ELECTRÓNICA DE POTENCIA

IEE653

1
Docente:
Ing. Jorge Luis Medina Mora, MSc.
 2. DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES
2 DE POTENCIA

MATERIALES SEMICONDUCTORES

Materiales que poseen un nivel de conductividad

que se localiza entre los extremos de un dieléctrico
(aislante) y de un conductor
Ing. Jorge Luis Medina, MSc.
3

Estructura atómica
del (a) silicio; (b)
germanio,
y (c) galio y arsénico
(Arseniuro de Galio).
 2. DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES
4 DE POTENCIA

DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES DE POTENCIA

Si los dispositivos semiconductores de

potencia se consideran interruptores
ideales, el análisis de las topologías de
convertidores se facilita en gran medida.

Un resumen de las características permitirá determinar hasta que grado

es posible idealizar las mismas.
Ing. Jorge Luis Medina, MSc.
 2. DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES
5 DE POTENCIA
Los dispositivos semiconductores de potencia disponibles se clasifican
en tres grupos, de acuerdo con su grado de controlabilidad:

1. Diodos. Estados de conexión y desconexión controlados por el

circuito de potencia.

2. Tiristores. Son activados mediante una señal de control, pero

pueden ser desactivados por medio del circuito de potencia
(control por fase) o por un circuito de control externo. Son
dispositivos unidireccionales (SCR) o bidireccionales (Triac) o
(DIAC).
Ing. Jorge Luis Medina, MSc.

3. Interruptores controlables. Se conectan y desconectan mediante

señales de control.
 2. DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES
6 DE POTENCIA

La categoría de interruptores controlables abarca varios tipos de

dispositivos, como:

Transistores de unión bipolar (bipolar junction transistors o BJT)

Transistores de efecto de campo oxido metalico semiconductor

(metal-oxide-semiconductor field effect transistors, MOSFET).

Tiristores desactivables por puerta (GTO) y

Transistores bipolares de puerta aislada (insulated gate bipolar

transistors, IGBT).
Ing. Jorge Luis Medina, MSc.
 2. DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES
7 DE POTENCIA
Ing. Jorge Luis Medina, MSc.
 2. DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES
8 DE POTENCIA
Ing. Jorge Luis Medina, MSc.
 2. DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES
9 DE POTENCIA

DIODOS (PN) Cuando el diodo esta polarizado en

directa, empieza a conducir con solo un
pequeño voltaje en directo a través de el,
que esta en el orden de 1 V. Cuando el
diodo esta en polarización inversa, solo
una corriente de fuga muy insignificante
fluye a través del dispositivo hasta que se
alcanza la tensión de ruptura inversa. En la
operación normal, el voltaje de
polarización inversa no debe alcanzar el
punto de ruptura.
Ing. Jorge Luis Medina, MSc.

https://www.youtube.com/watch?v=hsJGw_c-Nn4
 2. DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES
10 DE POTENCIA

Fig. Características del

diodo semiconductor de
silicio.
Ing. Jorge Luis Medina, MSc.
 2. DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES
11 DE POTENCIA
Ing. Jorge Luis Medina, MSc.
 2. DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES
12 DE POTENCIA
La dirección definida de la corriente convencional
en la región de voltaje positivo corresponde
a la punta de flecha del símbolo de diodo.
Ing. Jorge Luis Medina, MSc.
 2. DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES
13 DE POTENCIA

Diodo semiconductor ideal:

(a) polarizado
en directa; (b) polarizado
en inversa.
Ing. Jorge Luis Medina, MSc.
 2. DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES
14 DE POTENCIA

En vista de una corriente de fuga muy pequeña en el estado de

bloqueo (polarización inversa) y una pequeña tensión en el
estado de conducción (polarización directa), en comparación
con las tensiones y corrientes de operación en las que se usa el
diodo, se puede idealizar la característica de i-v para el diodo.

Como se muestra a continuación.

Ing. Jorge Luis Medina, MSc.
 2. DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES
15 DE POTENCIA
Ing. Jorge Luis Medina, MSc.
 2. DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES
16 DE POTENCIA
Ing. Jorge Luis Medina, MSc.
 2. DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES
17 DE POTENCIA

Esta característica idealizada sirve para

analizar la topología del convertidor, pero
NO se debe usar para el propio diseño del
convertidor cuando se estiman, por
ejemplo, los requisitos del disipador de
calor para el dispositivo.

Para dimensionamiento del

semiconductor de potencia se usan
curva reales.
Ing. Jorge Luis Medina, MSc.

Para cálculos en la carga se consideran

curvas ideales.
 2. DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES
18 DE POTENCIA

Algunos valores característicos

Vrrm Voltaje reverso repetitivo máximo

Vrsm Voltaje reverso NO repetitivo máximo

If Corriente hacia delante (directa) (Corriente

Nominal), desde el A hacia el K

Ipnr Corriente pico no repetitiva

Ipr Corriente pico repetitiva

Ing. Jorge Luis Medina, MSc.

Vf Voltaje de polarización directa

 2. DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES
19 DE POTENCIA
Ing. Jorge Luis Medina, MSc.
 2. DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES
20 DE POTENCIA

Al encenderlo, el diodo puede considerarse un

interruptor ideal porque se enciende rápido en
comparación con los transitorios en el circuito de
energía. Sin embargo, al apagarlo, la corriente del
diodo se invierte por un tiempo de recuperación
inversa trr, como se indica en la figura siguiente, antes
de caer a cero. Esta corriente de recuperación inversa
ó reversa (negativa) es necesaria para barrer los
portadores de exceso en el diodo y permitirle bloquear
Ing. Jorge Luis Medina, MSc.

un voltaje de polaridad negativa.

 2. DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES
21 DE POTENCIA
Ing. Jorge Luis Medina, MSc.

Qrr Carga de recuperación reversa

Trr Tiempo de recuperación reversa
Irr Corriente de Recuperación reversa
 2. DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES
22 DE POTENCIA

La corriente de recuperación inversa

puede dar lugar a excesos de voltaje en
circuitos inductivos.

En la mayoría de los circuitos, ésta

corriente inversa no afecta la
característica de entrada/salida del
convertidor, así que el diodo también
Ing. Jorge Luis Medina, MSc.

puede considerarse ideal durante el

fenómeno transitorio de desconexión.
 2. DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES
23 DE POTENCIA

Clases de DIODOs

Según los requisitos de la aplicación, están disponibles varios tipos de

diodos:

1. Diodos Schottky. Estos diodos se usan donde se requiere una caída baja
de tensión directa (normalmente 0.3 V) en circuitos de tensión de salida
muy baja. Estos diodos están limitados en su capacidad de tensión de
bloqueo (NORMALMENTE 50 A 100 V).
Ing. Jorge Luis Medina, MSc.
 2. DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES
24 DE POTENCIA

2. Diodos de recuperación rápida. Estos diodos están

diseñados para el uso en circuitos de alta frecuencia, en
combinación con interruptores controlables donde se
necesita un tiempo corto de recuperación inversa. En
niveles de energía de varios cientos de voltios y varios
cientos de amperios, estos diodos tienen un grado de trr
de menos que unos cuantos microsegundos.
Ing. Jorge Luis Medina, MSc.
 2. DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES
25 DE POTENCIA

3. Diodos de frecuencia de línea. Tienen tiempos trr (tiempo de

recuperación reversa) más grandes, aceptables para
aplicaciones de frecuencia de línea.

Estos diodos están disponibles con magnitudes de voltaje de

bloqueo de varios voltios y magnitudes de corriente de varios
amperios. Además, se pueden conectar en serie y paralelo para
satisfacer cualquier requisito de corriente.
Ing. Jorge Luis Medina, MSc.
 2. DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES
26 DE POTENCIA

CONEXIÓN DE DIODOS

EN SERIE
Esta conexión suele usarse para que se
divida el voltaje reverso en los diodos
cuando se encuentran en polarización
inversa. (Se usan redes de Ecualización de
voltaje y para aumentar la capacidad de
bloqueo inverso).
En teoría para dos diodos de un mismo tipo
las curva V-I deberían ser la misma pero en
Ing. Jorge Luis Medina, MSc.

la práctica difieren debido a tolerancias

en su proceso de producción.
 2. DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES
27 DE POTENCIA
Ing. Jorge Luis Medina, MSc.
 2. DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES
28 DE POTENCIA
Resistencias de ecualización
Ing. Jorge Luis Medina, MSc.
 2. DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES
29 DE POTENCIA
EN PARALELO
En aplicaciones de alta potencia, los diodos
se conectan en paralelo para aumentar la
capacidad de conducción de corriente, a fin
de llenar las especificaciones de corrientes
deseadas. (Suplir la corriente que necesita la
carga).

La distribución de corriente en los diodos

estaría de acuerdo con sus respectivas
caídas de voltaje en polarización directa.
Ing. Jorge Luis Medina, MSc.
 2. DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES
30 DE POTENCIA

Se puede obtener una distribución

uniforme de corriente proporcionando
inductancias iguales, ó conectando
resistencias de distribución de corriente
(opción no práctica por la disipación de
energía). Se puede minimizar el problema
escogiendo diodos del mismo tipo *.
Ing. Jorge Luis Medina, MSc.
 2. DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES
31 DE POTENCIA

Potencia disipada en un diodo de potencia

Ing. Jorge Luis Medina, MSc.
 2. DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES
32 DE POTENCIA
Ing. Jorge Luis Medina, MSc.
 2. DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES
33 DE POTENCIA
Ing. Jorge Luis Medina, MSc.
 2. DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES
34 DE POTENCIA
Ing. Jorge Luis Medina, MSc.