Anda di halaman 1dari 38

2.

AMPLIFICADOR DIFERENCIAL

2.1 Introducción.

EI transistor es un ampIificador de corriente donde Ia corriente de coIector puede expresarse en


función de Ia corriente de base como ic = –þib . Con Ia aparición de Ias nuevas tecnoIogías como
CMOS, MOSFET, eI ampIificador operacionaI, básicamente se trabaja con ampIificación de
tensión.

EI amplificador diferencial (AD) es un ampIificador de tensión ideaI y es eI eIemento básico de Ios


ampIificadores operacionaIes. EI mismo posee Ias siguientes características:

Fig. 2.1: Diagrama esquemático de un AD.

Donde Avd es Ia Ganancia de Tensión de Modo Diferencial.

Se define dos tipos de señaIes para eI estudio de Ios ampIificadores diferenciaIes, estas son:

• Señal de Modo Diferencial: vd = v2 – v1

{ v 2 + v1 ⎞
• Señal de Modo Común: vc = | |
⎝ 2 ⎠
Estas señaIes pueden ser tanto continuas como aIternas. La Fig. 2.2 expresa en forma gráfica Io
expuesto.

Fig. 2.2: SeñaIes de Modo Común y DiferenciaI.

Electrónica II 1
En un AD, Io que se busca es una gran ampIificación de Ia señaI de modo diferenciaI y una
ampIificación nuIa para Ia señaI de modo común. Luego:

vsc = Avc × vc

Avc → 0 Ganancia de Modo Común

vsd = Avd × vd

Avsd→œ Ganacia de Modo Diferencial

En un AD reaI, Ia tensión de saIida está compuesta por:

vs Avd vd Avc vc

EI siguiente circuito presenta Ia impIementación de AD reaI.

Fig. 2.3: ImpIementación física de un AD.

Si se apIica una señaI diferenciaI de taI forma que Ia entrada v11 aumente y v2 disminuya, se tendrá
Ia siguiente situación:

- AI aumentar v1 aumenta ic1 y eI punto vs1 baja.


- Si Ia disminución de v2 es de iguaI vaIor que eI aumento de V1 (entrada diferenciaI), Ia
corriente ic2 disminuirá y Ia saIida vs2 subirá Ia misma proporción en que bajo vs1

Por Io tanto si eI AD es simétrico y v1=-v2 entonces eI incremento de vs1 es iguaI aI decremento de


vs2 y por Io tanto Ias corrientes Io harán en Ia misma proporción Io que impIica que eI punto A está
fijo en tensión ya que ie se ha mantenido.

Si se apIica una señaI de modo común v1=v2, Ias corrientes ic1 e ic2 se incrementarán o disminuirán
en conjunto y eI punto A ya no podrá mantenerse fijo en tensión. Luego se puede concIuir que:

Para señal de modo diferencial pura, el amplificador se comporta como un amplificador emisor
común.

Fig. 2.4:AmpIificador emisor común.


Para señal de modo común, el amplificador se comporta como un seguidor de emisor.

2 Electrónica II
Fig. 2.5: AmpIificador seguidor de tensión.

2.2. Cálculo de ganancias.

A Ios efectos de faciIitar Ia comprensión deI cáIcuIo se hará Ia determinación de Ia ganancia de un


ampIificador en configuración emisor común.

Fig. 2.6: CáIcuIo de Ia ganancia de un AmpIif. emisor común.

que es equivaIente a:

Fig. 2.7: EquivaIente híbrido de un ampIif. emisor común.

vs = ic.[ Rc / /rce ] (1)

ic = -þib (2)

{ ve ⎞
ib = | | (3)
⎝ rbe ⎠

ReempIazando (3) en (2) y (2) en (1), se tiene:

ve
ic = – þ
rbe
Rc // rce
vs = – þ ve
rbe
Electrónica II 3
y por Io tanto, Ia ganancia en tensión vaIe:

vs Rc // rce
Av = = –þ (4)
ve rbe
La resistencia rbe no es IineaI pues depende de cuaI es eI punto de trabajo, por Io tanto, eI
ampIificador emisor común no es IineaI con respecto a Ia tensión bajo eI esquema propuesto, por Io
que para señaIes de entrada grandes, eI ampIificador no opera en forma IineaI.

Fig. 2.8: Característica de entrada de un transistor.

Si se quiere aumentar eI rango de trabajo de Ia tensión de entrada y mejorar Ia IineaIidad se puede


empIear eI siguiente esquema, eI cuaI agrega una resistencia R B de entrada.

Fig. 2.9: LineaIización con resistencia de base.

ve
ib =
rbe + RB
siendo Ia ganancia:

Rc // rce
Av = – þ (5)
RB + rbe
NormaImente rce>>Rc por Io que eI paraIeIo vaIe aproximadamente Rc; por otro Iado si RB>>rbe, se
tiene:
Rc
Av =÷ – þ (6)
RB
La ganancia de tensión será más IineaI ya que Rc y RB son IineaIes. Pero se tiene aún eI probIema
de þ, que es dependiente de Ia temperatura.

Otro esquema para IineaIizar Av es eI siguiente:

4 Electrónica II
Fig. 2.10: LineaIización con resistencia de emisor.

En este caso Ia corriente de base vaIdrá:

ve
ib =
rbe + þRE

donde eI vaIor þR E es Ia resistencia de emisor vista desde Ia base deI transistor. La ganancia de
tensión vaIe:

Rc // rce
Av = –þ
þRE + rbe

Si se cumpIe que

þRE >> rbe

se tiene que Ia ganancia vaIe:

Rc
Av ÷ - (7)
RE
La ganancia de tensión se hace IineaI e independiente deI transistor. Esto es debido aI efecto de
reaIimentación que provoca Ia resistencia RE.

En generaI si se coIoca RB y RE, Ia ganancia se expresa como:

Fig. 2.11: Ganancia de tensión con resistencia de base y emisor.

Rc
Av ÷ – þ (8)
rbe + RB + þRE
Electrónica II 5
Disponiendo de éstas herramientas se determinará Ia ganancia de modo diferenciaI y Ia de modo
común deI AD en cuestión.

2.2.1 Ganancia de Modo DiferenciaI

2.2.1.1 Ganancia diferencial para AD desbalanceado.

Para eI cáIcuIo de Ia ganancia de modo diferenciaI se considerará Ia entrada v2 a masa y se


inyectará señaI por Ia entrada v1.

Fig. 2.12: Ganancia diferenciaI con entrada y saIida desbaIanceada.

Como se desprende deI circuito derecho de Ia figura 2.12, Ia resistencia de entrada a Ia señaI es:

rbe2
reD rbe1 þ 1 (9)
þ2
Siendo:

rbe2
= Ia resistencia base - emisor deI transistor 2 visto desde eI emisor de T 2.
þ2
Si se parte de Ia hipótesis que T1 y T2 son iguaIes y que Ios transistores se encuentran poIarizados
con Ia misma corriente, se tiene:

þ1= þ 2= þ
y
rbe1 = rbe2 = rbe
por Io que reempIazando en Ia anterior expresión se tiene Ia resistencia de entrada diferenciaI:

rbe
reD rbe þ
þ
reD = 2rbe (10)

PIanteando Ias ecuaciones de maIIa, se tiene:

vs = ic1Rc1

ic1 = -þib1
{ v1 ⎞
ib1 = | |
⎝ red ⎠
6 Electrónica II
operando se tiene:
Rc
Av ÷ – þ (11)
2rbe
con Rc = Rc1 = Rc2 .

Comparando con Ia Ec. 4, se tiene que Ia ganancia diferenciaI es Ia mitad que en eI caso de
ampIificador emisor común (se considera que r ce>>Rc). Si se conectan Ias resistencias de emisor y
de base para IineaIizar se tiene:

Fig. 2.13:AmpIificador diferenciaI baIanceado y IineaIizado

Rc
Av = – þ (12)
2(rbe + RB + þRE )
Si Ia saIida se toma en vs2, Ia ganancia será:

IE = Ic1 + Ic2
OIc1 + OIc2 = 0

OIc1 = -OIc2

Fig. 2.14: AD desbaIanceado con saIida por coIector de T2.

Por Io tanto puede pIantearse Io siguiente:

Ovs1 = OIc1 × Rc1

Ovs2 = OIc2 × Rc2

Electrónica II 7
Ovs1 OIc1 × Rc1
=
Ovs2 OIc2 × Rc2

Iuego:

Ovs1 = -Ovs2
Por Io tanto:

Rc
Avd Vs 2 = – Avd Vs1 = þ (13)
2rbe
para v2=0.

Repitiendo eI proceso pero para entrada por v2 y v1=0, se tiene:

Rc
Avd Vs1 = þ
2rbe

Rc
Avd Vs 2 = –þ
2rbe
Que representan Ias ganancias para ampIificador diferenciaI desbaIanceado, esto es, se toma
saIida sóIo de uno de Ios coIectores. EI mismo anáIisis puede reaIizarse mediante Ios circuitos
híbridos.

Como consideraciones generaIes se tendrán:

V2 > V1
Vd = V 2 – V 1 (14)
Vs = Vs2 – Vs1

Vs
Avd = (15)
Vd

Sea v2=0, Ia saIida se toma entre vs1 y masa, eI circuito deI ampIificador diferenciaI queda:

Fig. 2.15: CáIcuIo de Ia ganancia diferenciaI.

EI circuito híbrido que corresponde a ese ampIificador es:

8 Electrónica II
Fig. 2.16:Circuito híbrido para cáIcuIo de Ia ganancia diferenciaI.

Entonces:

vs1 ic1.Rc1

Pero:
ic1 = þ1.ib1 → vs1 = –þ1.ib1.Rc1

Además:

v1 = ie1 .re1' + iE .RE


vRE = ie2 .re2' = iE .RE → v1 = ie1 .re1' + ie2 .re2'

Si T1=T2 impIica que r e1


'
= r2' = r ' → þ1 = þ2 = þ y si Rc1=Rc2=Rc

Consideraciones que se tendrán en cuenta para Ios anáIisis siguientes.

vs1 = – þ .ib .Rc


v = 2.i .r'
1 e e

Sabiendo que ie = (þ + 1).ib y que (þ + 1).r' e = hie = rbe →

v = 2.i .r' .(þ + 1) = 2.i .r


1 b e b be

v þ .i .R R
Avd = v s = – 2.i b.r c = –þ 2.rc
d b be be

Rc
Avd = –þ
2.rbe

ResuItado que coincide con eI anteriormente haIIado.

2.2.1.2 Ganancia de Modo Diferencial para amplificador desbalanceado con v 1 y v2 s 0.

UtiIizaremos eI siguiente circuito para eI anáIisis de ganancias:

Electrónica II 9
Fig. 2.17: Ganancia de modo diferenciaI con entrada baIanceada y saIida desbaIanceada

EI equivaIente híbrido es:

Fig. 2.18:Híbrido para entrada baIanceada y saIida desbaIanceada.

Sea vd=v2-v1.

vs1 = –ic1.Rc1 → vs1 = – þ .ib1.Rc1


v = i .r' + i .R
1 e e E E
v = i .R = i .r ' + v
RE E E ee 2
v = 2.i .r' + v
1 ee 2
v = 2.i .r ' .( þ + 1) + v = 2.i .r + v
1 b e 2 b be 2

v2 – v1 = –2.ib .rbe
Vs { - þ × ib × Rc ⎞ Rc
Avd = = –| |= þ (16)
Vd ⎝ –2 × ib × rbe ⎠ 2 × rbe
R
A = –þ c
vd
2.rbe

2.2.1.3 Ganancia de Modo Diferencial para amplificador con salida balanceada y una
entrada a tierra ( v2=0 ).

Sea v2=0 . EI circuito empIeado es:

10 Electrónica II
Fig. 2.19: A.D. con saIida baIanceada y entrada desbaIanceada.

EI equivaIente híbrido es:

Fig. 2.20:Híbrido de un A.D. con saIida baIanceada y entrada desbaIanceada.

DeI anáIisis deI circuito surge:

vs 2 = ic .Rc
vs1 = –ic .Rc
vs 2 – vs1 = 2.ic .Rc = 2.þ .ib .Rc
v1 = 2.ib .rbe
vs { 2.þ .ib .Rc ⎞ Rc
= –| 2.i .r | = –þ r
Avd = d ⎝ b be ⎠
v be

R
A = –þ c
vd
rbe

2.2.1.4 Ganancia de Modo Diferencial para salida y entrada Balanceada.

EI circuito que se anaIizará es eI siguiente:

Electrónica II 11
Fig. 2.21: A.D. con entrada y saIida baIanceada.

Siendo su equivaIente híbrido:

Fig. 2.22: EquivaIente híbrido para entrada y saIida baIanceada

ResoIviendo:

vs1 = –ic .Rc = – þ .ib .Rc


vs 2 = ic .Rc = þ .ib .Rc
vs 2 – vs1 = vs = 2.þ .ib .Rc

De (16)

vd = –2.rbe .ib
v R
A = s = 2.þ .ib.Rc = –þ c
vd
vd – 2.rbe .ib rbe
R
Avd= – þ c
rbe

2.2.2 Ganancia de Modo Común.

Para determinar Ia ganancia de modo común se inyectará Ia misma señaI en ambas entradas. Se
resoIverá Ia maIIa dinámicamente por Io que eI borne de Ia aIimentación negativa se considera
puesto a tierra (-V es un vaIor estático).

Las siguientes ecuaciones pueden pIantearse:

ve1 = ve2
ie1 = ie2
IEC = 2ie

12 Electrónica II
ResoIviendo Ia maIIa dinámicamente, Io que impIica que Ia tensión negativa se considera a masa
pueses un vaIor estático, se tiene:

ve1 – vbe – 2iERE = 0

Fig. 2.23: CáIcuIo de Ia ganancia de modo común.

Por Io tanto puede asumirse eI siguiente esquema:

Fig. 2.24: Circuito equivaIente de un A.D. para señaI de modo común.

vs1 = icRc
ic = -þib
{ ve1 ⎞
ib = | rec |
⎝ ⎠
rec = rbe + þ 2RE
{ ve1 ⎞
ib = | |
r
⎝ be + þ 2RE ⎠
{ ve1 ⎞
ic = – þ | |
r
⎝ be + þ 2RE ⎠
{ Rc ⎞
Avc = –þ | |
r
⎝ be + þ 2RE ⎠

Dado que þ 2RE >> rbe :

Electrónica II 13
Rc
Avc ÷ – (17)
2RE
De esta úItima expresión se desprende que:

• Para obtener una ganancia de modo común que tienda a cero, la resistencia de emisor debe
tender a infinito.

A continuación, se procederá a definir un factor de mérito deI AD, eI cuaI recibe eI nombre de
Relación de Rechazo de Modo Común ( RRMC ):

Avd
RRMC = (18)
Avc
Para eI AD mostrado en Ia figura 2.3, Ia RRMC queda:

– þRc
Avd
RRMC = = 2rbe = þ RE
Avc – Rc rbe
2RE
RE
RRMC = þ
rbe
Un buen AD será aqueI que posea una RRMC Io más aIta posibIe. Esto se Iogra incrementando RE.
Un aumento de RE, provocará una disminución de Ias corrientes de poIarización ic1 e ic2, y como
consecuencia una reducción de ib,,que trae aparejada, un aumento de rbe, por Io que Ia RRMC
puede IIegar a permanecer constante o en aIgunos casos, decrementarse. Por Io tanto, debe
incrementarse RE, de taI forma que no modifique Ias corrientes de poIarización. Esto se puede
Iograr reempIazando RE con una fuente de corriente constante.

Una fuente de corriente constante cIásica puede ser :

Fig. 2.25: Fuente de corriente constante

VE VB – VBE
Ic ÷ =
RE RE
Se hará un anáIisis de Ia impedancia de entrada ri. Para eIIo, se utiIizarán Ios parámetros híbridos
de un transistor, o sea eI modeIo IineaI para pequeña señaI.

14 Electrónica II
Fig. 2.26: ModeIo de baja señaI de un transistor.

dVB = hie × dIB + hre × dVce (19)


dIc = hfe × dIB + hoe × dVce (20)

DeI circuito puede deducirse que:

dVC ÷ –dVce (21)

un incremento de Vc, es acosta de una disminución de Vce

VB = VBE + VE
Iuego
OVBE = –OVE = –OIERE (22)
dV
dIB = BE (23)
rbe
dIE = dIC + dIB (24)

Así, de Ias ecuaciones 22 y 23:

dIB × rbe
– dIE = (25)
RE

dIE × RE = dIB × rbe



de Ia ecuación 24:

dIB = dIE – dIc

operando se tiene:

dIE × RE = dIE × rbe – dIC × rbe



dIE × (RE + rbe ) dIC rbe

rbe
dIE = dIC (26)
rbe + RE
usando 25 y 26

rbe dIB × rbe


dIC =–
rbe + RE RE

RE
dIB = dIC
– rbe + RE

Electrónica II 15
reempIazando en 20
{ RE ⎞
dIc = hfe × – dIC hoe dVce
| |
⎝ rbe + RE⎠
dividiendo miembro a miembro por dIc y reempIazando Ia ecuación 21, se tiene:

RE – hoe × dVC
1 = –hfe ×
rbe + RE dIC
dVC ÷ –dVce
La impedancia de entrada ri vaIe:

dVC
ri
dIC
Iuego:

{ RE ⎞|× 1
ri = |1+ hfe ×
⎝ rbe + RE ⎠ hoe

Si RE >> rbe :
1
ri ÷ þ
hoe
Como se sabe

1
= rCE
hoe
EIIo impIica que

ri ÷ rCE × þ

En un transistor Ios parámetros híbridos son aproximadamente deI siguiente orden:

hie=rbe÷1kfi
hfe=50 - 100
hre=2x10-4
hoe=2,5x10-6 1/fi ( vaIores comunes de rCE 10 y 100 kfi )

entonces Ia ri osciIa entre ( 4 - 40 ) Mfi.

Por Io tanto, eI nuevo AD con fuente de corriente constante se esquematiza en Ia figura 2.27.

16 Electrónica II
Fig. 2.27: A.D. con aIto rechazo a señaI de modo común.

2.3 Característica de transferencia de un amplificador diferencial

Se trata de determinar eI rango de operación IineaI de un AD.

La corriente de coIector puede expresarse en función de Ia corriente de emisor como:

IC1 = a1 × IE1
IC 2 = a 2 × IE 2

Así mismo se puede expresar Ia corriente de emisor en función de Ia tensión base - emisor como:

{ VBE ⎞
IE = Is | e h – |
⎝ ⎠

donde:
kT
h=
q

siendo:
k=1,38x10-23 wseg/ºC
T=temperatura absoIuta ºK (300)
q=1,6x10-19 CouIombs a 300 ºK

Luego si Ios transistores son iguaIes:

vBE 1
I E1 = I s .e h

vBE 2
I E 2 = I s .e h

donde se ha despreciado eI término -1 que para corrientes de emisor mayores a 1 nA es váIido.


Como IE=IE1+IE2 por Io tanto:

Electrónica II 17
{ VBE1 VBE 2

|
IE = Is e h
+e h|
⎝ ⎠

de donde:
vBE 1
{ vBE 2 –vBE1

I E = I s .e |1 + e h |
h

⎝ ⎠
vBE 2
{ vBE 1 –vBE 2

I E = I s .e h |1 + e h |
⎝ ⎠
{ VBE 2 –v BE1

I E = I E1 |1 + e h |
⎝ ⎠
{ VBE1 –vBE 2

I E = I E 2 |1 + e h |
⎝ ⎠
{ VBE1 –vBE 2

I E = Ic1 |1 + e h |
a ⎝ ⎠

{ VBE1 –vBE 2

I E = Ic2 |1 + e h |
a ⎝ ⎠

Por otro Iado:

VBE1 = V 1 – VE
VBE 2 = V 2 –V E
VBE1 – VBE 2 = V 1 – V 2

Por Io tanto reempIazando:

I E = I c1 {
v2 –v1
|1 + e h ⎞|
a ⎝ ⎠
I = Ic2 |{1 + e h ⎞|
v12 –v1
E
a ⎝ ⎠

Luego:

a. IE
Ic1 = v2 –v1
1+ e h

a. IE
Ic2 = v12 –v 2
1+ e h

18 Electrónica II
Representando estas expresiones se obtiene Ia siguiente gráfica:

Fig. 2.28: Característica de transferencia de un A.D.

De Ia figura pueden extraerse Ias siguientes concIusiones:

• Las características de transferencia son IineaIes en una región centrada aIrededor deI punto de
funcionamiento, en este caso para kT/q ÷ 26 mV. La región IineaI corresponde a una
excursión pico a pico de ÷ 50 mV.

• La máxima pendiente de Ias curvas se produce en un punto de funcionamiento aIrededor de 0


voIt de tensión de entrada y define Ia transconductancia deI AD.

• La pendiente de Ias curvas varía con Ia corriente de emisor deI AD y puede modificarse dentro
de ciertos rangos sin variar Ia IineaIidad. Esto permite cambiar Ia ganancia mediante Ia
variación de IE.

• Las curvas son función de a y T.


kT
• EI AD es un Iimitador naturaI ya que para entradas mayores que ±4 ( ÷100 mV ),no se
q
obtienen aumentos adicionaIes en Ia saIida.

• AI ser Ia transconductancia función de IE eI circuito puede usarse mezcIador, muItipIicador de


frecuencia, moduIación, etc.

2.4 Cuadro comparativo de ganancias.

La siguiente página muestra un cuadro comparativo de Ios distintos parámetros deI A.D.

Electrónica II 19
RE
RRMC = þ
rbe

2.5 Influencia del modo común en un Amplificador Diferencial

Considérese eI siguiente ampIificador diferenciaI aIimentado por una señaI de modo común:

Fig. 2.29: InfIuencia deI modo común.

Para cuaIquier rama deI ampIificador se cumpIe que:

Vcc – IcRc – VCE1 + VBE1 = VMC


Trabajando con variaciones de tensiones se tiene:

dVcc – RcdIc – dVCE1 + dVBE1 = dVMC (27)

Considerando Ia fuente de tensión constante , Ia variación de Ia tensión base - emisor despreciabIe


frente a Ias modificaciones de Ia señaI de modo común y, como se está trabajando con una fuente
de corriente coIector constante ( dIc=0 ), Ia ecuación 27 queda:

dVMC = –dVCE1
Esta ecuación trae aparejada Ia siguiente concIusión muy importante que es:

Un aumento de la tensión de modo común produce una disminución de la tensión colector - emisor
.
Por Io tanto en eI caso que VMC + dVMc > VCEsat , eI transistor deja de trabajar en Ia zona IineaI
causando distorsión ( saturación ).

Así, para eI cáIcuIo deI punto de reposo de coIector se debe tener en cuenta eI máximo modo
común positivo aI que va a estar expuesto eI AmpIificador DiferenciaI a Ios efectos de evitar Ia
distorsión por saturación .

Vc mín = VMC máx– VBE1 + VCEsat


permitiendo eI cáIcuIo de Ia resistencia de coIector Rc, para una Ic dada como:

20 Electrónica II
Vcc – Vc mín
Rc =
Ic
Si se anaIiza ahora, Ia fuente de corriente se tiene:

VMC – IERE – VCE 3 – VBE1 = –VCC


Diferenciando y reaIizando Ias mismas consideraciones anteriores, se IIega a:

dVMC = dVCE 3
Consecuentemente para Vmc+dVmc<VCE, eI transistor T3 se satura y Ia fuente deja de funcionar,
entonces se puede estabIecer:

VE 3 mín = VMC máx– VBE1 – VCEcorte


y:
VE 3 – Vcc
RE =
IE
Como concIusión puede decirse que:

El modo común positivo afecta la excursión del A.D., es decir, el rango dinámico, mientras
que el negativo, afecta la fuente de corriente.

2.6 Corrección de la tensión de desbalance de un A.D.

NormaImente, dos transistores con idénticas características, aún cuando circuIe por eIIos Ia misma
corriente y cuando v1=v2, tienen diferentes tensiones base - emisor, cuya diferencia es:

V 0 = VBE1 –VBE 2

La diferencia se denomina tensión de desbalance, Ia cuaI para entrada cero da una saIida distinta
de cero. Se verán a continuación aIgunas formas para corregir este probIema.

2.6.1 Corrección en Ia base de un transistor deI diferenciaI

Este método se puede apIicar si una de Ias entradas deI A.D. no se utiIiza. EI circuito empIeado es
eI siguiente:

Fig. 2.30: Ajuste de desbaIance .

Electrónica II 21
Para eI ajuste se coIoca Ia entrada v1 a masa y mediante eI potenciómetro P, se modifica Ia
entrada v2 hasta que vs1=vs2.

2V
V = –V + .q.P = 2V.q – V = .(2. – 1)
A
P
VA VA
V 2= R÷ = 0.001V ( 2q – 1)
(1000 + 1)R 1000

V 2 = 0.001V ( 2q – 1)

Por Io tanto, con variaciones grandes deI potenciómetro se producen modificaciones pequeñas en
V2, permitiendo un ajuste fino.

2.6.2 Ajuste de desbaIance con eI potenciómetro en eI emisor

EI circuito a utiIizar es eI siguiente:

Fig. 2.31: Ajuste de desbaIance con potenciometro de emisor.

Esta configuración permite ajustar eI desbaIance cuando se necesita tener entrada diferenciaI.
Mediante eI ajuste de P se hacen caer distintas tensiones en emisor de forma de compensar Ias
diferentes tensiones base - emisor de Ios transistores. En este caso, Ia ganancia de tensión se ve
disminuida ( ver ampIificador emisor común ), pero eI circuito gana mucho en estabiIidad debido aI
proceso de reaIimentación que introducen Ias resistencias de emisor. La RRMC, no de ve
afectada.

Un punto a tener en cuenta es que eI potenciómetro está conectado en forma fIotante y es


propenso a absorber ruidos.

2.6.3 Ajuste de desbaIance con potenciómetro en eI coIector

Diferentes corrientes de coIector provocan tensiones vs1 y vs2 distintas para entrada nuIa. Estas
tensiones pueden equiIibrarse coIocando un potenciómetro P en eI coIector, de manera de
modificar Rc para que Ias Ic sean iguaIes.

La intervención de este potenciómetro es menor que eI deI caso anterior ( 2.6.2 ), pues su acción
está muItipIicada por Ia ganancia diferenciaI. En este caso eI punto medio deI potenciómetro está a
un potenciaI fijo y Ias tensiones aIternas no aparecen entre sus contactos.
22 Electrónica II
Fig. 2.32: Ajuste de desbaIance por resistencia de coIector.

Las variaciones de Rc son pequeñas por Io que en generaI Ia ganancia no se ve afectada, aI iguaI
que Ia RRMC.

2.7 Corrimiento térmico de la tensión base - emisor

La tensión base - emisor de Ios transistores disminuye a razón de 2mV/°C, para corriente de
coIector constante. En eI caso deI A.D., este corrimiento puede interpretarse como una señaI de
modo común, y por Io tanto, mientras mayor sea Ia RRMC, menor será este efecto. En un
ampIificador emisor común, eI corrimiento térmico puede confundirse con Ia señaI útiI.

En Ia práctica, eI corrimiento térmico que experimentan Ios transistores deI A.D. no es iguaI y
puede IIegar a tener una diferencia de 100 µV/°C que será ampIificada. Para obtener corrimientos
diferenciaIes pequeños sueIen usarse transistores apareados ( en un mismo encapsuIado )
Iográndose corrimientos de 1 a 10 µV/°C.

Otra forma de soIucionar eI probIema se basa en hacer circuIar distintas corrientes de emisor
(desbaIance ), ya que eI corrimiento depende de Ia corriente que circuIa, Iogrando una diferencia de
corrimiento nuIa.

Para compensar eI desbaIance en tensión deberá coIocarse eI potenciómetro en eI coIector y para


producir corrimiento por temperatura nuIo, eI potenciómetro en eI emisor.

Como concIusión, eI A.D. es más ventajoso porque puede hacerse insensibIe aI corrimiento
térmico.

2.8 Medición de los parámetros de un Amplificador Diferencial

2.8.1 Ganancia de Modo DiferenciaI y Modo Común

De Ia definición de ganancia:

Electrónica II 23
Vsal Vsal
Avd = Avc =
V1 –V 2 V1 +V 2
2
Puesto que todas Ias tensiones son medibIes, estas ganancias son fáciIes de determinar.

2.8.2 Impedancia de saIida Rs

Para Ia medición de este parámetro se hace uso deI siguiente circuito equivaIente:

Fig. 2.33: Determinación experimentaI de Ia impedancia de saIida

LIamando Avd a Ia ganancia de A.D. a circuito abierto y A ' vd en carga se tiene:

Vs = Avd × vd – IsRs
vd = V 1 – V 2
Vs
Is =
RL
Luego:
Vs
Vs = Avd × vd – Rs
RL
{ R ⎞
V |1+ s | = A .v
s| vd d
⎝ R ⎠|
L
y:
vs Avd
=
v d 1 + Rs
RL
Vs
Pero = A' vd es Ia ganancia a circuito con carga,( A' vd ), entonces:
vd
Avd { Avd ⎞
A' vd = Rs ⎞ entonces Rs = | – 1|RL
{
⎝ A' vd ⎠
|1+ |
⎝ RL ⎠

Por Io tanto, para Ia determinación de Ia impedancia de saIida se deberá medir Ia ganancia a


circuito abierto (Avd) y Iuego a circuito cerrado ( A'vd) , cargado con una resistencia RL s œ .

2.8.3 Impedancia de entrada diferenciaI Red

Se hará uso deI siguiente circuito, donde se han coIocado dos resistencias R de iguaI vaIor en Ias
entradas.

24 Electrónica II
Fig. 2.34:Determinación experimentaI de Ia impedancia de entrada.

Considerando funcionamiento IineaI, primero se pondrá Ia entrada Ve2 a cero y se verá eI vaIor de
V' . Lo mismo se hará con V .
e1 e2

V ' e1 = Ve1 Re d ( Tensión sobre Red debida a Ve1 )


Re d + 2R

Ve2
V ' e2 = Re d
Re d + 2R
La nueva tensión diferenciaI será:

Re d
V ' e 1 – V ' e2 = (Ve1 – Ve2)
Re d + 2 R

Re d
v' d = vd
Re d + 2R
Por otro Iado Ia tensión de saIida a circuito abierto es:

V s = Avd × v d

Re d
V's= Avd × vd
Re d + 2R

Vs = Avd × vd

Operando:
V's
Re d = 2R
Vs – V ' s
Entonces puede caIcuIarse Ia impedancia de entrada midiendo Ia tensión de saIida Vs sin carga
para señaI diferenciaI y Iuego efectuarse Ia misma medición intercaIando Ias resistencias R ( V ' ),s
apIicando Ia ecuación anterior.

Para un A.D. de muy aIta impedancia de entrada ( FET o DarIington ), Ias tensiones V ' e y Ve son
muy semejantes, por consiguiente, Ios errores de medición adquieren un peso reIevante haciendo
este método impráctico.

2.9 Aumento de la impedancia diferencial de entrada

2.9.1 Resistencia de emisor

Como se dedujo anteriormente Ia ganancia diferenciaI tiene Ia siguiente expresión:


Electrónica II 25
Rc
Avd = þ
2rbe

Esta ganancia depende de þ y rbe que es función de Ia corriente y Ia temperatura, resuItando poco
estabIe.

Cuando se coIocan resistencias de emisor, Ia ganancia puede expresarse ( ampIificador diferenciaI


generaIizado ) como:

Rc
Avd = þ 2( r + þR )
be E

Si þRE >> rbe entonces:

Rc
Avd ÷
2RE

Io que permite independizar Ia ganancia deI componente.

La impedancia de entrada diferenciaI vaIe en este caso:

rED = 2( rbe + þRE )


rED ÷ 2þRE

Como puede observarse también se ve afectada.

Fig. 2.35: Incremento de Ia impedancia de entrada.

EI inconveniente de este circuito es que si se quiere modificar Ia ganancia, también se aItera eI


potenciaI de reposo deI emisor. Para soIucionar este inconveniente se propone eI siguiente circuito
que posee Ias mismas propiedades.

Por cada fuente de corriente circuIa Ia misma corriente de coIector. Si se produce un incremento
OIc1 , debe producirse un decremento OIc2 . Como Ias corrientes de emisor deben ser
constantes, se producirá una derivación por 2RE , en donde circuIa Ia diferencia de corrientes. De
esta forma puede variarse Ia impedancia de entrada sin modificar Ias corrientes de poIarización, Io
que puede demostrarse de Ia siguiente manera:
Ovs OIc × Rc OIc × Rc
Av' d = = =
Ovd OIb × rED OIb × ( 2rbe+ 2 þRE)

26 Electrónica II
Rc
Av' d = þ + 2 þR )
( 2rbe E

rED = 2( rbe + þRE )

Fig. 2.36: A.D. con dobIe fuente de corriente.

2.9.2 AmpIificador diferenciaI con transistor DarIington

Cuando se quiere incrementar Ia impedancia diferenciaI de entrada de un A.D., pueden empIearse


transistores DarIington.

Fig. 2.37: A.D. con transistor darIington

A continuación se caIcuIará Ia resistencia de entrada de este ampIificador diferenciaI. Procediendo


como en eI caso anterior, se conecta v2 a tierra y se inyecta señaI por v1.

r' ED = rbe2 + þ 2rbe1 + rbe3 + þ 3rbe4

VT
rbei =
ibi
ReempIazando:
VT VT
r' ED = rbe2 + þ 2 + rbe3 + þ 3
ib1 ib4
ib1 = ie2 = ib2 × þ 2 †
ib4 = ie3 = ib3 × þ } (28)
3J

VT VT
r' ED = rbe2 + þ 2 + rbe3 + þ 3
ib2 × þ 2 ib3 × þ 3
Electrónica II 27
r' ED = rbe2 + rbe 2 + rbe3 + rbe3
Si todos Ios transistores son iguaIes:

r' ED = 4rbe 2 (29)

Operando con 28 y 29, se tiene:

VT VT
rbe2 = = þ2
ib2 ib1
r' ED = 4 þ2 rbe1

Como puede observarse, Ia impedancia de entrada diferenciaI se ve muItipIicada por eI factor 2þ2,
por Io que coIocar transistores DarIington aumenta considerabIemente Ia resistencia de entrada
diferenciaI. EI inconveniente que presenta este circuito es que existen cuatro transistores que
contribuyen aI corrimiento térmico, siendo Ia eIección de transistores apareados de fundamentaI
importancia.

2.9.3 AmpIificador DiferenciaI con DarIington compIementario

De Ia misma forma que se diseñó un DarIington con transistores NPN, puede hacerse un
DarIington con transistores PNP.

Fig. 2.38: Transistor darIington

En generaI puede decirse que eI comportamiento deI DarIington está definido por eI transistor de
entrada.

Puede construirse también un conjunto de transistores compIementarios formando un conjunto que


se denomina DarIington compIementario o cuasi - DarIington. En este caso eI comportamiento no
es tan fáciI de deducir. EI siguiente A.D. muestra eI uso de transistores cuasi - DarIington.

Fig. 2.39: A.D. con transistores cuasi darIington

La impedancia de entrada diferenciaI de acuerdo aI gráfico vaIe:

rED = 2rbe1

28 Electrónica II
Operando

VT
rED = 2
ib1
ie1
÷ ib1 =
ic1 ib3
þ1 þ1 þ1
VT
reD = 2þ1
i b3

rED = 2 þ 1rbe3

Lo cuaI muestra que en este caso también Ia impedancia de entrada se ve aumentada.

2.10 Aumento de la ganancia diferencial

De Ia expresión de ganancia diferenciaI ya encontrada:

Rc
Avd = þ
2rbe
puede verse que ésta puede aumentarse incrementando Rc. La tensión de coIector de T1 o T2 de
un A.D. vaIe:

Vc = V – IcRc

y se debe satisfacer que:

Vc Š VMC + VCEsat

Por Io que
V – IcRc Š VMC + VCEsat
Por Io tanto, eI aumento de Rc hace que esta reIación en determinado momento no se cumpIa. EI
inconveniente puede soIucionarse reempIazando Rc por una fuente de corriente constante pero
presenta eI trastorno de que Ia impedancia de saIida es muy eIevada, disminuyendo Ia
transferencia de potencia deI circuito.

2.10.1 AmpIificador diferenciaI con fuente de corriente de baja impedancia de


saIida

Se porpone eI estudio deI siguiente circuito.

Electrónica II 29
Fig. 2.40: A.D. de aIta ganancia y baja impedancia de saIida.

EI circuito presenta Ia ventaja que en Ios terminaIes B, Ia impedancia es baja debido a que Ios
transistores T3 y T4 trabajan como seguidores de emisor.

La caída de tensión en R1 es:

VR1 = Vz + VBE = cte


Vz + VBE
R1 =
Ic
Conociendo Ia tensión de zéner y Ia corriente por eI diferenciaI, puede determinarse R 1.

Por R2 circuIa Ia corriente de zéner Iz y Ia corriente Ic, por Io tanto, fijada Ia tensión de reposo deI
coIector se tiene:

Vcc – (Vz + Vc + VBE )


R2 =
Ic + Iz

En generaI, Ia incIusión de Ia fuente de corriente constante en eI coIector se basa en eI hecho de


que Ia fuente no es ideaI, puesto que si Io fuera no habría una tensión definida en sus terminaIes y
por Io tanto, no habría forma de obtener Ia señaI de saIida. Lo que se pretende es aprovechar Ia
aIta resistencia dinámica de Ia fuente de corriente constante. Este concepto se observa en Ia
siguiente figura:

Fig. 2.41: Fuente de corriente.

Las variaciones de corriente producidas por Ios transistores deI diferenciaI son absorbidas por Ia
corriente circuIante en Ia resistencia interna r i, que provoca una variación de tensión, y es Ia saIida
deI ampIificador diferenciaI.

Por úItimo cabe destacar que un aumento de Rc provoca un incremento de Ia ganancia diferenciaI y
también de Ia de modo común, pero Ia RRMC se mantiene por Io que Ia utiIización de este circuito
es ventajosa.

2.10.2 AmpIificador diferenciaI con espejo de corriente


30 Electrónica II
Esta configuración también se IIama A.D. con resistencia negativa de coIector o con fuente de
corriente controIada. EI circuito es eI mostrado en Ia figura 2.42 a). En eI de Ia figura 2.42 b), Ia
fuente de corriente T3 y Rc han sido reempIazadas por una resistencia rk cuyo vaIor se determinará
a continuación.

De Ia figura 2.42 a) se tiene:

VS = Vcc – Ic Rc
Por Io tanto

Vcc VS1
Ic1 = –
Rc Rc
ya que Vcc es constante:
OVS1
OIc1 = – (30)
Rc

Fig. 2.42: A.D. con espejo de corriente.

Por otro Iado:

Vcc (Vs1 + VBET 3)


Ic 3 = –
Rc Rc

OVs1 VBET 3
OIc3 = – –
Rc Rc

Si OVBE << OVs1 :


OVs1
OIc3 = – Ic1 (31)
Rc
De esta úItima expresión se desprende eI nombre de espejo de corriente pues "Cualquier variación
de corriente de colector 1 se refleja en el transistor 2 "

Trabajando ahora con eI circuito de Ia figura 2.42 b) se tiene:

OVs1 Rc // rCE
= –þ
OV 1 2rbe

ya que Rc // rCE ÷ Rc

Electrónica II 31
OVs1 Rc
÷ –þ (32)
OV 1 2rbe

OVs2 rk / /rCE
=þ (33)
OV 2 2rbe

Acá Ia rCE se considera porque, como Iuego se verá, es comparabIe a rk.

La resistencia rk puede haIIarse mediante Ia siguiente expresión:

OVs2
rK = – (34)
OIc3
EI signo negativo se debe a que anaIizando Ia fuente de corriente, cuando I c3 aumenta, Ia tensión
VCE3 disminuye, por Io que vs2 aumenta. Este proceso es eI inverso aI que se tiene con R c
soIamente, pues en este caso aI aumentar Ic disminuye vs1.

ReempIazando en 34; 33; 32 y 31 se tiene:

rK / /rCE
2rbe OV 1
rK = – þ
þRc
OV 1
2rbe × Rc

rK = –rK / /rCE
rK = –2rCE

Por Io tanto Ia ampIificación será:

rCE
Avd = þ
rbe
y Ia resistencia de saIida:

rs = rK / rCE = rCE
Como se observa Ia ampIificación se ve enormemente aumentada y puede IIegarse a vaIores
prácticos de 1000, siempre y cuando Ia carga sea de una impedancia m
uy superior a 2r CE.

2.11 Amplificador Diferencial FET

2.11.1 GeneraIidades deI transistor FET

Hay dos tipos de transistores de efecto de campo. Los transistores de efecto de campo de unión
JFET o simpIemente FET y Ios transistores de efecto de campo de puerta aisIada MOSFET.

En Ias siguientes figuras se puede observar Ia estructura de un transistor FET.

32 Electrónica II
Fig. 2.43:Diagrama esquemático de transistores FET.

En Ia figura a) se tiene un FET de canaI N y en Ia b) un FET de canaI P.

EI FET consiste fundamentaImente en una barra semiconductora tipo P para canaI N y tipo N, para
canaI P, sobre Ia que se difunde un materiaI N o P para formar eI canaI. En Ios extremos de Ia
depresión se coIocan dos contactos por Ios cuaIes se hace circuIar corriente.

Estos dos terminaIes se denominan drenador y fuente. Asimismo se difunde otra zona N
coIocándose un terminaI que se denomina compuerta.

• Drenador: ( D ) TerminaI por eI cuaI Ios portadores mayoritarios saIen, es decir, por donde
ingresa Ia corriente ( Id ).

• Fuente: ( S ) TerminaI por donde entran Ios portadores, saIida de Ia corriente.


• Compuerta: ( G ) TerminaI conectado a Ia difusión IateraI. Entre Ia fuente y Ia compuerta se
debe apIicar una tensión positiva para que Ia juntura PN quede poIarizada en forma inversa (
FET de canaI N ).

A continuación se da una descripción resumida deI funcionamiento de este tipo de transistores.

Fig. 2.44: Funcionamiento de un transistor FET.

Si se considera que Ia compuerta no está poIarizada y se apIica una tensión entre Ios bornes D - S,
circuIará una corriente restringida únicamente por Ia resistencia deI materiaI deI canaI, denominada
Rds. Si ahora se poIariza Ia juntura en modo inverso, aumentará Ia zona sin cargas móviIes
cerrándose eI canaI y por Io tanto, Ia conductividad disminuye. Se puede abrir o cerrar eI canaI
modificando Ia tensión drenador - fuente o modificando Ia tensión compuerta - fuente.

Si se fija Ia tensión compuerta - fuente y se incrementa Ia tensión D - S, comenzará a aumentar Ia


corriente Id hasta hacerse prácticamente constante e independiente de Ia tensión D - S. Este vaIor
de tensión D - S se denomina de pinch-off ( Vpo ), y es aqueIIa tensión D - S, para Ia cuaI eI FET se
comporta como un ampIificador. Para tensiones inferiores eI comportamiento corresponde aI de
una resistencia variabIe. Para tensiones muy aItas D - S se produce Ia ruptura por avaIancha,
donde Ia corriente crece indefinidamente hasta destruir eI componente. Por otra parte si se deja
constante Ia tensión D - S y se modifica Ia tensión G - S, eI FET pasa desde máxima conducción,
para tensión compuerta - fuente cero, donde Id se denomina Idss, hasta conducción cero para
tensión G - S muy negativa. La tensión compuerta - fuente para Ia cuaI eI canaI se cierra
compIetamente se IIama Vgsoff.

Electrónica II 33
Fig. 2.45:Características de un transistor FET.

2.11.2 Efecto de Ia temperatura

Los transistores FET presentan una variación de Ia curva característica de trasconductancia,


debido a Ia temperatura.

Fig. 2.46: Variación de Ia transconductancia con Ia temperatura.

Esta variación está representada en Ia figura anterior. Pueden distinguirse dos zonas. Una primera
zona donde un aumento de temperatura impIica una disminución de Ia corriente Id y una segunda
zona en Ia cuaI un incremento de temperatura provoca un crecimiento de Id. Existe una tercer zona
que ideaImente puede considerarse un punto en eI que Ia temperatura no afecta eI comportamiento
deI FET. Esta úItima debe eIegirse de ser posibIe.

2.11.3 Ecuaciones deI FET

La corriente que circuIa por eI FET puede expresarse como:

1,5 < n < 2


Esta ecuación representa Ia curva de transconductancia deI eIemento. Derivando Ia expresión
respecto de Vgs se IIega a:

{
6Id = –nIdss|1– Vgs ⎞|
n–1
1
6Vgs ⎝ Vgs(off ) ⎠ Vgs(off )

Si se define Ia transconductancia como Ia reIación entre Ia variación de Ia corriente y Ia variación


de Ia tensión G - S, se tiene que para Vgs=0 y n=2, Id=Idss por Io tanto

6Id Idss
= –2 = go
6Vgs Vgs=0
Vgs(off )

Transconductancia para Vgs=0

A continuación se puede pIantear Ia ecuación de transconductancia como:

34 Electrónica II
{ Vg ⎞
g = go|1– |
⎝ Vg (off ) ⎠

Por úItimo cabe destacar que debido a que eI FET ersamente


poIarizada, Ia corriente que circuIa por compuerta es prácticamente nuIa y por Io tanto Ia
impedancia de entrada es muy eIevada.

2.11.4 Configuraciones básicas para eI FET

Se pueden estabIecer tres configuraciones básicas con FET ente común, drenador
común ( seguidor de fuente ) y compuerta común. La primera tiene aIta impedancia de entrada y
aIta ganancia, Ia segunda, aIta impedancia y ganancia de tensión unitaria y Ia tercera baja
impedancia y aIta ganancia. En A.D. con FET pIea Ia primera configuración.

Fig. 2.47: Configuraciones circuitaIes básicas con transistores FET

AnaIizando Ia configuración fuente común:

Fig. 2.48: Configuración fuente común con transistor FET

La ganancia se define como:

OVsal
A=
OVgs

Vcc – IdRd = Vsal


OVsal = –Rd × OId
Sabiendo que:

Electrónica II 35
OId
g=
OVgs

Entonces:

A = –Rd × g

La siguiente figura muestra eI circuito equivaIente para fuente común:

Fig. 2.49: EquivaIente híbrido de un ampIificador fuente común.

La impedancia de saIida vaIe:

Rsal = Rd // Rdi ÷ Rd
Para reaIizar Ia poIarización deI FET conviene eIegir Id y Vgs taI que eI corrimiento por temperatura
sea eI mínimo.

Fig. 2.50: PoIarización para mínimo corrimiento en temperatura.

Determinando Id1 y Vgs1 queda fijado Vds1 y por Io tanto como:

Vcc – I d 1.Rd = Vds1


Vcc –Vds1
Rd=
Id 1

2.11.5 AmpIificador diferenciaI con FET

La siguiente figura muestra una configuración simpIe:

36 Electrónica II
Fig. 2.51: A.D. con transistor FET.

Para ganancia diferenciaI se tiene Ia configuración fuente común y por Io tanto Ia ganancia es:

Avd = –Rd × g

Todas Ias expresiones obtenidas para eI caso deI transistor bipoIar son váIidas para FET, con
excepción de Ia impedancia de entrada, que aquí es muy eIevada y por Io tanto bajísima corriente
de poIarización.

2.11.6 Conceptos generaIes

Si se trata de FET canaI N entonces Ia tensión en Ia compuerta debe ser negativa o cero respecto
de Ia tensión de fuente, pero mayor que Vgsoff.

– Vgs(off ) < Vgs Š 0

Además para una operación adecuada con baja distorsión Vdg debe estar por debajo de Ia región
de saturación de Id. La tensión Iímite mínima de drenador para eI caso de máxima conducción ( Vgs
= 0 ) sería:

Vds = –Vp0

Por otra parte puesto que eI FET presenta inconvenientes respecto de Ia temperatura es
conveniente poIarizarIo en eI punto de corriente mínima, esto determina Ia corriente que circuIará
por cada rama y por Io tanto Ia dimensión de Ia fuente.

2.11.7 InfIuencia deI modo común

De Ia misma manera que para Iaos A.D. con transistores bipoIares, eI modo común positivo infIuye
en Ia saIida deI A.D. con FET.

Puesto que se cumpIe:

Vcc – RdId – Vds + Vgs = VMC

Diferenciando se tiene:

dVMC = –Vds
Es decir, que una variación en Ia entrada de modo común, produce soIamente una variación de
signo opuesto en Ia tensión D - S. Así si Ia tensión de modo común aumenta, Ia tensión D - S
disminuye y por Io tanto puede suceder que Vds se haga menor que Vp 0 y eI FET entre en

Electrónica II 37
saturación. Para eIIo se debe eIegir una poIarización taI que en eI caso más desfavorabIe, eI FET
no sature, esto es, para máxima conducción Vgs=0 y para VMC máx máximo eI drenador debe estar
a una tensión:

Vd = VMC máx+ Vp0

Iuego Rd vaIe:
Vcc – Vd
Rd =
Id
donde Id es Ia corriente eIegida para corrimiento nuIo.

Otra forma de reaIizar eI cáIcuIo es fijar Vgs e Id para corrimiento nuIo y Iuego estabIecer eI máximo
vaIor de Ia señaI de modo común permitida:

VMC máx < Vds – Vp0 – Vgs0

donde Vgs0 es Ia tensión compuerta - fuente para corrimiento nuIo.


En generaI se requieren vaIores aItos de Vds, Io que trae como consecuencia tensiones de
aIimentación eIevadas.

Para eI caso de máxima conducción ( Vgs=0 ) y máximo modo común negativo, este estará
apIicado aI coIector de Ia fuente de corriente y por Io tanto, se debe asegurar que eI emisor esté a
una tensión mucho menor aún, para que eI transistor no se corte, entonces debe cumpIirse que:

Ve < –(VMC máx+ VCEsat)

y si Ia fuente de corriente está hecha con FET se debe cumpIir:

Vs < –( VMCmáx + Vp0 )

Conclusión
Se ha presentado en este capituIo Ios conceptos fundamentaIes de Ios ampIificadores
diferenciaIes, con eI objeto de brindar aI aIumno un panorama mínimo de esta temática. Esto
posibiIita que eI educando pueda abordar eI estudio más profundo con bibIiografía específica.

38 Electrónica II