De quoi sont-ils faits ?

• Les composants actifs discrets (diodes et

composants actifs électroniques transistors) sont généralement fabriqués à partir
d’un matériau semiconducteur qui n’existe pas à
l’état naturel : le silicium (symbole chimique Si).

Cours découverte LGE 408 • L’intérêt majeur des semiconducteurs par

rapport aux matériaux conducteurs et des
matériaux isolants est leur possibilité de dopage.
A. Ababou
année universitaire 2008 / 2009 1 année universitaire 2008 / 2009 2

Si intrinsèque Si dopé N
NSi= 4 1022 at/cm3
nSi= 4 1022 at/cm3 NP ≈ 1016 cm-3
n (valence) ≈ 5 1023 cm-3 Nombre d’e- libres : n

Nombre d’e- libres : n Nombre de trous libres : p

Nombre de trous libres : p nn = 1016 cm-3

Loi d’action de masse : pn = 104 cm-3

n . p = ni2 Électrons majoritaires

Si intrinsèque ⇔ n = p = ni ≈ 1.1 1010 cm-3 Trous minoritaires

année universitaire 2008 / 2009 3 année universitaire 2008 / 2009 4

Si dopé P SC P et SC N avant contact

NSi= 4 1022 at/cm3
NB ≈ 1016 cm-3
Nombre d’e- libres : n
Nombre de trous libres : p

pp = 1016 cm-3
np = 104 cm-3
Trous majoritaires
Pas de jonction PN . Pas de zone de charge d’espace
Electrons minoritaires
année universitaire 2008 / 2009 5 année universitaire 2008 / 2009 6

1
 Jonction PN à l’équilibre Jonction PN polarisée en direct

P N

SC P (neutre) ZCE SC N (neutre) La largeur de ZCE diminue

Zone de Charge d’Espace

année universitaire 2008 / 2009 7 année universitaire 2008 / 2009 8

Jonction PN polarisée en inverse Caractéristique d’une diode

• Laisse passer le courant
dans un sens pour une
tension supérieure à la
tension seuil de la diode.

• Ne laisse pas passer le

courant dans l’autre sens
sauf si la tension vaut la
tension d’avalanche pour
laquelle I augmente très
brutalement risquant
la largeur de ZCE augmente d’entraîner la destruction
du composant.
année universitaire 2008 / 2009 9 année universitaire 2008 / 2009 10

Exemples de diodes
Diode polarisée en inverse

Diode polarisée en direct

année universitaire 2008 / 2009 11 année universitaire 2008 / 2009 12

2
Redressement simple alternance Redressement double alternance

Redressement double alternance

année universitaire 2008 / 2009 13 année universitaire 2008 / 2009 14

Redressement double alternance Filtrage d’un redresseur double alternance

avec RC=0.01s

année universitaire 2008 / 2009 15 année universitaire 2008 / 2009 16

Filtrage d’un redresseur double alternance

Diode zener
avec RC=0.1s
si épaisseur de jonction faible
et si taux de dopage important
alors effet zener quand V=Vz.

Tension stabilisée Vz pour

Imin ≤ I ≤ Imax.

année universitaire 2008 / 2009 17 année universitaire 2008 / 2009 18

3
 Diode Electroluminescente
méplat SC de la famille des III-V

Données : Pmax = 500mW ; Uz = 6.2V (1N5234B) ; Ua = 20V ; Imin =5mA

- Calcul de Imax : on déconnecte la charge Imax = Pmax/Uz = 0.5/6.2 = 80.6mA
- Calcul de Rp : Rp = (Ua – Uz) /Imax = 172Ω. Valeur normalisée : 180Ω
- Puissance dissipée par R : P= (Ua – Uz)2/R = 1W
-Calcul de Rc min : Rcmin = Uz/Icmax ; Rcmin = 86.5 Ω;
avec Icmax = (Ua-Uz)/Rp –année
Iminuniversitaire
Val. Norm. : 86 Ω ou 91 Ω (tol. 5%)
2008 / 2009 19 année universitaire 2008 / 2009 20

Exemple de montage simple Photodiode

année universitaire 2008 / 2009 21 année universitaire 2008 / 2009 22

Réponse d’une photodiode

année universitaire 2008 / 2009 23 année universitaire 2008 / 2009 24

4
 Exemple de montage Transistor bipolaire

convertisseur courant-tension appelé également

amplificateur transimpédance
année universitaire 2008 / 2009 25 année universitaire 2008 / 2009 26

Effet transistor
Effet transistor (conduction par e- et trous)

Sans polarisation

Avec polarisation
année universitaire 2008 / 2009 27 année universitaire 2008 / 2009 28

Exemple de montage Transistor MOSFET à

appauvrissement D-MOS canal N

• Metal Oxyde Semiconductor Field

Effect Transistor
• Grille isolée du canal par SiO2
• 4 électrodes
• IDS commandé par VGS
• D-MOSFET canal N passant
(normally ON) si VGS = 0 et devient
de – en – conducteur si VGS<0 et
|VGS | ↑

année universitaire 2008 / 2009 29 année universitaire 2008 / 2009 30

ECB

5
 Transistor MOSFET à Transistor MOSFET à
appauvrissement D-MOS canal P enrichissement E-MOS canal N
• Le transistor E-MOS est
• IDS commandé par VGS bloqué en l’absence de
tension de commande
• D-MOSFET canal P passant VGS
(normally ON) si VGS = 0 et
devient de – en – conducteur si
VGS>0 et VGS ↑ • Le transistor E-MOS
canal N est passant si
• Transistor bloqué si VGS > VGSoff
VGS > VTH > 0

année universitaire 2008 / 2009 31 année universitaire 2008 / 2009 32

Transistor MOSFET à
modèle linéaire du E-MOSFET
enrichissement E-MOS canal P
• Le transistor E-MOS • Le comportement du MOS
est bloqué en pour de faibles tensions
Drain-Source obéit au
l’absence de tension
modèle linéaire : IDS ∝ VDS
de commande VGS
• Le E-MOSFET fonctionne
• Le transistor E-MOS comme une résistance
canal P est passant si commandée par une
VGS < VTH < 0 tension.

année universitaire 2008 / 2009 33 année universitaire 2008 / 2009 34

Circuit intégré Présentation d’un circuit intégré

• Un circuit intégré se présente
généralement sous la forme d'un petit
boîtier rectangulaire noir muni de
broches de chaque côté.
• Il intègre souvent plusieurs
types de composants
• Une encoche en creux permet de
électroniques de base dans déterminer l'emplacement de la
un volume réduit, rendant le broche 1 qui se trouve à gauche de
circuit facile à mettre en cette encoche. La broche 2 se trouve
œuvre. au dessous et les autres sont
numérotées dans le sens inverse des
aiguilles d'une montre.
• Il peut être de type
analogique ou numérique
• Le nom du fabriquant et la référence
du modèle sont imprimés sur la face
supérieure du boîtier.
année universitaire 2008 / 2009 35 année universitaire 2008 / 2009 36

6
 Timer NE 555 Schéma équivalent du timer NE555
5
8
• Un timer, ou timing
circuit, est un C.I. conçu
pour délivrer en sortie
des signaux dont la
période est d'une durée 6
très précise. 3

• Ces C.I. donnent lieu à

de multiples applications: 2
par exemple : bascules
monostables ou astables 4
7

année universitaire 2008 / 2009 37 1 année universitaire 2008 / 2009 38

Exemple d’application du timer NE555

année universitaire 2008 / 2009 39