Facultad de Ingeniería Electrónica, Eléctrica y Telecomunicaciones

Lozano Torres, Franz Kenneth 15190258

DISPOSITIVOS EL TRANSISTOR BIPOLAR

ELECTRONICOS PNP. CARACTERÍSTICAS
BÁSICAS.

PREVIO REALIZACION: ENTREGA:

08 DE JUNIO DEL 15 DE JUNIO

06 2017 DEL 2017

NUMERO: HORARIO:
06 JUEVES
2pm  –  4pm
 4pm
Facultad de Ingeniería Electrónica y Eléctrica || Universidad Nacional Mayor de San Marcos

I. Tema:
“EL TRANSISTOR BIPOLAR PNP. CARACTERÍSTICAS
BÁSICAS."

II. Cuestionario previo:

3. Determinar el punto de operación del circuito del experimento utilizando un
transistor bipolar PNP de modelo TR85 . Llenar las tablas 2, 3 y 5.

Características del transistor modelo TR85:

Transistor Description Case Diag N° Maximum Typical Maximum
Code and Style Collector Forward Collector
Application Current Current Dissipation
(Amp)(Ic) 
(Hfe)( ) (Watts) (Pd)
TR85 PNP-Ge T01 26 1 90 1.4

El circuito a analizar es el siguiente:

LABORATORIO DE DISPOSITIVOS ELECTRÓNICOS 2

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En esta experiencia iremos variando los valores del potenciómetro P1, por ello
expresamos nuestro circuito de la siguiente forma:

 =  + 

Luego hallamos su equivalente Thévenin:

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Donde:

 = +∗ ;  =  +∗ 

Hallamos los valores máximos de   y :
 = + = 9.02  ;  =  = 12 
 Haciendo  = 56 Ω ( = 0 Ω):

 = +∗ = 3.38  ;  =  +∗  = 15.79 Ω

 = 1 Ω ;  = 330 Ω ;  ≅ 0.3  Germanio ;  =  ;  ≅ 
En la malla 1:

 =  ∗  +  +  ∗  ;  = 

 −  =  ( + )
 =  −  ≅ 6.09 
 + 
En la malla 2:
 =  ∗  +   + 
 =  −  ∗  +   ≅ 3.90 
Hallamos   y  :
 =  +−+1 ≅ 67.22 µ
 =  ∗  = 2.01 
TABLA 2 ( =  Ω)
  µ       
6.09  67.22 µ  3.90  .  2.01 

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 Haciendo  = 68 Ω ( = 12 Ω):

 = +∗ = 2.93  ;  =  +∗  = 16.62 Ω
 = 1 Ω ;  = 330 Ω ;  ≅ 0.3  Germanio ;  =  ;  ≅ 
En la malla 1:
 =  ∗  +  +  ∗  ;  = 
 −  =  ( + )
 =  −  ≅ 5.11 
 + 
En la malla 2:
 =  ∗  +   + 
 =  −  ∗  +   ≅ 5.20 
Hallamos   y  :
 =  +−+1 ≅ 56.38 µ
 =  ∗  = 1.69 
TABLA 3 ( =  Ω)
  µ       
5.11  56.38 µ  5.20  .  1.69 
Con estos valores podemos trazar nuestra recta de carga y ubicar los puntos de
trabajo Q1 y Q2:

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 Haciendo  = 156 Ω ( = 100 Ω):

 = +∗ = 1.48  ;  =  +∗  = 19.28 Ω
 = 1 Ω ;  = 330 Ω ;  ≅ 0.3  Germanio ;  =  ;  ≅ 
En la malla 1:

 =  ∗  +  +  ∗  ;  = 

 −  =  ( + )
 =  −  ≅ 2.17 
 + 
En la malla 2:
 =  ∗  +   + 
 =  −  ∗  +   ≅ 9.11 
Hallamos  :
 =  +−+1 ≅ 23.93 µ
 Haciendo  = 306 Ω ( = 250 Ω):

 = +∗ = 0.80  ;  =  +∗  = 20.52 Ω

 = 1 Ω ;  = 330 Ω ;  ≅ 0.3  Germanio ;  =  ;  ≅ 
En la malla 1:

 =  ∗  +  +  ∗  ;  = 

 −  =  ( + )
 =  −  ≅ 0.90 
 + 
En la malla 2:
 =  ∗  +   + 
 =  −  ∗  +   ≅ 10.80 
Hallamos :
 =  +−+1 ≅9.89µ

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 Haciendo  = 556 Ω ( = 500 Ω):

 = +∗ = 0.46  ;  =  +∗  = 21.16 Ω
 = 1 Ω ;  = 330 Ω ;  ≅ 0.3  Germanio ;  =  ;  ≅ 
En la malla 1:

 =  ∗  +  +  ∗  ;  = 

 −  =  ( + )
 =  −  ≅ 0.28 
 + 
En la malla 2:
 =  ∗  +   + 
 =  −  ∗  +   ≅ 11.63 
Hallamos  :
 =  +−+1 ≅ 3.13 µ
 Haciendo  = 1056 Ω ( = 1 Ω):

 = +∗ = 1.48  ;  =  +∗  = 19.28 Ω

 = 1 Ω ;  = 330 Ω ;  < 0.3  Germanio ;  =  ;  ≅ 
En la malla 1:

 =  ∗  +  +  ∗  ;  = 

 −  =  ( + )
 =  −  ≅ 0 
 + 
En la malla 2:
 =  ∗  +   + 
 =  −  ∗  +   ≅ 12 
Hallamos :
 =  +−+1 ≅ 0 µ

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TABLA 5
R  Ω  Ω  Ω  Ω
 2.17  0.90  0.28  0 
µ 23.93 µ 9.89 µ 3.13 µ 0 µ
 9.11  10.80  11.63  12 
Notamos que, a medida que el valor de R aumenta (P1 aumenta), el transistor pasa
a la zona de saturación, donde la corriente de colector (Ic) es mínima y el voltaje
colector-emisor (Vce) es máximo.

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