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INTRODUÇÃO - Semicondutores

Professor Lucas Tenório de Souza Silva


Semicondutores
 Sumário
 Introdução aos semicondutores
 Diodo e Simbologia
 Junção do Diodo
 Principio de funcionamento e Polarização do diodo
 Curva Característica do Diodo
 Teste de diodos
 Modelos do Diodos
 Aplicações com diodos Retificadores
 Diodo emissor de luz (LED)
 Fotodiodo
 Diodo zener e Características
INTRODUÇÃO - ELETRÔNICA
1- ELETRÔNICA
 A eletrônica esta intimamente ligada ao desenvolvimento
alcançado pelo homem nos últimos 50 anos.
 A eletrônica possui várias ramificações, dentre elas:
 Eletrônica Analógica de Baixa Potência
 Eletrônica Analógica de Potência
 Eletrônica Digital
INTRODUÇÃO - ELETRÔNICA
 A eletrônica é bastante presente em nosso dia-dia. É utilizada
para:
 Diagnosticar doenças, desenvolver métodos de cura e salvar
vidas,
 Lazer e ao comodismo das pessoas
 Substituir a mão de obra onde as condições são sub humanas e
acelerar processos antes feitos de forma artesanais.
 Equipamentos Bélicos (infelizmente);
 Assim, é importante:
 Saber manejá-las de forma adequada;
 Entender para quem e para que serve
 Ter o poder de crítica, para avaliar a real utilidade das novas
tecnologias em prol do bem social.
CONSTITUIÇÃO DA MATÉRIA
1- CONSTITUIÇÃO DA MATÉRIA
 O átomo é formado basicamente por 3 tipos de partículas
elementares: elétrons, prótons e nêutrons. A quantidade
destas é diferente para cada tipo de elemento químico.
 Número Atômico: Z (nº de prótons = nº de elétrons)
 Número de Massa: A (nº de prótons + nº de neutrons)
 Exemplo:
 Átomo de Silício:
 Z=14 = nº de prótons = nº de elétrons;
 A = 28 = nº de prótons + nº de neutrons;
 nº de neutrons; = 14
 Átomo de Germânio:
 Z=32 = nº de prótons = nº de elétrons;
 A = 70 = nº de prótons + nº de neutrons;
 nº de neutrons; = 38
CONSTITUIÇÃO DA MATÉRIA
 Os elétrons giram em torno de orbitas bem definidas e pode
ser representada pelo modelo de Bohr.
 No modelo de Bohr, os elétrons que possuem mais
energia se posicionam nas camadas mais externas, ou seja
o elétron da orbita Q possui mais energia que o da orbita P.

Níveis de Energia das Camadas


CONSTITUIÇÃO DA MATÉRIA
 O posicionamento dos elétrons dentro da obita esta
relacionado ao equilíbrio entre a força centífuga (Fc –
relacionada à velocidade do elétron) e a força eletrostática
(Fe – força de atração elétrons e prótons). Por conta disto,
existe um número máximo de elétrons por camada.
 A última camada é chamada de camada de valência.
Quando o elétron desta camada ganha energia (calor, luz
ou outro tipo de radiação), o mesmo deixa a camada do
átomo para a camada de condução, e se torna um
elétron livre.
CONSTITUIÇÃO DA MATÉRIA
 O elétron livre são os elétrons de valência, que formam a
corrente elétrica quando ele estão sob a ação de um campo
elétrico (fonte de tensão).
 É na camada de valência que ocorre as reações
(ligações) entre os átomos.
 A estrutura atômica se torna mais estável quando a camada
de valência possui 8 elétrons (exceto se possui apenas a
camada K, que será 2).

 NaCl
CONSTITUIÇÃO DA MATÉRIA
 Como a distância das orbitas são bem definidas, entre uma
orbita e outra existe uma região onde os elétrons não ficam.
Esta região é denominada de banda proibida e esta definirá
se o material é isolante(1), condutor(2) ou
semicondutor(3).

1) 2) 3)

 Além da largura da banda proibida, lembre-se também que a


própria organização do material influencia na condução. Por
exemplo: grafite (desorganizado) x diamante (cristalino)
MATERIAIS SEMICONDUTORES
2- MATERIAIS SEMICONDUTORES
 Os materiais semicondutores são constituídos por de
átomos tetravalentes, ou seja, possui 4 elétrons na
camada de valência.
 Átomos dos materiais semicondutores tendem a se agrupar
formando cristais e, neste caso, os elétrons da camada de
valência estão presentes nas camadas de dois átomos
simultaneamente. Este tipo de ligação é chamada de ligação
covalente.
MATERIAIS SEMICONDUTORES
 Materiais compostos por apenas um tipo elemento químico
semicondutores são chamados de semicondutores
intrínsecos ou puros (estado natural).
 Em baixas temperaturas, o material é considerado isolante.
Com o aumento da temperatura algumas ligações se
rompem, elétrons ficam livres e permitem a passagem de
corrente.
 A liberação de elétrons (elétrons livres) faz o átomo ficar
ionizado positivamente. Esta falta de elétron é identificado
como se existisse uma lacuna (buraco) com sinal positivo.
MATERIAIS SEMICONDUTORES
 Em um semicondutor intrínseco (puro), o número de buracos
é sempre igual ao número de elétrons livres.
n º bura cos  n º elétrons
DOPAGEM DO SEMICONDUTOR
3 – DOPAGEM DO MATERIAL SEMICONDUTOR
 A dopagem é um processo químico, realizado em laboratório,
que tem finalidade colocar no interior da estrutura cristalina
uma quantidade de impurezas para que o cristal passe a ter
condutividade elétrica conforme as condições desejadas.
 Com a dopagem pode obter dois tipos de materiais:
 Tipo N – material semicondutor dopados com átomos
pentavalentes (Fósforo-P, Arsenio-As, Antimônio- Sb) e que tem como
portadores majoritários de carga elétrica elétrons livres.
 Tipo P – material semicondutor dopados com átomos trivalentes
(índio-In, Boro-B, Alumínio–Al, Galio-Ga) e que tem como portadores
majoritário de carga elétrica as lacunas (falta de elétrons livres).
MATERIAIS SEMICONDUTORES
 O cristais semicondutores que N e P, por conterem impureza,
são denominados de semicondutores extrínsecos.
 A junção (conexão) de materiais semicondutores (Si, Ge)
do tipo N com tipo P é a estrutura básica de muitos
componentes eletrônicos.

Tipo N Tipo P
Átomo Pentavalente: Fósforo Átomo Trivalente: Boro
MATERIAIS SEMICONDUTORES
 O número de portadores é expresso em termo de sua
concentração, ou seja:
nº n º elétrons
p  bura3cos n
cm cm3

 O produto dos números de portadores, em um dado material


semicondutor e a certa temperatura, é constante, ou seja:
 pnsilício  2,2 10 20 cm 6
T  300 K  6
 pngermânio  5,7 10 cm
26

 Exemplo 01: Considerando que Ad seja o número de átomos


doadores de elétrons ( fosforo/cm³ ), e cada átomo desprende
um elétron, então neste material terá:
Ad  1,11016 atomos / cm3  n  1,11016 elétrons / cm3
MATERIAIS SEMICONDUTORES
 Para determinar o número de buracos no material dopado,
basta usa a constante do produto (pn):
6 2,2 10 20 cm 6
pnsilício  2,2 10 cm
20
 p  2  10 4
bura cos/ cm 3

1,11016 elétrons / cm3

 Exemplo 02: Considerando que o material possui os dois tipos


de impurezas (Adoador e Aaceitador), então o número de
elétrons livres pode ser determinado por:
n  Ad  Aa

 Consequentemente, o número de buracos no material dopado,


é calculado pela constante do produto (pn):
 2,2 10 20 cm 6
 psilício 
n
T  300 K 
p 5,7 10 26 cm 6

 germânio n
TRANPORTE DE ELÉTRONS E BURACOS
4 – TRANPORTE DE ELÉTRONS E BURACOS
 Antes de analisarmos as junções, é interessante ter
conhecimento sobre os processos de deslocamento dos
portadores no semicondutor. São dois:
 Difusão – é o processo natural de deslocamento, em os
portadores buscam a uniformidade da concentração de
portadores no material.

 Deriva (Drift) – é o processo que utiliza o campo elétrico para


forçar o deslocamento dos portadores em um sentido.
 Quando não estão sobre influencia do campo, os portadores se
deslocam de forma aleatória.
TRANPORTE DE ELÉTRONS E BURACOS
 Ainda sobre Deriva (Drift), sabe-se que a velocidade dos
elétrons e buracos no cristal e diretamente proporcional ao
campo:
ve   n  E vp   p  E

 Sendo:  a mobilidade do elétron ou do buraco


ESTUDO DA JUNÇÃO
5 – ESTUDO DA JUNÇÃO
 Ao efetuar a união das duas pastilhas, tipo P com a tipo N,
ocorre a difusão dos portadores através da junção, ou seja,
movimentação dos elétrons para ocupar as lacunas, esse
processo é conhecido como recombinação.

 A recombinação neutraliza as cargas (um elétron se anula


com uma lacuna).
DIODO E JUNÇÃO
 Apesar de neutralizar as cargas, os átomos das impurezas se
tornam íons, chamadas de cargas descobertas.
 A região em torno da junção é chamada de camada de
depleção (região de transição).
 O carregamento das impurezas, faz surgir um campo elétrico
na região da junção, uma diferença de potencial chamada de
barreira de potencial (V), que impede que o processo de
difusão e a recombinação continue.
EXERCÍCIOS - 2
EXERCÍCIO BOYLESTAD, R.; Dispositivos Eletrônicos e
Teoria de Circuitos - 11ª Ed. 2013
 Pagina: 45, 46 e 47;
 Seção 1.3 – 1 a 2
 Seção 1.5 – 7 a 11
EXERCÍCIO MARQUES, A. E. B. CRUZ, E. C. A., Choueri
Jr., S. Dispositivos Semicondutores: Diodos e
Transistores. Editora Erica, 2000.
 Página 20
 Todos os 10 exercícios Proposto do Livro

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