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Transistor Bipolar

É um componente semicondutor de três terminais (coletor, base,


emissor) onde uma pequena corrente em um terminal (base)
controla uma corrente bem maior que atravessa os outros dois
terminais.

É construído sobrepondo camadas de material N e P.

Transistor NPN: Símbolo:

Emissor Coletor
N P N
Emissor Coletor
Base
Base

Transistor PNP: Símbolo:


Emissor Coletor
P N P
Emissor Coletor
Base

Base
Polarização do transistor bipolar
Junção diretamente polarizada:
Fluxo de
elétrons

N P N

Emissor
Ie
Coletor

Base

Ib

A junção base-emissor é polarizada diretamente fazendo com que os


portadores majoritários (elétrons) da camada N de emissor vão para a
camada da base, tornando-se portadores minoritários. Como a base é
delgada e fracamente dopada, apenas alguns elétrons conseguem
alcançar o terminal da base, formando uma corrente de base (Ib). Uma
nuvem de elétrons livres se concentra na região da base.
Junção inversamente polarizada:

N P N

Emissor Coletor

Ic ≈ 0A

Base

A junção base-coletor é polarizada inversamente, portanto


praticamente não há corrente de coletor (Ic). Apenas uma
pequena corrente devido aos portadores minoritários da camada
N (coletor) consegue alcançar o terminal de coletor.
Duas junções polarizadas (diretamente e inversamente):

Fluxo de
elétrons

N P N

Emissor Coletor
Ie Ic

Ib Base

A junção base-emissor é polarizada diretamente enquanto a junção base-


coletor é polarizada inversamente.
A camada N de emissor (fortemente dopada) injeta uma grande
quantidade de elétrons na base devido a polarização direta. Estes tornam-
se portadores minoritários na região da base e podem atravessar a junção
base-coletor inversamente polarizada, sendo atraídos pelo potencial
positivo de coletor.
Relação das correntes no transistor:

Ic
Ie = Ic + Ib β=
Ib
β = ganho de corrente Ie = (β+1).Ib

Diagrama esquemático:
Emissor Coletor

Ie
Ic

Ib Base
Configurações
Configuração BC

Configuração CC

5.3 Configuração EC
Ganho de tensão elevado
Ganho de corrente elevado
Ganho de potência elevado
Impedância de entrada baixa
Impedância de saída alta
Configuração emissor comum (transistor de silício)

Vbc = -11,3V C

Vce = 12V
N
12V
B

P
0,7V
N

E
Vbe = 0,7V

Diagrama esquemático:
Vbc

Vce
Vbe
Curvas características do transistor para
configuração emissor comum

Ic
Rc

Ib

Rb
Vce
Vbe

Circuito de entrada Circuito de saída


Entrada:

Ib
[µA]

0,7V
Vbe
[V]
Saída:
Ic Região Linear (ativa)

[mA] Ib4 > Ib3 > Ib2 > Ib1


Ib4
Região de
saturação
Ib3

Ib2

Região de
corte Ib1
Vce [V]

• Circuitos digitais: Região de corte (chave aberta) e saturação


(chave fechada)
• Circuitos lineares: Região linear ou ativa
Polarização do Transistor
Limites de operação do transistor
• Icmáx: máxima corrente de coletor permitida
• Vcemáx: máxima tensão de coletor-emissor permitida
• Vcesat: mínima tensão coletor-emissor que garante que o transistor
está operando na região linear (ou saturação)
• Pcmáx: potência máxima permitida dissipada no coletor do
transistor
• Pc = Vce . Ic [W]
Ic[mA]
Região
proibida
Icmáx
Curva
Pcmáx

Vcesat Vcemáx Vce [V]


0,3V
Especificações técnicas
Especificações técnicas
CI - Transistor