Anda di halaman 1dari 4

ELEKTORONIKA ANALOG

Bias Dioda
Penggunaan tegangan dc untuk memperoleh kerja tertentu pada sebuah komponen elektronika.

Terdapat 2 bias :
1. Forward bias
2. Reverse bias

Forward bias (dari positif ke anoda)
 Kondisi yang menyebabkan arus mengalir melalui junction pn diode.

 Sebagian elektron sebelah kiri tertarik ke kutub (+) baterai.
 Sebagian hole sebelah kanan di netralkan oleh elektron di kutub (-0 baterai.
 Jumlah muatan positif dan negative pada lapisan deplesi berkurang -> medan listrik
berkurang -> lapisan deplesi menipis -> arus mengalir

Reverse Bias ( dari negative ke anoda)
 Kondisi yang menyebabkan arus tidak mengalir melalui pn junction diode.

 Sebagian atom netral sebelah kanan akan ditarik elektron kearah kutub (+) baterai

hingga mencapai suatu nilai dimana disebut 𝑉𝐵𝑅 .  Sebagian atom netral sebelah kiri akan menerima elektron dari kutub (-) batrai  La[pisan deplesi sebelah kanan akan menjadi lebih positif -> tegangan reverse -> medan listrik -> lapisan deplesi melebar -> arus tidak mengalir . arus reverse akan naik secara cepat. Efek tempratur . Reverse Bias  bila tegangan reverse diberikan pada diode. hanya arus reverse 𝐼𝑅 yang snganat kecil mengalir (diabaikan)  Bila tegangan bias dinaikkan . Karakteristik Tegangan Arus Dioda (silicon) Forward bias  titik a : kondisi zero-bias  Titik b : kondisi tegangan forward kurang dari tegangan barrier  Titik c : kondisi tegangan forward aproksimasi sama dengan tegangan barrier.

Potensial barrier resistansi dinamik dari arus reverse diabaikan.Kurva karakteristik komplit Model diode ideal Model ideal sebuah diode adalah sebagai saklar bila diode dibias maju . maka diode bekerja sebagai saklar menutup ( on ) bila diode di bias mundur maka diode sebagai saklar terbuka ( off ). . Model diode praktis Model praktis memasukkan tegangan barrier dalam model saklar ideal.

maka dioda dalam kondisi baik. Jika kondisinya ON ganti dengan model pendekatan yang digunakan. pada umummnya < 100 Ω  Pada saat reverse bias tehanannya > 5000 Ω  Jika hasil pengujian menunjukkan kedua tahannanya ( forward & reverse bias )  Sangat besar.7 V -> OFF 𝑉𝐷 Germanium < 0. Pengecekan diode  Pengecekan dilakukan menggunkan ohm meter  Pada saat forward bias tahannya akan kecil. maka diode terhubung singkat arah yang lain ( forward bias) dan pada arah yang lain (reverse bias) tahannya besar. Cek kondisi on atau off 2. Konfigurasi seri parallel Dioda Prosedur yang dilakukan pada saat menganalisis diode. Hitung tegangan diode 𝑣𝑑 dengan KVL 𝑉𝐷 silicon > 0. Analisis rangkaian tersebut . 1.Model diode komplit Model diode komplit memasukkan pengaruh tegangan barrier resistansi dinamis (r’d) dan resistansi reverse internal (r’R).3 V-> ON 𝑉𝐷 silicon < 0. maka diode telah putus  Sangat kecil . 4.3 V -> OFF 3.7 V -> ON 𝑉𝐷 Germanium > 0.