1a LISTA DE PROBLEMAS DE ELETROMAGNETISMO

Lista referente ao livro-texto: “Fundamentos da Teoria Eletromagnética” de J. R.Reitz,

F. J. Milford & R. W. Christy, 1a ed. editora Campus

ELETROSTÁTICA

1. Resolva os seguintes problemas do Capı́tulo 2 - Eletrostática (pgs. 57-59) do livro-

texto: 2.1, 2.2, 2.3, 2.4, 2.5, 2.6, 2.7, 2.9, 2.12, 2.16, 2.17, 2.19, 2.21.
2. Na Fig. 1, duas varetas muito compridas, paralelas, separadas por uma distância 2b,
se unem em uma semi-circunferência de raio b. É depositada uma carga de densidade linear
uniforme λ ao longo de todo o fio. Demonstre que o campo elétrico devido à esta distribuição
se anula no ponto C.

FIG. 1. Veja problema 2

3. Um fio quadrado de lado 2l está uniformemente carregado com densidade linear de

carga λ. Calcule o campo elétrico num ponto P situado sobre a perpendicular ao centro do
quadrado, à distância D do seu plano.

1
 EQUAÇÕES DE POISSON E LAPLACE

1. Resolver os seguintes problemas do livro Reitz, Milford & Christy, pgs. 79-81:
3.1, 3.2, 3.3, 3.5, 3.7, 3.9, 3.10, 3.11.

2. O potencial na superfı́cie de uma esfera de raio R é dado por:

φ0 = k cos(3θ), (1)

onde k é uma constante. Encontre o potencial φ dentro e fora da esfera. (Assuma que
não há densidade de carga dentro ou fora da esfera). Para resolver esse problema, você
pode seguir os passos listados abaixo:

(a) expresse o potencial dado pela Eq. (1), em termos de polinômios de Legendre;

(b) compare a solução geral com a expressão obtida no item (a);

(c) a solução geral será dada por uma série em polinômios de Legendre. Os coeficientes
Cl e Dl podem ser obtidos assumindo que o potencial deve ser contı́nuo para todos
os valores de r. Assim, as soluções para pontos internos e externos à esfera devem
ser as mesmas para r = R.

(d) A condição dada no item (c) permite estabelecer uma relação entre Cl e Dl . Para
determinar completamente os coeficientes, notamos que uma função f (θ) pode ser
∑
expressa na forma de série em polinômios de Legendre, f (θ) = Al Pl (cos θ). Os
l
coeficientes Al podem ser obtidos explorando a ortogonalidade dos polinômios de
Legendre:
∫ π
2
Pl (cos θ)Pm (cos θ) sin θ dθ = δlm (2)
0 2l + 1

e multiplicando-se ambos os lados da expansão de f (θ) por Pm e fazendo a soma em

l, podemos escrever:
∫ π
(2l + 1)
Al = f (θ)Pl (cos θ) sin θ dθ.
2 0

A expressão será ligeiramente diferente para o caso do potencial por causa da de-
pendência em r. Você deve resolver o potencial para r = R e então calcular os
coeficientes.

2
3. Considere um esfera cortada ao meio, formando dois hemisférios, um submetido a um
potencial φ0 e o outro a um potencial −φ0 . Calcule o potencial gerado por esta configu-
ração. Aqui você irá adotar os mesmos procedimentos que foram feitos para o problema
anterior. A expressão será uma série em polinômios de Legendre e você deve calcular os
coeficientes explicitamente até C6 e D6 .

4. Suponha que duas cascas cilı́ndricas, de raios Ra e Rb (Ra < Rb ), estejam submetidos
aos seguintes potenciais:

 φa , para ρ = Ra
φ(ρ, θ, ϕ) =
 φb cos 2θ, para ρ = Rb

Obtenha o potencial elétrico em todo o espaço.

5. Os materiais semicondutores são a base da microeletrônica. Os semicondutores têm uma

estrutura eletrônica similar à de materiais isolantes, com a diferença de que o hiato de
energia, entre as bandas de condução e de valência, é pequeno o suficiente para que
elétrons de valência, termicamente ativados, sejam promovidos à banda de condução.
Devido ao número pequeno de portadores, a dopagem de materiais semicondutores é
necessária e, com isso, é possı́vel controlar a densidade de portadores de carga. Isso dá
origem aos materiais do tipo p e tipo n. As junções pn são a base de diodos, transistores e
outros dispositivos semicondutores. A distribuição de carga nestas junções, e o potencial
resultante, é determinada pela equação de Poisson.

Para ilustrar a aplicação de Poisson neste caso, vamos selecionar uma junção pn entre
duas metades de uma barra semicondutora que se estende na direção-x. Consideraremos
que o semicondutor é do tipo p para x < 0 e do tipo n para x > 0. O grau de dopagem é
idêntico em ambos os lados da junção. As lacunas do lado esquerdo e os elétrons do lado
direito atravessam a junção até que um estado de equilı́brio ocorra, quando um campo
elétrico da direita para a esquerda é estabelecido. A redistribuição de carga em torno da
junção (em x = 0) é simétrica devido às condições de dopagem. Há inúmeras expressões
para modelar a distribuição de carga em torno da junção. Aqui, vamos usar a expressão
dada pela Eq. (3):

x x
ρ(x) = 2ρ0 tanh (3)
a a

3
onde ρ0 = eNd = eNa é a densidade de carga máxima. Esta densidade depende da
concentração de impurezas doadoras e aceitadoras, cujos valores denotamos por Nd e
Na , respectivamente. O comprimento a é uma distância caracterı́stica da camada de
depleção, região onde ocorre uma variação apreciável da densidade de carga.

(a) Note que longe da junção o semicondutor deve permanecer neutro, então o campo
elétrico deve ser nulo Ex (x → ±∞) → 0. Como a densidade de carga apresenta
uma inversão de sinal da região n para a região p, vamos assumir que o potencial
passa pelo valor nulo exatamente em x = 0. Assim, φ(0) = 0. Com a expressão
(3) e estas condições de contorno, determine a equação para o potencial e o campo
elétrico;

(b) faça um gráfico de ρ(x), φ(x) e Ex (x);

(c) a diferença de potencial estabelecida entre a junção é dada por:

∆φ = φ(x → ∞) − φ(x → −∞). (4)

Se a área da junção é S, podemos determinar a carga na junção pela prescrição:

∫
Q = S ρ(x) dx. (5)

Obtenha os valores de ∆φ e Q e obtenha a capacitância da junção, definida por:

Q
C= . (6)
∆φ