Anda di halaman 1dari 16

225

BAB VIII
TRANSISTOR DWIKUTUB

8.1 Pendahuluan
Sebuah transistor silikon npn dan pnp planar dilukiskan skematis dalam
Gambar 8.1(a). Untuk penyederhanaan kita mempelajari model satu dimensi ideal
dari transistor planar sebagai dua dioda sambungan pn yang saling membelakangi
(Gambar 8.1b), saling berdekatan dalam kristal semikonduktor yang sama. Devais
disebut dwikutub karena operasinya melibatkan kedua tipe pembawa muatan
bergerak, yaitu elektron dan hole.

(a)

(b)
Gambar 8.1 Transistor sambungan dwikutub

8.2 Struktur dan Prinsip Kerja Transistor


8.2.1 Struktur devais
Kita akan berkonsentrasi pada kondisi bias normal yang menghasilkan
kerja transistor yakni basis-emitor diberi bias maju, basis-kolektor diberi bias
balik.Dalam status ini arus yang mengalir antara emitor dan kolektor
dikendalikan oleh arus yang jauh lebih kecil yang mengalir pada kontak basis. Ini
adalah dasar dari kebanyakan aplikasi rangkaian umum.
Struktur transistor npn dwikutub ditunjukkan dalam Gambar 8.2 (a).
226

(a)

(b)

Gambar 8.2 (a) Struktur dan perjanjian tanda transistor sambungan npn
dwikutub, (b) Aliran elektron dan hole pada bias aktif VBE > 0 and VBC = 0.

Karena devais terdiri dari dua dioda yang saling membelakangi, terdapat
daerah deplesi diantara daerah kuasi-netral. Lebar daerah kuasi-netral dalam
emitor, basis dan kolektor masing-masing ditandai dengan simbol wE', wB' dan wC'.
Berdasarkan Gambar 8.2 (a) lebar masing-masing
w' E  w E  x n , BE (8.1)
w' B  wB  x p ,BE  x p , BC (8.2)
w'C  wC  xn ,BC (8.3)
dimana lebar daerah deplesi diberikan oleh

2 s (Vb ,BE  VBE ) N B  1 


xn ,BE    (8.4)
q N E  N B  N E 

2 s (Vb , BE  VBE ) N E  1 
x p , BE    (8.5)
q NB  NB  NE 
227

2 s (Vb, BC  VBC ) N C  1 
x p , BC    (8.6)
q NB  N B  NC 

2 s (Vb, BC  VBC ) N B  1 
xn, BC    (8.7)
q NC  N B  NC 
dengan tegangan built-in
NE NB
Vb, BE  Vt ln 2 (8.8)
ni
NC N B
Vb, BC  Vt ln 2 (8.9)
ni

8.2.2 Prinsip operasi


Pada mode operasi bias maju aktif dan untuk penyederhanaan kita atur VCE
= 0. Diagram pita energi yang berkaitan dengan Gambar 8.2 (b) ditunjukkan
dalam Gambar 8.3 elektron berdifusi dari emitor masuk kedalam basis dan hole
berdifusi dari basis masuk kedalam emitor (ingat: emitor tipe-n dan basis tipe-p).
Terdapat arus difusi elektron dan arus difusi hole Juga dua arus lagi, arus
rekombinasi basis yang ditunjukkan dalam Gambar 8.3 dengan panah vertikal,
dan arus rekombinasi lapisan deplesi basis-emitor, Ir,d, (tidak ditunjukkan).

Gambar 8.3 Diagram pita energi transistor dwikutub


diberi bias dalam mode aktif maju

8.2.2.1 Aliran elektron dan hole


228

Gambar 8.2 (b) mendefinisikan aliran elektron dan hole pada bias aktif VBE
> 0 and VBC = 0. Kita ambil muatan positif mengalir masuk kedalam devais
sebagai arus positif. Aliran elektron dilukiskan sebagai panah berwarna merah dan
hole dilukiskan sebagai panah berwarna biru. Penjabaran aliran arus :
1. IE,n : arus difusi elektron dari emitor ke basis.
2. IE,p : arus difusi hole dari basis ke emitor.
3. Ir,d : arus rekombinasi lapisan deplesi basis-emitor.
4. Ir,B : arus rekombinasi basis.

8.2.2.2 Parameter dalam transistor dwikutub


Hukum arus Kirchoff : arus yang mengalir kedalam nodal (atau daerah)
jumlahnya harus nol.
I E  IC  I B (8.10)
Arus emitor total adalah jumlah arus difusi elektron, IE,n, arus difusi hole IE,p, dan
arus rekombinasi lapisan deplesi basis-emitor, Ir,d.
I E  I E,n  I E, p  I r ,d (8.11)
Arus kolektor total adalah arus difusi elektron, IE,n, dikurangi arus rekombinasi
basis, Ir,B.
IC  I E ,n  I r , B (8.12)
Arus basis adalah jumlah arus difusi hole, IE,p, arus rekombinasi basis, Ir,B dan arus
rekombinasi lapisan deplesi basis-emitor, Ir,d.
I B  I E, p  I r, B  I r ,d (8.13)
Faktor transport, , didefinisikan sebagai perbandingan arus kolektor dan emitor:
IC
 (8.14)
IE

Kita peroleh bahwa arus basis sama dengan selisih antara arus emitor dan
kolektor. Bati arus (current gain), , didefinisikan sebagai perbandingan arus
kolektor dan basis, dan sama dengan:
IC 
  (8.15)
IB 1
229

Ini adalah penjelasan bagaimana transistor dwikutub dapat memberikan penguatan


arus. Jika I C  I E , maka faktor transport,   1 Bati arus,   1 .

8.2.2.3 Parameter dalam rangkaian transistor dwikutub


Untuk memudahkan analisis selanjutnya, sekarang kita tuliskan lagi faktor
transport, , sebagai perkalian dari efisiensi emitor, E, faktor transport basis, T,
dan faktor rekombinasi lapisan deplesi, r.
  T  E r (8.16)
Efisiensi emitor, E, didefinisikan sebagai perbandingan arus elektron dalam
emitor, IE,n, terhadap jumlah arus elektron dan hole yang berdifusi melintasi
sambungan basis-emitor, IE,n + IE,p.
I E ,n
E  (8.17)
I E ,n  I E , p

Faktor transport basis, T, sama dengan perbandingan arus elektron yang
diinjeksikan kedalam kolektor, terhadap arus elektron yang diinjeksikan kedalam
basis.
I E ,n  I r , B
T  (8.18)
I E ,n

Faktor rekombinasi lapisan deplesi, r, sama dengan perbandingan arus difusi
elektron dan hole yang melintasi sambungan basis-emitor terhadap arus emitor
total.
I E  I r ,d
r  (8.19)
IE

Contoh : Sebuah transistor dwikutub IE = 10 mA mempunyai E = 0.99, T =


0.995 dan r = 0.998. Hitunglah IB , IC ,  dan  dari transistor.
Penyelesaian:
Faktor transport

dan bati arus


230

maka arus kolektor sama dengan


I C   I E  0,983  10  9,83 mA

dan arus basis didapat melalui


I B  I E  I C  0,17 mA

8.3 Model Transistor Ideal


Model transistor ideal didasarkan pada:
- model dioda p-n ideal, parameter DC orde satu.
- digunakan pernyataan dioda "pendek", kita mengasumsikan bahwa semua
daerah kuasi-netral dalam devais jauh lebih kecil daripada panjang difusi
pembawa minoritas dalam daerah itu Arus rekombinasi dalam daerah deplesi
tidak dimasukkan dalam perhitungan.

Arus emitor yang disebabkan oleh elektron dan hole didapat dengan
menggunakan pernyataan dioda "pendek" diperoleh:
 Dn , B  V 
I E ,n  qni2 AE  '
 exp( BE )  1 (8.20)
 N B wB  VT 
dan

 D p,E  V 
I E , p  qni2 AE  '
 exp( BE )  1 (8.20)
 N E wE  VT 

Arus emitor yang disebabkan elektron IE,n sebagai fungsi muatan ekses total dalam
basis, Qn,B, dihitung dari
wB  x p , C

Qn , B  qAE n
xp,E
p ( x )  n p 0 dx (8.21)

untuk dioda pendek menjadi


ni2  V  w'
Qn , B  qAE  exp( BE )  1 B (8.22)
NB  VT  2
arus emitor karena elektron disederhanakan:
Qn , B
I E ,n  (8.23)
tr
231

dimana tr adalah waktu transit


waktu transit dinyatakan sebagai fungsi lebar lapisan kuasi-netral, wB', dan
konstanta difusi elektron dalam basis, Dn,B
2
w'
tr  B (8.24)
2 Dn , B

Kita perhatikan arus rekombinasi dalam daerah kuasi-netral basis dan


mengasumsikan kondisi mantap (steady state):
wB  x p , BC
n p ( x)  n p 0
I r , B  qAE 
x p , BE
n
 n p 0 dx (8.25)

yang dapat ditulis sebagai fungsi muatan pembawa minoritas ekses Qn,B
Qn , B
I r ,B  (8.26)
tn

Selanjutnya kita butuhkan efisiensi emitor dan faktor transport basis. Efisiensi
emitor menjadi
1
E  D p ,E N B wB' (8.27)
1 Dn ,B N E wE'

Akhirnya bati arus


Dn , B N E wE'
  D p , E N B wB'
, jika    E

(8.28)
Dari sini bati arus dapat lebih besar daripada satu jika dopan emitor lebih besar
daripada dopan basis. Nilai khas bati arus untuk transistor bipolar silikon adalah
50 – 150.
Faktor transport basis untuk "dioda pendek"
2
tr wB'
T  1   1 (8.29)
n 2 Dn , B n

Faktor transport basis dapat juga dinyatakan sebagai fungsi panjang difusi dalam
basis:
1 w'
T  1  ( B )2 (8.30)
2 Ln
232

Contoh: Sebuah transistor dwikutub pnp dengan dopan emitor 1018 cm-3 dan dopan
basis1017 cm-3. Lebar daerah kuasi-netral dalam emitor 2 m dan 0,2 m dalam
basis. Gunakan n = 1000 cm2/V-s dan p = 300 cm2/V-s . Umurhidup pembawa
minoritas dalam basis 10 ns. Hitunglah efisiensi emitor, faktor transport basis, dan
bati arus transistor yang diberi bias dalam mode aktif maju. Asumsikan tidak ada
rekombinasi dalam daerah deplesi.

Penyelesaian :
1
Efisiensi emitor E  D p ,E N B wB' =0, 994
1 Dn ,B N E wE'

2
wB'
Faktor transport basis  T  1  = 0,9992
2 Dn , B n
Maka bati arus menjadi:

   147,5
1
Faktor transport
   E  T = 0,994 x 0,9992 = 0,993

8.4 Mode-mode Bias Umum

Gambar 8.5 Mode operasi pada transistor sambungan dwikutub

Pada mode operasi bias maju, VBE > 0 dan VBC < 0, yakni transistor sebagai
penguat, telah kita bahas. Dalam rangkaian logika transitor dwikutub, sering kita
233

menukar transistor dari keadaan “mati” menjadi keadaan “hidup” resistansi


rendah. Keadaan “mati” adalah mode cut-off dan keadaan “hidup” adalah mode
jenuh. Dalam mode cut-off, kedua sambungan diberi bias balik, VBE < 0 dan VBC <
0, sehingga arus yang mengalir dalam devais sangat kecil. Ini berkenaan dengan
devais keadaan “mati”. Dalam mode jenuh, kedua sambungan diberi bias maju,
VBE > 0 dan VCB > 0. Ini berkenaan dengan transistor dalam keadaan “hidup”
resistansi rendah.
Dalam mode operasi aktif balik, kita membalik fungsi emitor dan kolektor.
Sambungan basis-emitor diberi bias balik dan bias maju sambungan basis-
kolektor, atau VBE < 0 and VBC > 0. Efisiensi emitor dan faktor transport basis
seperti mode maju aktif, kita menukar parameter emitor dengan parameter
kolektor. Dalam bias balik aktif, efisiensi emitor kecil sekali, karena kerapatan
dopan kolektor jauh lebih kecil daripada kerapatan dopan basis. Lagi pula luasan
kolektor-basis lebih besar dari luasan emitor-basis.

8.5 Keadaan Jenuh


Transistor dwikutub dalam keadaan “hidup” resistansi rendah, Nilai khas
tegangan keadaan “hidup” dari transistor sambungan dwikutub adalah 100 mV
dan tegangan bias maju adalah 700 mV.
Tegangan jenuh

 1  IIC (1   R ) 
VCE ,sat  Vt ln  B IC (1 
 
(8.37)
 R 1  I B  F F 

Contoh: Hitunglah tegangan jenuh sebuah transistor dwikutub yang dibias dengan
arus basis 1 mA dan arus kolektor 10 mA. Gunakan R = 0.993 dan F = 0.2.
Penyelesaian:
Tegangan jenuh sama dengan:
234

8.6 Efek-efek Tidak Ideal


Efek tidak ideal meliputi efek modulasi lebar basis dan arus yang
disebabkan rekombinasi dalam lapisan deplesi. Juga dijabarkan efek injeksi
tingkat tinggi, resistansi sebaran basis (base spreading resistance) dan kesesakan
arus emitor (emitter current crowding). Kita akhiri subbab ini dengan
kebergantungan mekanisme dadal (breakdown) transistor sambungan dwikutub.
8.6.1 Modulasi Lebar Basis
Variasi tegangan basis-kolektor menghasilkan variasi lebar kuasi-netral
dalam basis. Gradien kerapatan pembawa minoritas dalam basis berubah,
menghasilkan kenaikan arus kolektor karena kenaikan arus kolektor-basis. Efek
ini disebut efek Early.
Tegangan Early, VA, diperoleh dengan menggambarkan garis tangensial
pada karakteristik I-V transistor pada titik yang dikehendaki. Tegangan Early sama
dengan jarak mendatar antara titik yang dipilih pada karakteristik I-V dan
perpotongan antara garis singgung dan sumbu mendatar. Ini ditandai pada gambar
dengan panah mendatar.

Gambar 8.8 Kenaikan arus kolektor sebagai fungsi kenaikan tegangan kolektor-
emitor disebabkan Efek Early.
235

Tegangan Early sama dengan


Q p,B qN B w' B
VA  
C j , BC s (8.40)
x p , BC  x n , BC

Tegangan Early dapat juga dikaitkan dengan konduktansi keluaran, ro, yang sama
dengan:
dVCE VA
ro   (8.41)
dI C IC

Variasi tegangan basis-emitor, yang mengubah faktor idealitas arus kolektor.


Variasi faktor idealitas, n, diberikan oleh:
1 V V C j , BE
n  1  t C j , BE  1  t
d ln I C Q p,B V A C j , BC (8.42)
Vt
dVBE
Sehingga arus kolektor berbentuk berikut:

 V 
I C  I C , s exp( BE )  1 (8.43)
 nVt 

dimana IC,s adalah arus jenuh kolektor.

Contoh: Terdapat transistor dwikutub dengan dopan basis 1017 cm-3 dan lebar basis
kuasi-netral 0.3 m. Hitunglah tegangan Early dan faktor idealitas arus kolektor,
diberikan bahwa kapasitansi basis-emitor dan kapasitansi basis-kolektor masing-
masing 0.3 nF dan 0.3 pF. Luasan kolektor sama dengan 10-4 cm-2.

Penyelesaian:
Tegangan Early sama dengan:

QB qAC N B w' B
VA    160 V
C j , BC C j , BC

Tegangan jenuh sama dengan:


Vt
n  1 C j , BE  1,16
Q
B
236

8.6.2 Efek Injeksi Tingkat Tinggi


Onset injeksi tinggi dikehendaki jika arus kolektor nilainya :
Dn , B N B
I C ,h i  q (8.44)
w' B

dimana IC, h-i arus kolektor injeksi tingkat tinggi. Atau untuk :
NB
V BE  2Vt ln (8.45)
ni

Seperti pada dioda p-n, injeksi tinggi mengubah faktor idealitas arus
kolektor, menjadi mendekati sama dengan 2.
Efek murni adalah bahwa bati arus menurun dengan kenaikan bias, atau:
V BE
   o exp( ) (8.47)
2Vt

8.7 Resistansi Sebaran Basis dan Keberdesakan Arus Emitor


Transistor dwikutub dengan luasan besar dapat mempunyai distribusi arus
sangat tidak seragam karena resistansi lapisan basis. Efek ini minimal di pusat
dioda emitor-basis dan naik tajam terhadap tepi. Dalam kasus ekstrim, efek ini
mengakibatkan arus emitor timbul hanya pada paling tepi dioda emitor-basis.
Parameter yang terlibat meliputi resistansi lembaran lapisan basis, kerapatan arus
emitor dan bati arus dalam devais.
Panjang karakteristik, spreading, diperoleh dari
r Area Vt 
 spreading   (8.48)
Rs , B J E Rs , B

dimana r adalah resistansi basis sinyal kecil, Rs,B adalah resistansi lembaran basis
dan JE adalah kerapatan arus emitor.
Analisis ini hanya cocok jika kerapatan arus emitor mendekati seragam.
Kerapatan arus emitor dalam transistor sambungan dwikutub dapat dianggap
seragam hanya jika :
Ws , E  2 spreading (8.49)
Harga ini berkaitan resistansi basis untuk distribusi arus emitor seragam sama
dengan:
237

1 Ws , E
RB  Rs (8.50)
3 Ls , E

untuk kontak basis satu sisi, dan:


1 Ws , E
RB  Rs (8.51)
12 Ls , E

untuk kontak basis dua sisi.

8.8 Efek Waktu transit basis dan kolektor


Waktu transit elektron yang berdifusi melalui daerah kuasi-netral basis
telah diperkenalkan dalam subbab 8.3 dan diberikan oleh:
2
w'
tr  B (8.24)
2 Dn , B

Waktu transit berhubungan dengan waktu rata-rata yang dibutuhkan pembawa


minoritas untuk melintasi daerah kuasi-netral dalam basis. Juga perlu dicatat
bahwa waktu transit adalah sama seperti waktu drift pembawa mayoritas
menyeberangi daerah sama lebar jika tegangan yang diberikan sama dengan dua
kali tegangan termal.

8.8.1 Waktu transit kolektor melintasi daerah deplesi basis-kolektor


Waktu transit untuk sebuah elektron tunggal yang melintasi daerah deplesi
kemudian menjadi:
x d , BC
tC  (8.56)
v sat

Jika kecepatan konstan diseluruh daerah deplesi, waktu tunda rata-rata adalah
setengah dari waktu transit melalui daerah deplesi, atau:
tC x d , BC
C   (8.57)
2 2v sat

8.8.2 Waktu Transit karena Medan Built-in


Waktu transport basis termodifikasi:
238

2
wB'
B 
   (8.59)
2 1  ( bi ) 3 / 2  Dn , B
 o 
dimana :
2Vt
o  (8.60)
w' B

Medan built-in sebaliknya dihitung dari kerapatan dopan sebagai:


N B ,max N B , max
Vt ln ln
N B ,min atau  bi N B ,min (8.61)
 bi  
w' B o 2

Misalnya dengan menurunkan bertahap dopan basis dari 1018 cm-3 menjadi
1017 cm-3, /
bi 0 = 1.15 sehingga waktu transit basis menurun sebesar 55 %.

8.8.3 Waktu Transit basis dibawah injeksi tinggi


Injeksi tinggi terjadi saat kerapatan pembawa minoritas dalam basis sama
dengan atau lebih besar daripada kerapatan dopan basis. Waktu transport basis
2
w' B
B  (8.62)
4 Dn , B

Efek ini disebut efek Webster.

Soal Latihan
1. Jelaskan gerakan elektron dan hole dalam transistor dwikutub npn yang diberi
bias mode aktif maju dengan VBC = 0.
2. Apakah definisi efisiensi emitor? Jelaskan dan berikan rumusnya.
3. Apakah definisi faktor transport basis? Jelaskan dan berikan rumusnya.
4. Jelaskan hubungan antara bati arus dan faktor transport.
5. Bagaimana rekombinasi dalam daerah basis kuasi-netral mempengaruhi arus
emitor, basis dan kolektor?
6. Bagaimana rekombinasi dalam daerah deplesi basis-emitor mempengaruhi
arus emitor, basis dan kolektor?
239

7. Berilah penjelasan mengapa sebuah transistor dapat mempunyai bati arus lebih
besar daripada lainnya dalam mode emitor komon. Berikan kondisi perlu dan
cukup yang dibutuhkan untuk mencapai bati arus yang lebih besar.
8. Apakah efek Early itu dan bagaimana pengaruhnya terhadap karakteristik
transistor?
9. Sebuah transistor pnp silikon dengan nilai NE = 1018 cm-3, NB = 1017 cm-3 and
NC = 1016 cm-3, wE = 1 m, wB = 0.5 m, wC = 4 m, VBE = 0,6 V dan VCB = 0
V. Gunakan n = 1000 cm2/V-s, p = 300 cm2/V-s dan n = p = 100 ns.
a. Hitunglah lebar daerah kuasi-netral dalam emitor, basis dan kolektor.
b. Hitunglah panjang difusi pembawa-minoritas dalam emitor, basis dan
kolektor. Hitunglah perbandingan panjang difusi pembawa-minoritas dan
lebar daerah kuasi netral dalam tiap daerah.
c. Hitunglah efisiensi emitor dan faktor transport basis.
d. Hitunglah faktor transport dan bati arus dengan anggapan tidak ada
rekombinasi dalam daerah deplesi.
10. Sebuah transistor dwikutub pnp silikon karakteristik seperti soal nomor 11,
dengan AE = 10-4 cm2.
a. Hitunglah kerapatan muatan pembawa-minoritas-ekses per satuan luas
dalam emitor, basis dan kolektor.
b. Hitunglah arus emitor (abaikan rekombinasi dalam daerah deplesi).
c. Hitunglah waktu transit dan arus basis karena rekombinasi elektron dalam
basis.
d. Hitunglah kapasitansi kolektor, kerapatan muatan pembawa-mayoritas
dalam basis dan tegangan Early.
11. Diberikan transistor dwikutub npn dengan wE = 1 m, wB = 1 m,wC = 6 m,
NE = 1018 cm-3, NB = 1016 cm-3, NC = 1015 cm-3, VBE = 0,6 V.
a. Hitunglah tegangan antara kolektor dan emitor untuk daerah kuasi-
netral dalam basis sama dengan nol.
b. Berapa tegangan Early transistor ini pada bias tegangan, VCE =20 V
?
12. Terdapat transistor pnp dengan emitor dan basis "pendek".
240

a. Turunkan pernyataan umum untuk IE, IC , IB untuk kondisi injeksi rendah.


Abaikan rekombinasi dalam daerah deplesi.
b. Tandai parameter R, F, IES dan ICS model Ebers-Moll dan carilah apakah
teorema imbal-balik cocok untuk kondisi tersebut.
c. Buatlah Plot Gummel (IC dan IB terhadap VBE pada kertas semi-logaritma)
untuk NE = 1019 cm-3, NB = 1017 cm-3, NC = 1016 cm-3 dan wE = 0,3m, wB =
0,2 m, wC = 1 m. AE = 10-6 cm-2 dan VCE = –2V. Petunjuk: ingatlah
bahwa daerah kuasi-netral bergantung pada tegangan yang digunakan.
13. Sebuah transistor npn mempunyai bati arus 100 ketika dioperasikan dalam
mode operasi aktif maju dengan VBE = 0,6 V dan VBC = 0 V. Parameter
transistor adalah NE = 1018 cm-3, NB = 1016 cm-3, NC = 1015 cm-3, wE = 1 m, n
= 1000 cm2/V-s, p = 300 cm2/V-s. Anggap tidak ada rekombinasi dalam
transistor kecuali pada kontak (ni = 1010 cm-3, s/0 = 11,9). Hitunglah lebar
kuasi-netral dalam basis, wB'.
14. Sebuah transistor npn silikon dengan NE = 1018 cm-3, NB = 1017 cm-3 dan NC =
1016 cm-3, mempunyai lebar daerah kuasi-netral 1 m untuk VCB = 0 V dan arus
kolektor 1 mA.
a. Berapakah tegangan yang harus diberikan antara kolektor dan emitor
(sedangkan VEB dijaga konstan) untuk menggandakan arus kolektor (IC = 2
mA). Abaikan rekombinasi dalam daerah basis. (Efek ini disebut juga
sebagai penyepitan basis).
b. Hitunglah tegangan basis-emitornya dan lebar daerah basis dengan
menggunakan n = 1000 cm2/V-s, p = 300 cm2/V-s dan luas penampang
emitor 10-4 cm2.

==============