Termoresistencias, pg 1

Tecnología Electrónica.
UTN, FRBB, año 2006.

Termoresistencias.

Integrantes del grupo:

• Antivero Mauro

• Flores Ocampo Diego

• Galasso Christian
 Termoresistencias, pg 2

Termoresistencias o RTDs.
¿Qué es un RTD?

RTD: Detector de temperatura por resistencia.

PRTD: Detector de temperatura por resistencia de platino.

Es un sensor de temperatura basado en el cambio de resistividad que sufren las estructuras

cristalinas de los metales con la temperatura, la cuál es aproximadamente lineal para ciertos
metales.

Un RTD se fabrica para tener un valor Ro nominal a una temperatura dada (p. e 100 ohms a 0ºC).
Al medir su resistencia a una temperatura desconocida y al compararla con Ro (valor al que debo
ajustar el resistor de referencia), puede conocerse el dR. Como la característica R=f(T) también es
conocida, el cambio de temperatura dT desde el punto inicial será conocida.

Materiales usados como RTD's:

• Cobre.
• Balco (aleación de hierro-níquel).
• Niquel.
• Tungsteno.
• Iridio.
• Platino.

Debido a su baja resistividad, el oro y la plata no son usados como RTD’s. El tungsteno posee una
alta resistividad, pero se lo reserva para muy alta temperatura, al ser muy quebradizo y dificil de
maquinar.

Resistividad de los materiales comunmente usados en RTDs, junto con el TCR respectivo.

RA 1
La resistividad se define como:  = = m
l 

Material Resistividad TCR [1/K]

ohm.m
Cobre 1.59×10-8 0,00390
Tungsteno 5.6×10-8 0,00450
Platino 1.1×10-7 0,00392
Manganina 4.82 × 10-7 0,000002

El cobre se usa a veces como RTD. Su baja resistividad hace que el elemento sea más largo que
uno de platino, pero su linealidad y bajo costo lo hacen una alternativa económica. Su límite
superior de operación es de 120ºC.
Los elementos de niquel o aleaciones de niquel son más no lineales y tienden a modificar su valor
de resistencia con el tiempo.
 Termoresistencias, pg 3

Fig 1: Curvas R-T de varios metales.

El platino es el más popular de éstos, debido a su característica muy cercana a la linealidad en un

rango amplio de temperaturas, estable a largo plazo. El costo de los PRTD's se vieron reducidos al
implementarse en película delgada.

Características encontradas en el platino:

• Estabilidad química: resistencia a la oxidación y corrosión.
• Facilidad de manofactura.
• Disponibilidad de alambre de alta pureza.
• Buena reproducibilidad de características eléctricas.

La última permite el poder reemplazar el elemento sensor sin tener que recalibrar un instrumento .
Valores típicos: 100, 500 y 1000 ohms

Identificación.
Se identifican por el metal del que se componen (según tabla periódica) y la resistencia que
presentan a 0ºC. Ejemplo: Pt100, Pt1000, Ni120, Cu200, etc.

Precisión de los RTD:

Dada alrededor de 0ºC, donde es mayor.
Clase A: ± 0,15ºC a 0ºC
Clase B: ± 0,30ºC a 0ºC

Luego presentan una degradación de la precisión hacia los extremos del rango. Por ejemplo, según
el estandar IEC751, para clase B, se tiene:

Precisión:
±0,8ºC a -100ºC
±0,3ºC a 0ºC
±0,8ºC a 100ºC
±1,8ºC a 300ºC
±2,3ºC a 400ºC
 Termoresistencias, pg 4

Sensibilidad del RTD

Se define como:

R  1)
Sr =
T ºC

Indica el cambio existente de resistencia por grado centígrado o grados kelvin.

La relación entre grados centígrados y kelvin:
T ºC = T K −273ºC 2)
Pero no me permite comparar entre distintos RTDs, por lo que se define un nuevo coeficiente,
llamado TCR, donde relativizo el cambio de resistencia respecto a la R nominal.

Coeficiente de temperatura de la resistencia.

El coeficiente de temperatura de un RTD, TCR o  se define como:

R
TCR =
R
T
=
R 100−R 0
100 ºC R 0
[ ]
1
ºC
3)

R 0 : Resistencia del sensor a 0ºC.

R 100 : Resistencia del sensor a 100ºC.
TCR : Coeficiente térmico de resistencia (thermal coefficient of resistance).

Ejemplo: Un termómetro de platino midiendo 100 ohms a 0ºC y 138,5 ohms a 100ºC, el TCR
resulta de 0,00385 1/ºC (0,385 ohms/ºC si se prefiere la sensibilidad).
La relación con la sensibilidad del RTD:
1 R 1
TCR = = S y Sr = R o TCR 4)
R T R r

Se disponen de platinos con TCR variando desde 0,00375 a 0,003927. El mayor TCR indica el
platino de mayor pureza, y está regido por el estandar ITS-90 para termómetros de platino.
Al reemplazar un RTD, es fundamental que el TCR coincida, aunque no hay ventaja en la elección
de uno u otro.
El platino más común usado en RTDs es el 0.00385, disponible en resistores bobinados y de
película delgada, fijado en el estándar DIN EN 60751.
 Termoresistencias, pg 5

Formas constructivas de los RTD.

La construcción del RTD clásico usando platino fue propuesta por C.H. Meyers en 1932:

Fig 2: Construcción de RTD tipo Meyer.

Consiste en enrollar sobre una cruz de mica una bobina helicoidal de platino, y montar el conjunto
dentro de un tubo de vidrio. Al ser el coeficiente de dilatación de la mica muy bajo, el esfuerzo
sobre el alambre será bajo, evitando la variación de resistencia por estiramiento, obteniendo así
un dispositivo estable.
A su vez, al estar bobinado a la vez de enrollado, se maximiza la resistencia para un tamaño dado.
Posee el problema de tener una RA (resistencia térmica de encapsulado) muy grande, lo que hace
que el tiempo de respuesta a cambios bruscos de temperatura externa será muy lento (tiempo de
respuesta térmica alto). Esto limita su uso al laboratorio.

Una mejora al diseño de Meyers fue el de no usar soporte para el bobinado de platino, surgiendo así
el elemento de jaula de pájaro. Esto permite que el platino se expanda y contraiga libremente, y se
logra minimizar las variaciones de resistencia debidas al esfuerzo mecánico (strain) en el rango
de temperatura de operación. Pero pasa a ser muy susceptible a vibraciones, y ésto lo hace muy
frágil para uso industrial.

RTD de película delgada de platino:

La longitud de alambre y diámetro para controlar el valor de Ro se reemplaza por una estructura de
meandro muy delgada sobre un substrato (hasta de 3 micrones), de allí las bajas corrientes de
medición permitidas.
El utilizar ésta estructura permite fabricar el resistor por proceso foto-litográfico, en forma similar a
un circuito integrado monolítico.

Fig 3: Comparación estructura de meandro y de bobina.

 Termoresistencias, pg 6

Como primera etapa de producción, el platino dopado es depositado como vapor en un ambiente al
vacío en un substrato Al203. El próximo paso es la transferencia foto-litográfica de la estructura de
meandro sobre el substrato de platino, bajo condiciones de atmósfera limpias (hasta clase 1000).
Luego de quitar el exceso de platino, el sensor así obtenido es encapsulado para obtener distintas
versiones (baja, media y alta temperatura).

El RTD de película delgada ofrece una reducción en el tiempo de ensamble y posee mayor
resistencia para un tamaño dado. Debido a la tecnología de fabricación, el dispositivo en sí es
pequeño, lo que significa que puede responder rapidamente a los cambios bruscos de temperatura.
Además, se reduce la captación de ruido por campos magnéticos variables, problema que poseen
los de tipo bobinado, al ser un lazo magnético inherente.
Los RTD de éste tipo son menos estables (existen dR debidos no sólo a la temperatura, sino también
a la dilatación y al esfuerzo) que sus contrapartes hechos a mano, pero al ser mucho más simples
de fabricar a gran escala, esto atraerá el interés de fabricarlos más estables.

Fig 4: RTD de película delgada.

Fig 5: Sonda RTD típica.

Variación de resistencia con la temperatura.

Para un material dado, la resistencia a cualquier temperatura puede obtenerse al aproximar la curva
del material con un polinomio de grado n (criterio de los mínimos cuadrados), de la forma:

     
2 n
R R R 5) donde T = b b ...b 6)
T = b0b1 b2 ...bn ref 0 1 n
R ref R ref R ref
 Termoresistencias, pg 7

O también puede escribirse la resistencia en función del incremento de la temperatura como:

R = R ref  1 1  T 2  T ... n  T 

2 n
donde  T = T−T ref

Aproximación lineal de la variación de resistencia con la temperatura.

Algunos materiales tienen una relación R-T aproximadamente lineal en un rango de temperaturas
T1 < T < T2. Esta función lineal tomaría la forma:

R = R ref [ 1  T−T ref  ] 7)

La temperatura será:
T = T ref 
 
R
R ref
1
8)


Donde  es el coeficiente de temperatura de la resistencia promedio en el rango (T1, T2), y es la

pendiente de la curva R=f(T). Tanto la temperatura medida como la de referencia deberían estar en
el rango indicado. Para los PRTD's es el TCR nombrado anteriormente.

Caso del platino.

La función del Pt como sensor de temperatura se basa en la dependencia con la temperatura de la
resistividad del metal. La relación existente puede ser descripta por el siguiente polinomio
característico:

R T = R 0 1a Tb T 2  9)

Donde:
R(T) = Resistencia medida.
R0 = Resistencia nominal a 0°C
Las constantes están definidas por el estándar internacional (DIN EN 60751) para sensores de
platino:

1 1
a =3,9083 x10−3 −7
b = 5,775 x10
ºC ºC2

El coeficiente b es tan pequeño que para la mayoría de las aplicaciones puede considerarse una
relación lineal entre R(T) y T (expresiones 7 y 8).
Los sensores de platino con altas resistencias nominales poseen una mayor sensibilidad (dR/dT),
ya que la pendiente de la característica es directamente proporcional a R.
Dependiendo de las substancias y el proceso usado en la fabricación del sensor, pueden ocurrir
desviaciones respecto a la característica óptima. Estas desviaciones definen el rango de
temperatura de medición y la precisión de la tolerancia (clase A o B nombradas anteriormente)
para cada tipo de sensor.
 Termoresistencias, pg 8

Ejemplos de resistencias de platino disponibles en el mercado.

Heraeus C 220, resistencia de platino sensor de temperatura, película delgada.

Resistencia nominal Ro: 100 ohms a 0ºC

Rango de temperatura: DIN EN 60751 clase B -196ºC a +150ºC
Coeficiente de temperatura: TCR=3850 ppm/K;
0,003850 1/ºC; 0,3850 ohms/ºC
Condiciones ambientales: Sin protección en ambientes secos
solamente
Resistencia de aislación: > 100 Mohms a 150ºC
Autocalentamiento  ja 0,4 K/mW a 0ºC (típico); 400ºC/W
Tiempo de respuesta
Corriente de agua (v=0,4 m/s) t(0,5) = 0,06 s
t(0,9) = 0,2 s
Corriente de aire (v =2 m/s) t(0,5)=3,5 s
t(0,9) = 13 s
Corriente de medición 0,3 a 1 mA
(debe considerarse el autocalentamiento)

Fig 6: Encapsulado:
 Termoresistencias, pg 9

Heraeus HL420 Pt1000

El punto de medición de la resistencia nominal está definido a 4 mm del final de cuerpo del sensor
Este modelo es recomendado para electrodomésticos (lavavajillas, lavarropas, heladeras, etc) y otros
productos de producción a gran escala.

Resistencia nominal Ro: 1000 ohms a 0ºC

Rango de temperatura DIN EN60751, clase 2B: -70ºC a +750ºC
Coeficiente de temperatura: TCR=3850 ppm/K;
0,003850 1/ºC; 3,850 ohms/ºC
Alambres conexión: PtRh
Longitud alambres de conexión 6 mm
Condiciones ambientales: Hasta 600ºC: sin protección en ambientes
Secos.
Arriba de 600ºC: atmósfera no reductora,
con requerimiento de entrada de aire
Resistencia de aislación: > 100 Mohms a 20ºC; > 2Mohms a 650ºC
Resistencia térmica 0,2 K/mW; 200ºC/W
Tiempo de respuesta
Corriente de agua (v=0,4 m/s) t(0,5) = 0,07 s
t(0,9) = 0,2 s
Corriente de aire (v =2 m/s) t(0,5) = 3,2 s
t(0,9)=11 s
Corriente de medición 0,1 a 0,5 mA
(considerar autocalentamiento)

Fig 7 Encapsulado:

Heraeus M-222
Diseñados para producción en masa, presentan la mayor variedad de Ro y rangos de temperatura.
Resistencia nominal Ro:
Rango de temperatura:
Coeficiente de temperatura:
Alambres conexión:
Estabilidad a largo plazo:
Condiciones ambientales:
Resistencia de aislación:
Resistencia térmica:
Tiempo de respuesta
Corriente de agua (v=0,4 m/s)
Corriente de aire (v =2 m/s)
Corriente de medición
Fig 8 Encapsulado:
Termoresistencias, pg 10
100, 500 o 1000 ohms a 0ºC
Clase B: -70ºC a +500ºC
Clase A: -50ºC a +300ºC
Clase 1/3 DIN: 0ºC a +150ºC
TCR=3850 ppm/K;
0,003850 1/ºC; 0,3850 ohms/ºC
Pt recubierto con Ni
0,04% desviación Ro luego de
1000 hs a 500ºC
Sin protección en ambientes secos
solamente.
>100 Mohms a 20ºC; > 2Mohms a 500ºC
0,4 K/mW a 0ºC (típico); 400ºC/W
t(0,5)=0,05 s
t(0,9)=0,15 s
t(0,5)=3 s
t(0,9)=10 s
100 ohms: 0,3 a 1 mA
500 ohms: 0,1 a 0,7 mA
1000 ohms: 0,1 a 0,3 mA
Debe considerarse autocalentamiento.
 Termoresistencias, pg 11

Comparación entre NTC, KTY, PRTD

Teniendo en cuenta los siguientes datos, puede decidirse que termoresistencia es la más adecuada
para una aplicación en particular:

NTC Termistor KTY Termopares PRTD

Óxido metálico Silicio, Titanato de Película delgada.
Bario. Sustrato Pt o cer.
Rango d e temperatura:
-100°C to 300°C -55°C a +300°C -200°C a +1800°C -196°C a 1000°C
(tipos especiales 500 °C) (dependiendo del tipo)
Característica no lineal. Características más Estandarización Características
No hay estándar. lineales que NTC en el internacional de los tipos prácticamente lineales y
mismo rango de T. de termopares. estandarizadas a DIN EN
Desviación linealidad de 60751
0.6°C (con óptima
linealización).
Rango de medición típico -40°C to +1700°C
de 200 K. Depende del 200 K; estandar: -55°C to (depende del tipo), Estándar: -70°C to +500°C
tipo. +150°C compensación por juntura Alto: -40°C to 1000°C
fría, con TF-PRTD.
Desviación Ro:
0.35% luego de 100h a 0.45% luego de 1250 h a Depende del diseño del 0.04% luego de 1000 h a
150°C 150°C termómetro. +500°C
Precisión típica: Precisión tolerancia Clase Precisión de acuerdo a
± 1% resistencia, +/-0.2°C Promedio: 2 (depende del tipo): DIN EN 60751, Clase B:
sobre rangos estrechos de ± 5% resistencia. 2.5°C o 0.0075 x I t I ± 0.21% a +100°C
temperatura. La mejor: ±0.5% Cableado compensado. ± 0.33% a +500 °C
Sensibilidad:
Alta sensibilidad, en Alta: 15 ohm/K Rangos de µV/ºK a Consistente en todo el
ciertos intervalos de T. mV/ºK, dependiendo del rango de temperatura, baja
Mayor dR/ºC que Pt RTD tipo de termopar. a media; 4 ohms/ºK para
o KTY. Pt1000
Modelos:
Encapsulados Epoxy o Vidrio, SMD y diodo Termopares aislados con Elemento básico con
vidrio, tipo diodo (DO- (DO-35). mineral, alambres alambres o cintas de
35), modelos SMD, desnudos (unión conexión. Tipos SMD,
muchas variantes. expuesta). SOT223 y TO92.

Ohms

Ro
Pt1000

ºC

Fig 9: Comparación entre sensores de temperatura.

 Termoresistencias, pg 12

Aplicaciones termoresistencias de platino: Medición de temperatura.

Aunque existe un gran número de circuitos integrados que permiten medir temperatura (por ejemplo
el LM35, LM335, etc), con buena precisión (< 1ºC), buscando linealizar la variación de tension de
una juntura PN, los rangos de temperatura medibles con ellos es bajo (0 a 70º para integrados
comerciales, -55ºC a +125º para los de tipo industrial), al estar expuesto todo el sistema (sensor,
amplificadores operacionales, referencias) a grandes fluctuaciones de temperatura.
La solución para medición de grandes rangos de temperatura es separar el sensor de los circuitos
de instrumentación espacialmente.
Pero no es tan simple, al requerir un sensor con buena linealidad en un rango de temperatura
extendido (a menor dT, cualquier sensor puede presentar mayor linealidad).
Allí entran en juego las resistencias Pt100 (platino, 100 ohms) o Pt1000 (platino, 1000 ohms).
Su rango de temperatura tipicamente va desde -200 ºC a +1000 ºC, con la ventaja de disponerse de
variedad de encapsulados, desde los totalmente cerrados para resistir corrosión hasta versiones
miniatura para circuitos impresos.
Es también favorable el hecho de que por éstas resistencias sólo circula DC y poseen alta
sensibilidad (Sr), disminuyendo la incidencia de ruido externo, en contraste con los termopares,
donde requiero medir tensiones muy bajas (del orden de microV), y me afectan otras uniones
metálicas del circuito de entrada, consideración que no existe con los PRTD's.

Medición por método de cero: puente de tres hilos.

En equilibrio,
V o = V 2−V 1 = 0 V

Y entonces:
R1 R3
=
R 1R 2 R 3R g

Si R1=R2=R, tendré: R g = R 3 10)

Fig 10: Medición de temperatura por puente.

El valor del RTD a la temperatura de calibración del puente será el valor de R3.
Se busca que R1, R2, R3 tengan coeficiente de variación de resistencia con la temperatura (Tc) nulo
a la temperatura de trabajo. Como ésto se logra en un rango estrecho de temperatura, es necesario
separar físicamente el puente del RTD. Al ser ésta separación hasta de decenas de metros, el circuito
pasa a ser:

Fig 11: Resistencia agregada por el

conexionado.
 Termoresistencias, pg 13

En equilibrio: R 'g = R 3 = 2R cR g y tendré un error fijo de temperatura.

Para cancelar el efecto de Rc en equilibrio, se usará un 3º conductor desde Rg, que permitirá el
sensado de tensión.

Is ≪IRC Al ser sensado de tensión.

R2 R cR 3
=
R 1R 2 R 3R g2R c

R 2 R gR c R 2 = R 1 R cR 3 R 1

Fig 12: Puente de medición a 3 hilos.

El error introducido por Rc sólo se cancelará si R1=R2=R (multiplicador unitario), y queda

nuevamente:
Rg = R3

Al variar Rg de su punto de calibración, la tensión de desbalance será proporcional al valor de Rg.

Errores de medición introducidos en el puente de 3 hilos.

En la Fig 9, la tensión de desbalance será:

R3 V
Vo = Vs − s 11)
R g R 3 2

Como el puente no será equilibrado manualmente, la relación entre Vo y Rg debe ser conocida:

 V
 V
 V

 R g R 3  V o 2s = V s R 3 ; R g V o 2s = R 3 2s −V o y  
Rg = R3
 V s−2 V o
V s 2 V o  12) Esta expresión no incluye la resistencia de los cables de conexión Rc.

Teniendo en cuenta la resistencia del conexionado, la tensión de desbalance será:

Vo = Vs
 R cR 3
R g R 32R c V
− s
2
 Termoresistencias, pg 14

Despejando Rg:


R g V o
Vs
2    
R 3 V o
Vs
2
2R c V o
Vs
2 
= V s R cR 3 V s


R g V o
Vs
2   
V
= R 3 s −V o −2R c V o
2

Rg = R3
  
V s−2 V o
V s2 V o
−R c
4 Vo
V s2 V o  13)

El error en Rg será pequeño si Vo es pequeño. Esto es así en los medidores de deformación o peso
(strain gauges), donde el cambio de Rg es un pequeño porcentaje del total   R /R  0  .
Pero en un RTD, la R cambia en un alto porcentaje en el rango de operación   R /R  1  Esto
incrementa el término de error debido al conexionado.

Ejemplo: Suponer un puente diseñado para Rg=100 ohms, que estará equilibrado en T=0ºC. El
RTD es un Pt100, con Sr = 0,385 ohms/ºC. Con dT=259,7ºC, Rg' = 200 ohms. El gráfico muestra la
tensión de salida en dicho caso:

V o = 2,00662 V−3 V

V o = −0,99338 V

Fig 13: Puente a 3 hilos desbalanceado.

Como en realidad se desconoce el valor de Rc, al suponer que el puente cancela su efecto, según Vo
medido, el valor de Rg será:
de 12)
R g = 100 
6 V−2 x −0,99338 
6 V−2 x0 ,99338 
= 100
7,98676
4,01324
= 100 x1 ,99 = 199,01

R g−R 'g
El error porcentual en Rg: eRg = x100 = −0,5 %
R 'g

El error absoluto de Rg: eabs = −0,99 

eabs
Y en temperatura: e T = = −2,57 ºC
Sr
 Termoresistencias, pg 15

Consecuencia: a menos que se conozca Rc o se balancee el puente, para poder utilizar la relación
más precisa entre Rg y Vo, el puente no ofrece una exactitud suficiente como para despreciar el
error de método.
Si se recuerda, al definirse los RTD de clase B, el mayor error que cometen es de ±2,3ºC, por lo
que el error del circuito de medición debería ser de unos ±0,23ºC para ser despreciado, al agregarse
luego el error de los amplificadores y sistema de presentación.
Una mejor solución la brinda el método de 4 hilos con fuente de corriente constante.

Medición de temperatura con RTD por comparación.

Método de comparación: es aquel que compara una magnitud desconocida con otra de la misma
especie conocida. El patrón y la incógnita coexisten en la medición.
Puede ser de deflexión o cero.
El método por fuentes de corriente es de deflexión, al obtener una tensión de salida proporcional a
la diferencia de resistencia entre el RTD y Ro, que bien podría actuar sobre un instrumento
calibrado en ºC.

Esquema básico de medición:

Fig 14: Esquema básico de medición por comparación.

Rref posee un valor calibrado igual al valor de Ro nominal del PRTD a la temperatura de referencia,
por ejemplo, 100 ohms a 0ºC. Ia y Ib son dos fuentes de corriente apareadas. Así, la tensión
desarrollada sobre el PRTD difiere en un dV de la de Rref dependiendo de la diferencia de
temperatura, al existir una variación de resistencia igual a:
R = Sr  T con  T = T−T 0

Un amplificador de instrumentación amplificará la diferencia de tensión generada y de su salida

podrá tomarse la tensión proporcional a la diferencia de la temperatura medida respecto a la
referencia:

V o = R Ia A v 14) con Av: ganancia de tensión del amplificador.

 Termoresistencias, pg 16

Error introducido por el conexionado del sensor.

Como las distancias entre sensor y equipo pueden ser grandes (cientos de metros), la Rc agregada
por los conductores puede ser considerable y alterar la diferencia de resistencia medida.
Además, ésta Rc también variará con la temperatura ambiente en forma menos lineal que la
variación del PRTD, siendo el error agregado variable en forma poco predecible.
A continuación, se da una tabla con los valores de resistencia por unidad de longitud de distintas
medidas de alambres:

AWG ohms/m a 25ºC La resistividad del cobre es: Cu = 1,7.10−8  m

12 0,0052
14 0,0085 La del aluminio:  Al = 2,7.10−7
16 0,0135
18 0,0213 De la primera puede deducirse el diámetro de, por ejemplo,
20 0,0338 AWG22:
22 0,0531

 
24 0,0843  −8
1,7.10
26 0,1355 D = = 0,0531 = 3,19.10−4 m
28 0,2136 r 3,1415
30 0,3369
O lo que es lo mismo, 0,3 mm.

Ejemplo:

Fig 15: Conexión del RTD alejado del controlador de temperatura.

El valor de R agregado, si los alambres son de calibre AWG22:


R c = r l = 0,0531 .20 m = 1,062 
m
 Termoresistencias, pg 17

Como el resistor de referencia se encuentra cercano al circuito integrado, la Rc agregada por sus
conexiones es despreciable, y el error observado dependerá de la Rc anterior:
Si no tuviera Rc, mediría:
R  R R c
T = ,pero tengo Rc agregada, por lo que mido:  T ' = =  Tea
Sr Sr

Rc
Por comparación, el error absoluto de temperatura será: ea = 15)
Sr

Que es constante en todo el rango de temperatura, y será más importante en las temperaturas bajas
(valores relativos más próximos).
Para el ejemplo, el error absoluto de temperatura es, con Sr = 0,385 ohms/ºC (Pt100).
1,062
ea = = 2,75 ºC
0,385 /ºC

Efecto de autocalentamiento.
Es el 2º contribuyente al error del RTD. Al circular corriente por el sensor,

PRTD  = I2a R

Será la potencia disipada. Por efecto Joule, el calentamiento generado provocará una suba de la
temperatura del sensor, dependiente de la temperatura ambiente, dada por:

T R −T A
RA =
PRTD 
Que es la resistencia térmica del encapsulado de la PRTD, suministrada por el fabricante.
Al ser Tr un incremento respecto a Ta, puedo escribir:

T
RA = 2
  T = RA I2a R 16) Error absoluto por autocalentamiento.
I R
a

Ejemplo:
Suponiendo RA = 50 ºC/ W , R o = 100  , Ia = 1 mA , el incremento de temperatura
por autocalentamiento (error absoluto agregado al incremento de temperatura real) será:

ºC
 T auto = 50 1 mA 2 100 W = 5.10−3 ºC
W

Quiere decir que si requiero un error de +/- 1% (que en general es adicionado por el controlador de
temperatura), éste error será despreciable.
Notar que el error por autocalentamiento es proporcional a la Ro, por lo que tendrá más peso para
las Pt1000.
 Termoresistencias, pg 18

Cancelación del error introducido por los alambres de conexión.

Con longitudes grandes entre sensor y circuito de instrumentación, la dV sensada tiene sumados los
errores introducidos por el conductor de retorno a tierra y de Ia. Aprovechando la baja corriente de
polarización de entrada del amplificador de instrumentación (Iib << Ia), se puede hacer:

Fig 16: Medición usando 3 hilos con fuente de corriente.

Ahora, al no tener caída de tensión en Rc(i), estoy restando directamente a la tensión del nodo A la
tensión sobre el resistor de referencia. Pero Va posee sumada la tensión de error debida al conductor
de tierra, por lo que sólo reduje el error a la mitad.
La eliminación completa del error absoluto se logra si el terminal (-) de Rref se encuentre al
mismo potencial que el punto B, midiendo entonces la diferencia de tensiones real entre Rref y el
PRTD (por lo tanto el dR real).

Teniendo en cuenta que con un AO como seguidor de tensión:

Fig 17: Seguidor de tensión DC.

La tensión presente a su entrada es reflejada a su salida (con sólo un pequeño offset agregado, que
puede eliminarse por compensación), podría modificar el circuito anterior para copiar la VB al
terminal negativo de Rref:
 Termoresistencias, pg 19

Fig 18: Medición por comparación a cuatro conductores o hilos.

1, 2, 3, 4 son los cuatro terminales de conexión del PRTD. Resultó en un método de medición por
comparación a cuatro hilos.
Estos esquemas pueden obtenerse en espacios reducidos utilizando ICs monolíticos dedicados,
como el ADT70 de Analog Devices.

ADT70
Circuito acondicionador PRTD (Dispositivos de Temperatura/Resistencia de Platino) y controlador
de temperatura.

Descripción general / funcional.

Diseñado para Pt1000, adaptable a Pt100. Usando un PRTD de película delgada de bajo costo, el
rango de medición será de -50 a +500ºC.
En el rango de -200 a 1000ºC, el circuito introduce un error de +/- 1% al transductor.
Consiste de dos fuentes de corriente iguales de 1mA (nominal), ajustables, para excitar el
transductor (PRTD) y el resistor de referencia, un AO riel a riel de instrumentación y una referencia
de 2,5V.
 Termoresistencias, pg 20

El AO de instrumentación comparará la caída de tensión en el PRTD y en el resistor de referencia,

generando una tensión de salida proporcional a la variación de resistencia (1.3 mV/ohm con
RL=1kohm), que a su vez depende de la temperatura.
La ganancia se controla a través de un resistor externo conectado al AO.
El segundo AO disponible puede usarse para escalar la referencia de tensión interna, proveer una
señal de sobretemperatura, generar una señal de accionamiento de calentador o otra función de
acondicionamiento externo.

Implementación del circuito de medición usando el IC ADT70

Usando la referencia de tensión de 2,5V para alimentar las fuentes de corriente apareadas Ia e Ib, y
el AO de uso general como el seguidor de tensión, el circuito de aplicación quedaría:

Fig 19: Medición a cuatro hilos usando el IC ADT70.

Rref y Rg deben ser de alta precisión (0,1% si es posible).

Ajuste de la tensión de salida en función de dR.

Para el circuito anterior, con el terminal BIAS conectado directamente a REFout, Rg=49,9K y un
PRTD de 1K, la salida del amplificador de instrumentación tendrá una función de transferencia:
V out = 1,299 mV / x R

Si el TCR = 0,00385 1/ºC, la Sr=3,85 ohms/ºC, y el factor de escala de la tensión de salida será
5 mV/ºC.
La ganancia del AO de instrumentación normalmente se establece a 1,3, con Rg=49,9K entre los
 Termoresistencias, pg 21

terminales Rga y Rgb. Pueden obtenerse otros valores del factor de escala usando:

Av amp. inst = 1,30

 49,9 k 
Rg 
Medición de temperaturas por debajo de 0ºC y ajuste de offset de salida.
El circuito anterior no puede medir temperaturas por debajo de 0ºC, al no poder el AO de
instrumentación excursionar por debajo de 0V. De acuerdo a la tensión de salida máxima negativa
esperada según la expresión de Vout, se elige una -Vs de por lo menos 1V por debajo, para
mantener al amplificador en zona lineal.
Si se requiere una Vout > 0V cuando T=0ºC (R(prtd) = 1K), puede usarse el pin GND SENSE para
sumar la tensión necesaria (o restar).
El circuito completo quedaría:

Fig 20: Medición de temperaturas por encima y por debajo de 0ºC, usando el IC ADT70.
 Termoresistencias, pg 22

Índice temático.

2.¿Qué es un RTD? Materiales usados en RTDs

3.Identificación y precisión de los RTDs.
4.Sensibilidad del RTD. Coeficiente de temperatura de la resistencia.

5.Formas constructivas de los RTD.

6.Variación de resistencia con la temperatura. Aproximación lineal.
7.Caso del platino, función R-T.
8.PRTDs disponibles en el mercado. Heraeus C220
9.Heraeus HL420
10.Heraeus M222
11.Comparación entre NTC, KTY y PRTD.

12.Aplicaciones PRTDs: Medición de temperatura por método de cero.

13.Medición con puente de 3 hilos. Errores introducidos en la medición.
14.Ejemplo de error cometido.

15.Medición de temperatura por comparación. Esquema básico.

16.Error introducido por el conexionado del sensor.
17.Efecto de autocalentamiento.
18.Cancelación del error introducido por los alambres de conexión.
19.Circuito típico de medición a 4 hilos.

20.Implementación del circuito a 4 hilos usando el IC ADT70.

21.Medición de temperatura por debajo de 0ºC con el IC ADT70.

22.Indice temático
23.Referencias del documento.
 Termoresistencias, pg 23

Referencias de éste documento:

http://www.amplifier.cd/Technische_Berichte/Pt100

Analog devices AD70:

http://www.datasheetarchive.com

PRTDs:
http://www.heraeus-sensor-nite.de/indexE.html
http://temperature-measurement.globalspec.com/Industrial-Directory/RTD_element
http://www.omega.com/temperature/Z/TheRTD.html
http://www.efunda.com/designstandards/sensors/rtd/rtd_theory.cfm

Documento hecho con:

Open Office.org v1.1.4 (www.openoffice.org).
Xcircuit v1.6 (www.ibiblio.org/pub/linux)
GIMP v1.2.5 (www.gimp.org)