Características de los Diodos

Un Diodo de potencia es un dispositivo de unión pn de dos terminales, por lo general está formada
por una aleación, difusión y crecimiento epitaxial. Las técnicas modernas de control en los
procesos de difusión y epitaxiales permiten obtener las características deseadas para el dispositivo
en la fig.1. Se muestra el símbolo del diodo así como su composición interna.

Fig.1. Símbolo y Composición interna del diodo

Un diodo conductor tiene una caída directa de voltaje a través de él relativamente pequeña que
depende del proceso de manufactura y de la temperatura de la unión. Bajo condiciones de
polarización inversa pasa una pequeña corriente inversa en orden de micro o miliamperes también
llamada corriente de fuga o de pérdida; esta corriente aumenta de magnitud hasta que llega al
voltaje de avalancha o voltaje de zener

Fig.2. Característica v-i de un diodo

En la fig.2. se muestra la característica de voltaje-corriente de un diodo la cual se puede expresar

por medio de una ecuación llamada ecuación de diodo de Shockley, que para el funcionamiento
en estado permanente es:
𝑉𝐷
⁄𝑛𝑉
𝐼𝐷 = 𝐼𝑆 (𝑒 𝑇 − 1) (1)
En la que:

𝐼𝐷 = Corriente a través del diodo

𝑉𝐷 = voltaje del diodo, con ánodo positivo respecto al cátodo

𝐼𝑆 = corriente de fuga normalmente entre 10−6 y 10 −15ª

𝑛 = constante empírica llamada coeficiente de emisión o factor de idealidad cuyo valor

varia de 1 a 2.

El coeficiente de emisión n depende del material y la construcción física del diodo, para los diodos
de germanio se considera n=1. Para los de silicio, el valor teórico de n es 2, pero para la mayor
parte de los diodos prácticos de silicio, el valor de n esta entre 1.1 y 1.8.

En la ecuación (1) 𝑉𝑇 es una constante llamada voltaje térmico definido por

𝑘𝑇
𝑉𝑇 = (2)
𝑞

Donde

q = carga del electrón: 1.6022 𝑥 10−19 C

T = temperatura absoluta en kelvin

K= constante de Boltzman 1.3806 𝑥 10−23 J/K

A una temperatura de 25°C en la unión, la ecuación (2) da como resultado

𝑘𝑇 1.3806 𝑥 10−23 × (273 + 25)

𝑉𝑇 = = = 25.7𝑚𝑉
𝑞 1.6022 𝑥 10−19
A una temperatura especificada la corriente de fuga es constante para un diodo dado. La curva
característica de la Fig.2. se puede dividir en tres regiones

Región de polarización directa (𝑉𝐷 > 0). En esta región la corriente 𝐼𝐷 en el diodo es muy
pequeña, si el voltaje del diodo 𝑉𝐷 es menor que un valor especifico 𝑉𝑇𝐷. El diodo conduce en
forma total si 𝑉𝐷 es mayor que 𝑉𝑇𝐷, al que se conoce como voltaje de umbral, de activación, de
cierre o de encendido.

Imaginemos un voltaje pequeño de diodo, 𝑉𝐷 = 0.1 V, n=1 y 𝑉𝑇 = 25.7mV. De acuerdo con la

ecuación (1)
𝑉𝐷 0.1⁄
⁄𝑛𝑉
𝐼𝐷 = 𝐼𝑆 (𝑒 𝑇 − 1) = 𝐼𝑆 (𝑒 (1×0.0257) − 1) = 𝐼𝑆 (48.96 − 1) = 47.96𝐼𝑆

𝑉𝐷
⁄𝑛𝑉
Que se puede aproximar a 𝐼𝐷 ≈ 𝐼𝑆 𝑒 𝑇 = 48.96𝐼𝑆 con un error de 2.1%. Al aumentar 𝑉𝐷 el
error disminuye con rapidez.

En consecuencia cuando 𝑉𝐷 > 0.1 𝑉, entonces 𝐼𝐷 ≫ 𝐼𝑆, y la ecuación (1) se puede aproximar
dentro de un error de 2.1%, a
𝑉𝐷 𝑉𝐷
⁄𝑛𝑉 ⁄𝑛𝑉
𝐼𝐷 = 𝐼𝑆 ( 𝑒 𝑇 − 1) ≈ 𝐼𝑆 𝑒 𝑇
Región de polarización Inversa (𝑉𝐷 < 0). En esta región si 𝑉𝐷 es negativo y |𝑉𝐷 | >> 𝑉𝑇, lo cual
sucede cuando 𝑉𝐷 < −0.1𝑉 el termino exponencial de la ecuación se vuelve muy pequeño en
comparación con la unidad y se puede despreciar entonces la corriente en el diodo 𝐼𝐷 es
𝑉𝐷
⁄𝑛𝑉
𝐼𝐷 = 𝐼𝑆 (𝑒 𝑇 − 1) ≈ −𝐼𝑆

Lo cual indica que la corriente en el diodo 𝐼𝐷, en sentido inverso, es constante e igual a 𝐼𝑆.
Región de Rompimiento (𝑉𝐷 < 𝑉𝐵𝑅 ). En esta región de rompimiento (de ruptura, de disrupción
o de avalancha) el voltaje en sentido inverso es alto, por lo general con una magnitud mayor de
1000V. La magnitud del voltaje en sentido inverso puede ser mayor que un voltaje especificado
llamado voltaje de rompimiento (𝑉𝐵𝑅 ). Con aumento pequeño de voltaje en sentido inverso 𝑉𝐵𝑅
la corriente en sentido inverso aumenta en forma rápida.

El funcionamiento en la región de ruptura no será destructivo siempre y cuando la disipación de

la corriente quede dentro de un “nivel de seguridad” que se especifica en las hojas de datos del
fabricante. Con frecuencia es necesario limitar la corriente inversa en la región de rompimiento,
para limitar la disipación de potencia a un valor admisible.

Características de Recuperación Inversa

La corriente en un diodo de unión con polarización directa se debe al efecto neto de los portadores
de mayoría y de minoría. Una vez que un diodo esta en modo de conducción directa, y a
continuación su corriente en sentido directo se reduce a cero, el diodo continua conduciendo, por
los portadores de minoría que quedan almacenados en la unión pn y en la masa del material
semiconductor. Los portadores de minoría requieren determinado tiempo para recombinarse con
cargas opuestas y quedar neutralizados. A este tiempo se le llama tiempo de recuperación inversa
del diodo
Existen dos tipos de recuperación que son recuperación suave y recuperación abrupta. El tiempo
de recuperación inversa (𝑡𝑟𝑟) se mide a partir del cruce de cero inicial de la corriente en el diodo
con cero, hasta que la corriente en sentido inverso llega al 25% de su valor máximo (𝐼𝑅𝑅 ), el 𝑡𝑟𝑟
esta formado por dos componentes, 𝑡𝑎 y 𝑡𝑏. El 𝑡𝑎 variable se debe al almacenamiento de cargas
en la región de agotamiento de la unión, representa el tiempo desde el cruce con cero hasta el pico
de corriente en sentido inverso. El 𝑡𝑏 se debe al almacenamiento de carga en la masa del material
semiconductor. La razón 𝑡𝑏 /𝑡𝑎 se llama factor de suavidad.

Fig.3. Curva característica del diodo según el tipo de recuperación

Tiempo total de recuperación 𝑡𝑟𝑟 = 𝑡𝑎 + 𝑡𝑏 (3)

 𝑑𝑖
Corriente pico en sentido inverso 𝐼𝑅𝑅 = 𝑡𝑎 (4)
𝑑𝑡

El tiempo de recuperación inversa 𝑡𝑟𝑟 se puede definir como el intervalo de tiempo entre el
instante en que la corriente pasa por cero durante el cambio de conducción directa a la condición
de bloqueo inverso, y el momento en que la corriente en sentido inverso ha bajado hasta el 25%
de su valor pico 𝐼𝑅𝑅 . La variable 𝑡𝑟𝑟 depende de la temperatura de la unión, de la velocidad de
caída de la corriente en sentido directo, así como la corriente en sentido directo antes de la
conmutación

Carga de recuperación inversa (𝑄𝑅𝑅): es la cantidad de portadores de carga que atraviesan al diodo
en el sentido inverso, debido a un cambio de conducción directa a conducción de bloqueo inverso.

La carga de almacenamiento, que es el área encerrada por la trayectoria de la corriente de

recuperación es, en forma aproximada
1 1 1
𝑄𝑅𝑅 ≅ 𝐼𝑅𝑅 𝑡𝑎 + 𝐼𝑅𝑅 𝑡𝑏 = 𝐼𝑅𝑅 𝑡𝑟𝑟
2 2 2
Al reemplazar la ecuación (4) en la ecuación (5) y despejar 𝑡𝑟𝑟 e 𝐼𝑅𝑅 obtenemos

2𝑄𝑅𝑅
𝑡𝑟𝑟 ≅ √ (6)
𝑑𝑖/𝑑𝑡

𝑑𝑖
𝐼𝑅𝑅 ≅ √2𝑄𝑅𝑅 (7)
𝑑𝑡

El tiempo de recuperación inversa y la corriente pico de recuperación inversa dependen de la

carga de almacenamiento y de la di/dt inversa. La corriente pico de recuperación inversa, la carga
en sentido inverso y el factor de suavidad tienen interés para el diseñador del circuito, y esos
parámetros se incluyen con frecuencia a las hojas de especificaciones de los diodos

Si un diodo esta en condición de polarización inversa, pasa una corriente de fuga, debida a los
portadores de minoría. En ese caso, la aplicación de un voltaje en sentido directo forzaría a que
el diodo condujera la corriente en sentido directo. Sin embargo se requiere cierto tiempo llamado
tiempo de recuperación directa para que todos los portadores de mayoría en toda la unión puedan
contribuir al flujo de la corriente. El tiempo de recuperación directa limita la velocidad de
aumento de la corriente en sentido directo, y la velocidad de conmutación para evitar fallos

Conclusión
El tiempo de recuperación de un diodo ayuda a evitar fallos en el mismo

La corriente del diodo puede tener diferentes aproximaciones dependiendo a la región de

polarización en que se encuentre ya sea directa inversa o de ruptura