INDICE

1. INTRODUCCION ..................................................................................................................... 2
2. DESARROLLO ......................................................................................................................... 3
2.1. SIMBOLO DEL BJT .......................................................................................................... 3
2.3. PRINCIPIO DE FUNCIONAMIENTO DEL BJT COMO CONMUTADOR .............................. 4
2.3.1. CURVA DE COMPORTAMIENTO ............................................................................ 5
2.3.2. BJT EN CORTE ........................................................................................................ 6
2.3.3. BJT EN SATURACION.............................................................................................. 7
2.4. TIEMPOS DE CONMUTACION DEL TRANSISTOR............................................................ 8
2.4.1. Tiempo de retardo: td (delay time)........................................................................ 8
2.4.2. Tiempo de subida o crecimiento: tr (rise time) ..................................................... 8
2.4.3. Tiempo de almacenamiento: ts (storage time)....................................................... 9
2.4.4. Tiempo de caída tf (fall time)................................................................................. 9
2.4.5. Tiempo de conexión o encendido TON = td + tr ...................................................... 9
2.4.6. Tiempo de desconexión o apagado TOFF = ts + tf ..................................................... 9
2.4.7. Tiempo total de conmutación TT = (td + tr) + (ts + tf) = TON + TOFF ................................ 9
2.5. LIMITACION DE FRECUENCIA DE LOS TRANSISTORES ................................................. 10
2.5.1. Frecuencia de corte beta o de emisor común..................................................... 10
2.5.2. Frecuencia de transición o de corte .................................................................... 10
2.5.3. Frecuencia de corte alfa o de base común.......................................................... 11
3. CONCLUSIONES ................................................................................................................... 12
4. BIBLIOGRAFIA ...................................................................................................................... 13
 1. INTRODUCCION

En el presente trabajo se analizará a los transistores BJT específicamente en su función

como conmutador o switch, veremos las características que se cumplen para que el
transistor se comporte como switch, así como la zonas o regiones en la cuales se
desempeña el transistor, el tiempo que demora en realizar la función de switch (abrir y
cerrar un circuito), y la frecuencia con cual ocurre este proceso.
 2. DESARROLLO

2.1. SIMBOLO DEL BJT

Figura 1: Símbolo de un transistor BJT.

2.2. TRANSISTOR BJT COMO INTERRUPTOR (CONMUTADOR)

Cuando el transistor está en corte se puede comparar con un interruptor abierto y

cuando está en saturación es equivalente a un interruptor cerrado.
Con las condiciones de corte y saturación normalmente las determina el circuito
asociado a la base, se puede establecer una relación entre el transistor y un interruptor.

Figura 2: Comparación de un BJT en conmutación con un interruptor.

Exactamente se comporta igual que la de un dispositivo mecánico: o bien deja pasar la
corriente, o bien la corta. La diferencia está en que mientras en el primero es necesario
que haya algún tipo de control mecánico, en el BJT la señal de control es electrónica.
 Figura 3: Funcionamiento como interruptor (abierto y cerrado).

En el primer caso, bajo la señal de control adecuada, que es introducida a través de la

base, el transistor se comporta como un circuito abierto entre el emisor y el colector, no
existe corriente y la bombilla estará apagada. En el segundo caso, cambiando la señal de
control, se cierra el circuito entre C y E, y los 12 V se aplican a la bombilla, que se
enciende.

2.3. PRINCIPIO DE FUNCIONAMIENTO DEL BJT COMO

CONMUTADOR

Un circuito básico a transistor como el ilustrado en la (Figura 1 a), conforma un circuito

inversor; es decir que su salida es de bajo nivel cuando la señal de entrada es alta y
viceversa.
El mismo está calculado de manera que el transistor esté en la zona de corte (punto B) o
saturación (punto A), (Figura 1 d), dependiendo si el valor de la función de entrada vale 0
ó +V, respectivamente. Trabajando de esta manera el transistor se comporta como un
interruptor controlado, realizando transiciones entre la saturación y el corte.
Se observa que el interruptor está controlado por la corriente de base: Cuando el
transistor está al corte no fluye corriente y el interruptor está abierto (Figura 1c), cuando
el transistor está saturado fluye la máxima corriente de colector y el interruptor está
cerrado (Figura 1b).
 Figura 4: Circuito de conmutación básico.

2.3.1. CURVA DE COMPORTAMIENTO

Para que el transistor BJT se encuentre trabajando como un interruptor se debe encontrar
trabajando en las regiones de corte y saturación pasando de una región a la otra.

Figura 5: Regiones de trabajo de BJT en conmutación.

 2.3.2. BJT EN CORTE

En vista a que el funcionamiento del transistor depende de la cantidad de corriente

que pasa por su base, cuando no pasa corriente por la base, no puede pasar tampoco
por sus otros terminales; se dice entonces que el transistor está en corte, es como si
se tratara de un interruptor abierto.

Figura 6: Transistor en corte.

 Estado ideal:

Figura 7: Condiciones ideales para región de corte.

  Estado real:

Figura 8: Valores reales para la región de corte.

2.3.3. BJT EN SATURACION

El transistor está en saturación cuando la corriente en la base es muy alta; en ese caso se
permite la circulación de corriente entre el colector y el emisor, por lo que el transistor se
comporta como si fuera un interruptor cerrado.

Figura 9: Transistor en saturación.

 2.4. TIEMPOS DE CONMUTACION DEL TRANSISTOR

2.4.1. Tiempo de retardo: td (delay time)

Intervalo de tiempo entre el punto correspondiente al instante de aplicación de la
señal de entrada y el punto en que la señal de salida toma el 10% de su valor final.
Este tiempo de retraso se debe, principalmente a dos factores:

1.- Cuando un transistor actúa como conmutador, se lo polariza inversamente para

llevarlo al corte, con lo cual la capacidad de la juntura base-emisor se carga a ese valor
de tensión negativa; por tal razón para pasarlo a la conducción (saturación) se necesita
de cierto tiempo para descargar y cargar ese condensador. A mayor valor de
polarización inversa mayor será ese retardo.

2.- Se requiere de cierto tiempo para que la corriente de emisor se difunda a través
de la región de la base.

Figura 10: Tiempos de conmutación del transistor.

2.4.2. Tiempo de subida o crecimiento: tr (rise time)

Intervalo de tiempo entre los puntos correspondientes al 10 y 90% de la forma de onda

ascendente de la corriente de colector.

El tiempo de crecimiento es una función de la frecuencia de corte alfa, f; y también

depende inversamente de la cantidad de corriente de apertura; mientras mayor sea la
corriente de apertura, menor será el tiempo de crecimiento.
 2.4.3. Tiempo de almacenamiento: ts (storage time)

Intervalo de tiempo entre el instante en que la tensión de entrada comienza el descenso y el

punto correspondiente al 90% de la forma de onda descendente de la corriente de colector. El
tiempo de almacenamiento es una función de hfe, y de las corrientes de apertura y cierre.

La no respuesta del transistor durante el tiempo ts a la anulación de la excitación, se debe a que

el transistor en saturación tiene una carga en exceso de portadores minoritarios almacenados en
la base. El transistor no puede responder hasta que ese exceso de carga de saturación se haya
eliminado. En el caso extremo este tiempo ts puede ser de dos a tres veces el tiempo de subida o
de bajada a través de la región activa. Al emplear transistores de conmutación donde la velocidad
resulta de verdadero interés, la mayor ventaja se obtiene cuando se reduce el tiempo de
almacenamiento.

2.4.4. Tiempo de caída tf (fall time)

Intervalo de tiempo entre los puntos correspondientes al 90 y 10% de la forma de

onda descendente de la corriente de colector.

2.4.5. Tiempo de conexión o encendido TON = td + tr

Resulta de la suma de los tiempos de retardo td y de subida tr. Es el tiempo total para
pasar del corte a la saturación.

2.4.6. Tiempo de desconexión o apagado TOFF = ts + tf

Es la suma de los tiempos de almacenamiento tS más el de caída tf. Es el tiempo total
para pasar de la saturación al corte.

2.4.7. Tiempo total de conmutación TT = (td + tr) + (ts + tf) = TON + TOFF

Los tiempos de encendido (TON) y apagado (TOFF) limitan la frecuencia máxima a la

cual puede conmutar el transistor.
 2.5. LIMITACION DE FRECUENCIA DE LOS TRANSISTORES

Ciertos transistores presentan una ganancia aprovechable en frecuencias de cientos de

MHz, mientras que otros no funcionarán con frecuencias superiores a los 50 kHz.
Las características dadas por los fabricantes o los manuales de transistores indican, por lo
general, uno o más parámetros que describen el comportamiento de los transistores en
función de la frecuencia. Los tres parámetros de frecuencia más comúnmente indicados
son:

2.5.1. Frecuencia de corte beta o de emisor común

f, es la frecuencia para la cual la ganancia de corriente hfe, del transistor en configuración
emisor común cae 1/√2=0,707, por lo tanto f, es la frecuencia de corte en la que la
ganancia en corto circuito en configuración emisor común cae 3 dB .

Figura 11: Características frecuenciales.

2.5.2. Frecuencia de transición o de corte

fT, Se define como la frecuencia para la cual la ganancia de corriente, hfe, del transistor en
configuración emisor común, se hace igual a la unidad, con lo cual se considera que es la
máxima frecuencia de operación del transistor.

Se deduce también que fT = hfe.f, llamado producto ganancia-ancho de banda.

 2.5.3. Frecuencia de corte alfa o de base común

f, es la frecuencia para la cual la ganancia de corriente hfb (), en configuración base
común cae 0,707; por lo tanto, f es la frecuencia de corte en la que la ganancia de
corto circuito en configuración base común, cae 3 dB.
3. CONCLUSIONES
 4. BIBLIOGRAFIA

 MANDADO Enrique; Sistemas Electrónicos Digitales.


 SCHILLING Donald, BELOVE Charles; Circuitos Electrónicos 

 BOYLESTAD Robert, NASHELSKY, Louis; Electrónica: Teoría de circuitos y

dispositivos electrónicos. 

 MUHAMMAD H. RASHID, Electrónica de Potencia (Capitulo 4- Transistores de
potencia).

 https://unicrom.com/transistor-como-interruptor-switch/