Facultad de Ingenieria Electrica, Electronica y

Telecomunicaciones
APELLIDOS Y NOMBRES: N° DE MATRICULA:
 CARHUARICRA ENCISO, Luis  17190250

 USANDIVARES SOLIS, Daniel  17190095

 SANTOME GARCIA, Rodrigo  17190279

 ARENAS VARAS JAVIER  16190109

CURSO: TEMA:

DISPOSITIVOS DIODOS
ELECTRONICOS SEMICONDUCTORES

INFORME: FECHAS: NOTA:

FINAL REALIZACION: ENTREGA:

NUMERO:
11-09-18 y
03 26-09-18
18-09-18
GRUPO: PROFESOR:
NUMERO: HORARIO:
MIERCOLES
02 Ing. Luis Paretto
10am – 12pm
 [Laboratorio de Dispositivos Electrónicos] UNMSM

V. PROCEDIMIENTO.

1. Usando el ohmímetro, medir las resistencias directa e inversa del diodo.

Registrar los datos en la Tabla 1.

Tabla 1

R directa (Ω) R inversa (Ω)

553Ω >>30MΩ

2. Armar el circuito en la figura 1.

a. Ajustando el voltaje con el potenciómetro, observar y medir la

corriente y el voltaje directo del diodo, registrar sus datos en la Tabla 2.

b. Invertir el diodo verificando al mismo tiempo la polaridad de los

instrumentos, proceder como en el paso a, registrando los datos en la
Tabla3.

Tabla 2

Vcc(v.) 0.4 0.49 0.52 0.6 0.71 0.82 1.09 1.41 1.68 1.92 2.23 2.72

Id(mA.) 0.1 0.2 0.4 0.8 1.6 2.5 5.0 8.0 10.0 12.0 15.0 20.0

Vd(v.) 0.48 0.51 0.54 0.57 0.61 0.63 0.66 0.69 0.70 0.70 0.71 0.73

Tabla 3

Vcc(v.) 0.0 2.0 4.0 6.0 8.0 10.0 12.0 15.0 20.0
Vd(v.) 0.016 2.099 4.18 6.25 8.38 10.57 12.52 15.65 20.89
Id(uA.) 0 0 0 0 0 0 0 0 0

3. Usando el ohmímetro, medir las resistencias directas e inversas del diodo de

germanio. Registrar los datos en la tabla 4.

Tabla 4

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 [Laboratorio de Dispositivos Electrónicos] UNMSM

R directa (Ω) R inversa (Ω)

376 Ω 56k Ω

4. Repetir el circuito de la Figura 1 para el diodo de germanio, de manera

similar al paso 2; proceder a llenar las Tablas 5 y 6.

Tabla 5

Vcc(v.) 0.21 0.29 0.37 0.49 0.68 0.88 1.37 1.92 2.3 2.67 3.13 4.1

Id(mA.) 0.1 0.2 0.4 0.8 1.6 2.5 5.0 8.0 10.0 12.0 15.0 20.0

Vd(v.) 0.17 0.21 0.26 0.34 0.45 0.55 0.79 1.04 1.19 1.34 1.54 1.87

Tabla 6

Vcc(v.) 0.0 1.0 2.0 4.0 6.0 8.0 10.0 12.0 15.0 18.0 20.0

Vd(v.) 0.002 0.85 1.83 3.78 5.75 7.69 9.57 11.55 14.46 17.45 19.42

Id(uA.) 0 0.75 1.0 1.42 1.62 2.12 2.5 3 3.88 4.70 5.52

VI. CUESTIONARIO FINAL.

1. Construir el grafico Id = F(Vd) con los datos de las tablas 2 y 3. (Si) Calcular
la resistencia dinámica del diodo.
2. Construir el grafico Id = F(Vd) con los datos de las tablas 5 y 6. (Ge) Calcular
la resistencia dinámica del diodo.
3. Interpretar los datos obtenidos en las tablas.
En la tabla 1.
Tomamos como base la intensidad del diodo con determinado voltaje, con el
diodo de silicio que funciona como un interruptor cerrado vemos que el voltaje
del diodo cuando el voltaje varia de [24.2; 29.5] el voltaje del diodo varia de
[23.61; 27.07] por lo cual diremos que el voltaje del diodo es casi determinado
sino que su resistencia interna hace que varíe un poco el voltaje con la
intensidad dada.
En la tabla 2.
Tomamos como base el Vcc para un diodo de silicio que funciona como un
interruptor cerrado vemos que no pasa corriente y el voltaje del diodo es similar
al de la fuente.

3
 [Laboratorio de Dispositivos Electrónicos] UNMSM

En la tabla 3.
Para en Silicio:
R directa = 553 Ω es menor, Conduce
R inversa = 30M Ω es mayor, No conduce
En la tabla 4
Para el germanio
R directa = 302 Ω es menor, Conduce
R inversa = 120.3 KΩ es mayor, No conduce
En la tabla 5
Tomamos como base la variaci2n de la intensidades, variando el voltaje de la
fuente que varía de forma proporcional al el diodo.
En la tabla 6.
Tomamos como base el Vcc poniendo los mismos valores del voltaje de la
tabla 1 solo cambiamos el diodo con diferente resistencia lo conectamos de
forma conduzca corriente se ve que mientras en voltaje es mayor el voltaje del
diodo va tratando de igualarlo y la intensidad de corriente del diodo va
aumentando de forma progresiva
VII. CONCLUSIONES.
Los diodos de germanio se utilizan mejor en circuitos eléctricos de baja
potencia. Las polarizaciones de voltaje más bajas resultan en pérdidas de
potencia más pequeñas, lo que permite que el circuito sea más eficiente
eléctricamente. Los diodos de germanio también son apropiados para circuitos
de precisión, en donde las fluctuaciones de tensión deben mantenerse a un
mínimo. Sin embargo, los diodos de germanio se dañan más fácilmente que los
diodos de silicio. Los diodos de silicio son excelentes diodos de propósito
general !se pueden utilizar en casi todos los circuitos eléctricos que requieran
de un diodo. Los diodos de silicio son más duraderos que los diodos de
germanio son mucho más fáciles de obtener. Mientras que los diodos de
germanio son apropiados para circuitos de precisión, a menos que exista un
requisito específico para un diodo de germanio, por lo general es preferible
utilizar diodos de silicio cuando se fabrique un circuito
VIII. WEBGRAFIA.

 https://www.electronicafacil.net/tutoriales/Diodos-Semiconductores.php
 https://www.electronicafacil.net/tutoriales/Funcionamiento-del-diodo.php
 ediciones.ucc.edu.co/index.php/ucc/catalog/download/103/109/776-1
 https://es.slideshare.net/jordizip/1-diodos-semiconductores