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U.N.M.S.

M
FACULTAD DE ING. ELECTRÓNICA, ELÉCTRICA Y DE
TELECOMUNICACIONES

APELLIDOS Y NOMBRES MATRICULA

CHUMBIAUCA HUALLANCA MARÍA FÁTIMA 15190275

CURSO TEMA

LABORATORIO DE DISPOSITIVOS ELECTRÓNICOS EL TRNASISTOR BIPOLAR NPN

INFORME FECHAS NOTA

PREVIO REALIZACIÓN ENTREGA

NÚMERO

20 DE JUNIO DEL
06 13 DE JUNIO DEL 2016 2016

GRUPO PROFESOR

8
Lunes de 8 am– 10 am ING. LUIS PARETTO QUISPE
INFORME PREVIO Nº6
I. TEMA: TRANSISTOR BIPOLAR PNP.

II. OBJETIVOS:
 Verificar las condiciones de un transistor bipolar PNP.
 Comprobar las características de funcionamiento de un transistor bipolar PNP.

III. INTRODUCCIÓN TEÓRICA


TRANSISTOR BIPOLAR PNP

El transistor bipolar es el más común de los transistores, y


como los diodos, puede ser de germanio o silicio. En
ambos casos el dispositivo tiene 3 patillas y son: el emisor,
la base y el colector.

Existen dos tipos transistores: el NPN y el PNP, y la


dirección del flujo de la corriente en cada caso, lo indica la
flecha que se ve en el gráfico de cada tipo de transistor. El
transistor es un dispositivo de 3 patillas con los siguientes
nombres: base (B), colector (C) y emisor (E), coincidiendo
siempre, el emisor, con la patilla que tiene la flecha en el
gráfico de transistor.

El transistor bipolar es un amplificador de corriente, esto


quiere decir que si le introducimos una cantidad de corriente por una de sus patillas (base), el
entregará por otra (emisor), una cantidad mayor a ésta, en un factor que se llama amplificación.

CONDICIONES DE FUNCIONAMIENTO

Las condiciones normales de funcionamiento de un transistor NPN se dan cuando el diodo B-E se
encuentra polarizado en directa y el diodo B-C se encuentra polarizado en inversa. En esta
situación gran parte de los electrones que fluyen del emisor a la base consiguen atravesar ésta,
debido a su poco grosor y débil dopado, y llegar al colector.

El transistor posee tres zonas de funcionamiento:

1. Zona de saturación: El diodo colector está polarizado directamente y es transistor


se comporta como una pequeña resistencia. En esta zona un aumento adicionar
de la corriente de base no provoca un aumento de la corriente de colector, ésta
depende exclusivamente de la tensión entre emisor y colector. El transistor se
asemeja en su circuito emisor-colector a un interruptor cerrado.

2. Zona activa: En este intervalo el transistor se comporta como una fuente de


corriente, determinada por la corriente de base. A pequeños aumentos de la
corriente de base corresponden grandes aumentos de la corriente de colector, de
forma casi independiente de la tensión entre emisor y colector. Para trabajar en
esta zona el diodo B-E ha de estar polarizado en directa, mientras que el diodo B-
C, ha de estar polarizado en inversa.

3. Zona de corte: El hecho de hacer nula la corriente de base, es equivalente a


mantener el circuito base emisor abierto, en estas circunstancias la corriente de
colector es prácticamente nula y por ello se puede considerar el transistor en su
circuito C-E como un interruptor abierto.

IV. RESOLUCIÓN TEÓRICA DE LOS SIGUENTES CIRCUITOS:

Trabajamos con el transistor AC126

 POLARIDAD: PNP
 MATERIAL: GERMANIO (Ge)
 GANANCIA DE CORRIENTE (β) = 63
Datos del circuito:

 Re=330Ω
 Rc=1kΩ
 R1=56KΩ
 R2= 22KΩ.
 Vcc= -12v

Hacemos el equivalente de Thevenin del


circuito:
(R1+P1)×R2
Rb = (R1+P1)+R2

R2×Vcc
V=
(R1+P1)+R2

OBSERVACIÓN

VBE= -0.2v β= 63
TABLA 2

(Para P1 = 0 Ω y R1 = 56k Ω)
 Hallando el Rb:  Hallando Ic:
R1×R2
Rb =
R1+R2
Ic = Ib×β
56K×22K Ic = (-86,255)(63)
Rb = (56+22)K
Ic = -5,434 mA
Rb = 15.794k Ω
 Hallando VCE: (Ic = Ie)
 Hallando el V:
R2×Vcc
Vcc= Ic×Rc + VCE + Ic×Re
V=
R1+R2
VCE=Vcc – Ic (Rc+Re)
22k×(−12)
V= (56+22)𝑘 VCE = -12 – (-5.434×10−3 )(1000+330)

V = -3.385 v VCE = -4,773 v

 Hallando Ib:  Hallando VE:


V−VBE
Ib=Rb+(β+1)Re VBE = VB - VE……. (VB = V)

VE = V - VBE
−3.385−(−0.2)
Ib=15.794×103 +(63+1)330
VE = -4,773– (-0.2)
Ib = -86,255 µA
VE = -4,573v

Valores
IC (mA) Ib (uA.) β VCE (v.) VBE (v.) VE (v.)
(R1= 56K Ω)

Teóricos -5,434 mA -86,255 63 -4,773 -0.2 -4,573


TABLA 3

(Para P1 = 0 Ω y R1 = 68k Ω)

 Hallando el Rb:
Rb =
R1×R2  Hallando Ic:..
R1+R2
Ic = Ib×β
68K×22K Ic = (-72.437µ)(63)
Rb = (68+22)K
Ic = -4.563 mA
Rb = 16.623k Ω
 Hallando VCE: (Ic = Ie)
 Hallando el V:
R2×Vcc
Vcc= Ic×Rc + VCE + Ic×Re
V= R1+R2
VCE=Vcc – Ic (Rc+Re)
22k×(−12)
V= (68+22)𝑘 VCE = -12 – (-4.563×10−3 )(1000+330)

V = - 2.934 v VCE = -5.931 v

 Hallando Ib:  Hallando VE:


V−VBE
Ib=Rb+(β+1)Re VBE = VB - VE……. (VB = V)

−2.934−(−0.2) VE = V - VBE
Ib=16.623×103 +(63+1)330
VE = - 2.934 – (-0.2)
Ib = -72.437 µA
VE = -2.734 v

Valores
IC (mA.) Ib (uA.) β VCE(v.) VBE(v.) VE(v.)
(R1= 68K Ω)

Teóricos -4.563 -72.437 63 -5.931 -0.2 -2.734


TABLA 5

(Para P1 = 100K Ω y R1 = 56k Ω)

 Hallando el V:
R2×Vcc
V = R1+P1+R2

22k×(−12)
V = (56+100+22)𝑘

V = -1.483 v

 Hallando Ib:
V−V
BE
Ib=Rb+(β+1)Re

−1.483−(−0.2)
Ib=19.2808×103 +(63+1)330

Ib = -31.757 µA

 Hallando Ic
Ic = Ib×β
Ic = (-31.757µ)(63)
 Hallando el Rb:
(R1+P1)×R2 Ic = -2.001mA
Rb = R1+P1+R2

156K×22K  Hallando VCE: (Ic = Ie)


Rb =
(56+100+22)K
Vcc= Ic×Rc + VCE + Ic×Re

Rb = 19.2808k Ω VCE=Vcc – Ic (Rc+Re)

VCE = -12 – (-2.001×10−3 )(1000+330)

VCE = -9.339v
(Para P1 = 250K Ω y R1 = 56k Ω)

 Hallando el Rb:  Hallando Ib:

(R1+P1)×R2 V−VBE
Rb = Ib=Rb+(β+1)Re
R1+P1+R2

306K×22K −0.8048−(−0.2)
Rb = (56+250+22)K Ib=20.524×103 +(63+1)330

Rb = 20.524k Ω Ib = -14.523 µA

 Hallando el V:  Hallando Ic:( Ic = Ib×β)


R2×Vcc Ic = (-14.523µ)(63)
V = R1+P1+R2

22k×(−12)
Ic=0.914 mA
V = (56+250+22)𝑘
Hallando VCE: (Ic = Ie)
V = -0.8048 v Vcc= Ic×Rc + VCE + Ic×Re
VCE=Vcc – Ic (Rc+Re)

VCE = -12 – (-0.914 ×10−3 )(1000+330)

VCE = -10.784v

(Para P1 = 500K Ω y R1 = 56k Ω)

Hallando el V:

R2×Vcc
V = R1+P1+R2

22k×(−12)
V = (56+500+22)𝑘

V = -0.4567 v

Hallando Ib:

V−V
BE
Ib=Rb+(β+1)Re

−0.4567−(−0.2)
Ib=21.162×103 +(63+1)330

Ib = -6.071 µA

Hallando Ic:.( Ic = Ib×β)

Hallando el Rb: Ic = (-6.071 µ)(63)

Rb =
(R1+P1)×R2 Ic = -0.382mA
R1+P1+R2

556K×22K
Hallando VCE: (Ic = Ie)
Rb = (56+500+22)K
Vcc= Ic×Rc + VCE + Ic×Re

Rb = 21.162k Ω VCE=Vcc – Ic (Rc+Re)

VCE = -12 – (-0.382 ×10−3 )(1000+330)

VCE = -11.492 v
(Para P1 = 1M Ω y R1 = 56k Ω)
 Hallando el V:
R2×Vcc
V = R1+P1+R2

22k×(−12)
V = (56+1000+22)𝑘

V = -0.245 v

 Hallando Ib:
V−VBE
Ib=Rb+(β+1)Re

−0.245−(−0.2)
Ib=21.551×103 +(63+1)330

Ib = -1.055 µA

 Hallando Ic:..( Ic = Ib×β)


Ic = (-1.055µ)(63)

Ic = -0.066mA

 Hallando VCE: (Ic = Ie)

 Hallando Rb: Vcc= Ic×Rc + VCE + Ic×Re


(R1+P1)×R2
Rb = R1+P1+R2
VCE=Vcc – Ic (Rc+Re)

1056K×22K VCE = -12 – (-0.066×10−3 )(1000+330)


Rb = (56+1000+22)K
VCE = -11.912v
Rb = 21.551k Ω
Llenamos la tabla con los datos teóricos obtenidos:

P1 100K Ω 250K Ω 500K Ω 1M Ω

Ic(mA) -2.001 -0.914 -0.382 -0.066

Ib(uA) -31.757 -14.523 -6.071 -1.055

VCE (v.) -9.339 -10.784 -11.492 -11.912

V. CONCLUSIONES:

 Si aumentamos el valor de la resistencia no genera mayor ganancia

pero disminuye la estabilidad en un amplificador.

 La variación del potenciómetro genera cambios en la ganancia de

corriente y voltaje.