Anda di halaman 1dari 17

LAPORAN LABORATORIUM

PROGRAM STUDI TEKNIK TELEKOMUNIKASI

No. Percobaan : 12

KARAKTERISTIK TRANSISTOR COMMON EMITTER

NAMA PRAKTIKAN : WIDYA INTAWANI (1317030025)

NAMA REKAN KERJA : 1. BAGASKARA JAUZA (1317030009)

2. REZA NUR HIDAYAT (1317030071)

KELAS/KELOMPOK : TT-3C/KELOMPOK 2

TANGGAL PELAKSANAAN PRAKTIKUM : 14 SEPTEMBER 2018

TANGGAL PENYERAHAN LAPORAN : 21 SEPTEMBER 2018

PROGRAM STUDI TEKNIK TELEKOMUNIKASI

JURUSAN TEKNIK ELEKTRO

POLITEKNIK NEGERI JAKARTA

25 SEPTEMBER 2018
DAFTAR ISI

DAFTAR ISI .......................................................................................................................... i

1.1 TUJUAN PERCOBAAN .......................................................................................... 1

1.2 DASAR TEORI ......................................................................................................... 1

1.3 PERALATAN DAN ALAT YANG DIPERGUNAKAN ......................................... 3

1.4 LANGKAH PERCOBAAN ...................................................................................... 4

1.5 DATA HASIL PERCOBAAN .................................................................................. 5

1.6 ANALISA DAN PEMBAHASAN ........................................................................... 6

1.7 KESIMPULAN ....................................................................................................... 10

1.8 DAFTAR PUSTAKA .............................................................................................. 12

i
1.1 TUJUAN PERCOBAAN

1. Mempelajari karakteristik input transistor dalam konfigurasi common emitter.

2. Mempelajari karakteristik output transistor dalam konfigurasi common emitter.

3. Mempelajari ciri-ciri harga dari resistansi input, resistansi output, dan penguatan

arus transistor dalam konfigurasi common emitter.

1.2 DASAR TEORI

Pada Konfigurasi Common Emitter atau ground emitter , sinyal input

diterapkan antara base dan Emitter , sedangkan output diambil dari antara Collector

dan Emitter seperti yang ditunjukkan. Jenis konfigurasi ini adalah rangkaian yang

paling umum digunakan untuk penguat berbasis transistor dan yang merupakan

metode "normal" dari koneksi transistor bipolar.

Konfigurasi penguat common emitter menghasilkan arus tertinggi dan gain

daya dari ketiga konfigurasi transistor bipolar. Hal ini terutama karena impedansi

input RENDAH karena terhubung ke PN-junction bias maju, sedangkan impedansi

output TINGGI karena diambil dari Junction PN bias balik.

Rangkaian Penguat Common Emitter

1
Dalam konfigurasi jenis ini, arus yang mengalir keluar dari transistor harus

sama dengan arus yang mengalir ke transistor karena arus Emitter diberikan

sebagai Ie = Ic + Ib . Sebagai resistansi beban ( RL ) dihubungkan secara seri dengan

Collector , gain arus dari konfigurasi transistor Common Emittercukup besar karena

rasio Ic / Ib . Transistor gain arus diberikan simbol Yunani Beta , ( β ). Karena arus

emitter untuk konfigurasi Common Emitter umum didefinisikan sebagai Ie = Ic + Ib,

rasio Ic / Ie disebut Alpha , dengan simbol Yunani α . Catatan: bahwa nilai Alpha

akan selalu kurang dari satu. Karena hubungan listrik antara ketiga arus ini, Ib , Ic

dan Ie ditentukan oleh konstruksi fisik transistor itu sendiri, setiap perubahan kecil

pada Arus Base ( Ib ), akan menghasilkan perubahan Arus Collector yang jauh lebih

besar ( Ic ) . Kemudian, perubahan kecil arus yang mengalir di dasar akan

mengendalikan arus di rangkaian emitter-collector . Biasanya, Beta memiliki nilai

antara 20 dan 200 untuk kebanyakan transistor tujuan umum. Jadi jika transistor

memiliki nilai Beta 100, maka satu elektron akan mengalir dari terminal dasar untuk

setiap 100 elektron yang mengalir di antara terminal Emitter-Collector . Dengan

menggabungkan ungkapan untuk kedua Alpha , α dan Beta , β hubungan matematis

antara parameter ini dan oleh karena itu arus gain transistor dapat diberikan sebagai:

2
Dimana: " Ic " adalah arus yang mengalir ke terminal Collector , " Ib " adalah

arus yang mengalir ke terminal dasar dan " Ie " adalah arus yang mengalir keluar dari

terminal Emitter . Kemudian untuk meringkas sedikit. Konfigurasi transistor bipolar

Common Emitter jenis ini memiliki impedansi masukan yang lebih besar, gain arus

dan daya daripada konfigurasi Common Base namun gain voltasenya jauh lebih

rendah. Konfigurasi Common Emitter adalah rangkaian penguat pembalik. Ini berarti

bahwa sinyal output yang dihasilkan adalah 180o "diluar fase" dengan input sinyal

voltase.

1.3 ALAT-ALAT YANG DIPERGUNAKAN

NO Alat-alat dan Komponen Jumlah


1 DC Power Supply 2
2 Multimeter 1
3 Resistor 10KΩ 1
4 Protoboard 1
5 Kabel-kabel penghubung Secukupnya
6 Resistor 1KΩ 1
7 Transisttor PNP BC 108 1

3
1.4 LANGKAH PERCOBAAN

KARAKTERISTIK INPUT COMMON EMITTER

1. Buatlah rangkaian seperti gambar 1 dibawah.

Gambar 1 Rangkaian Karakteristik Input Common Emitter

2. Aturlah VCC sehingga VCE = 0 V. Kemudian atur pula VBB = 0,5 V

3. Ukurlah IB dan VBE catat hasilnya pada tabel 1

4. Ubah VCE = 1 V. Kemudian ukur ulang IE dan VBE

5. Ulangi pengukuran ini untuk harga VCE dan VBB yang lain.

KARAKTERISTIK OUTPUT COMMON EMITTER

1. Buatlah rangkaian seperti gambar 2 dibawah.

Gambar 2. Karakteristik Output Common Emitter

4
2. Aturlah VCC sehingga VCE = 0 V.

3. Kemudian atur pula VBB sehingga IB = 0 uA. Ukurlah Ic dan catat hasilnya

pada tabel 2

4. Ukurlah IB dan VBE catat hasilnya pada tabel 1

5. Ubah VCE = 1 V. Kemudian ulangi langkah 3

6. Ulangi pengukuran ini untuk harga VCE dan VBB yang lain.

1.5 DATA HASIL PERCOBAAN

1.5.1 Tabel 1 Karakteristik Input Common Emitter

VEE VCE = 0 v VCE = 2 v VCE = 4 v VCE = 6 v VCE = 8 v


(V) IB VBE IB VBE IB VBE IB VBE IB VBE
(mA) (mA) (mA) (mA) (mA) (mA) (mA) (mA) (mA) (mA)
0,5 0 0,494 0 0,494 0 0,492 0 0,492 0 0,493
0,75 0,01 0,568 0,01 0,568 0,01 0,566 0,01 0,566 0,01 0,568

1,0 0,025 0,586 0,0265 0,586 0,025 0,588 0,025 0,58 0,025 0,58
2,0 0,0125 0,620 0,125 0,620 0,125 0,621 0,125 0,62 0,125 0,620

4,0 0,375 0,651 0,37 0,651 0,375 0,65 0,375 0,651 0,37 0,652

6,0 0,550 0,666 0,6 0,666 0,55 0,666 0,55 0,666 0,550 0,666

1.5.2 Tabel 2 Karakteristik Output Common Emitter

VCE IB = 0 uA IB = 10 uA IB = 20 uA IB = 30 uA IB = 40 uA
(V) IC (mA) IC (mA) IC (mA) IC (mA) IC (mA)

0 0 0,049 0,057 0,06 0,061

2 0 1,10 5,56 8,45 8,86

4 0 1,11 5,92 8,76 9,50


6 0 1,15 6,38 9,58 10,15

8 0 1,20 6,68 10,20 11,22

5
1.6 ANALISA DAN PEMBAHASAN

1. Gambarkan pada kertas grafik, kurva karakteristik input transistor konfigurasi

common emittor dari tabel 1.

Jawab:

2. Gambarkan pada kertas grafik, kurva karakteristik output transistor konfigurasi

common emittor dari tabel 2.

Jawab:

6
3. Hitunglah harga resistansi input dari data pada tabel 1.

VBE
Jawab: R i = IB
VBB VCE = 0 V VCE = 2 V VCE = 4 V VCE = 6 V VCE = 8 V
(Volt)
0,5 0,494 0,494 0,492 0,492 0,493
R𝑖 = =~Ω R𝑖 = =~Ω R𝑖 = =~Ω R𝑖 = =~Ω R𝑖 = =~Ω
0 0 0 0 0

0,75 0,568 0,568 0,568 0,568 0,568


R𝑖 = R𝑖 = = 56,8 mΩ R𝑖 = = 56,6 mΩ R𝑖 = = 56,6 mΩ R𝑖 =
0,01 0,01 0,01 0,01 0,01
= 56,8 mΩ = 56,8 mΩ

1 0,586 0,586 0,588 0,58 0,58


R𝑖 = R𝑖 = R𝑖 = R𝑖 = = 23,2 mΩ R𝑖 =
0,025 0,026 0,025 0,025 0,025
= 23,44 mΩ = 22,11 mΩ = 23,52 mΩ = 23,2 mΩ

2 0,62 0,62 0,621 0,62 0,62


R𝑖 = R𝑖 = R𝑖 = R𝑖 = R𝑖 =
0,012 0,012 0,012 0,012 0,012
= 51,67 mΩ = 51,67 mΩ = 51,75 mΩ = 51,67 mΩ = 51,67 mΩ

4 0,651 0,651 0,65 0,651 0,652


R𝑖 = R𝑖 = R𝑖 = = 1,73 mΩ R𝑖 = R𝑖 =
0,375 0,37 0,375 0,375 0,37
= 1,736 mΩ = 1,759 mΩ = 1,736 mΩ = 1,762 mΩ

6 0,666 0,666 0,666 0,666 0,666


R𝑖 = R𝑖 = = 1,11 mΩ R𝑖 = = 1,21 mΩ R𝑖 = = 1,21 mΩ R𝑖 =
0,55 0,6 0,55 0,55 0,55
= 1,21 mΩ = 1,21 mΩ

7
4. Hitunglah harga resistansi output pada penguatan arus dari data tabel 2.

VCE
Jawab: RO = IC
VCE IB = 0 (uA) IB = 10 (uA) IB = 20 (uA) IB = 30 (uA) IB = 40 (uA)
(Volt)
0 0 0 0 0 0
RO = 0 = 0 Ω RO =
0,049x10−3
= RO =
0,057x10−3
= RO =
0,06x10−3
= RO =
0,061x10−3
=

0Ω 0Ω 0Ω 0Ω

2 2 2 2 2 2
RO = 0 = RO =
1,1x10−3
= RO =
5,56x10−3
= RO =
8,45x10−3
= RO =
8,86x10−3
=

∞Ω 1,8 kΩ 359,7 Ω 236,7 Ω 225,7 Ω

4 4 4 4 4 4
RO = 0 = RO =
1,11x10−3
= RO =
5,56x10−3
= RO =
8,45x10−3
= RO =
9,5x10−3
=

∞Ω 3,6 kΩ 719,4 Ω 473,4 Ω 421 Ω

6 6 6 6 6 6
RO = 0 = RO =
1,15x10−3
= RO =
6,38x10−3
= RO =
9,58x10−3
= RO =
10,15x10−3
=

∞Ω 5,2 kΩ 940,4 Ω 625,3 Ω 626 Ω

8 8 8 8 8 8
RO = = RO =
1,2x10−3
= RO =
6,68x10−3
= RO =
10,2x10−3
= RO =
11,22x10−3
=
0

∞Ω 6,6 kΩ 1,2 kΩ 784,3 Ω 713 Ω

I
AI = I C
B

VCE IB = 0 (uA) IB = 10 (uA) IB = 20 (uA) IB = 30 (uA) IB = 40 (uA)


(Volt)
0 0 49 57 60 0,061x10−3
AI = = 0 kali AI = = 49 µ x AI = = 2,85µx AI = = 2µx AI = =
0 10 20 30 40

1,52µx

2 0 1100 5560 8450 8860


AI = = 0 kali AI = = AI = = AI = = 0,28mx AI = = 0,22mx
0 10 20 30 40

110µx 0,27mx
4 0 1110 5920 8760 9500
AI = = 0 kali AI = = AI = = AI = = 0,29mx AI = = 0,24mx
0 10 20 30 40

111µx 0,29mx

8
6 0 1150 6380 9580 10150
AI = = 0 kali AI = = AI = = AI = = 0,32mx AI = =
0 10 20 30 40

115µx 0,32mx 0,25mx

8 0 1200 6680 10200 11220


AI = = 0 kali AI = = AI = = AI = = AI = =
0 10 20 30 40

120µx 0 ,33mx 0,34mx 0,28mx

5. Apakah ada perbedaaan karakteristik transistor pada konfigurasi common basis

dan konfigurasi common emitor?

Jawab:

Ada perbedaannya, antara lain karakteristik pada konfigurasi basis bersama adalah

hubungan antara VBE dengan IE, sedangkan pada konvigurasi emitor bersama

adalah hubungan antara VBE dengan IB. Konfigurasi common emiter memiliki

resistansi input yang sedang, transkonduktansi yang tinggi, resistansi output yang

tinggi dan memiliki penguatan arus (AI) serta penguatan tegangan (AV) yang tinggi.

Konfigurasi common basis memiliki resistansi input yang kecil dan menghasilkan

arus kolektor yang hampir sama dengan arus input dengan impedansi yang besar.

Konfigurasi ini biasanya digunakan sebagai buffer.

9
1.7 KESIMPULAN

1. Common Emitter adalah konfigurasi Transistor dimana kaki Emitor

Transistor di-ground-kan dan dipergunakan bersama untuk input dan output. Pada

Konfigurasi Common Emitter ini, sinyal input dimasukan ke Basis dan sinyal output-

nya diperoleh dari kaki Kolektor.

2. Penguat common emitter mempunyai penguat tegangan maupun penguatan

arus. Penguat jenis ini mempunyai impedansi masukan yang relatif rendah dan

impedansi keluaran yang relatif tinggi,

3. Karakteristik dasar transistor yaitu : emitter (berfungsi mengemisikan atau

menginjeksikan elektron kedalam basis, basis (Berfungsi melakukan sebagian besar

elektron yang diinjeksikan emiiter kedalamnya menuju kolektor), kolektor

(Merupakan bagian terbesar dari emitter dan basis, berfungsi menghamburkan lebih

banyak panas daripada emitter atau basis)

4. Konfigurasi pada transistor yatu common base, common emitter, dan

common collector.

5. Pada konfigurasi Common Emiter, karakteristik output adalah kurva antara

arus output Zic terhadap tegangan output VCE pada suatu rentang nilai arus input.

10
Dari grafik karakteristik output transistor emiter dengan IB yang berbeda-beda dapat

diperoleh nilai Hfe (arus maju dengan output terhubung singkat VO= 0) dan hoe

(output dengan input terbuka ii = 0 ). Lalu diperoleh pula harga resistansi output

RO=RC.

6. Karakteristik input adalah kurva arus input Ib terhadap tegangan input VBE

pada nilai tegangan output VCE. Dari grafik karakteristik masukan transistor emiter

dengan VCE yang berbeda beda dapat diperoleh nilai Hie (input dengan output

terhubung singkat VO = 0 ) dan Hre (tegangan balik dengan input terbuka ii = 0)

11
1.8 DAFTAR PUSTAKA

Nixon, Benny. 2008. Diktat Laboratotium Digital 1 (Rangkaian Kombinatorial).

Depok : Politeknik Negeri Jakarta

12
13
14
15