Analisa Rangkaian FET

Bias Sendiri adalah cara yang paling umum digunakan untk membias JFET. Arus cepat mengalir melalui
𝑅𝐷 dan 𝑅𝑆 , menghasilkan tegangan cerat-sumber
𝑉𝐷𝑆 = 𝑉𝐷𝐷 − 𝐼𝐷 (𝑅𝐷 + 𝑅𝑆 )
Tegangan melintasi resistansi sumber adalah
𝑉𝑆 = 𝐼𝐷 𝑅𝑆
Karena arus gerbang kecil sehingga dapat diabaikan, terminal gerbang mempunyai tegangan pertahanan
dc, sehingga
𝑉𝐺 ≅ 0
Karena itu perbedaan potensial antara gerbang dan sumber adalah
𝑉𝐺𝑆 = 𝑉𝐺 − 𝑉𝑆 = 0 − 𝐼𝐷 𝑅𝑆
𝑉𝐺𝑆 = −𝐼𝐷 𝑅𝑆
Bias sendiri menstabilkan titik operasi stasioner (quiescent) tergadap perubahan dalam parameter JFET
(besaran seperti 𝐼𝐷𝑆𝑆 , 𝑔𝑚0 dan sebagainya).
Tegangan gerbang sama dengan seperempat 𝑉𝐺𝑆(𝑜𝑓𝑓) menghasilkan arus cerat sebesar setengah 𝐼𝐷𝑆𝑆
(pendekatan).
1
𝑅𝑆 ≅ (bias titik tengah)
𝑔𝑚0
Bias sumber arus adalah cara utama untuk menstabilkan arus cerat terhadap variasi dalam parameter
FET.
Bipolar bekerja sebagai sebuah sumber arus dan memaksa JFET mempunyai 𝐼𝐷 sama dengan 𝐼𝐶 .
Transistor bipolar mempunyai arus emitter sebesar
𝑉𝐸𝐸
𝐼𝑆 ≅
𝑅𝐸
Dioda kolektor bekerja sebagai sebuah sumber arus, karenanya dia memaksa arus cerat mendekati sama
dengan 𝐼𝐸 . Kondisi yang harus dipenuhi adalah
𝐼𝐶 < 𝐼𝐷𝑆𝑆
Ini menjamin 𝑉𝐺𝑆 negatif.
𝑉𝐺𝑆 dan variasinya hampir sama sekali tidak ada. Variasi yang berarti hanyalah 𝑉𝐵𝐸 dari transistor
bipolar. Variabel tersebut berbeda sedikit dari transistor yang satu ke transistor lainnya, dan karena
perubahan temperatur. Tetapi perubahan 𝑉𝐵𝐸 ini hanyalah sepersepuluh volt.
𝑉 10
𝐼𝐸 ≅ 𝑅𝐸𝐸 = 10000 = 1 mA
𝐸
Ini memaksa arus cerat mendekati harga sama dengan 1 mA. Tegangan cerat ke tanah adalah
𝑉𝐷 = 𝑉𝐷𝐷 − 𝐼𝐷 𝑅𝐷 = 30 − 0,001(10000) = 20 V
Jika kita tidak mempunyai tegangan bias negatif, kita masih dapat menggunakan bias sumber arus
seperti ditunjukkandalam Gambar 14-5c. Dalam rangkaian ini pembagi arus (𝑅! dan 𝑅2 ) menset bias
pembagi tegangan pada transistor bipolar. Hampir semua tegangan melalui 𝑅2 timbul melalui resistansi
𝑅𝐸 . Ini menetapkan arus emitter ke suatu harga pada dasarnya tak tergantung dari karakteristik JFET.
Sekali lagi diode kolektor bekerja sebagai sebuah sumber arus yang memaksa arus cerat sama dengan
arus kolektor.
Gambar 14-5c
Pada D MOSFET, 𝑉𝐺𝑆 dapat positif atau negative. Tetapi pada E MOSFET, untuk mendapatkan arus 𝑉𝐺𝑆
harus lebih besar dari 𝑉𝐺𝑆(𝑡ℎ) .
Karena D MOSFET dapat beroperasi dalam mode pengosongan (deplection mode) atau mode
peningkatan (enhancement mode), kita dapat menempatkan titik Q pada 𝑉𝐺𝑆 = 0 seperti terlihat pada
Gambar 14-6b. Bias putar sederhana ini bukanlah gaya terpakai atau sumber daya; karena itu, 𝑉𝐺𝑆 = 0
dan 𝐼𝐷 = 𝐼𝐷𝑆𝑆 . Itu mengikuti bahwa
𝑉𝐷𝑆 = 𝑉𝐷𝐷 − 𝐼𝐷𝑆𝑆 𝑅𝐷

Gambar 14-6b
Sejauh 𝑉𝐷𝑆 adalah lebih besar dari 𝑉𝑃 , operasi hampir merata pada bagian 𝑉𝐺𝑆 = 0 kurva tarikan.
Bias nol dari Gambar 14-6a setara dengan D MOSFET, ia tidak akan bekerja tanpa bipolar, JFET, atau E
MOSFET.
Gambar 14-7a menunjukkan bias umpan balik (feedback) cerat suatu jenis bias yang dapat kita pakai
dengan E MOSFET. Dengan arus gerbang yang dapat diabaikan,tidak ada tegangan yang timbul melalui
𝑅𝐺 ;karena itu 𝑉𝐺𝑆 = 𝑉𝐷𝑆 .
Gambar 14-7b menunjukkan titik Q pada kurva transkonduktansi. 𝑉𝐺𝑆 sama dengan 𝑉𝐷𝑆 , dan 𝐼𝐷 yang
bersangkutan sama dengan 𝐼𝐷(𝑜𝑛) ; suatu harga dari arus cerat diatas titik ambang.

Penguat dc adalah penguat yang dapat broperasi sepenuhnya sampai frekuensi nol tanpa kehilangan
penguatan. Satu cara untuk membuat penguat dc adalah menghilangkan semua kapasitor kopling dan
bypass.
Gambar 14-9 menunjukkan sebuah penguat dc yang memakai MOSFET. Tingkat input adalah sebuah D
MOSFET dengan bias nol. Tingkat kedua dan ketiga memakai E MOSFET; tiap gerbang memperoleh
tegangan 𝑉𝐺𝑆 nya dari cerat tingkat yang mendahuluinya.
 Tabel Rangkaian Bias FET

JFET D MOSFET E MOSFET

Bias sendiri Ya Ya Tidak
Bias sumber arus Ya Ya Tidak
Bias nol Tidak Ya Tidak
Bias umpan balik cerat Tidak Tidak Ya

Pada frekuensi yang lebih rendah 𝑋𝐶 dari tiap kapasitor cukup tinggi untuk diabaikan, dan rangkaian
ekivalen menjadi seperti dalam Gambar 14-10b. Besarnya resistansi 𝑟𝑔𝑠 ratusan mega ohm, cukup tinggi
untuk diabaikan dalam analisa praktis. Resistansi 𝑟𝑑𝑠 hampir selalu lebih besar dari 10 kΩ dan sering
melebihi 100 kΩ.
Gambar 14-10c menunjukkan rangkaian ekivalen ac untuk JFET dan MOSFET. Tegangan input ac timbul
pada resistansi input tak terhingga dan cerat bekerja sebagai sumber arus dengan harga sebesar
𝑖𝑑 = 𝑔𝑚 𝑉𝑔𝑠 (ideal)

Jika kita mengganti FET dalam Gambar 14-11a dengan model idealnya, kita dapatkan Gambar 14-11b.
Setengah siklus dari tegangan input memaksa arus cerat mengalir melalui 𝑟𝐷 ; ini menghasilkan setengah
siklus-negatif dari tegangan output. Dengan perkataan lain, suatu penguat sumber bersama selalu
membalikan sinyal.
Dalam Gambar 14-11b,
𝑉𝑜𝑢𝑡 = 𝑖𝑑 𝑟𝐷 = 𝑔𝑚 𝑉𝑖𝑛 𝑟𝐷
Yang disusun kembali menjadi
𝑉𝑜𝑢𝑡
= 𝑔𝑚 𝑟𝐷
𝑉𝑖𝑛

Gambar 14-11a
Gambar 14-11b

Gambar 14-11c

Karena itu, penguatan tegangan dari penguat sumber bersama adalah

𝐴 = 𝑔𝑚 𝑟𝐷
Kadang-kadang rangkaian ekivalen ac menjadi berbentuk seperti ditunjukkan dalam Gambar 14-11c.
Dalam hal ini, ada umpan balik setempat, serupa dengan resistansi emiter yang tidak dibypass dalam
sebuah penguat bipolar. Penguatan tegangan diberikan dengan
𝑔𝑚 𝑟𝐷
𝐴=
1 + 𝑔𝑚 𝑟𝑆
Untuk suatu penguat sumber bersama, dengan 𝑟𝑆 = 0, resistansi cerat dalam 𝑟𝑑𝑠 adalah dalam
hubungan parallel dengan resistansi beban ac yaitu 𝑟𝐷 . Karena hal ini, rumus yang lebih teliti untuk
penguatan tegangan adalah
𝐴 = 𝑔𝑚 (𝑟𝐷 ||𝑟𝑑𝑠 )
Penguatan tegangan dari pengikut sumber diberikan dengan
𝑔𝑚 𝑟𝐷
𝐴=
1 + 𝑔𝑚 𝑟𝑆
Jika 𝑔𝑚 𝑟𝑆 jauh lebih besar dari satu, kita dapatkan
𝐴≅1
Pada Gambar 14-15 adalah rangkaian ekivalen ac untuk penguat gerbang bersama. Tegangan output
adalah
𝑉𝑜𝑢𝑡 = 𝑖𝑑 𝑟𝐷 = 𝑔𝑚 𝑉𝑔𝑠 𝑟𝐷
Tegangan input adalah
𝑉𝑖𝑛 = 𝑉𝑔𝑠
𝑉𝑜𝑢𝑡 dibagi 𝑉𝑖𝑛
 𝑉𝑜𝑢𝑡 𝑔𝑚 𝑉𝑔𝑠 𝑟𝐷
=
𝑉𝑖𝑛 𝑉𝑔𝑠

Gambar 14-15

Penguat sumber bersama dan cerat bersama mempunyai resistansi input yang sangat tinggi; besarnya
tak terhingga. Penguat gerbang bersama adalah berneda, resistansi inputnya rendah. Sebabnya adalah
sebagai berikut. Dalam Gambar 14-15,
𝑖𝑖𝑛 = 𝑖𝑑 = 𝑔𝑚 𝑉𝑔𝑠
Maka,
𝑣𝑖𝑛 𝑣𝑔𝑠
𝑧𝑖𝑛 = =
𝑖𝑖𝑛 𝑔𝑚 𝑣𝑔𝑠
Atau
1
𝑧𝑖𝑛 =
𝑔𝑚

Rumus-rumus Aproksimasi

Sumber Bersama Cerat Bersama Gerbang Bersama

A 𝑔𝑚 𝑟𝐷 𝑔𝑚 𝑟𝑆 𝑔𝑚 𝑟𝐷
1 + 𝑔𝑚 𝑟𝑆
𝑧𝑖𝑛 Tak terhingga Tak terhingga 1
𝑔𝑚
𝑧𝑜𝑢𝑡 𝑟𝑑𝑠 1 𝑟𝑑𝑠
𝑔𝑚

Gambar 14-17 memperlihatkan sebuah penguat buffer, satu tingkat yang mengisolasi tingkat yang
mendahului dari tingkat berikutnya. Secara ideal sebuah buffer harus mempunyai impedansi input yang
tinggi; inilah sebabnya hampir semua tegangan Thevenin dari tingkat A muncul pada input buffer. Buffer
juga harus mempunyai impedansi output yang rendah; hal ini menjamin semua outpunya mencapai
input dari tingkat B.

Tingkat A Penguat Tingkat B

Buffer

Tinggi 𝑍𝑖𝑛 Rendah 𝑍𝑜𝑢𝑡

Gambar 14-17
Derau adalah setiap gangguan yang tidak diinginkan yang menggangu sinyal yang berguna. Derau
mempengaruhi informasi yang terkandung dalam sinyal; makin besar derau,informasi makin kurang. FET
adalah alat yang mempunyai derau yang rendah secara menyolok, karena derau yang ditimbulkannya
sangat kecil.
JIka sebuah penerima ditala (tuned) dari stasiun yang lemah ke yang kuat, pengeras suara akan
menderum jika volumenya tidak segera dikurangi. Atau volume dapat berubah karena kehilangan
kekuatan (fading), suatu perubahan kekuatan sinyal yang disebabkan oleh suatu perubahan elektrik
dalam lintasan antara antena pengirim dan penerima. Untuk mencegah perubahan volume yang tidak
diinginkan, kebanyakan penerima menggunakan pengendali penguatan otomatis (ASG=automatic gain
control). Disinilah FET berperan. Seperti ditunjukkan sebelum ini
𝑉𝑔𝑠
𝑔𝑚 = 𝑔𝑚0 [1 − ]
𝑉𝐺𝑆(𝑜𝑓𝑓)
Suatu penguat sumber bersama yang menggerakkan penguat gerbang bersama cara kerjanya adalah
sebagai berikut. Penguat CS mempunyai penguatan
𝐴1 = 𝑔𝑚 𝑟𝐷
1
Resistansi 𝑟𝐷 sama dengan ⁄𝑔𝑚 , impedansi input dari penguat CG. Karena itu
𝐴1 = 𝑔𝑚 𝑟𝐷
Jadi, penguatan keseluruhan dari dua FET adalah
𝐴 = 𝐴1 𝐴2 = 𝑔𝑚 𝑟𝐷

Tabel Penggunaan FET

Penggunaan Keuntungan Utama
Bufer 𝑧𝑖𝑛 tinggi, 𝑧𝑜𝑢𝑡 rendah
Penguat RF Derau rendah
Penggunaan ACG Pengendalian Penguatan mudah
Penguat kaskade Kapasitansi input rendah
Chopper Tidak ada drift
Penyampur (mixer) Distorsi antar modulasi rendah
Resistor variable (voltage Tegangan terkendali (voltage
variable resistor) controlled)
Penguat frekuensi rendah Kapasitor kopling kecil (small
coupling capacitor)
Osilator Drift frekuensi minimum
Rangkaian digital MOS Ukuran kecil
Kegunaan
Serba guna, peralatan ukur,
penerima
Penala FM; peralatan komunikasi
Penerima, pembangkit
(generator) sinyal
Instrumen ukur, peralatan tes
Penguat dc, system kendali
panduan (guidance contro;
system)
Penerima FM dan TV, peralatan
komunikasi
Penguat operasional, organ,
pengendalian nada (tone
controls)
Alat pembantu pendengaran,
tranduser aktif
Standar frekuensi, penerima
Integrasi skala besar, computer,
memori