Lección 2
El Diodo de
Potencia
1
El diodo semiconductor
Ánodo Terminal
Ánodo Encapsulado
(cristal o resina
sintética) Contacto metal-
semiconductor
P Oblea de
DIODOS DE POTENCIA
semiconductor
N
Contacto metal-
Marca semiconductor
Cátodo señalando el
cátodo
Cátodo Terminal
i
Ánodo
+
V curva característica
DIODOS DE POTENCIA
Cátodo
- V
2
Ecuación característica del diodo
VD.q
k.T
ID = IS·(e -1)
donde:
ID = Corriente de Diodo
K = Constante de Boltzman
VD = Voltaje del Diodo
q = Carga del electron
T = Temperatura (ºK)
DIODOS DE POTENCIA
Curva característica
Polarización Directa
i [mA]
1
i Ge Si
+ P
V N
- 0
-0.25 0.25 0.5 V [V]
Polarización Inversa
DIODOS DE POTENCIA
i [A] i [pA]
0 0
-0.5 V [V] -0.5 V [V]
-0.8 -0.8
Ge Si
3
Curva característica Avalancha primaria
- +
- +
P + + +
-- + +- - - N
- +
i + V -
DIODOS DE POTENCIA
i [A]
-40 V [Volt.]
0
La corriente aumenta
fuertemente si se
producen pares electrón-
hueco adicionales. -2
Encapsulados de diodos
Packages for diodes (I)
• Axial leaded through-hole packages
(low power).
DIODOS DE POTENCIA
DO 35 DO 41 DO 15 DO 201
4
Encapsulados de diodos
Packages for diodes (II)
• Packages to be used with heat sinks.
DIODOS DE POTENCIA
Encapsulados de diodos
DO 5
DIODOS DE POTENCIA
B 44
5
Encapsulados de diodos
Packages for diodes (IV)
• Assembly of 2 diodes (I).
DIODOS DE POTENCIA
Encapsulados de diodos
Packages for diodes (V)
• Assembly of 4 diodes (low-power bridge rectifiers).
DIODOS DE POTENCIA
Dual in line
6
Encapsulados de diodos
Packages for diodes (VI)
• Assembly of 4 diodes
(medium-power bridge rectifiers).
DIODOS DE POTENCIA
Encapsulados de diodos
7
Encapsulados de diodos
Packages for diodes (XI)
• Assembly of 6 diodes
(Three-phase bridge rectifiers).
DIODOS DE POTENCIA
Encapsulados de diodos
Módulos de potencia
Motores Satélites
8
Curvas características y circuitos equivalentes
i
Curva
Curva característica
característica real
ideal
Curva característica
asintótica
pendiente = 1/rd
V
DIODOS DE POTENCIA
0 V
ideal
Circuito equivalente asintótico
rd
real (asintótico) V
Características fundamentales
• Tensión de ruptura
• Tensión de codo
• Corriente máxima
• Velocidad de conmutación
Tensión de ruptura
DIODOS DE POTENCIA
15 V 100 V 500 V
30 V 150 V 600 V
45 V 200 V 800 V
55 V 400 V 1000 V
60 V 1200 V
80 V
9
Tensión de codo
i
Curva
característica real
pendiente = 1/rd
V
0 V
DIODOS DE POTENCIA
10 A 10 A
DIODOS DE POTENCIA
0.82 V 1.1 V
10
Datos del diodo en corte
11
Características dinámicas
R
i
a b
Transición de “a” a “b”
+
V2 V
V1
-
i
DIODOS DE POTENCIA
V1/R
t
Comportamiento
dinámicamente ideal
V t
-V2
Características dinámicas
R
i i
a b V1/R
+
V2 trr
V t
V1
- ts
DIODOS DE POTENCIA
12
Características dinámicas
Transición de “b” a “a” (encendido)
R
i
a b +
V2 V El proceso de encendido es más
V1 rápido que el apagado.
-
i
DIODOS DE POTENCIA
0,9·V1/R
0,1·V1/R
td
tr td = tiempo de retraso (delay time )
tfr tr = tiempo de subida (rise time )
tfr = td + tr = tiempo de recuperación directa
(forward recovery time )
Características dinámicas
DIODOS DE POTENCIA
13
Características Principales
Corriente directa
Tensión inversa
Tiempo de recuperación
Tensión de codo
DIODOS DE POTENCIA
Encapsulado
Pérdidas en el diodo
• Estáticas
2 Tipos
• Dinámicas
Pérdidas estáticas
iD
iD
ideal
DIODOS DE POTENCIA
rd Vr
14
Pérdidas en el diodo
V1/R i
trr
t
DIODOS DE POTENCIA
-V2/R
PD (t) = vD (t)·iD
V (t)
0.8 V
t
-V2
Características Térmicas
RTHjc RTHca a
j
c
P
Si
DIODOS DE POTENCIA
(W)
P Ta
(W) a
j ambiente
oblea Ta : Temperatura ambiente
c Tensiones = Temperaturas
encapsulado
Corriente = Pérdidas (W)
15
Características Térmicas
j RTHjc RTHca a
c
P RTH radiador
(W)
Ta
Tipos de diodos
VRRM IF trr
Direcciones web
www.irf.com
www.onsemi.com
www.st.com
www.infineon.com
16