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SEGUNDO PARCIAL Química Inorgánica II (12 de junio de 2018).

Grupo A. Nombre y Apellidos: ______________________________________

1. a) Identifica los siguientes tipos de estructuras cúbicas (sistema cristalino cúbico) a


partir de sus coordenadas atómicas y describe cada estructura en términos de poliedros
de coordinación
a) MX: M ¼ ¼ ¼, ¾ ¾ ¼, ¼ ¾ ¾, ¾ ¼ ¾;
X 0 0 0, ½ ½ 0, ½ 0 ½, 0½½

b) MX2: M 0 0 0, ½ ½ 0, ½ 0 ½, 0 ½ ½.
X ¼ ¼ ¼, ¼ ¼ ¾, ¼ ¾ ¼, ¾ ¼ ¼, ¼ ¾ ¾, ¾ ¼ ¾, ¾ ¾ ¼, ¾ ¾ ¾,

c) MX3: M000 X ½ 0 0, 0 ½ 0, 0 0 ½
b) Explica las observaciones siguientes relativas a propiedades magnéticas de óxidos metálicos:
(a) El compuesto MnO es antiferromagnético (TNéel = 122 K)
(b) El compuesto Fe3O4 es ferrimagnético.

Nota: MnO adopta una estructura de sal gema. El compuesto Fe3O4 adopta
estructura de espinela inversa.

2. a) Justifica que todo sólido real presenta defectos y explica cómo varía la concentración
de defectos con la temperatura.

b) El dióxido de molibdeno adopta una estructura tipo rutilo con parámetros de red a = b =
486 pm, c = 279 pm. ¿Qué tipo de defectos predomina en una muestra de dióxido de
molibdeno que tiene una razón molar Mo/O de 0,538 y una densidad experimental de 6,33 g·
cm-3? Datos: Masas molares (g·mol-1): O = 16,0; Mo = 95,9. NA = 6,022·1023 mol-1.

3. Considera una cadena lineal infinita de moléculas H2 y solo orbitales atómicos


1s. Sea d1 < d2

(a) Construye las funciones de Bloch. (b) Predice el orden de energía relativo de los orbitales
del cristal en los valores límite del número de onda k. (c) Construye el diagrama de dispersión
(E vs k) y el diagrama de densidad de estados (DOS). (d) Traza el nivel de Fermi del sistema
y explica el comportamiento eléctrico del sólido. (e) ¿Cómo afecta al diagrama de densidad
de estados y al comportamiento eléctrico que las distancias d1 y d2 se igualen?

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4.

a) Identificar las cuatro etapas fundamentales del ciclo y para los cuatro complejos, el número
de electrones y el estado de oxidación del metal.

b) Identificar tipo de silicatos, la estructura y el número de oxígenos puente por átomo de


silicio. (3 compuestos)

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