodo normal. La

tensión de ruptura inversa no existe y, por tanto, el diodo túnel no es capaz

de bloquear tensiones inversas como otros diodos. Como, debido a su

funcionamiento, no hay procesos de almacenamiento de portadores

minoritarios, el diodo túnel es útil en aplicaciones de alta velocidad.

 Figure 7 Curva caracteristica de un diodo tunel

Diodo Gunn o impatt

El diodo Gunn es un diodo túnel muy especializado para su utilización en

osciladores de alta frecuencia, en particular en el rango de las microondas.

Su tramo de resistencia negativa se utiliza en osciladores pudiéndose

alcanzar frecuencias de hasta 14 GHz.

Diodo PIN

El diodo PIN es un diodo de unión p-n al que se le ha insertado una tercera

zona semiconductora sin dopado (intrínseca) entre la zona p y la zona n. Es

pues un diodo p-i-n y de ahí su nombre. Gracias a esa zona i, este diodo tiene

una baja capacidad por lo que se aplica en altas frecuencias. Cuando se

polariza directamente la inyección de portadores minoritarios aumenta la

conductividad de la zona intrínseca y cuando se le aplica tensión inversa la

zona intrínseca se vacía totalmente de portadores y el campo eléctrico a

través de dicha región permanece constante. Esto permite que el diodo PIN

soporte altas tensiones inversas. Sus aplicaciones son en potencia y alta

tensión y también en radiofrecuencia como modulador o conmutador.

Diodo Varactor

En este diodo se ha modificado el perfil y el nivel de dopado de forma que se

ha aumentado mucho su capacidad de unión. Además esta capacidad de

unión se podrá modificar según la tensión aplicada inversamente al diodo.

Así si aumentamos la tensión inversa aplicada:

1. La zona de agotamiento aumenta, lo que aumenta la distancia neta

entre cargas.

2. Se producen más iones positivos y negativos, lo cual genera mas

carga.

La capacidad de unión variará por tanto con la tensión inversa aplicada y

cuanta más tensión se aplique menor capacidad tendremos.

Figure 8 Simbolo de un diodo Varactor

Diodo laser

Este tipo de diodos son también conocidos como láseres de inyección o

ILD’s. Son LED’s que emiten una luz monocromática, generalmente roja o

infrarroja, fuertemente concentrada, enfocada, coherente y potente.

Aplicaciones del diodo laser

Son muy utilizados en computadoras y sistemas de audio y video para leer

discos compactos (CD’s) que contienen datos, música, películas, etc., así

como en sistemas de comunicaciones para enviar información a través de

cables de fibra óptica. También se emplean en marcadores luminosos,

lectores de códigos de barras y otras muchas aplicaciones.

Figure 9 Simbolo del diodo laser

Diodo semiconductor

Los más antiguos son los de germanio con punta de tungsteno o de oro. Por

el tipo de unión que tiene posee una capacidad muy baja, así como una

resistencia interna en conducción que produce una tensión máxima de 0.2 a

0.3 V.

Aplicaciones del diodo semiconductor

Su aplicación más importante se encuentra en HF, VHF y UHF. También se

utilizan como detectores en los receptores de modulación de frecuencia.

 Figure 10 imagen de un diodo semiconductor

Diodos rectificadores
Su construcción está basada en la unión PN siendo su principal aplicación

como rectificadores. Este tipo de diodos, normalmente de silicio soportan

elevadas temperaturas de hasta 200ºC en la unión, siendo su resistencia muy

baja y la corriente en tensión inversa muy pequeña. Gracias a esto se pueden

construir diodos de pequeñas dimensiones para potencias relativamente

grandes, desbancando así a los diodos termoiónicos desde hace tiempo. Los

distintos encapsulados de estos diodos dependen del nivel de potencia que

tengan que disipar. Hasta cierto valor de un W se emplean encapsulados de

plástico. Por encima de este valor el encapsulado es metálico y en potencias

más elevadas es necesario que el encapsulado tenga previsto una rosca para

fijar éste a un radiador de calor y así ayudar al diodo a disipar el calor

producido por esas altas corrientes. Lo mismo sucede con los puentes de

diodos integrados.

Aplicación de los diodos rectificadores

Sus aplicaciones van desde elemento indispensable en fuentes de

alimentación, como en televisión, aparatos de rayos X y microscopios

electrónicos, donde deben rectificar tensiones altísimas. En fuentes de

alimentación se utilizan los diodos formando configuración en puente, con

cuatro diodos en sistemas monofásicos, o utilizando los puentes integrados

que a tal efecto se fabrican y que simplifican en gran medida el proceso de

diseño de una placa de circuito impreso.

Fotodiodo

Son dispositivos semiconductores construidos con una unión PN, sensible a

la incidencia de la luz visible o infrarroja. Para que su funcionamiento sea

correcto se polarizan inversamente, con lo que producen una cierta

circulación de corriente al ser excitados por la luz. Debido a su construcción

se comportan como células fotovoltaicas, es decir, en ausencia de tensión

exterior generan una tensión muy pequeña con el positivo en el ánodo y el

negativo en el cátodo. Tienen una velocidad de respuesta a los cambios

bruscos de luminosidad mayores a las células fotoeléctricas.

Aplicaciones del fotodiodo

Actualmente, en muchos circuitos estas últimas se están sustituyendo por

fotodiodos, debido a la ventaja anteriormente citada.

Figure 11 Simbolo de diodo de señal

Diodos de señal

Los diodos de señal son usados en los circuitos para procesar información

(señales eléctricas), por lo que solo son requeridos para pasar pequeñas

corrientes de hasta 100 mA. Un diodo de señal de uso general tal como el

1N4148 está hecho de silicio y tiene una caída de tensión directa de 0,7 V.

Un diodo de germanio tal como el OA90 tiene una caída de tensión directa

más baja, de 0,2 V.

Aplicaciones de los diodos

Es conveniente para usar en circuitos de radio como detectores los cuales

extraen la señal de audio desde la débil señal de radio. Para uso general,

donde la medida de la caída de tensión directa es menos importante, los

diodos de silicio son mejores porque son menos fácilmente dañados cuando

se sueldan, tienen una más baja resistencia cuando conducen, y tienen muy

baja corriente de pérdida cuando se les aplica un voltaje en inversa.

Diodo Shockley

Es un dispositivo de dos terminales que tiene dos estados estables: OFF o

de alta impedancia y ON o baja impedancia. No se debe confundir con el

diodo de barrera Schottky.

Está formado por cuatro capas de semiconductor tipo n y p, dispuestas

alternadamente. Es un tipo de tiristor.

La región I es la región de alta impedancia (OFF) y la III, la región de baja

impedancia. Para pasar del estado OFF al ON, se aumenta la tensión en el

diodo hasta alcanzar Vs, tensión de conmutación. La impedancia del diodo

desciende bruscamente, haciendo que la corriente que lo atraviese se

incremente y disminuya la tensión, hasta alcanzar un nuevo equilibrio en la

región III (Punto B). Para volver al estado OFF, se disminuye la corriente

hasta Ih, corriente de mantenimiento. Ahora el diodo aumenta su impedancia,

reduciendo, todavía más la corriente, mientras aumenta la tensión en sus

terminales, cruzando la región II, hasta que alcanza el nuevo equilibrio en la

región I.

Aplicaciones del diodo Shockley

Detector de sobretensión: En esta aplicación, si la tensión de la fuente es

correcta, el diodo está abierto, no circula corriente por él y la lámpara estará

apagada. Pero si la tensión de la fuente supera, por una falla en su

funcionamiento una tensión mayor, el diodo entra en saturación y la lámpara

se enciende.

Figure 12 Representacion grafica de undiodo shokley

Diodo avalancha

Un diodo avalancha, es un diodo semiconductor diseñado especialmente

para trabajar en inversa. En estos diodos, poco dopados, cuando la tensión

en polarización inversa alcanza el valor de la tensión de ruptura, los

electrones que han saltado a la banda de conducción por efecto de la

temperatura se aceleran debido al campo eléctrico incrementando su energía

cinética, de forma que al colisionar con electrones de valencia los liberan;

éstos a su vez, se aceleran y colisionan con otros electrones de valencia

liberándolos también, produciéndose una avalancha de electrones cuyo

efecto es incrementar la corriente conducida por el diodo sin apenas

incremento de la tensión.

Aplicación de los diodos avalancha

La aplicación típica de estos diodos es la protección de circuitos electrónicos

contra sobretensiones. El diodo se conecta en inversa a tierra, de modo que

mientras la tensión se mantenga por debajo de la tensión de ruptura sólo será

atravesado por la corriente inversa de saturación, muy pequeña, por lo que

la interferencia con el resto del circuito será mínima; a efectos prácticos, es

como si el diodo no existiera. Al incrementarse la tensión del circuito por

encima del valor de ruptura, el diodo comienza a conducir desviando el

exceso de corriente a tierra evitando daños en los componentes del circuito.

Diodos de unión

Se muestra una característica típica de un diodo de unión pn, donde se

distinguen tres regiones: •Zona Directa, •Zona Inversa, •Zona de Ruptura

Figure 13 Curva del diodo de union

Aplicaciones de los diodos de unión

Se utiliza en circuitos simples de mecanismos de electrónicos.

Diodos de punta de contacto

Diodos de punta de contacto: Poseen unas propiedades similares a los

diodos de unión y la única diferencia es, en todo caso, el sistema de

construcción que se ha aplicado.

Aplicaciones de los diodos de punta de contacto

En receptores de radio como un detector y ocasionalmente en dispositivos

analógicos especializados.

Diodo Baritt

Del inglés: BARrier Injected Transit Time) Diodo semejante al diodo IMPATT

donde los portadores de carga llamados a atravesar la región de deplexión

no provienen de una avalancha sino que son engendrados por inyección de

portadores minoritarios en uniones polarizadas en el sentido de la

conducción.

Aplicaciones del diodo Baritt

Utilizado en compuestos electrónicos de alta frecuencia.

Diodos de conmutación

Tiene una alta resistencia por debajo del voltaje aplicado especificado similar

a un interruptor abierto, mientras que por encima de ese voltaje cambia de

manera repentina a la baja resistencia de un interruptor cerrado.

Aplicación de los diodos

Generalmente utilizado en circuitos electrónicos, donde intervienen

pequeñas corrientes o altas frecuencias, como en la radio, la televisión y los

circuitos lógicos digitales.

Diodo unitunel

Diodo túnel cuyas corrientes de punta de pico y punta de valle son

aproximadamente iguales.

Aplicaciones del diodo unitunel

Son usados en circuitos eléctricos simples.

Diodo Trapatt
Diodo TRAPATT El diodo TRAPATT está relacionada con el diodo IMPATT,

pero ofrece un nivel más alto de eficiencia de una IMP. En esencia, el

TRAPATT usa normalmente como oscilador de microondas, pero tiene la

ventaja de un mayor nivel de eficiencia - por lo general la DC a la eficiencia

de conversión de la señal de RF puede estar en la región de. 20 a 60%.

Fundamentos TRAPATT El diodo TRAPATT se basa en el concepto inicial

de la IMPATT. Sin embargo, para la TRAPATT, el nivel de dopaje entre la

unión y el ánodo. Típicamente, la construcción del dispositivo consiste en un

p + n + n, donde a pesar de los niveles de potencia más altos para una p + p

+ n es mejor estructura.

Aplicaciones del diodo Trapatt

Aunque el diodo TRAPATT proporciona un nivel mucho más alto de eficiencia

de la IMPATT, su principal desventaja es que los niveles de ruido en la señal

son aún mayores de lo que son cuando se utiliza un IMPATT. Un equilibrio

debe hacerse de acuerdo a la aplicación requerida.