Universidade Federal de Mato Grosso - UFMT

Faculdade de Arquitetura, Engenharia e Tecnologia - FAET

Departamento de Engenharia Elétrica
Microprocessadores – 2018/2

Laboratório 2: Memórias
Objetivo: Estudar os fundamentos de operação das memórias. Implementar a programação e leitura
de memórias tipo ROM. Implementar as operações de leitura e escrita de memórias SRAM. O estudo
das operações com memórias são simuladas e testadas em Proteus Isis por meio de aplicações.

1) Memórias ROM e PROM

Os objetivos desta seção são: estudar e analisar o conteúdo de memórias tipo ROM e PROM
desenvolvidas utilizando diferentes tecnologias; simular as operações de leitura e afiançar os
conhecimentos sobre os princípios para implementar um sistema de expansão de memórias.
Roteiro:
 Utilizando o Proteus Isis 7.8, abrir o arquivo “Lab-02_Memorias_PROM.dsn” que corresponde
ao circuito da figura 1.

Figura 1.

 CB é um contador binário de 4 bits, cuja saída define o valor de endereço das memórias. O
valor do endereço é mostrado no display vermelho. O CLOCK fornece os pulsos para o
contador binário incrementar. Os displays da cor verde são utilizados apenas para mostrar o
digito hexadecimal equivalente ao valor do dado armazenado nas memórias.
 O C.I. 74LS139 é utilizado como decodificador de endereços. Os estados lógicos das entradas
A e B permitirão habilitar o funcionamento de uma memória por vez.
 Os blocos identificados como: CB, ROM1, ROM2, PROM1 e PROM2 são sub-circuitos. Para
abrir um sub-circuito, deve-se selecionar o componente e aplicar <Ctrol> + <C> no teclado.
Como alternativa, no menu de contexto do componente, selecione a opção “Goto Child Sheet”.
Para retornar ao circuito principal, no menu de contexto de uma zona livre, selecione a opção
“Exit to parent Sheet” ou <Ctrl> + <X>.
 Analise cada um dos 4 sub-circuitos, ROM1, ROM2, PROM1 e PROM2, elas representam as
memórias implementadas, então preencha as tabelas correspondentes com os dados
armazenados em cada memória.
Dado de ROM1 Dado de ROM2
Endereço Endereço
Binário Hex Binário Hex
0 0
1 1
2 2
 3 3
4 4
5 5
6 6
7 7

Dado de PROM1 Dado de PROM2

Endereço Endereço
Binário Hex Binário Hex
0 0
1 1
2 2
3 3
4
5
6
7
Questão 1: em forma breve, um critério para determinar o conteúdo de cada memória.
ROM1: .........................................................................................................................................
.....................................................................................................................................................
ROM2: .........................................................................................................................................
.....................................................................................................................................................
PROM1: .......................................................................................................................................
.....................................................................................................................................................
PROM2: .......................................................................................................................................
...................................................................................................................................................
 Inicie a simulação:
1) ajuste os bits para habilitar uma memória por vez; 2) zerar o bit RESET para o contador
binário (CB) iniciar em zero (endereço = 0), em seguida, sete o mesmo bit a fim de deixa-lo em
operação normal; 3) conferir e comparar, com a tabela correspondente, o valor do dado
armazenado em cada endereço de memória. Repetir o processo para as 4 memórias.
Exercicio 1: faça as alterações necessárias ao circuito, de forma que as 4 memórias possam
utilizar apenas um display (verde), onde será mostrado os dados armazenados na memória
selecionada.
2) Operações de escrita e leitura em SRAM
Os objetivos desta seção são: implementar uma aplicação para simular as operações de leitura e
escrita em memórias SRAM. O sistema utiliza teclado básico para enviar e armazenar informação
na memória e utiliza um display de 7 segmentos para mostrar informação armazenada na
memória.
 Utilizando o Proteus Isis 7.8, abrir o arquivo “Lab-02_Memorias_RAM.dsn” que corresponde ao
circuito da figura 2.
 O teclado, com as teclas renomeadas, é utilizado para escolher o valor a ser armazenado na
memória SRAM (MEM4).
 O bloco MEM4 é um sub-circuito que contém um SRAM utilizada parcialmente para
implementar uma memória de apenas 16x4.
 O decodificador de teclado envia para a memória o valor hexadecimal correspondente à tecla
pressionada por meio dos pinos DCBA. O pino de saída do decodificador de teclado,
identificado como DA (Data Available), gera um sinal de nível alto enquanto uma tecla é
pressionada. Esse sinal habilitará a operação de escrita na memória.
 As porta lógica AND é utilizada para deixar passar pulsos de clock a fim de controlar os
incrementos do CB, ou seja, o endereço da memória.
 Figura 2.

 As porta lógica NAND é utilizada para habilitar a operação de escrita via teclado ou definir
apenas as operações de leitura.
 Inicie a simulação.
 Para escrever dados na memória:
1) zerar o bit de entrada da porta AND para desabilitar o clock; 2) setar o bit de entrada da
porta NAND para habilitar operações de escrita na memória; 3) zerar o bit RESET para o
contador binário iniciar em zero, em seguida, sete o mesmo bit; 4) pulse a tecla cujo valor, em
Hex, será armazenado na memória.
Para mudar o valor de saída do CB, ou seja o valor do endereço da memória, deve-se setar
temporariamente o bit que habilita o clock.
 Para ler dados da memória:
1) setar o bit de entrada da porta AND para habilitar o clock; 2) zerar o bit de entrada da porta
NAND para habilitar operações de leitura da memória; 3) conferir se o dado exibido no display
verde corresponde ao dado armazenado em cada endereço.
Questão 2: Responda breve e objetivamente.
Indique a capacidade de RAM embutida no sub-circuito MEM4 ...................................................
.....................................................................................................................................................
Para que é utilizado o buffer tri-state 74125? ................................................................................
.....................................................................................................................................................
.....................................................................................................................................................
Para que é utilizado o buffer tri-state 74126? ................................................................................
.....................................................................................................................................................
.....................................................................................................................................................
3) Avalição do aprendizado:
a) As tabelas e as questões 1 e 2 deverão ser respondidas durante a atividade de laboratório, na
mesma folha do guia, e apresentado ao professor da disciplina antes de sair do Lab-02.
b) O exercício 1, se não for apresentado no mesmo dia da atividade de Lab-02, deverá ser
apresentado no dia do Lab-03, junto com um breve relatório justificando as mudanças
solicitadas.
BOM TRABALHO!