ELECTRONICA
ANALOGICA
MARCO ANTONIO LOPEZ
MARTINEZ
INSTITUTO TECNOLOGICO
DE OAXACA
UNIDAD 1
CONDUCTORES
Los conductores son aquellos que por sus propiedades atómicas a sus electrones
de valencia se les facilita el flujo de electrones, tal es el caso del cobre ya que
tiene 29 protones en su núcleo, 2 electrones en el primer orbital, 8 en el segundo,
18 en el tercero y solamente uno en el cuarto orbital, este último es el electrón de
valencia y debido a que está más alejado del núcleo tiene menos atracción hacia
él.
Como el electrón es atraído muy débilmente hacia el núcleo una fuerza ajena
puede mover este electrón con facilidad al que se le conoce como electrón libre.
SEMICONDUCTORES
Ahora bien los conductores tienen un electrón de valencia, los aislantes tienen 8 y
por lo tanto los mejores semiconductores tienen 4 electrones de valencia tal es el
caso del germanio y el silicio, anteriormente el germanio era el único material
adecuado para la fabricación de dispositivos semiconductores pero debido a su
excesiva corriente inversa fue remplazado casi por completo por el silicio, el silicio
después del oxígeno es el material que más abunda en la tierra, sin él la
electrónica moderna, las comunicaciones y los ordenadores serían imposibles.
CRISTALES DE SILICIO
SEMICONDUCTOR INTRINSECO
DOPAJE EN UN SEMICONDUCTOR
Debido a lo anterior hay dos tipos de semiconductores, los tipo n que son aquellos
que han sido dopados con átomos pentavalentes son tipo n por que la n hace
referencia a negativo, como los electrones en este semiconductor superan al
número de huecos se les llama portadores mayoritarios mientras que a los huecos
se les llama portadores minoritarios, al aplicarse una tensión en el cristal los
electrones se desplazan hacia la parte positiva del circuito mientras que los
huecos se desplazan al lado opuesto, cuando llega al límite un electrón externo
perteneciente a el circuito se recombina con el hueco.
Cuando el silicio es dopado con impurezas trivalentes se le llama semiconductor
tipo p que hace referencia a positivo, en este caso los huecos superan en numero
a los electrones por lo que los huecos son los portadores mayoritarios y los
electrones los minoritarios, y el movimiento de los electrones es el mismo que en
el semiconductor tipo n solo que al haber tan pocos electrones con respecto a los
huecos su efecto es casi despreciable.
EL DIODO NO POLARIZADO
Dado lo anterior también se pueden crear cristales que sean mitad tipo p y la otra
mitad tipo n y a la frontera entre estos dos se le llama unión pn. Esta unión ha
propiciado toda clase de inventos, entre los cuales se encuentran los diodos,
transistores y circuitos integrados, a esta unión también se le llama diodo de
unión.
Cuando un electrón abandona el lado n, deja un átomo pentavalente al que le
hace falta una carga negativa, este átomo se convierte en un ion positivo, cuando
el electrón cae en un hueco de un átomo trivalente se convierte en un ion negativo
los iones se encuentran fijos en la estructura del cristal debido a los enlaces
covalentes y no se pueden mover libremente, cada pareja de iones positivos y
negativos forman un dipolo. Cada dipolo eléctrico posee un campo eléctrico entre
los iones positivos y negativos que lo forman lo que provoca que si entran
electrones libres adicionales en la zona de deplexión el campo eléctrico trata de
devolver estos electrones a la zona n. El campo eléctrico entre los iones es
equivalente a una diferencia de potencial llamada barrera de potencial, esta
barrera.
TEORIA DE DIODOS
El lado p se llama ánodo y el lado n es el cátodo, la polarización directa ocurre
cuando la corriente positiva entra por la terminal p del diodo y la negativa está
conectada al lado n. Cuando el diodo forma parte de un circuito complicado
podemos determinar si está polarizado directamente por medio del teorema de
Thevenin.
Ejemplo 3-3
Un diodo tiene una limitación de potencia de 5W. Si la tensión del dodo es de 1.2
v y la corriente del diodo es de 1.75 A ¿cuál es la disipación de potencia?¿Se
destruirá el diodo?
Pd=(1.2V)(1.75A)=2.1W
EL DIODO IDEAL
Un diodo ideal sería aquel que tenga una resistencia cero con polarización directa
y resistencia infinita con polarización inversa. Es imposible construir un dispositivo
con esas características. Dependiendo del dopaje y del tamaño físico de un diodo,
este puede diferir de otros por su máxima corriente directa, limitaci6n de potencia
y otras características.
Ejemplo 3-4
Fl=10V/1KΩ=10mA
Ejemplo 3-5
LA SEGUNDA APROXIMACION
En esta aproximación no hay corriente hasta que aparecen 0,7 V en el diodo. En
este punto el diodo se activa. De ahí en adelante solo aparecerá 0,7 V en el diodo,
independientemente del valor de la corriente. Para cuando la tensión en el diodo
es menor a 0.7v se comportara como interruptor abierto y no conducirá ninguna
corriente, y para cuando alcance los 0.7v será como interruptor cerrado y fluirá la
corriente.
Ejemplo 3- 6
9.3𝑉
𝐼𝐿 = = 9.3𝑚𝐴
1𝐾𝛺
𝑃𝐷 = (0.7𝑉)(9.3𝑚𝐴) = 6.51𝑚𝑊
LA TERCERA APROXIMACION
En la tercera aproximación se utiliza la resistencia interna:
Cuando la tensión aplicada es mayor que 0,7 V, el diodo conduce. La tensión total
en el diodo es igual a:
PREGUNTAS
1.-¿Qué es el diodo ideal? Un diodo ideal sería aquel que tenga una resistencia
cero con polarización directa y resistencia infinita con polarización inversa
5.- ¿qué es la unión pn? cristales que sean mitad tipo p y la otra mitad tipo n y a la
frontera entre estos dos se le llama unión pn
7.- ¿Cuál es el elemento que abunda mas en la tierra después del oxígeno? El
silicio.
9.- ¿Por qué se utiliza mas el silicio que el germanio? Por que el germanio una
excesiva corriente inversa.
10.- ¿Qué es un semiconductor tipo n?es aquel que ha sido dopado con atomos
pentavalentes
12.- ¿Qué es la polarización directa? es cuando la terminal positiva del diodo esta
conectada a la parte positiva del circuito.
16.- ¿Qué cantidad de huecos hay con respecto electrones libres en un cristal
intrínseco? Hay el mismo numero de huecos que de electrones libres.
20.- ¿Cuáles son las impurezas trivalentes? Son elementos cuyos átomos tienen
tres electrones de valencia en su orbital exterior. Entre ellos se encuentran el boro,
el galio y el indio.
El diodo solo permite la onda positiva a causa de esto el circuito recorta las
mitades positivas del circuito.
La señal de onda completa tiene el doble de ciclos positivos que la señal de media
onda:
PUENTE RECTIFICADOR
El puente rectificador es similar a un rectificador de onda completa porque produce
una tensión de salida de onda completa.
Como un puente rectificador produce una salida de onda completa, las ecuaciones
para el valor medio y la frecuencia de salida son las mismas que para el
rectificador de onda completa:
EL FILTRO DE CHOQUE
En el pasado, el filtro de choque se empleaba frecuentemente para filtrar la salida
de un rectificador. Aunque se ha dejado de usar, por razón de su coste, tamaño y
peso, este tipo de filtro tiene valor didáctico y ayuda a comprender mas fácilmente
otros filtros.
El rectificador puede ser del tipo de media onda, onda completa o puente, La
salida del rectificador tiene dos componentes diferentes: una tensi6n continua (el
valor medio) y una tensión alterna (la parte fluctuante).
Una fuente de alimentación es el circuito, dentro de los equipos electrónicos, que
convierte la tensión de entrada alterna en una tensión de salida continua casi
perfecta. Incluye un rectificador y un filtro. Hoy en día la tendencia es ir hacia
fuentes de alimentación de bajo voltaje y corriente grande.
Para que el filtro con condensador a la entrada sea útil, necesitarnos conectar una
resistencia de carga através del condensador.
Aquí tenemos una derivación que usaremos para estimar el rizado de pico a pico
de cualquier filtro con condensador a la entrada
EL DIODO ZENER
𝑉1 − 𝑣𝐷2
𝐼𝑅1 =
𝑅1
𝑉𝐿 = 𝑉𝑍
𝑉𝐿
𝐼𝐿 =
𝑅𝐿
𝐼𝑆 = 𝐼𝑍 + 𝐼𝐿
𝐼𝑧 = 𝐼𝑆 − 𝐼𝐿
Cuando la tensión de ruptura es de 6v lo que provoca la ruptura es el efecto
avalancha, en cambio el efecto zener Cuando un diodo está fuertemente dopado,
la zona de deplexión se hace muy estrecha por lo que el campo eléctrico es muy
intenso lo cual empuja a los electrones fuera de sus orbitales de valencia y a esto
se le conoce como efecto zener.
La tensión zener puede variar con la temperatura, a este efecto se le llama como
coeficiente de temperatura que es el cambio de tensión de ruptura por cada grado
que aumenta la temperatura. Los diodos con voltaje entre 4 y 6 v el coeficiente de
temperatura cambia de positivo a negativo lo que quiere decir que se puede
encontrar un punto de funcionamiento con coeficiente de temperatura igual a cero.
Ejemplo 5-3
8𝑉
𝐼𝑆 = = 29.6 𝑚𝐴
270𝛺
10𝑉
𝐼𝐿 = = 10𝑚𝐴
1𝐾𝛺
𝐼𝑍 = 29.6𝑚𝐴 − 10𝑚𝐴 = 19.6𝑚𝐴
TIPOS DE DIODO INVESTIGACION
UNIDAD 2
TRANSISTOR SIN POLARIZACION
Un transistor tiene 3 zonas de dopaje emisor, base y colector. Los transistores se
construyen como como dispositivos pnp. El emisor está fuertemente dopado, la
base esta ligeramente dopada y el colector esta dopada a nivel intermedio, un
transistor es similar a dos diodos contrapuestos.
CORRIENTES EN UN TRANSISTOR
Como el emisor es la fuente de electrones. Su corriente es la mayor de las tres,
casi todos los electrones del emisor circulan hacia el colector por tanto la corriente
del colector es aproximadamente igual a la del emisor.
𝐼𝑐 ≈ 𝐼𝜀
𝐼𝐵 ≪ 𝐼𝑐
ALFA
𝐼𝑐
𝛼 𝑑𝑐 =
𝐼𝜀
Como la corriente de colector es casi igual que la corriente de emisor, α dc, es
ligeramente menor que 1. Por ejemplo, en un transistor de baja potencia, α dc, es
mayor que 0,99. Incluso en un transistor de alta potencia, α dc, es típicamente
mayor que 0,95.
BETA
𝐼𝑐
𝛽𝑑𝑐 =
𝐼𝐵
La beta de continua se conoce también como la ganancia de corriente porque una
pequeña corriente de base produce una comente mucho mayor de colector.
𝐼𝑐
𝐼𝐵 =
𝛽𝑑𝑐
EJEMPLO 6-1
SOLUCION
10𝑚𝐴
𝛽𝑑𝑐 = = 250
40𝜇𝐴
Ganancia =250
EJEMPLO 6-2
SOLUCION:
𝐼𝑐 = 175(0.1𝑚𝐴) = 17.5𝑚𝐴
LA CONEXIÓN EN CE
Existen tres formas útiles de conectar un transistor: en EC (emisor común), en CC (colector
común), o en BC (base común).
EMISOR COMÚN
El lado común o masa de cada fuente de tensión está conectado al emisor. Debido
a esto, el circuito se conoce como configuración en emisor común (en EC).
𝑉ᴃᴃ − 𝑉ᴃ𝜀
𝐼ᴃ =
𝑅ᴃ
Ejemplo 6-4
VB=VBB-VBE=2v-.7v=1.3v
1.3
𝐼𝐵 = = 13𝜇𝐴
100𝑘
𝐼𝑐 = (200)(13𝜇𝐴) = 2.6𝑚𝐴
MAS CURVAS
Cuando se trazan varias curvas sobre los mismos ejes para diferentes corrientes
de base, se obtiene una familia de curvas de colector como las de la Figura:
Todos los transistores tienen una zona activa, una zona de saturación y una zona
de ruptura. La zona activa es la más importante, ya que la amplificación de
señales es posible en la zona activa.
EJEMPLO 6-5
SOLUCIÓN
SOLUCIÓN
Simulación
La segunda aproximación
ANÁLISIS SIMPLIFICADO
𝑅2
𝑉ᴃᴃ = 𝑉𝑐𝑐
𝑅1 + 𝑅2
Idealmente ésta es la fuente de tensión en la base como se muestra en la figura.
:
𝑅2
𝑉ᴃᴃ = 𝑉𝑐𝑐
𝑅2 + 𝑅1
𝑉𝜀 = 𝑉ᴃᴃ − 𝑉ᴃ𝜀
𝑉𝜀
𝐼𝜀 =
𝑅𝜀
𝐼𝑐 ≈ 𝐼𝜀
𝑉𝑐 = 𝑉𝑐𝑐 − 𝐼𝑐𝑅𝑐
𝑉𝑐𝜀 = 𝑉𝑐 − 𝑉𝜀
EJEMPLO 8-1
Solución
1.1𝑣
𝐼𝜀 = = 1.1𝑚𝐴
1𝑘ῼ
SIMULACION
𝐼𝑐𝑚𝑎𝑥 = 2.17𝑚𝐴
1.25𝑉
𝐺= = 2.5 ∅ = 180° 2𝑁2222
0.5
1,1𝑉
𝐼𝜀 = = 0.5𝑚𝐴
2,2𝐾ῼ
El cambio de tensión es
Por tanto, las nuevas coordenadas del punto Q serán las de QL 0,5 mA y 7,l V.
Por otra parte, si se disminuye la resistencia de emisor a 510 ῼ, la corriente de
emisor aumenta a:
1.1𝑉
𝐼𝜀 = = 2.15𝑚𝐴
510ῼ
En esta ocasión, el punto Q se eleva por la recta de carga a una nueva posición
QH, de coordenadas 2,15 mA y 1,16 V.
JFET
Para la mayoría de las aplicaciones lineales, el dispositivo más usado es el
transistor bipolar. Pero hay algunas aplicaciones lineales en las cuales el FET (que
es un transistor unipolar) es el más apropiado, ya que tiene una alta impedancia
de entrada y otras propiedades. El FET es preferido para ocupar como interruptor
ya que no tiene portadores minoritarios y por lo tanto corta más rápido ya que no
tiene carga almacenada que deba eliminar de la unión.
SÍMBOLO ELÉCTRICO
El JFET de canal n debido a que el canal entre la fuente y el drenador está hecho
de semiconductor tipo n. enseguida se muestra su símbolo:
Existe también un JFET de canal p. El símbolo eléctrico de un JFET de canal p es
similar al del JFET de canal n, excepto en que la flecha de la puerta apunta desde
el canal hacia la puerta. La acción de un JFET de canal p es complementaria, lo
que significa que todas las tensiones y corrientes están invertidas.
CARACTERÍSTICA DE SALIDA
La zona activa del JFET se localiza entre una tensión mínima Vp y una tensión
máxima VDS(max). La tensión mínima Vp se denomina tensión de
estrangulamiento, y la tensión máxima VDs(max) se llama tensión de ruptura.
Entre el estrangulamiento y la ruptura, el JFET actúa aproximadamente como una
fuente de corriente con un valor de IDss con VGS = 0.
LA ZONA ÓHMICA
CARACTERÍSTICAS DE TRANSFERENCIA
La característica de transferencia de un JFET es una gráfica que representa ID
frente a VG.
Se advierte que la curva no es lineal porque la corriente aumenta rápidamente cuando VGs se
aproxima a cero.
La ecuación para esta gráfica es:
Debido a la parte que esd elevada a1 cuadrado en esta ecuación, los JFET son
también conocidos como dispositivos de ley cuadrática.
En otras palabras, cuando la tensión en la puerta es la mitad de la tensión de
corte, la corriente de drenador es un cuarto del máximo.
VGS VDS ID
0v 13.309V 3.347mA
-.5v 16.147V 1.926ma
-1V 18.233V .881mA
-1.5V 19.524V .238mA
-2V 19.994V 0.003553mA
-2.5V 19.996V 0.003553mA
-3V 19.996V 0.003553mA
-3.5V 19.996V 0.003553mA
-4V 19.996V 0.003553mA
-4.5V 19.996V 0.003553mA
-5V 19.996V 0.003553mA
El límite superior de la recta de carga para corriente continua tiene una corriente
de saturación de drenador de:
Ejemplo 13-5
¿Cuál es la tensión de drenador de la figura?
Como vp=4v, vgs(off)=-4v antes del punto A, la tension de entrada es de -10v y el
JFET está en corte:
Vp=10V
10
𝐼𝐷(𝑠𝑎𝑡) = = 1𝑚𝐴
10𝐾
La resistencia ohmica vale:
4
𝑅(𝐷𝑆) = = 400𝛺
10𝑚
Por lo tanto:
400
𝑉𝑝 = 10 = .385𝑉
10𝑘 + 400
SOLUCION
Vs=10V
Y la tensión de drenador:
VD=30V-(5mA)(1KΩ)=25V
VDS=25V-10V=15V
EJEMPLO 13-7
VD=15V-(5mA)(1KΩ)= 10V
UNIDAD 3
Amplificadores operacionales
Aunque existen algunos amplificadores operacionales para alta potencia, la
mayoría son dispositivos de baja potencia con una limitación de potencia máxima
menor de un vatio.
Ejemplo 18-1
¿Qué tensión de entrada inversora hace falta para llevar el 741c de la figura a
saturación negativa?
13.5𝑉
𝑉2 = = 135𝜇𝑉
100000
EL AMPLIFICADOR INVERSOR
El amplificador inversor es el circuito amplificador operacional mis básico. Utiliza
realimentación negativa para estabilizar la ganancia de tensión total. La razón por
la que se necesita estabilizar la ganancia de tensión total es porque Aol resulta
demasiado grande e inestable para ser util sin alguna forma de realimentación.
SIMULACION:
En esta simulación se tiene un circuito con amplificador inversor en el que R1 es
igual a 1k y R2 es igual a 50k por lo tanto la ganancia es de:
50𝑘
= 50
1𝑘
Y esto se puede comprobar con el osciloscopio.
En esta simulación se buscaba encontrar las resistencias para obtener una
ganancia de 10 y como la fórmula es:
𝑅2
𝐺=
𝑅1
Se decidió una R1 de 2k y una R2 de 20 k.
EL AMPLIFICADOR NO INVERSOR
Entonces:
𝑉𝑖𝑛 = 𝑖1 𝑅1
Como no puede circular corriente por un corto circuito virtual, la misma corriente i1
debe circular a través de R2 lo que significa que la tensión de salida viene dada
por:
𝑉𝑜𝑢𝑡 = 𝑖1 (𝑅2 + 𝑅1 )
𝑅2 + 𝑅1
𝑅1
Por lo tanto:
𝑅2
+1
𝑅1
𝑓𝑢𝑛𝑖𝑑𝑎𝑑
𝑓2(𝐶𝐿)
𝐴𝐶𝐿
De nuevo, se puede comprometer la ganancia de tensión a favor del ancho de
banda. Cuanto menor es la ganancia de tensión en lazo cerrado, mayor es el
ancho de banda.
Simulación:
Amplificador no inversor
En este circuito se logra una ganancia de 51 debido a sus resistencia en las cual
la ganancia está dada por:
50𝑘
+ 1 = 51
1𝑘
EL INTEGRADOR
Un integrador es un circuito que ejecuta una operación matemática llamada
integración. La aplicaci6n mis difundida de un integrador es la destinada a producir
una rampa en su tensión de salida, la cual supone un incremento o un decremento
lineal de tensión.
Cuando el pulso está a nivel bajo, vin = Vin Considere que este pulso se aplica en
el extremo izquierdo de R. Debido a la masa virtual, una tensión de entrada alta
produce una corriente de entrada de:
𝑉𝑖𝑛
In=
𝑅
𝑇
𝑉= 𝑉𝑖𝑛
𝑅𝐶
Debido a1 efecto Miller, podemos dividir el condensador de realimentación en dos
capacidades equivalentes, como se muestra en la Figura. La constante de tiempo
en lazo cerrado T del circuito de desacoplo de la entrada es:
𝑡 = 𝑅𝐶(𝐴 + 1)
Para que el integrador funcione correctamente, esta constante de tiempo debe ser
mucho mayor que el ancho del pulso de la entrada.
Simulación:
Sinusoidal a rectangular:
El disparador de Schmitt produce, como se puede observar, una salida
rectangular. Este hecho supone que la señal de entrada es lo suficientemente
grande como para superar los dos puntos de conmutación. Cuando la tensión de
entrada excede al PCS en la variación ascendente del semiciclo positivo, la
tensión de salida conmuta a –Vsat. Un semiciclo después, la tensión de entrada
tiene un valor negativo menor que el PCI y la salida conmuta a +Vsat. Un
disparador de Schmitt siempre produce una salida rectangular,
independientemente de la forma de la señal de entrada. En otras palabras, la
tensión de entrada no tiene que ser sinusoidal, mientras la forma de onda sea
periódica y tenga una amplitud suficientemente grande como para superar los
puntos de conmutación tendremos una salida rectangular que tiene la misma
frecuencia que la señal de entrada.
Rectangular a triangular:
Puesto que la tensión de entrada tiene una componente continua nula, el nivel de
continua de la salida también es cero, la salida es una onda triangular con la
misma frecuencia de la señal de entrada. Analizando el cambio de tensión de la
rampa, podemos probar que la tensión de salida está dada por:
EL DIFERENCIADOR
Un diferenciador es un circuito que ejecuta una operación matemática de cálculo
diferencial denominada derivación. Produce una tensión de salida proporcional a
la variación instantánea de la tensión de entrada respecto del tiempo. Aplicaciones
comunes de un diferenciador son la de detección de los flancos de subida y
bajada de un pulso rectangular o para producir una salida rectangular a partir de
una rampa de entrada.
DIFERENCIADOR RC:
Se puede usar para derivar la señal de entrada. En lugar de una señal sinusoidal,
la entrada típica es un pulso rectangular. La salida del circuito constituye una serie
de picos de tensión positivos y negativos. El pico de tensión positivo ocurre en el
mismo instante que el flanco de subida de la entrada; el pico de tensión negativo
ocurre en el mismo instante que el flanco de bajada. Picos de tensión, como éstos
son señales útiles, que pueden indicar a otros circuitos cuándo una señal de
entrada rectangular empieza y termina. , cuando la tensión de entrada cambia de
0 a +V, el condensador empieza a cargarse exponencialmente.
Si el ancho del pulso es 1 ms, la constante de tiempo RC debe ser menor de 0,1
ms. La Figura d) muestra un diferenciador RC con una constante de tiempo de 0,1
ms. Si excitamos este circuito con un pulso rectangular cuyo periodo sea mayor de
1 ms, la salida será una serie de picos de tensión estrechos positivos y negativos.
Simulación:
UNIDAD 4
EL DlODO DE CUATRO CAPAS
El funcionamiento del tiristor se puede explicar mediante el circuito equivalente
que se ve en la Figura
Debida a la peculiar conexión, aparece una realimentación positiva. Un cambio en
la corriente de base de Q2 se amplifica y retorna al mismo punto a través de Q1,
para aumentar el cambio original. Esta realimentación positiva continua cambiando
la corriente de base de Q2, hasta que ambos transistores llegan a saturación o a
corte. Por ejemplo, si la corriente de base de Q2 se incrementa, aumenta la
corriente de colector de Q2, lo que obliga a que más corriente de base circule por
Q1, y, por tanto, se genera una corriente de colector mayor en Q1, lo cual excita
más la base de Q2. Este aumento y realimentación en las corrientes continua
hasta que ambos transistores se saturan. Entonces, el circuito actúa como un
interruptor cerrado.
Se supone que el latch está abierto, Puesto que no hay comente a través de la
resistencia de carga, la tensión de salida es igual a la tensión de la fuente, lo que
indica que el punto de funcionamiento está en el extremo inferior de la recta de
carga.
La única forma de cerrar el latch es mediante una tensión de cebado. Esto
significa utilizar una tensión de alimentaci6n Vcc suficientemente grande como
para llevar a ruptura el diodo colector de Q1.
lo que significa que la fuente que alimenta la puerta del2N4441 tiene que
proporcionar 10 mA a 0,75 V para cebar el SCR.
TENSION DE ENTRADA.
Un SCR como el que posee una tensión de puerta VG. Cuando esta tensión es
mayor que VG, el SCR conducir y la tensión de salida caerá desde +Vcc a un
valor bajo. Algunas veces se usa una resistencia de puerta, como se muestra
aquí. La resistencia limita la corriente de puerta a un valor seguro. La tensión de
entrada que se necesita para disparar un SCR tiene que, ser mayor que:
REINICIAR EL SCR.
Ejemplo 15-6
Calcule la tensión de alimentación que cierra el interruptor SCR de la siguiente
figura.
Solución
El 1N742 tiene una tensión de ruptura de 5.6v y el 2N4441 tiene una tensión de
disparo de 0.75v.
𝑉𝑐𝑐 = 𝑉𝑧 + 𝑉𝐺𝑇
𝑉𝑐𝑐 = 5.6𝑣 + 0.75𝑣 = 6.35𝑣
TIRISTORES BlDlRECClONALES
Diac
El diac puede tener corriente en cualquier dirección. .El circuito equivalente de un
diac es un par de diodos de cuatro capas en paralelo, idealmente iguales a los
latchs El diac no conduce hasta que la tensión en sus extremos intenta exceder la
tensión de cebado en cualquier dirección. Por ejemplo, si v tiene la polaridad
indicada en la Figura, entonces el diodo izquierdo conduce cuando v supera la
tensión de cebado. En este caso, el latch de la izquierda se cierra. Cuando la
polaridad de v es opuesta, el latch de la derecha se cierra. La.-Figura 15-20 d
representa el símbolo eléctrico de un diac.
El triac
Simulación:
OPTOACOPLADORES
INTODUCCIÓN
Cuando se Combina una fuente óptica (generalmente un Led) con algún tipo de detector óptico
(generalmente un semiconductor de si) en un solo encapsulado, el dispositivo resultante se
llama optoacoplador u optointerruptor.
Esta estructura produce un elemento que permite el acoplamiento de señales dos tipos de
circuitos electrónicos independientes y totalmente aislados entre si, según el encapsulado de
estos dispositivos pueden tener un aislamiento hasta de 3500 V.
Más adelante se presentan las características de varios dispositivos optoelectrónicos con las
cuales podremos compararlos.
Tipos de optoacopladores.
El circuito de la figura nos muestra el circuito básico para manejar un triac con un
OPTO con detector de cruce por cero, suponiendo que el circuito esta off (I F=0), La
señal de alterna aparece en los dos elementos, el triac principal y el driver. Cuando un
valor apropiado de corriente IF le llega al LED y se detecta un cruce por cero, el driver
conduce y dispara al triac principal, el triac permanecerá conduciendo hasta que la
señal del LED tome de nuevo el nivel bajo, las formas de onda del circuito.
EJEMPLO 2
Los usos de este circuito son de lo mas variado. Desde colocarlo en la puerta de
casa para evitar que gente se pare frente a ella sin necesidad hasta colocarlo en la
parte trasera y delantera del carro para prevenir a otros conductores cuando se
acercan demasiado al aparcar.
El funcionamiento del circuito se basa en emitir una ráfaga de señales luminosas
infrarrojas las cuales al rebotar contra un objeto cercano se reciben por otro
componente. Al ser recibidas el sistema detecta proximidad con lo que el led de
salida se acciona (brilla).
El blindaje es una superficie metálica dispuesta entre dos regiones del espacio
que se utiliza para atenuar la propagación de los campos eléctricos, magnéticos y
electromagnéticos. Un blindaje eléctrico se usa comúnmente para proteger
instrumentos delicados de campos eléctricos vagabundos de , digamos, salidas de
potencia cercanas.
Jaula de Faraday
Una jaula de Faraday es cualquier recubrimiento metálico (una caja metálica) con
la característica de proteger de los campos eléctricos estáticos, ya que en su
interior el campo es nulo.