Universidad Técnica Estatal de Quevedo.

Abad Carlos, Baren Rosa, Calle Leonel, Salinas Lin, Taquez Aura.

Optoelectrónica operacional
Abad C.; Baren R.; Calle L.
Salina L.; Taquez A.
Universidad Técnica Estatal De Quevedo
Ingeniería en sistemas
{martin.abad2016, rosa.baren2016, Leonel.calle2016, lin.salinas2015,
aura.taquez2016}@uteq.edu.ec

Universidad Técnica Estatal de Quevedo

Resumen – En este trabajo se pretende Conocer Dispositivos optoelectrónicos son aquellos

varios procesos físicos de transición
optoelectrónica. Definir los principios de
funcionamiento de los dispositivos
optoelectrónicos más importantes. Explicar e
implementar las ecuaciones, que determinan
las principales características de entrada /
salida de los dispositivos optoelectrónicos y las
fibras ópticas.
Los contenidos del presente trabajo incluyen
los conocimientos teóricos sobre algunos
dispositivos optoelectrónicos, para poder
comprender las tecnologías presentes y futuras
para aplicaciones en comunicaciones ópticas,
detectores / sensores / técnicas de imágenes. Y
tienen un gran impacto en la sociedad y la vida
humana. Por último se muestran unas
conclusiones basadas en los resultados
experimentales obtenidos.
Abstract— in this work we try to know several
physical processes of optoelectronic transition.
Define the operating principles of the most
important optoelectronic devices. Explain and
implement the equations, which determine the
main input / output characteristics of
optoelectronic devices and optical fibers.
The contents of the present include the
technical knowledge on some optoelectronic
devices, to be able to understand the present
and future technologies for applications in
optical communications, detectors / sensors /
imaging techniques, they have a great impact
on society and human life. Finally, the
experimental results obtained were not
concluded
Índice de términos – Optoelectrónica
operacional
I. INTRODUCCIÓN
que trabajan conjuntamente con señales
electrónicas y ópticas. Más concretamente
son capaces de transformar señales
electrónicas en ópticas o viceversa. Como
ejemplo tenemos la lámpara incandescente,
más comúnmente conocida como bombillo
o también un fluorescente, ambos
transforman una señal eléctrica o electrónica
en luz, es decir, transforman electrones en
fotones.
En el otro lado tenemos, por ejemplo, una
célula solar que hace la función contraria
transforma fotones en electrones. Durante la
el tiempo hemos tenido mucha interacción
con señales electrónicas aunque siempre
hemos obviado el carácter de partículas
elementales de los electrones y hemos
trabajado con tensiones y corrientes aunque
no sería complicado hacer la conversión. Nos
falta profundizar un poco en la otra parte, es
decir, en los fotones o, pasando de las
partículas elementales a las señales, las
señales ópticas.
Hasta principios de este siglo hubo una gran
controversia entre quienes afirmaban que la
luz estaba compuesta por corpúsculos, y
quienes decían que la luz estaba compuesta
por ondas. Había experimentos que
permitían afirmar ambas cosas. Sólo en este
siglo quedó definitivamente claro que había
una dualidad onda-corpúsculo, es decir, la
luz está compuesta por paquetes de ondas
individuales, cada uno de los cuales tiene una
energía determinada
II. METODOLOGÍA
La Optoelectrónica es una parte de la
fotónica relacionada con el estudio y
aplicación de dispositivos electrónicos que
interactúan con la luz, sistemas en los que

Optoelectrónica operacional
 Universidad Técnica Estatal de Quevedo.
Abad Carlos, Baren Rosa, Calle Leonel, Salinas Lin, Taquez Aura.
los electrones y los fotones coexisten. Los
dispositivos optoelectrónicos operan como
transductores eléctrico- ópticos o ópticos-
eléctricos. [1]
COMPONENTES
OPTOELECTRONICOS BASICOS
Los principales tipos de dispositivos
optoelectrónicos son:
Emisores: Son componentes que emiten luz
cuando reciben energía eléctrica. [2]
Receptores: Son componentes que emiten una
pequeña señal eléctrica cuando son
iluminados. [2]
Fotoconductores: Se encargan de conducir la
radiación luminosa desde el emisor al receptor.
[2]
Los componentes optoelectrónicos más
importantes son:
Fotoresistencias. Una fotorresistencia o es
unos componentes electrónicos cuya
resistencia disminuye con el aumento de
intensidad de luz que incide sobre la misma.
Están formadas por una célula y dos patillas
para su montaje en un circuito. [3]
Figura 2: Fotoresistencias [3]
El valor de resistencia eléctrica de un LDR es
bajo cuando hay luz incidiendo en él (puede
descender hasta 50 o 100 Ohms) y muy alto
cuando está a oscuras (varios megaohmios). [3]
Su funcionamiento se basa en el efecto
fotoeléctrico. Una fotoresistencia está hecha
de un semiconductor de alta resistencia.
Cuando la luz incide en el dispositivo, los
fotones son absorbidos por las elasticidades
del semiconductor dando a los electrones la
suficiente energía para saltar la banda de
conducción. El electrón libre que resulta, y su
Optoelectrónica operacional
Hueco asociado, conducen la electricidad, de
tal modo que disminuye la resistencia. Los
valores típicos varían entre 1M Ohm, en la
oscuridad y 100 Ohm con luz brillante. [3]
En estos dispositivos la variación del valor de
la resistencia tiene cierto retardo como
consecuencia de cambios en el nivel
lumínico. Esto limita el uso de las LDR en
aplicaciones en las que la señal luminosa
varía con rapidez. [3]
Fotodiodos. Es un semiconductor que
conduce una cantidad de corriente eléctrica
proporcional a la luz visible o infrarroja que
le incide. Debido a su construcción funcionan
como células fotovgoltaicas, en ausencia de
luz generan una pequeña tensión, con
el positivo en el ánodo y el negativo en el
cátodo. [4]
La mayor parte de los fotodiodos vienen
provistos de una lente encargada de
concentrar la luz que reciben, de esta forma
se consigue que su reacción a los cambios de
los niveles lumínicos sean más evidentes. [5]
Figura 1: Fotodiodos [5]
Fototransistores. Los fototransistores
combinan en un mismo dispositivo la
detección de luz y la ganancia. Su
construcción es similar a la de los transistores
convencionales, excepto que la superficie
superior se expone a la luz a través de un lente
como se muestra en la Figura. [6]
Figura 3: Fototransistor [6]
Un fototransistor es como un transistor
normal pero con una importante diferencia,
 Universidad Técnica Estatal de Quevedo.
Abad Carlos, Baren Rosa, Calle Leonel, Salinas Lin, Taquez Aura.
que puede trabajar de dos formas: Como
transistor normal con la corriente de base Ib
(modo común). Como fototransistor, cuando la
luz que incide en este elemento hace las veces de
corriente de base. Ip (modo de iluminación). [6]
Optoacoplador. Combina un dispositivo
semiconductor formado por un fotoemisor, un
fotoreceptor y entre ambos hay un camino por
donde se transmite la luz. Todos estos
elementos se encuentran dentro de un
encapsulado que por lo general es del tipo DIP.
[7]
Figura 4: Optoacoplador [7]
La señal de entrada es aplicada al fotoemisor y
la salida es tomada del fotoreceptor. Los
optoacopladores son capaces de convertir una
señal eléctrica en una señal luminosa modulada
y volver a convertirla en una señal eléctrica. [7]
Fototransistor. Se compone de un
optoacoplador con una etapa de salida formada
por un transistor BJT.
Figura 7: Fototransistor [8]
Al exponer el fototransistor a la luz, los fotones
entran en contacto con la base del mismo,
generando huecos y con ello una corriente de
base que hace que el transistor entre en la
región activa, y se presente una corriente de
colector a emisor. Es por este motivo que a
menudo el terminal correspondiente a la base
está ausente del transistor. La característica
más sobresaliente de un fototransistor es que
permite detectar luz y amplificar mediante el
uso de un sólo dispositivo. [8]
Optoelectrónica operacional
Construcción de los fototransistores. Los
fototransistores se construyen con silicio o
germanio, similarmente a cualquier tipo de
transistor bipolar.
Existen fototransistores NPN como PNP.
Debido a que la radiación es la que dispara la
base del transistor, y no una corriente
aplicada eléctricamente, usualmente el
terminal correspondiente a la base no se
incluye en el transistor.
El método de construcción es el de difusión.
Este consiste en que se utiliza silicio o
germanio, así como gases como impurezas o
dopantes. Por medio de la difusión, los gases
Figura 5: Construcción de los
fototransistores [8]
dopantes penetran la superficie sólida del
silicio. Sobre una superficie sobre la cual ya
ha ocurrido la difusión, se pueden realizar
difusiones posteriores, creando capas de
Figura 6: Construcción de los
fototransistores [8]
dopantes en el material. La parte exterior del
fototransistor está hecha de un material
llamado epoxy, que es una resina que permite
el ingreso de radiación hacia la base del
transistor. [8]
Funcionamiento. Este circuito muestra el
principio de un seguidor, o control de
posición en el cual se utilizan dos
fototransistores. Cuando exista una misma
cantidad de radiación de luz incidiendo sobre
los dos transistores, el capacitor C se carga
Durante ambas medias ondas senoidales a
través de los transistores, con la misma
 Universidad Técnica Estatal de Quevedo.
Abad Carlos, Baren Rosa, Calle Leonel, Salinas Lin, Taquez Aura.
carga pero polaridad opuesta. El voltaje
resultante por lo tanto es aproximadamente
cero.
Cuando existe una radiación desigual en los
fototransistores, la señal diferencial es
amplificada con el op amp, con el fin de
energizar un motor, por ejemplo. En el
semiciclo positivo de la onda de entrada, la
corriente viaja por el diodo D1, por el
fototransistor derecho, y por lo tanto aparece
una carga neta positiva en el capacitor. Por el
contrario, cuando viene el semiciclo negativo
de la onda, el diodo D2 conduce, y aparece un
voltaje negativo en el capacitor. Este cambio de
polaridad se puede utilizar para controlar la
dirección de giro de un motor, controlando la
radiación incidente sobre los fototransistores.
Figura 8: Amplificador fototransistor DC con
compensación de temperatura [8]
[8]
CONDUCTIVIDAD ELÉCTRICA
La conductividad nos informa acerca de la
capacidad de un material para conducir
corriente eléctrica, cuanto mayor sea este
parámetro mayor será el flujo de corriente para
la misma diferencia de potencial. [9]
Figura 9: conductividad eléctrica [9]
La corriente la podemos definir como:
Optoelectrónica operacional
Ya que es el producto entre la
conductividad y Ø el valor del campo
eléctrico £, la conductividad. Para seguir
acercándonos a la expresión que define la
conductividad expresemos la velocidad de
las partículas en función de £. [10]
III.CONCLUSIONES
 La optoelectrónica es una rama de la
física y sus avances y contribuciones ya
son imprescindibles para nuestra vida
cotidiana.
 Actualmente, existe una enorme
necesidad de una tecnología de acceso
de banda ancha inalámbrica que pueda
soportar los requisitos de ancho de
banda de una red inalámbrica.
 El sistema de comunicación óptica en el
espacio libre es una alternativa para el
acceso de banda ancha.
IV. BIBLIOGRAFÍA
[1] L. A. D. L. C. Reyes, «Ingenierìa
Electrònica,» 26 de septiembre 2017.
[En línea]. Available:
https://ingenieriaelectronica.org/optoel
ectronica/. [Último acceso: 26 de
septiembre 2017].
[2] Cetronic, «Blogger,» [En línea].
Available:
https://cetroniconline.blogspot.com/20
12/11/optoelectronica.html. [Último
acceso: 6 de Noviembre 2012].
[3] F. Mecafenix, «Ingeniería Mecafenix,»
[En línea]. Available:
http://www.ingmecafenix.com/electron
ica/fotoresistencia/. [Último acceso: 1
de Mayo 2007].
[4] Electrónica Unicrom, Amplificador
de base común, 2016.
Universidad Técnica Estatal de Quevedo.
Abad Carlos, Baren Rosa, Calle Leonel, Salinas Lin, Taquez Aura.

[5] «Electrónica Unicrom,» 9 de Abril

2004. [En línea]. Available:
https://unicrom.com/fotodiodo/.

[6] A. Sotomator, «Fototransitores,»

2006.

[7] E. Espinoza, «Educachip,» [En línea].

Available:
http://www.educachip.com/optoacop
lador-que-es-y-como-utilizarlo/.
[Último acceso: 14 de Octubre 2014].

[8] A. Ganchozo, «Electronica,» 29 01

2015. [En línea]. Available:
http://www.profesormolina.com.ar/el
ectronica/componentes/optoelect/opt
ot.htm.

[9] J. R. S. Sendra, «Dispositivos

Optoelectrónicos,» 2001.

Optoelectrónica operacional