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Dispositivos Electrónicos

para Alta Tensión

Lección 2

El Diodo de
Potencia

Dispositivos Electrónicos para Alta Tensión


Robert I. Quispe R.

1
El diodo semiconductor

Ánodo Terminal
Ánodo Encapsulado
(cristal o resina
sintética) Contacto metal-
semiconductor

P Oblea de
DIODOS DE POTENCIA

semiconductor
N
Contacto metal-
Marca semiconductor
Cátodo señalando el
cátodo
Cátodo Terminal

Concepto de diodo ideal

En polarización directa, la caída


de tensión es nula, sea cual sea
el valor de la corriente directa
conducida i

i
Ánodo
+
V curva característica
DIODOS DE POTENCIA

Cátodo
- V

En polarización inversa, la corriente


conducida es nula, sea cual sea el valor
de la tensión inversa aplicada

2
Ecuación característica del diodo
VD.q
k.T
ID = IS·(e -1)
donde:
ID = Corriente de Diodo
K = Constante de Boltzman
VD = Voltaje del Diodo
q = Carga del electron
T = Temperatura (ºK)
DIODOS DE POTENCIA

Is = Corriente inversa de saturación

• Polarización directa con VO > V >> VT


V
i  IS·e VT (dependencia exponencial)

• Polarización inversa con V << -VT

i  -IS Corriente inversa de saturación (constante)

Curva característica
Polarización Directa
i [mA]
1
i Ge Si
+ P
V N

- 0
-0.25 0.25 0.5 V [V]
Polarización Inversa
DIODOS DE POTENCIA

i [A] i [pA]

0 0
-0.5 V [V] -0.5 V [V]

-0.8 -0.8
Ge Si

3
Curva característica Avalancha primaria

- +
- +
P + + +
-- + +- - - N
- +
i + V -
DIODOS DE POTENCIA

i [A]
-40 V [Volt.]
0
La corriente aumenta
fuertemente si se
producen pares electrón-
hueco adicionales. -2

Encapsulados de diodos
Packages for diodes (I)
• Axial leaded through-hole packages
(low power).
DIODOS DE POTENCIA

DO 35 DO 41 DO 15 DO 201

4
Encapsulados de diodos
Packages for diodes (II)
• Packages to be used with heat sinks.
DIODOS DE POTENCIA

Encapsulados de diodos

Packages for diodes (III)


• Packages to be used with heat sinks
(higher power levels).

DO 5
DIODOS DE POTENCIA

B 44

5
Encapsulados de diodos
Packages for diodes (IV)
• Assembly of 2 diodes (I).
DIODOS DE POTENCIA

Common cathode Doubler


(Dual center tap Diodes) (2 diodes in series)

Encapsulados de diodos
Packages for diodes (V)
• Assembly of 4 diodes (low-power bridge rectifiers).
DIODOS DE POTENCIA

Dual in line

6
Encapsulados de diodos
Packages for diodes (VI)
• Assembly of 4 diodes
(medium-power bridge rectifiers).
DIODOS DE POTENCIA

Encapsulados de diodos

Packages for diodes (VII)


• Assembly of 4 diodes
(high-power bridge rectifiers).
DIODOS DE POTENCIA

7
Encapsulados de diodos
Packages for diodes (XI)
• Assembly of 6 diodes
(Three-phase bridge rectifiers).
DIODOS DE POTENCIA

Encapsulados de diodos
Módulos de potencia

Varios dispositivos en un encapsulado común


Alta potencia
Aplicaciones Industriales
Se pueden pedir a medida
DIODOS DE POTENCIA

Motores Satélites

8
Curvas características y circuitos equivalentes

i
Curva
Curva característica
característica real
ideal
Curva característica
asintótica

pendiente = 1/rd
V
DIODOS DE POTENCIA

0 V

ideal
Circuito equivalente asintótico
rd
real (asintótico) V

Características fundamentales

• Tensión de ruptura
• Tensión de codo
• Corriente máxima
• Velocidad de conmutación

Tensión de ruptura
DIODOS DE POTENCIA

Baja tensión Media tensión Alta tensión

15 V 100 V 500 V
30 V 150 V 600 V
45 V 200 V 800 V
55 V 400 V 1000 V
60 V 1200 V
80 V

9
Tensión de codo
i
Curva
característica real

pendiente = 1/rd
V
0 V
DIODOS DE POTENCIA

A mayor tensión de ruptura , mayor tensión de codo

Señal Potencia Alta tensión

VRuptura < 100 V 200 – 1000 V 10 – 20 kV

VCodo 0.7 V <2V >8V

Curva real de un dispositivo


200 V 600 V

10 A 10 A
DIODOS DE POTENCIA

0.82 V 1.1 V

10
Datos del diodo en corte

Tensión inversa VRRM Repetitive Peak Voltage


DIODOS DE POTENCIA

La tensión máxima es crítica


Pequeñas sobretensiones pueden romper el dispositivo

Datos del diodo en conducción

Corriente directa IF Forward Current

Corriente directa de pico repetitivo IFRM Repetitive Peak Forward Current


DIODOS DE POTENCIA

La corriente máxima se indica suponiendo que el dispositivo está


atornillado a un radiador

11
Características dinámicas

Indican capacidad de conmutación del diodo

R
i
a b
Transición de “a” a “b”
+
V2 V
V1
-
i
DIODOS DE POTENCIA

V1/R
t
Comportamiento
dinámicamente ideal
V t

-V2

Características dinámicas

Transición de “a” a “b”

R
i i
a b V1/R
+
V2 trr
V t
V1
- ts
DIODOS DE POTENCIA

-V2/R tf (i= -0,1·V2/R)


ts = tiempo de almacenamiento
(storage time )
V
tf = tiempo de caída (fall time ) t
trr = tiempo de recuperación
inversa (reverse recovery time ) -V2

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Características dinámicas
Transición de “b” a “a” (encendido)

R
i
a b +
V2 V El proceso de encendido es más
V1 rápido que el apagado.

-
i
DIODOS DE POTENCIA

0,9·V1/R

0,1·V1/R

td
tr td = tiempo de retraso (delay time )
tfr tr = tiempo de subida (rise time )
tfr = td + tr = tiempo de recuperación directa
(forward recovery time )

Características dinámicas
DIODOS DE POTENCIA

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Características Principales

Corriente directa
Tensión inversa
Tiempo de recuperación
Tensión de codo
DIODOS DE POTENCIA

Encapsulado

Pérdidas en el diodo

• Estáticas
2 Tipos
• Dinámicas

Pérdidas estáticas
iD
iD

ideal
DIODOS DE POTENCIA

rd Vr

V PD (t) = vD (t)·iD (t) = (V + rD · i(t)) · i(t)


VF
T
1
PD  PD (t )·dt
T 0
ID : Valor medio
PD = V ·ID + rD · Ief2
Ief : Valor eficaz

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Pérdidas en el diodo

Pérdidas dinámicas (Perdidas de conmutación)

Las conmutaciones no son perfectas


Hay instantes en los que conviven tensión y corriente

V1/R i
trr
t
DIODOS DE POTENCIA

-V2/R
PD (t) = vD (t)·iD
V (t)
0.8 V

t
-V2

Características Térmicas

Las pérdidas generan calor y éste debe ser evacuado


El silicio pierde sus propiedades semiconductoras a partir de 150º
Equivalente eléctrico

RTHjc RTHca a
j
c
P
Si
DIODOS DE POTENCIA

(W)
P Ta
(W) a
j ambiente
oblea Ta : Temperatura ambiente
c Tensiones = Temperaturas
encapsulado
Corriente = Pérdidas (W)

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Características Térmicas

La resistencia térmica oblea – encapsulado es baja ( 0.5 ºC/W)

La resistencia térmica encapsulado- ambiente es alta ( 50 ºC/W)

Para reducir la temperatura se puede colocar un radiador


DIODOS DE POTENCIA

Conectamos una resistencia en paralelo con la RTHca

j RTHjc RTHca a
c
P RTH radiador
(W)
Ta

Tipos de diodos

Se clasifican en función de la rapidez (trr)

VRRM IF trr

• Standard 100 V - 600 V 1 A – 50 A > 1 s


• Fast 100 V - 1000 V 1 A – 50 A 100 ns – 500 ns
• Ultra Fast 200 V - 800 V 1 A – 50 A 20 ns – 100 ns
• Schottky 15 V - 150 V 1 A – 150 A < 2 ns
DIODOS DE POTENCIA

Las características se pueden encontrar en Internet (pdf)

Direcciones web

www.irf.com
www.onsemi.com
www.st.com
www.infineon.com

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