Negro: Julian

Azul: Andres
Rojo: Mafe
Verde: Talia
Amarillo: Isa

1. OBJETIVOS
 Diferenciar un diodo de Silicio de uno de Germanio.
 Entender el funcionamiento del diodo.
 Experimentar el comportamiento de la tensión y la corriente según la orientación
del diodo.

2. INTRODUCCIÓN

A lo largo del estudio de la ciencia se han hecho grandes descubrimientos con los cuales el
hombre ha elaborado miles de diseños para la construcción de elementos eléctricos y
electrónicos que son de gran utilidad.

Basado en los conocimientos tales como los elementos conductores y aislantes el hombre
realizó la construcción del diodo, a partir de materiales semiconductores. Sabemos que los
conductores por excelencia son: la plata, el oro, el cobre todos estos elementos constan de
un electrón de valencia. Mientras que los mejores aislantes tienen ocho electrones de
valencia. Un semiconductor es un elemento con propiedades eléctricas entre un conductor
y un aislante; como es lógico los mejores semiconductores son aquellos que tienen 4
electrones de valencia, los más utilizados son el silicio y el germanio. La zona compuesta
entre p (huecos) y n (electrones libres) se le conoce como unión pn esta unión tiene tantas
propiedades útiles como por ejemplo el diodo.

El diodo es el elemento más sencillo de entre los fabricados a partir de materiales

semiconductores. Tiene la propiedad de conducir la corriente con una polaridad
(polarización directa) y no conducir en la polaridad contraria (polarización inversa). Desde
el inicio del empleo de las antiguas válvulas termoiónicas de tipo diodo en los circuitos
electrónicos analógicos hasta los diodos de estado sólido utilizados en la actualidad, su
principal función ha sido “rectificar” corrientes alternas para convertirlas en directa (C.D.)
y “detectar” corrientes de alta frecuencia (A.F.) o radiofrecuencia (R.F.) para reconvertirlas
en audibles. De esta forma es clara la importancia de familiarizarnos con su
comportamiento; en el desarrollo de la práctica se busca realizar de madera correcta la
caracterización de este elemento.

El DIODO es un componente electrónico que permite el paso de la corriente en un solo

sentido como se había mencionado anteriormente. La flecha de la representación simbólica
muestra la dirección en la que fluye la corriente.
 Figura 1. Símbolo del diodo

Este dispositivo semiconductor se puede encontrar prácticamente en cualquier circuito

electrónico. Consta de la unión de dos tipos de material semiconductor, uno tipo N y otro
tipo P, separados por una juntura llamada barrera o unión. Los diodos se fabrican en
versiones de silicio (la más utilizada) y de germanio. Esta barrera o unión es de 0.3 voltios
en el germanio y de 0.6 voltios aproximadamente en el diodo de silicio.

El diodo se puede hacer funcionar de 2 maneras diferentes:

Polarización directa: Cuando la corriente circula en sentido directo, es decir del ánodo A
al cátodo K, siguiendo la ruta de la flecha (la del diodo). En este caso la corriente atraviesa
el diodo con mucha facilidad comportándose prácticamente como un corto circuito. El
diodo conduce.

Figura 2. Diodo en polarización directa

Polarización inversa: Cuando una tensión negativa en bornes del diodo tiende a hacer
pasar la corriente en sentido inverso, opuesto a la flecha (la flecha del diodo), o sea del
cátodo al ánodo. En este caso la corriente no atraviesa el diodo, y se comporta
prácticamente como un circuito abierto. El diodo está bloqueado.

Figura 3. Diodo en polarización inversa

En el caso ideal, el diodo se comporta como un cortocircuito cuando está polarizado en

directa y como un circuito abierto cuando está polarizado en inversa. Las curvas
características corriente-tensión real e ideal se muestran a continuación:
 Figura 4. Característica i-v real

Figura 5. Característica i-v ideal

Una característica importante de un diodo ideal es la corriente de recuperación inversa.

Cuando un diodo pasa de conducción a corte, la corriente en él disminuye y,
momentáneamente se hace negativa antes de alcanzar el valor cero, como se muestra en la
siguiente figura.

Figura 6. Tiempo de recuperación inversa

El tiempo trr es el tiempo de recuperación inversa, normalmente inferior a 1us. Los diodos
de recuperación rápida se diseñan de modo que tengan trr menores que los diodos
diseñados para aplicaciones de 50Hz.
3. MONTAJE EXPERIMENTAL

Se realizó el montaje de un circuito en serie (Figura 1) y otro en paralelo (Figura 2) ambos

contenían que contenía una resistencia de 240  y un diodo de ---- conectados a una fuente
de corriente directa, con esto se esperaba reconocer el comportamiento del diodo
cambiando su polaridad.

Figura 7. Circuito resistencia-diodo en serie.

Figura 8. Circuito resistencia-diodo en paralelo

Se midió el voltaje y la corriente en el diodo con el tester variando el voltaje de la fuente

desde 0 V hasta 2 V con una variacion de 0,2 V. En pricipio se realizó con una polaridad del
diodo en uno de los circuitos (paralelo o serie), despues de obtener los datos se cambió la
polaridad del diodo y se obtuvieron de nuevo los datos. Se repitió el procedimiento en los
dos tipos de circuitos.

4. RESULTADOS Y ANÁLISIS

Procedimiento 1:

Se realizó el montaje descrito anteriormente, se hicieron las mediciones de tensión y

corriente y los datos se pueden ver en la siguiente tabla:

Tabla 1.Voltaje y corriente en un diodo en serie positivo

Voltaje fuente [V] Vol. diodo [V] Corriente diodo[mA]

0.0 0 0
0.2 0.2 0.0002
0.4 0.38 0.00021
0.6 0.5 0.15
 0.8 0.55 0.74
1.0 0.58 1.23
1.2 0.58 1.97
1.4 0.62 3.06
1.6 0.63 3.83
1.8 0.64 4.53
2.0 0.65 5.29

Tabla 2.Voltaje y corriente en un diodo en serie negativo

Voltaje fuente [V] Vol. diodo [V] Corriente diodo[A]

0.0 0 0
0.2 0.2 0
0.4 0.4 0
0.6 0.6 0
0.8 0.8 0
1.0 1 0
1.2 1.2 0
1.4 1.4 0
1.6 1.6 0
1.8 1.8 0
2.0 2 0

En una primera parte que hace referencia a la Tabla 1 se muestra el arreglo en el cual el
diodo se colocó de manera que su polaridad va conectada por su lado positivo a la
resistencia y el lado negativo a tierra; la batería disminuye la barrera de potencial debido a
que obliga a los electrones y huecos a moverse a la zona de unión, permitiendo el paso de
electrones libres que crean iones positivos en el extremo derecho de la unión que atraerán
a los electrones hacia el diodo desde el circuito externo. Así los electrones libres pueden
abandonar el terminal negativo de la fuente y fluir hacia el extremo derecho del diodo.

El electrón tras abandonar el terminal negativo de la fuente entra por el extremo derecho
del diodo. Se desplaza a través de la zona n como electrón libre. En la unión se recombina
con un hueco y se convierte en electrón de valencia. Se desplaza a través de la zona p como
electrón de valencia. Tras abandonar el extremo izquierdo del diodo fluye al terminal
positivo de la fuente y podemos ver que completa (cierra) el ciclo.

Después se realizó el mismo arreglo circuital en el cual el diodo se colocó de manera inversa
representando los datos de la Tabla 2 podemos decir que la polarización es inversa ya que
por los datos obtenidos se puede ver que no hay circulación de corriente y esto es debido a
que es más difícil la conducción, porque el electrón libre tiene que subir una barrera de
potencial muy grande de n a p. Entonces ni los electrones libres, ni los huecos no pueden
desplazarse por lo cual no se genera una corriente.
A través del programa Isis Proteus se realizó la simulación del circuito montado
experimentalmente del cual rectificamos los datos y obtuvimos la siguiente tabla:

Tabla 3. Voltaje y corriente de un diodo a partir de la simulación en Isis Proteus

Voltaje fuente [V] Vol. diodo [V] Corriente diodo[mA]

0.0 0 0
0.2 0.2 0.0
0.4 0.4 0.0
0.6 0.57 0.13
0.8 0.64 0.68
1.0 0.67 1.38
1.2 0.69 2.14
1.4 0.7 2.92
1.6 0.71 3.71
1.8 0.72 4.51
2.0 0.73 5.31

A continuación se muestran los diagramas de las simulaciones realizadas:

Figura 9. Simulación en proteus circuito diodo en serie para voltaje 0.2 V

Figura 10. Simulación en proteus circuito diodo en serie para voltaje 0.4 V
Figura 11. Simulación en proteus circuito diodo en serie para voltaje 0.6 V

Figura 12. Simulación en proteus circuito diodo en serie para voltaje 0.8 V

Figura 13. Simulación en proteus circuito diodo en serie para voltaje 1 V

Figura 14. Simulación en proteus circuito diodo en serie para voltaje 1.2 V

Figura 15. Simulación en proteus circuito diodo en serie para voltaje 1.4 V

Figura 16. Simulación en proteus circuito diodo en serie para voltaje 1.6 V
 Figura 17. Simulación en proteus circuito diodo en serie para voltaje 1.8 V

Figura 18. Simulación en proteus circuito diodo en serie para voltaje 2 V

A partir de la tabla podemos obtener las siguientes gráficas:

Gráfica1. Voltaje vs corriente medidas experimentalmente

Voltaje vs Corriente en un diodo (serie)

7
y = 2E-07e26.426x
Corriente del diodo [mA]

6
5
4
3
2
1
0
0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7
Voltaje del diodo [V]
 Gráfica 2. Linealización de la gráfica 1 a partir de los logaritmos base 10.

De la comparación de los valores obtenidos experimentalmente y los simulados en proteus

podemos encontrar el error absoluto y el error relativo a partir de sus respectivas
ecuaciones:
Ea=|Vt-Vx|EC1 Er=(Ea/Vt)*100EC2
Donde: Ea: error absoluto
Vt: valor teórico
Vx: valor experimental
Er: error relativo
En la siguiente tabla consignamos los errores debidos a la diferencia de potencial en el
diodo.
 Tabla 4. Error absoluto y relativo de la diferencia de potencial en el diodo a partir de su
valor experimental y por proteus
Valor Teórico Valor experimental Error Absoluto Error relativo %
0,0 0 0 0
0,2 0,2 0 0
0,4 0,38 0,02 5
0,57 0,5 0,07 12,2807018
0,64 0,55 0,09 14,0625
0,67 0,58 0,09 13,4328358
0,69 0,58 0,11 15,942029
0,7 0,62 0,08 11,4285714
0,71 0,63 0,08 11,2676056
0,72 0,64 0,08 11,1111111
0,73 0,65 0,08 10,9589041

En la tabla de a continuación podemos ver los errores debido a la corriente que circula por
el circuito
Tabla 5. Error absoluto y relativo de la corriente en el diodo a partir de su valor
experimental y por proteus
Valor Teórico Valor experimental Error Absoluto Error relativo
0 0 0 0
0 0,0002 0,0002
0 0,00021 0,00021
0,13 0,15 0,02 15,3846154
0,68 0,74 0,06 8,82352941
1,38 1,23 0,15 10,8695652
2,14 1,97 0,17 7,94392523
2,92 3,06 0,14 4,79452055
3,71 3,83 0,12 3,23450135
4,51 4,53 0,02 0,44345898
5,31 5,29 0,02 0,37664783

En las tablas de los errores para ambos casos se puede apreciar que muchos de estos datos
se encuentran en un alto rango de error debido a los errores de instrumentación ya que el
multímetro no se encontraba en óptimas condiciones, además la fuente DC no arrojaba
exactamente el valor, era muy inestable y aumentaba o disminuía su potencial de manera
que no se podía controla .
De los datos obtenidos de la Tabla 2 como podemos observar no hay circulación alguna de
corriente sobre el circuito y esto es debido a que la barrera de potencial dada por el diodo
es mucho mayor, por lo que lo electrones libres no poseen la fuerza para hacer la
conducción de niveles (p-n), por lo que no se generan ni los electrones libre, ni los huecos
y esto podemos verificarlo a través de la simulación en proteus, que para cualquier valor
de voltaje la corriente marcada por el amperímetro es de cero y se ve ejemplificado en la
siguiente figura:

Figura 19: simulación proteus circuito serie para voltaje 1.2[V]

Procedimiento 2:
Realizamos el montaje circuital con los mismos elementos utilizados anteriormente pero
esta vez el arreglo quedo en forma paralela, es decir, el diodo en paralelo con la resistencia
del cual se comporta de manera similar al anterior circuito dejando solo circular la
corriente a través de diodo que ha sido conectado por su ánodo a la resistencia y el cátodo
mandado a tierra, y cuando el diodo se invierte este impide el paso de corriente por el
circuito.
Los datos que se obtuvieron experimentalmente quedan plasmado en la siguiente tabla:
Tabla 6. Voltaje y corriente experimental del diodo en paralelo positivo.

Voltaje fuente Vol. Diodo [V] Corriente diodo [A]

0 0 0
0,2 0,18 0
0,4 0,43 0,00035
0,6 0,57 0,0035
0,8 0,69 0,027
1 0,82 0,72
1,2 0,85 2,62
1,4 0,86 4,91
1,6 0,87 7,89
1,8 0,89 10,4
2 0,9 12,6
 Tabla 7. Voltaje y corriente experimental del diodo en paralelo negativo.
Voltaje fuente Vol. Diodo[V] Corriente diodo [A]
0 0 0
0,2 0,18 0
0,4 0,4 0
0,6 0,57 0
0,8 0,8 0
1 1 0
1,2 1,19 0
1,4 1,39 0
1,6 1,6 0
1,8 1,8 0
2 2 0

Luego por medio del programa proteus realizamos la representación del circuito en
paralelo positivo para obtener una aproximación más exacta de los resultados que
realmente se debían esperar. De esta simulación obtuvimos la siguiente tabla:
Tabla 8. Voltaje y corriente del circuito en paralelo a partir de la simulación en proteus
Voltaje fuente [V] Vol. diodo [V] Corriente diodo[A]
0 0 0
0,2 0,2 0
0,4 0,4 0
0,6 0,6 0
0,8 0,8 0,02
1 1 0,85
1,2 1,2 2,98
1,4 1,4 5,52
1,6 1,6 8,19
1,8 1,8 10,9
2 2 13,7

A continuación se muestran los diagramas de las simulaciones realizadas:

Figura 20. Simulación en proteus circuito diodo en paralelo para voltaje 0.2 V
Figura 21. Simulación en proteus circuito diodo en paralelo para voltaje 0.4 V

Figura 22. Simulación en proteus circuito diodo en paralelo para voltaje 0.8 V

Figura 23. Simulación en proteus circuito diodo en paralelo para voltaje 1 V

Figura 24. Simulación en proteus circuito diodo en paralelo para voltaje 1.2 V

Figura 25. Simulación en proteus circuito diodo en paralelo para voltaje 1.6 V

Figura 26. Simulación en proteus circuito diodo en paralelo para voltaje 2 V

Ahora se procedió a graficar los datos de la tabla :
Gráfica3. Voltaje vs corriente medidas experimentalmente circuito en paralelo

Voltaje vs Corriente en un diodo (paralelo)

14
y = 9E-09e23.08x
12
Corriente en el diodo [A]

10

0
0 0.2 0.4 0.6 0.8 1
Voltaje en el diodo [V]

Con esto se pudo realizar la comparación de los datos y de esta manera examinar los errores
obtenidos, tanto del voltaje como de la corriente. Donde utilizamos EC1 y EC2 la cuales
fueron expuestas anteriormente para calcular nuevamente el error en esta ocasión del
circuito dispuesto de manera paralela.
Tabla 9. Error absoluto y relativo del voltaje en el diodo en paralelo a partir de su valor
experimental y por proteus
Valor Teórico Valor experimental Error Absoluto Error relativo
0 0 0 0
0,2 0,18 0,02 10
0,4 0,43 0,03 7,5
0,6 0,57 0,03 5
0,8 0,69 0,11 13,75
1 0,82 0,18 18
1,2 0,85 0,35 29,1666667
1,4 0,86 0,54 38,5714286
1,6 0,87 0,73 45,625
1,8 0,89 0,91 50,5555556
2 0,9 1,1 55
 Tabla10. Error absoluto y relativo de la corriente en el diodo en paralelo a partir de su
valor experimental y por Proteus

Valor Teórico Valor experimental Error Absoluto Error relativo

0 0 0 0
0 0 0 0
0 0,00035
0 0,0035
0,02 0,027 0,007 35
0,85 0,72 0,13 15,2941176
2,98 2,62 0,36 12,0805369
5,52 4,91 0,61 11,0507246
8,19 7,89 0,3 3,66300366
10,9 10,4 0,5 4,58715596
13,7 12,6 1,1 8,02919708

De la Tabla 7 podemos decir lo mismo que de la Tabla 2 ya que el diodo al encontrarse en

diferente polarización, es decir, el cátodo con la resistencia y el ánodo a tierra no permitía
el flujo de corriente y lo podemos demostrar a través de la simulación hecha en Proteus.

Figura 27: Simulación proteus circuito paralelo para voltaje 1.2 V

En este procedimiento también se obtuvieron errores significativos debido a la gran

fluctuación que poseía la fuente ya que no nos dejaba apreciar un valor exacto de la
medición, sino una estimación de lo que podía ser el valor real.

5. CONCLUSIONES

 Los errores obtenidos se debieron en gran parte a que la fuente que se tenía
inicialmente no era para nada estable, por la misma razón no se logró tomar todas
las medidas propuestas en clase.
  Las diferencias obtenidas entre los valores simulados y los experimentales se
debieron en gran medida a que en ISIS Proteus no estaba la referencia exacta del
diodo usado en clase.

 Una de las diferencias vitales entre el diodo de Germanio y el de Silicio es que sus
tensiones de polarización directas son de 0,3 V y 0,7 V respectivamente a
temperatura ambiente (300 K)

 Los diodos de germanio son más eficientes en circuitos eléctricos de baja potencia,
ya que a bajas tensiones no se produce tanta corriente inversa. Mientras que para
circuitos eléctricos de alta potencia son mucho más recomendables los de Silicio

 Se comprueba experimentalmente que el diodo empieza a dejar circular corriente

después de 0,7 V, dicho valor corresponde a la barrea de potencial integrada de un
diodo de Silicio a temperatura de 300 K aproximadamente.

6. BIBLIOGRAFIA

 http://www.dte.uvigo.es/recursos/potencia/ac-dc/archivos/diodo.htm.
Consultado 04/09/2016
 http://www.ehowenespanol.com/caracteristicas-del-diodo-germanio-del-diodo-
silicio-lista_153695/. Consultado 04/09/2016