Dispositivos de Electrónica Potencial

Dispositivos de Electrónica de Potencia

Introducción:

Dentro de los dispositivos electrónicos de potencia, podemos citar: los diodos y transistores de
potencia, el tiristor, así como otros derivados de éstos, tales como los triac, diac, conmutador
unilateral o SUS, transistor uniunión o UJT, el transistor uniunión programable o PUT y el diodo
Shockley.

Existen tiristores de características especiales como los fototiristores, los tiristores de doble
puerta y el tiristor bloqueable por puerta (GTO).

Lo más importante a considerar de estos dispositivos, es la curva característica que nos

relaciona la intensidad que los atraviesa con la caída de tensión entre los electrodos principales.

El componente básico del circuito de potencia debe cumplir los siguientes requisitos :

 Tener dos estados claramente definidos, uno de alta impedancia (bloqueo) y otro de baja
impedancia (conducción).

 Poder controlar el paso de un estado a otro con facilidad y pequeña potencia.

 Ser capaces de soportar grandes intensidades y altas tensiones cuando está en estado de bloqueo,
con pequeñas caídas de tensión entre sus electrodos, cuando está en estado de conducción. Ambas
condiciones lo capacitan para controlar grandes potencias.

 Rapidez de funcionamiento para pasar de un estado a otro.

El último requisito se traduce en que a mayor frecuencia de funcionamiento habrá una mayor
disipación de potencia. Por tanto, la potencia disipada depende de la frecuencia.
Aplicaciones :

 Tracción eléctrica: troceadores y convertidores.

 Industria:

o Control de motores asíncronos.

o Inversores.

o Caldeo inductivo.

o Rectificadores.

o Etc.

A continuación se describen los principales dispositivos de Electrónica de Potencia:

Triac:

El Triac puede ser considerado como la integración de 2 SCR's en forma paralela invertida.

El símbolo eléctrico del TRIAC, así como sus características de Voltaje corriente, se muestran
en la figura. Cuando la terminal T1 es positiva con respecto a la terminal T2, y el dispositivo es
disparado por una corriente positiva en la terminal “gate” (+ig), éste se enciende. De igual forma,
cuando la terminal T2 es positiva con respecto a la terminal T1 y el dispositivo es disparado por
una corriente negativa en la terminal “gate” , el dispositivo también se enciende.

Es un componente simétrico en cuanto a conducción y estado de bloqueo se refiere, pues la

característica en el cuadrante I de la curva UT2-T1 -T2 es igual a la del cuadrante III. Tiene unas
fugas en bloqueo y una caída de tensión en conducción prácticamente iguales a las de un tiristor
y el hecho de que entre en conducción, si se supera la tensión de ruptura en cualquier sentido,
lo hace inmune a destrucción por sobretensión.
El modo de operación del Triac, se describe a continuación:

El TRIAC puede ser disparado en cualquiera de los dos cuadrantes I y III mediante la aplicación
entre los terminales puerta y T1 de un impulso positivo o negativo. Esto le da una facilidad de
empleo grande y simplifica mucho el circuito de disparo. A continuación se verán los fenómenos
internos que tienen lugar en los cuatro modos de disparo posibles.

Modo I + : Terminal T2 positiva con respecto a T1.

Intensidad de puerta entrante.

Funcionan las capas P1N1P2N2 como tiristor con emisor en corto circuito, ya que la
metalización del terminal del cátodo cortocircuita parcialmente la capa emisora N2 con la P2.
La corriente de puerta circula internamente hasta T1, en parte por la unión P2N2 y en parte a
través de la zona P2. Se produce la natural inyección de electrones de N2 a P2 que es
favorecida en el área próxima a la puerta por la caída de tensión que produce en P2 la
circulación lateral de corriente de puerta. Parte de los electrones inyectados alcanzan por
difusión la unión P2N1, que bloquea el potencial exterior, y son acelerados por ella iniciándose
la conducción.

Modo I - : Terminal T2 positivo respecto a T1.

Intensidad de puerta saliente.

El disparo es similar al de los tiristores de puerta de unión. Inicialmente conduce la estructura

auxiliar P1N1P2N3 y luego la principal.

El disparo de la primera se produce como un tiristor normal actuado T1 de puerta y P de cátodo.

Toda la estructura auxiliar se pone a la tensión positiva de T2 y polariza fuertemente la unión
P2N2 que inyecta electrones hacia el área de potencial positivo. La unión P2N1 de la estructura
principal que soporta la tensión exterior, es invadida por electrones en la vecindad de la
estructura auxiliar, entrando en conducción.
Modo III + : Terminal T2 negativo respecto a T1.

Intensidad de puerta entrante.

El disparo tiene lugar por el procedimiento llamado de puerta remota. Entra en conducción la
estructura P2N1P1N4.
La inyección de electrones de N2 a P2 es igual a la descrita en el modo I +. Los que alcanzan
por difusión la unión P2N1 son absorbidos por su potencial de unión, haciéndose más
conductora. El potencial positivo de puerta polariza más positivamente el área de la unión P2N1
próxima a ella que la próxima a T1, provocándose una inyección de huecos desde P2 a N1 que
alcanza en parte la unión N1P1 encargada de bloquear la tensión exterior y se produce la
entrada en conducción.