Untuk kondisi tanpa bias, piranti tidak bekerja, hasilnya adalah titik
A dimana arus dan tegangan bernilai nol.
IC (mA)
Derah saturasi
70 µA
IC max 40 60 µA
35
50 µA
30 40 µA
25
VCE (V) PC max
20 B 30 µA
15 20 µA
10 C D 10 µA
5 A IB = 0 µA
VCE-SAT VCE-max
Derah cut-off
Supaya BJT bisa di-bias dalam daerah linear (daerah aktif), beberapa
syarat berikut harus dipenuhi:
- Junction base-emitter dibias maju (forward bias)
- Junction base-collector dibias mundur (reverse bias)
2. Daerah saturasi
- Junction base-emitter dibias maju (forward bias)
- Junction base-collector dibias maju (forward bias)
3. daerah cut-off
- Junction base-emitter dibias mundur (reverse bias)
- Junction base-collector dibias mundur (reverse bias)
Fixed Bias
VCC
IC
RB RC Sinyal
output AC
Sinyal IB C2
input AC
+
C1
_
VBE
VCC VCC
RB RC IC
C +
IB
B
+ VCE
E
VBE _ _
Bias maju basis-emitter
Loop basis-emitter :
+
RB
+ _ C
VCC IB
_ B
+
_ E
VBE
Dan
VBE = VB - VE
Loop collector-emitter
Saturasi transistor
Transistor saturasi jika juction base collector tidak lagi di bias mundur
VCE = 0 V
ICsat = VCC/RC
Soal :
VCC = +12 V
IC RC
RB Sinyal
2,2KΩ
240KΩ output AC
Sinyal + C2
input AC IB 10µF
VCE
C1
10µF β = 50 _
VCC
IC
RB RC Sinyal
output AC
Sinyal IB C2
input AC
+
C1
_
VBE
RE
Loop Base-Emitter
RB + (β +1)RE
Saturasi :
ICsat = VCC/(RC+RE)
Soal :
β = 50
VCC
IC
430K 2K Sinyal
output AC
Sinyal IB C2
input AC
+
C1
_
VBE
1K
Bias Pembagi Tegangan
VCC
IC
R1 RC Sinyal
output AC
Sinyal IB C2
input AC
C1 +
_
VBE
R2 RE
RC
Vo
RB IC C2
Vi IB
+
C1
_
VBE IE
RE
RB + β(RC + RE )
Loop collector-emitter
I’C
RC
IC C2
+
VCC
_ IE
RE
Soal-soal :
VCC = 20 V
RC 4,7 KΩ
680 KΩ
RB Vo
C2
IB
Vi + β = 120
C1
_
Solusi :
V −V
CC BE
IB =
RB + βRC
19,3V = µ
15,51 A
IB = 1,244MΩ
= βIB = 120 x 15,51µA
ICQ
= 1,86 mA
= VCC – ICRC
VCEQ
= 20 V – 1,86 mA x 4,7 KΩ
= 11,26 V
VE = 0 V
VB =VBE = 0,7 V
VC = VCE = 11,26 V
VBC = VB - VC
= 0,7 V – 11,26 V
= - 10,56 V
Soal :
RC 1,2 KΩ
IB Vo
C2
Vi + β = 45
C1
100 KΩ RB
VEE = -9 V
Solusi :
IB
_ +
VBE _
RB 100 KΩ +
+
_ VEE = -9 V
+IBRB + VBE + VEE = 0
−V −V − (−9) − 0,7
IB = EE BE = Ω
RB 100K
IB = 83 µA
IC = βIB = 45 x 83 µA = 3,735 mA
VC = - ICRC = -
3,735 mA x 1,3 KΩ = -4,48 V
VB = - IBRB = - 83 µA x 100 KΩ
= -8,3 V
Soal :
Tentukan VCB dan IB untuk konfigurasi common base berikut :
β = 60
Vi E C
Vo
1,2 KΩ RE B RC 2,4 KΩ
Dengan asumsi IC ≅ IE
Maka :
VCB = 10 – 2,75 mA x 2,4 KΩ
= 3,4 V
IB = IC/β = 45,8 µA
Disain.
Contoh : VCC
IC (mA)
8 IC
Q IB = 40µA RB RC
20
+
VBE _
Solusi :
Dan
RC = VCC / IC = 20 V / 8 mA
RC = 2,5 KΩ
IB = V −V Î RB = V −V
CC BE CC BE
RB IB
= 20 − 0,7
RB
40µA
= 482,5 KΩ
Soal :
1. Diberikan ICQ = 4 mA dan VCEQ = 10 V, tentukan nilai R1 dan RC
untuk rangkaian di bawah.
18 V
IC
R1 RC Vo
IB C2
Vi
C1 _
R2 18 KΩ RE 1,2 KΩ
2. Jika β = 100, hitung RC
VCC = 20 V
RC
680 KΩ
Vo = 10 V
RB C2
IB
Vi
+
C1
_
3.
RC 1KΩ
IB Vo
C2
Vi + β = 45
C1
150 KΩ RB
VEE