Anda di halaman 1dari 10

PRAKTEK KOMUNIKASI DIGITAL

LTE UPLINK EVM DAN PENGUKURAN EMISI IN-


BAND

Laporan Ini Disusun Untuk Memenuhi Tugas Besar Mata Kuliah Praktek Komunikasi
Digital Pada Jurusan Teknik Elektro
Program Studi Sarjana Terapan Teknik Telekomunikasi

Oleh:
Andry Meylani (061440351673)
Horissa Sativa (061440351680)

POLITEKNIK NEGERI SRWIJAYA


2017
LTE Uplink EVM dan pengukuran emisi In-Band
Contoh ini menunjukkan bagaimana LTE System Toolbox™ dapat digunakan untuk
melakukan kesalahan vektor besarnya (EVM) dan pengukuran emisi pada uplink sinyal
sesuai TS 36.101 Annex F [ 1 band ].

Pengenalan

TS 36.101 Annex F [ 1 ] mendefinisikan kedua pengukuran untuk uplink transmisi, EVM dan
di band emisi:

 EVM digunakan sebagai ukuran rasi menerima sinyal kesalahan. EVM didefinisikan
sebagai perbedaan antara gelombang menerima ideal dan gelombang diukur untuk
sumber daya yang dialokasikan blok. EVM rata-rata diukur di dua lokasi dalam waktu
(rendah dan tinggi), dimana lokasi yang rendah dan tinggi sesuai dengan jajaran dari
jendela FFT dalam awal dan akhir awalan siklik. LTE Sistem Toolbox memerlukan
lokasi yang rendah dan tinggi untuk ditetapkan sebagai sebagian kecil dari siklik
awalan panjang.

Transmisi pengguna peralatan (UE) dibuat menggunakan referensi pengukuran Channel


(RMC) dan data acak Channel bersama Uplink fisik (PUSCH) dan gangguan dengan
memperkenalkan aditif kebisingan model pemancar EVM, frekuensi dan offset IQ.
Gelombang ditransmisikan disinkronisasi sebelum fungsi komputasi EVM dan emisi di-band.

Pemancar

Untuk menghasilkan RMC fungsi lteRMCUL menciptakan struktur konfigurasi untuk


diberikan UE pengaturan khusus untuk diberikan tetap referensi Channel (FRC). Struktur ini
digunakan oleh lteRMCULTool untuk menghasilkan UE transmisi dengan data acak PUSCH.

% Set the seeds of random number generators used to 0


rng(0);

% UE Configuration, TS36.101 FRC


frc = lteRMCUL('A3-1');
frc.PUSCH.RVSeq = 0; % Redundancy version
frc.TotSubframes = 15; % Total number of subframes to generate

% Create UE transmission with random PUSCH data


txWaveform = lteRMCULTool(frc,randi([0 1], frc.PUSCH.TrBlkSizes(1), 1));

Gangguan pemodelan

Gangguan ditambahkan ke transmisi untuk mensimulasikan perangkat diuji:

 1.2% mengirimkan EVM dimodelkan dengan aditif kebisingan.


 33 Hz frekuensi offset.
 0,01 - 0.005j IQ offset

% Model EVM with additive noise


scfdmaInfo = lteSCFDMAInfo(frc);
txEVMpc = 1.2; % Desired transmit EVM in percent
evmModel = txEVMpc/(100*sqrt(double(scfdmaInfo.Nfft)))* ...
complex(randn(size(txWaveform)),randn(size(txWaveform)))/sqrt(2);
rxWaveform = txWaveform+evmModel;

% Add frequency offset impairment to received waveform


foffset = 33.0; % Frequency offset in Hertz
t = (0:length(rxWaveform)-1).'/scfdmaInfo.SamplingRate;
rxWaveform = rxWaveform.* exp(1i*2*pi*foffset*t);

% Add IQ offset
iqoffset = complex(0.01, -0.005);
rxWaveform = rxWaveform+iqoffset;

Penerima

Menerima gelombang disinkronisasi dengan memungkinkan untuk pengukuran harus


dilakukan

% Apply frequency estimation and correction for the purposes of performing


% timing synchronization
foffset_est = lteFrequencyOffset(frc, rxWaveform);
rxWaveformFreqCorrected = ...
lteFrequencyCorrect(frc, rxWaveform, foffset_est);

% Synchronize to received waveform


offset = lteULFrameOffset(frc, frc.PUSCH, rxWaveformFreqCorrected);
rxWaveform = rxWaveform(1+offset:end,:);

Melakukan pengukuran

PUSCH EVM, PUSCH DRS EVM dan di-band emisi dihitung dengan menelepon
hPUSCHEVM.

Hasil EVM dan emisi di band mutlak untuk masing-masing dan slot nomor ditampilkan.
offset frekuensi awal antara sumber daya yang dialokasikan blok (RB) dan diukur bebas-
dialokasikan RB, yaitu untuk berdekatan RB pertama di luar bandwidth yang
dialokasikan. Beberapa plot juga diproduksi:

 EVM versus OFDM simbol


 EVM versus sub-operator
 EVM versus sumber daya blok
 EVM versus simbol OFDM dan sub-operator (yaitu EVM sumber daya grid)

Perhatikan bahwa pengukuran EVM ditampilkan di jendela perintah hanya dihitung di


dialokasikan blok sumber daya PUSCH, sesuai dengan standar LTE . Plot EVM ditampilkan
di seluruh semua sumber daya blok (dialokasikan atau yang tidak terisi), memungkinkan
emisi di band untuk dilihat. Dalam blok sumber daya tidak terisi, EVM dihitung dengan
asumsi bahwa unsur-unsur diterima sumber memiliki nilai yang diharapkan dari nol.

EVM masing-masing pembawa E-UTRA untuk modulasi QPSK BPSK dan 16QAM tidak
boleh melebihi tingkat EVM 17,5% dan 12.5% masing-masing sesuai tabel TS36.101
6.5.2.1.1-1 [ 1 ].

% Compute EVM and in-band emissions


[evmpusch, evmdrs, emissions, plots] = hPUSCHEVM(frc, rxWaveform);

% Plot the absolute in-band emissions


if (~isempty(emissions.DeltaRB))
hPUSCHEVMEmissionsPlot(emissions);
end
Low edge PUSCH EVM, slot 0: 1.231%
Low edge PUSCH EVM, slot 1: 1.231%
Low edge DRS EVM, slot 0: 1.298%
Low edge DRS EVM, slot 1: 1.266%
High edge PUSCH EVM, slot 0: 1.189%
High edge PUSCH EVM, slot 1: 1.221%
High edge DRS EVM, slot 0: 1.262%
High edge DRS EVM, slot 1: 1.297%
Low edge PUSCH EVM, slot 2: 1.156%
Low edge PUSCH EVM, slot 3: 1.260%
Low edge DRS EVM, slot 2: 1.309%
Low edge DRS EVM, slot 3: 1.089%
High edge PUSCH EVM, slot 2: 1.137%
High edge PUSCH EVM, slot 3: 1.249%
High edge DRS EVM, slot 2: 1.321%
High edge DRS EVM, slot 3: 1.022%
Low edge PUSCH EVM, slot 4: 1.240%
Low edge PUSCH EVM, slot 5: 1.223%
Low edge DRS EVM, slot 4: 1.516%
Low edge DRS EVM, slot 5: 1.035%
High edge PUSCH EVM, slot 4: 1.232%
High edge PUSCH EVM, slot 5: 1.234%
High edge DRS EVM, slot 4: 1.442%
High edge DRS EVM, slot 5: 1.114%
Low edge PUSCH EVM, slot 6: 1.308%
Low edge PUSCH EVM, slot 7: 1.284%
Low edge DRS EVM, slot 6: 1.335%
Low edge DRS EVM, slot 7: 1.233%
High edge PUSCH EVM, slot 6: 1.358%
High edge PUSCH EVM, slot 7: 1.284%
High edge DRS EVM, slot 6: 1.445%
High edge DRS EVM, slot 7: 1.185%
Low edge PUSCH EVM, slot 8: 1.336%
Low edge PUSCH EVM, slot 9: 1.289%
Low edge DRS EVM, slot 8: 0.943%
Low edge DRS EVM, slot 9: 1.303%
High edge PUSCH EVM, slot 8: 1.368%
High edge PUSCH EVM, slot 9: 1.282%
High edge DRS EVM, slot 8: 0.985%
High edge DRS EVM, slot 9: 1.255%
Low edge PUSCH EVM, slot 10: 1.211%
Low edge PUSCH EVM, slot 11: 1.199%
Low edge DRS EVM, slot 10: 1.244%
Low edge DRS EVM, slot 11: 1.126%
High edge PUSCH EVM, slot 10: 1.211%
High edge PUSCH EVM, slot 11: 1.203%
High edge DRS EVM, slot 10: 1.257%
High edge DRS EVM, slot 11: 1.068%
Low edge PUSCH EVM, slot 12: 1.275%
Low edge PUSCH EVM, slot 13: 1.079%
Low edge DRS EVM, slot 12: 1.275%
Low edge DRS EVM, slot 13: 1.197%
High edge PUSCH EVM, slot 12: 1.298%
High edge PUSCH EVM, slot 13: 1.070%
High edge DRS EVM, slot 12: 1.187%
High edge DRS EVM, slot 13: 1.139%
Low edge PUSCH EVM, slot 14: 1.133%
Low edge PUSCH EVM, slot 15: 1.253%
Low edge DRS EVM, slot 14: 1.287%
Low edge DRS EVM, slot 15: 1.014%
High edge PUSCH EVM, slot 14: 1.117%
High edge PUSCH EVM, slot 15: 1.262%
High edge DRS EVM, slot 14: 1.345%
High edge DRS EVM, slot 15: 0.980%
Low edge PUSCH EVM, slot 16: 1.327%
Low edge PUSCH EVM, slot 17: 1.244%
Low edge DRS EVM, slot 16: 1.351%
Low edge DRS EVM, slot 17: 1.268%
High edge PUSCH EVM, slot 16: 1.362%
High edge PUSCH EVM, slot 17: 1.193%
High edge DRS EVM, slot 16: 1.406%
High edge DRS EVM, slot 17: 1.322%
Low edge PUSCH EVM, slot 18: 1.370%
Low edge PUSCH EVM, slot 19: 1.328%
Low edge DRS EVM, slot 18: 1.229%
Low edge DRS EVM, slot 19: 1.354%
High edge PUSCH EVM, slot 18: 1.359%
High edge PUSCH EVM, slot 19: 1.341%
High edge DRS EVM, slot 18: 1.132%
High edge DRS EVM, slot 19: 1.430%
Averaged low edge PUSCH EVM, frame 0: 1.251%
Averaged high edge PUSCH EVM, frame 0: 1.251%
Averaged PUSCH EVM frame 0: 1.251%
Averaged DRS EVM frame 0: 1.238%
Low edge PUSCH EVM, slot 0: 1.402%
Low edge PUSCH EVM, slot 1: 1.343%
Low edge DRS EVM, slot 0: 1.272%
Low edge DRS EVM, slot 1: 1.157%
High edge PUSCH EVM, slot 0: 1.372%
High edge PUSCH EVM, slot 1: 1.358%
High edge DRS EVM, slot 0: 1.310%
High edge DRS EVM, slot 1: 1.122%
Low edge PUSCH EVM, slot 2: 1.292%
Low edge PUSCH EVM, slot 3: 1.235%
Low edge DRS EVM, slot 2: 1.273%
Low edge DRS EVM, slot 3: 1.502%
High edge PUSCH EVM, slot 2: 1.245%
High edge PUSCH EVM, slot 3: 1.198%
High edge DRS EVM, slot 2: 1.280%
High edge DRS EVM, slot 3: 1.527%
Low edge PUSCH EVM, slot 4: 1.410%
Low edge PUSCH EVM, slot 5: 1.114%
Low edge DRS EVM, slot 4: 1.464%
Low edge DRS EVM, slot 5: 1.195%
High edge PUSCH EVM, slot 4: 1.426%
High edge PUSCH EVM, slot 5: 1.141%
High edge DRS EVM, slot 4: 1.513%
High edge DRS EVM, slot 5: 1.159%
Low edge PUSCH EVM, slot 6: 1.262%
Low edge PUSCH EVM, slot 7: 1.288%
Low edge DRS EVM, slot 6: 1.376%
Low edge DRS EVM, slot 7: 0.913%
High edge PUSCH EVM, slot 6: 1.288%
High edge PUSCH EVM, slot 7: 1.305%
High edge DRS EVM, slot 6: 1.361%
High edge DRS EVM, slot 7: 0.900%
Low edge PUSCH EVM, slot 8: 1.445%
Low edge PUSCH EVM, slot 9: 1.256%
Low edge DRS EVM, slot 8: 1.360%
Low edge DRS EVM, slot 9: 1.308%
High edge PUSCH EVM, slot 8: 1.452%
High edge PUSCH EVM, slot 9: 1.298%
High edge DRS EVM, slot 8: 1.397%
High edge DRS EVM, slot 9: 1.296%
Averaged overall PUSCH EVM: 1.251%
Averaged overall DRS EVM: 1.238%

Anda mungkin juga menyukai