N Datenblatt / Data sheet

Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor T298N
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
enndaten
Periodische Vorwärts- und Rückwärts-Spitzensperrspannung Tvj = -40°C... Tvj max VDRM,VRRM 1000 1400 V
repetitive peak forward off-state and reverse voltages 1200 1600 V

Vorwärts-Stoßspitzensperrspannung
ElektrischeT Eigenschaften
= -40°C... T
vj vj max VDSM 1000 1400 V
non-repetitive peak forward off-state voltage 1200 1600 V

Rückwärts-Stoßspitzensperrspannung Tvj = +25°C... Tvj max VRSM 1100 1500 V

non-repetitive peak reverse voltage 1300 1700 V

Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert ITRMSM 600 A

maximum RMS on-state current
Dauergrenzstrom TC = 85 °C ITAVM 298 A
average on-state current TC = 68 °C 380 A

Stoßstrom-Grenzwert Tvj = 25 °C, tP = 10 ms ITSM 4900 A

surge current Tvj = Tvj max, tP = 10 ms 4250 A

Grenzlastintegral Tvj = 25 °C, tP = 10 ms I²t 120 10³ A²s

I²t-value Tvj = Tvj max, tP = 10 ms 90 10³ A²s

Kritische Stromsteilheit DIN IEC 60747-6 (diT/dt)cr 150 A/µs

critical rate of rise of on-state current f = 50 Hz, iGM = 0,6 A
diG/dt = 0,6 A/µs
Kritische Spannungssteilheit Tvj = Tvj max, vD = 0,67 VDRM (dvD/dt)cr 1000 V/µs
th
critical rate of rise of off-state voltage 5.Kennbuchstabe / 5 letter F

Charakteristische Werte / Characteristic values

Durchlaßspannung Tvj = Tvj max , iT = 1100 A vT max. 2,00 V
on-state voltage Tvj = Tvj max , iT = 300 A max. 1,23 V

Schleusenspannung Tvj = Tvj max V(TO) 0,85 V

threshold voltage
Ersatzwiderstand Tvj = Tvj max rT 0,90 mΩ
slope resistance
Durchlaßkennlinie 100 A ≤ iT ≤ 1500 A Tvj = Tvj max A= 9,486E-01
on-state characteristic B= 6,089E-04
v T = A + B ⋅ i T + C ⋅ ln ( i T + 1) + D ⋅ iT C= -5,553E-02
D= 2,294E-02
Zündstrom Tvj = 25 °C, vD = 12V IGT max. 150 mA
gate trigger current
Zündspannung Tvj = 25 °C, vD = 12V VGT max. 2 V
gate trigger voltage
Nicht zündender Steuerstrom Tvj = Tvj max , vD = 12V IGD max. 10 mA
gate non-trigger current Tvj = Tvj max , vD = 0,5 VDRM max. 5 mA
Nicht zündende Steuerspannung Tvj = Tvj max , vD = 0,5 VDRM VGD max. 0,25 V
gate non-trigger voltage
Haltestrom Tvj = 25°C, vD = 12V IH max. 200 mA
holding current
Einraststrom Tvj = 25°C, vD = 12V, RGK ≥ 10 Ω IL max. 800 mA
latching current iGM = 0,6 A, diG/dt = 0,6 A/µs
tg = 20 µs
Vorwärts- und Rückwärts-Sperrstrom Tvj = Tvj max i D, i R max. 30 mA
forward off-state and reverse current vD = VDRM, vR = VRRM
Zündverzug DIN IEC 60747-6 tgd max. 3 µs
gate controlled delay time Tvj = 25 °C, iGM = 0,6 A
diG/dt = 0,6 A/µs

prepared by: H.Sandmann date of publication: 2007-09-03

approved by: J.Przybilla revision: 1

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Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor T298N
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Charakteristische Werte / Characteristic values
Freiwerdezeit Tvj = Tvj max, iTM = ITAVM tq typ. 200 µs
circuit commutated turn-off time ThermischevdvEigenschaften
= 100 V, v = 0,67 V
RM DM
/dt = 20 V/µs, -di /dt = 10 A/µs
D T
DRM

Mechanische4.Kennbuchstabe
Eigenschaften / 4 letter O
th

Thermische Eigenschaften / Thermal properties

Innerer Wärmewiderstand Kühlfläche / cooling surface RthJC
thermal resistance, junction to case beidseitig / two-sided, θ = 180°sin max. 0,088 °C/W
beidseitig / two-sided, DC max. 0,082 °C/W
Anode / anode, θ = 180°sin max. 0,139 °C/W
Anode / anode, DC max. 0,133 °C/W
Kathode / cathode, θ = 180°sin max. 0,219 °C/W
Kathode / cathode, DC max. 0,213 °C/W

Übergangs-Wärmewiderstand Kühlfläche / cooling surface RthCH

thermal resistance, case to heatsink beidseitig / two-sides max. 0,015 °C/W
einseitig / single-sides max. 0,030 °C/W
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur Tvj max 125 °C
maximum junction temperature
Betriebstemperatur Tc op -40...+125 °C
operating temperature
Lagertemperatur Tstg -40...+140 °C
storage temperature

Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties

Gehäuse, siehe Anlage Seite 3
case, see annex page 3
Si-Element mit Druckkontakt
Si-pellet with pressure contact
Anpresskraft F 3...6 kN
clamping force
Steueranschlüsse Gate A 2,8x0,8
control terminals Kathode / cathode A 2,8x0,8

Gewicht G typ. 70 g
weight
Kriechstrecke 17 mm
creepage distance
Schwingfestigkeit f = 50 Hz 50 m/s²
vibration resistance

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Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor T298N

Maßbild

x) Pumpröhrchen (isoliert betreiben!), evacuation pipe (keep insulated!)

4 5
1: Anode / Anode
2: Kathode / Cathode
1 2
4: Gate
5: Hilfskathode/
Auxiliary Cathode

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Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor T298N
Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes Z thJC für DC
R,t – Werte Analytical elements of transient thermal impedance Z thJC for DC
Diagramme
Kühlung /
Diagramme Pos. n 1 2 3 4 5 6 7
Cooling
Trans. Wärmewid. beidseitig
Rthn [°C/W] 0,00720 0,0190 0,034 0,013 0,0088 - -
beidseitig
two-sided
τn [s] 0,00073 0,0144 0,099 0,410 1,1510 - -

Rthn [°C/W] 0,00720 0,0190 0,034 0,013 0,0598 - -

anodenseitig
anode-sided
τn [s] 0,00073 0,0144 0,099 0,410 1,5100 - -

Rthn [°C/W] 0,00720 0,0190 0,034 0,013 0,1398 - -

kathodenseitig
cathode-sided
τn [s] 0,00073 0,0144 0,099 0,410 1,5100 - -

nmax

ΣR
-t
Analytische Funktion / Analytical function: ZthJC = thn 1− e τn

n=1

0,25

c
0,20
Z thJC [°C/W]

0,15
a

0,10
b

0,05

0,00
0,001 0,01 0,1 1 10 100
t [s]

Transienter innerer Wärmewiderstand für DC /Transient thermal impedance for DC

Z thJC = f(t)

a - Anodenseitige Kühlung / Anode-sided cooling

b - Beidseitige Kühlung / Two-sided cooling
c - Kathodenseitige Kühlung / Cathode-sided cooling

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Erhöhung des Zth DC bei Sinus und Rechteckströmen mit unterschiedlichen Stromflusswinkeln Θ
Durchlasskennlinie
Rise of Zth DC for sinewave and rectangular current with different current conduction angles Θ
∆Zth Θ rec / ∆Zth Θ sin

Kühlung / Cooling Θ = 180° Θ = 120° Θ = 90° Θ = 60° Θ = 30°

∆Zth Θ rec
0,01546 0,02613 0,03518 0,05123 0,08820
[°C/W]
beidseitig
two-sided
∆Zth Θ sin
0,00576 0,00932 0,01452 0,02577 0,06024
[°C/W]

∆Zth Θ rec
0,01562 0,02634 0,03542 0,05150 0,08851
[°C/W]
anodenseitig
anode-sided
∆Zth Θ sin
0,00592 0,00950 0,01474 0,02601 0,06053
[°C/W]

∆Zth Θ rec
0,01588 0,02670 0,03582 0,05194 0,08901
[°C/W]
kathodenseitig
cathode-sided
∆Zth Θ sin
0,00619 0,00980 0,01510 0,02641 0,06101
[°C/W]

Zth Θ rec = Zth DC + ∆Zth Θ rec

Zth Θ sin = Zth DC + ∆Zth Θ sin

2.000

1.500 Tvj = Tvj max

iT [A]

1.000

500

0
0,8 1 1,2 1,4 1,6 1,8 2 2,2 2,4
VT [V]

Grenzdurchlaßkennlinie / Limiting on-state characteristic iT = f(vT)

Tvj = Tvj max

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Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor T298N
700
180°

600 Durchlassverluste90° 120°

60°
0° 180°
500 0 θ = 30°

400
PTAV [W]

300

200

100

0
0 50 100 150 200 250 300 350 400 450
ITAV [A]

Durchlaßverlustleistung / On-state power loss PTAV = f(ITAV)

Sinusförmiger Strom / Sinusoidal current

Parameter: Stromflußwinkel Θ / Current conduction angle Θ

140

120
0° 180°
0
100
T C [°C]

80

60

40
θ = 30° 60° 90° 120° 180°
20
0 50 100 150 200 250 300 350 400 450
I TAV [A]

Höchstzulässige Gehäusetemperatur / Maximum allowable case temperature TC = f(ITAV)

Sinusförmiger Strom / Sinusoidal current

Beidseitige Kühlung / Two-sided cooling

Parameter: Stromflußwinkel Θ / Current conduction angle Θ

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Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor T298N
900
DC
800
Tc 180°
700 0° 180°
0 120°
600 90°
60°
θ = 30°
PTAV [W]

500

400

300

200

100

0
0 100 200 300 400 500 600 700
ITAV [A]

Durchlaßverlustleistung / On-state power loss PTAV = f(ITAV)

Rechteckförmiger Strom / Rectangular current

Parameter: Stromflußwinkel Θ / Current conduction angle Θ

140

120
0° 180°
0
100
T C [°C]

80

60

40
θ = 30° 60° 90° 120° 180° DC
20
0 100 200 300 400 500 600 700
I TAV [A]
Höchstzulässige Gehäusetemperatur / Maximum allowable case temperature TC = f(ITAV)

Rechteckförmiger Strom / Rectangular current

Beidseitige Kühlung / Two-sided cooling

Parameter: Stromflußwinkel Θ / Current conduction angle Θ

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Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor T298N
100

Steuerkennlinie

10 c

b
vG [V]

-40 °C
Tvj =
+25°C

1
Tvj =
+125°C
Tvj =

0,1
10 100 iG [mA] 1000 10000

Steuercharakteristik vG = f (iG) mit Zündbereichen für VD = 12 V

Gate characteristic vG = f (iG) with triggering area for VD = 12 V

Höchstzulässige Spitzensteuerverlustleistung / Maximum rated peak gate power dissipation PGM = f (tg) :

a - 20W / 10ms Zündverzug

b - 40W / 1ms c - 60W / 0,5ms

10000
Qr [µAs]

iTM = 500A

200A
1000 100A
50A

20A

100
1 10 -di/dt [A/µs] 100

Sperrverzögerungsladung / Recovered charge Qr = f(di/dt)

Tvj= Tvjmax, vR ≤ 0,5 VRRM, VRM = 0,8 VRRM

Parameter: Durchlaßstrom / On-state current iTM

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Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor T298N
4,5

3,5

3
IT(OV)M [kA]

2,5

0-50V
2
0,33 VRRM
1,5
0,67 VRRM

0,5

0
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17
Anzahl Pulse bei 50Hz Sinus Halbwellen
Number of pulses for 50Hz sinusoidal half waves

Typische Abhängigkeit des Grenzstromes IT(OV)M von der Anzahl für eine Folge von Sinus
Halbwellen bei 50Hz. Parameter: Rückwärtsspannung VRM
Typical dependency of maximum overload on-state current IT(OV)M as a number of a sequence of
sinusoidal half waves at 50Hz. Parameter: peak reverse voltage VRM
IT(OV)M = f (pulses, VRM) ; Tvj = Tvjmax

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Phase Control Thyristor T298N

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