Parâmetros e Polarização
Introdução teórica:
Curvas de Dreno
Como no TBJ a curva de dreno é semelhante a de corrente de coletor. Há uma região de
saturação, uma região ativa (amplificação linear).
. Curva de transcondutância
Gráfico da corrente de saída versus a tensão de entrada, Id em função de V GS. A curva de
transcondutância da figura baixo é um trecho de parábola. A sua equação é dada por:
Simbologia
MOSFET Tipo Acumulação
Para esse tipo de MOSFET não existe um canal ligando dreno e fonte, é preciso aplicar
uma tensão positiva na porta de forma a criar o canal.
Funcionamento básico
Tomando como exemplo o MOSFET canal N acima, quando polarizado a Porta com uma
tensão positiva, cria-se um campo elétrico entre G e SS, que atrai os elétrons para as
proximidades da porta, criando um canal entre Dreno e Fonte. Em função desta tensão,
podemos controlar a largura deste canal, e consequentemente a corrente que por ele
circula.
Curvas Características de Dreno e Transferência
São curvas muito semelhantes às vistas para o transistor JFET, observando que ao
contrário do JFET, é possível inverter a tensão de porta sem que apareça corrente na
entrada.
Componentes utilizados:
Resistores: (1) 470; 680; 1K; 1K5; 2K2; 4K7; 6K8; 8K2; 10K; 33K; 100K e 470K [Ω]
Capacitores: (2) 1µF
JFET: (1) BF245C
MOSFET: (1) FQP44N10
Medição de parâmetros em um JFET (Idss e VGSoff)
1- Consiste em medir Idss do JFET:
Montar o circuito da figura 1a. Medir a corrente do dreno anotando na tabela.
2- Consiste em medir VGSoff do JFET:
Aumente a tensão negativa na porta até que a corrente de dreno esteja próxima de
10µA(ajuste o multiteste para ler este valor). Anote o valor aproximado de V GSoff ou VGSdesll
na tabela 1.
tabela 1
JFET IDSS VGSoff
1
Tipos de polarização
a) Polarização da porta
Na polarização da porta é aplicado uma tensão negativa fixa no terminal G que polariza
reversamente a porta do JFET. Isto produz uma corrente Id menor do que Idss.
1-Utilizar o circuito da figura 1b acrescentando um voltímetro para VGS.
2-Ajustar VGG para -1.5V e medir VGS, ID e VDS anotando na tabela 2.
tabela 2
JFET VGS ID VD
1
b) Autopolarização
Consiste em acrescentar um resistor no terminal fonte do JFET, e assim a queda de
tensão sobre o mesmo provocará uma variação na largura do canal do JFET produzindo
um certa estabilidade do ponto Q.
1-Montar o circuito de autopolarização da figura 2.
2- Medir e anotar na tabela3: ID, VD e VS.
tabela 3
JFET ID VD VS
1
tabela 4
JFET Id Vd Vs
1
tabela 5
JFET Id Vd Vs
1
2ª Experiência: ANÁLISE DOS FET’s PARA PEQUENOS SINAIS
Introdução teoria:
Os dispositivos FET podem ser empregados para montagem de circuitos amplificadores,
proporcionando ganho de tensão com uma impedância de entrada muito alta. Tanto o
dispositivo JFET quanto o MOSFET de depleção podem ser utilizados como
amplificadores, com ganhos de tensão próximos entre si. O circuito com MOSFET de
depleção, entretanto, apresenta uma impedância de entrada muito mais alta do que o
circuito semelhante com JFET.
Enquanto o dispositivo TBJ controla uma alta corrente de saída Ic por meio de baixa
corrente de entrada IB, o dispositivo FET controla uma corrente de saída ID por meio de
baixa tensão de entrada VGS. O circuito equivalente AC do FET é basicamente mais
simples do que do TBJ onde se verifica um ganho de corrente β e para o FET uma
transcondutância gm.
Para desenvolver a análise AC de um circuito utilizando dispositivos FET, precisamos,
primeiro, obter um circuito equivalente AC para o dispositivo. O modelo do circuito a ser
utilizado é aplicável a vários tipos de dispositivos FET. A característica mais importante da
operação AC do FET é que uma tensão AC aplicada aos terminais porta-fonte do
dispositivo controla a corrente entre os terminais dreno-fonte.
Podemos considerar este controle como uma condutância (corrente dividida pela tensão)
de transferência (de um ponto do circuito para outro), ou parâmetro de transcondutância
gm normalmente definido por:
gm = _IDS . Eq.1
VGS
de polarização dc (ponto Q). Lembre que gm representa o quanto ID varia devido a uma
variação da tensão VGS – por isso ele indica a inclinação da curva. Em qualquer ponto de
polarização na região de operação, o valor obtido de g m é menor do que o valor de gmo. O
maior valor de gm é definido pela Eq.3 como sendo igual a gmo, e ocorre no ponto de
polarização VGS = 0V.
Descrição gráfica de gm: o valor de gm pode ser obtido em um ponto de polarização
particular, por meio da Eq.2 ou graficamente, pela inclinação da curva de transferência em
um ponto de polarização dc.
Fig.32 -
C1
Rig
Amplificador
Q1
Rl Fonte Comum
Vg Rg2
Rs C3
Rig
gm Vgs
Vg
Rg2
Rg1
Rgs Rd
Fig.33 – Modelo
Rl Simplificado do
Amplificador FC
Rd
30V
Rg1 1.8kohm XMM1
300kohm
Q1
BF256C
XMM4 XMM3
XMM2
Rg2
10kohm Rs
360ohm
XSC1
G
T
A B
Vdd
Rd 30V
Rg1 1.8kohm
300kohm
C1
C2 Q1 1uF
BF256C
1uF Rl
1.0kohm
Rg2
10kohm Rs
C3
Vg 360ohm
100uF
10mV 1kHz 0Deg
Ze = 300K // 10K = 9K7
Zs = RD = 1K8 gm = ID / VGS = 6,96m / 1,54 = 4,52 mS
A = -gm x Zs = 4,52m x 1K8 = 8,14
Objetivo:
1. Verificar experimentalmente o circuito de polarização por divisor de tensão e
autopolarização com JFET.
2. Verificar experimentalmente o circuito de autopolarização com JFET.
3. Medir o ganho de um amplificador fonte comum com JFET.
4.Verificar a influência do capacitor de desacoplamento de fonte no ganho de tensão.
5. Verificar a influência dos capacitores de acoplamento no ganho de tensão.
Material utilizado:
Gerador de Sinais
Osciloscópio
Pront board
Procedimento Experimental
1. Monte o circuito da figura 5 (amplificador fonte comum com polarização por divisor de
tensão) usando três valores diferentes de resistência de dreno (RD), e para cada valor
meça atensão na saída e o ganho, anotando na tabela I.
2.Alimente o circuito com +12V e para isso use a fonte positiva da fonte simétrica. Faça as
conexões conforme o layout indicado na fig.5. Selecione no gerador de funções para onda
senoidal. Use inicialmente os capacitores de acoplamento C1 e C2=10µF e RD=4k7Ω.
3. Com auxilio do osciloscópio ajuste o gerador de funções na frequência de 1kHz e a
amplitude em 0,2Vpp.
4. Desenhe a forma de onda de saída no dreno V D(pico a pico), para isso coloque a chave
de entrada em CC e Volts/div em um valor que permita ver a forma de onda. Anote o valor
de pico a pico.
5. Desenhe a forma de onda da tensão na carga de 47kΩ, anotando o seu valor de pico a
pico. Qual a diferença entre as formas de onda no dreno e na carga?
6.Repita as medidas efetuadas nos itens 4 e 5 utilizando RD=2K2Ω e RD=8K2Ω.
11.Repita o item 8
Experiência: Amplificador com MOSJFET
Objetivos
1. Verificar experimentalmente os circuitos de polarização por divisor de tensão com
MOSFET.
2. Medir o ganho de um amplificador fonte comum.
3. Verificar a influência do capacitor de desacoplamento de fonte no ganho de tensão
4. Verificar a influência dos capacitores de acoplamento no ganho de tensão
Material utilizado:
Gerador de Sinais
Osciloscópio
Pront board
Procedimento Experimental
1. Monte o circuito da fig.9 alimente o circuito com +12V, selecione no gerador de funções
para onda senoidal com uma frequência inicial de 1KHz e amplitude de 0,2 V pp. Use o
potenciômetro de 100k para buscar o melhor ponto de polarização, isto é, uma saída sem
distorção.
.
2. Desenhe a forma de onda de saída no dreno, para isso coloque a chave de entrada em
CCe Volts/Div em um valor que permita ver a forma de onda. Anote o valor de pico a pico.
Sugestão: inicialmente com a chave de entrada em GND estabeleça o zero na primeira
linha da tela do osciloscópio, na parte inferior, pois essa forma de onda tem uma
componente contínua.
3. Desenhe a forma de onda da tensão na carga de 100KΩ, anotando o seu valor e pico a
pico.
4. Com o valor medido calcule o ganho Av = Vspp/Vg
5. Coloque em paralelo com o resistor de fonte 680Ω o capacitor de desacoplamento de
10μFe repita os itens 2, 3 e 4.