INSTITUTO POLITÉCNICO NACIONAL

Escuela Superior de Ingeniería Mecánica y Eléctrica

Unidad ZACATENCO

Ingeniería en Comunicaciones y Electrónica

QUÍMICA APLICADA

Unidad 4
Aplicaciones de Procesos Tecnológicos

GRUPO: 2CM2

ALUMNO: Abdón Márquez Efrén

PROFESOR: Eduardo Bárcenas Esparza

PROCESOS DE FABRICACIÓN DE CIRCUITOS IMPRESOS
E INTEGRADOS
Con el surgimiento de la era electrónica y la simplificación de todo circuito eléctrico en
componentes más pequeños y mayoritariamente funcionales para lo que fuesen gastos en
si se produjeron o mejor dicho surgieron métodos para encapsular todos esos
microcomponentes en un único lugar un circuito súper conductor que ocupara espacios
reducidos; los circuitos se llevaron a las llamadas placas fenólicas las cuales poseen o
mejor dicho constan de una fina laminilla de cobre debajo de la cual se encuentra una
base de litio para separar a los componentes de la laminilla de cobre. Todo circuito lógico
debe de tener un camino por el cual se debe de guiar la corriente eléctrica, debe de tener
un sentido y una orientación, que depende de la función a realizar; existen varios métodos
para crear las rutas de conexión del circuito en partes de la laminilla de cobre

METDO FOTOGRAFICO
Crear el original sobre papel:

Lo primero que hay que hacer es, sobre un papel, dibujar el diseño original del circuito
impreso tal como queremos que determinado. Para ello podemos utilizar o bien una regla
y lápiz (y mucha paciencia) o bien un programa de diseño de circuitos impresos. Ya sea a
lápiz o por computadora siempre hay que tener a mano los componentes electrónicos a
montar sobre el circuito para poder ver el espacio físico que requieren, así como la
distancia entre cada uno de sus terminales. Para guiar nos vamos a realizar un simple
circuito impreso para montar sobre él ocho diodos LED con sus respectivas resistencias
limitadoras de corriente.

Este es el circuito esquemático del que hablamos, recibe cero o cinco voltios por cada uno
de los pines del puerto paralelo del PC y, a través de cada resistencia limitadora de
corriente iluminan ocho diodos LED. Observemos el diagrama. Tenemos ocho entradas,
cada una de ellas conectada a una resistencia. Cada resistencia se conecta al cátodo (+)
de cada diodo LED. Y todos los ánodos (-) de los diodos LED se conectan juntos al
terminal de Masa. Vamos a utilizar diodos LED redondos de 5mm de diámetro, que son
los más comunes en el mercado. Lo primero que haremos es colocar las islas. Para los
que usan programas de diseño de circuitos impresos por computadora las islas aparecen
como "Pads".

Algo a tener en cuenta: cuando una pista tiene que virar lo correcto es hacerlo con un
ángulo oblicuo y no a secas (90º). Si bien eléctricamente es lo mismo, conviene hacerlo
así porque al momento de atacar el cobre con el ácido es más probable que una pista se
corte si su ángulo es abrupto que si lo es suave. Nuevamente podemos apreciar que no
es más que una copia del circuito eléctrico anterior. Imprimimos el circuito sobre un papel
y paso 1 concluido.
Corte del trozo de circuito impreso:

Esto no es más que marcar sobre la placa virgen un par de líneas por donde con una
sierra de 24 dientes por pulgada cortaremos.

Es conveniente hacerlo sobre un banco inclinado de corte para que sea más fácil
mantener la rectitud de la línea.

Una vez cortado el trozo a utilizar lijar los bordes tanto de la cara de cobre como de la otra
a fin de quitar las rebabas producidas por el corte. Con la ayuda de un taco de madera es
más fácil de aplicar la lija.

Preparar la superficie del cobre:

Consiste en pulir la superficie de cobre virgen con un bollito de lana de acero (Virulana, en
Argentina) para remover cualquier mancha, partículas de grasa o cualquier otra cosa que
pueda afectar el funcionamiento del ácido. Recordemos que el ácido solo ataca metal, no
haciéndolo con pintura, plástico o manchas de grasa. Por lo que donde este sucio el cobre
resistirá y quedará sin atacar.

Pasar el dibujo al cobre:

Consiste en hacer que el dibujo del impreso que tenemos sobre el papel quede sobre la
cara de cobre y de alguna forma indeleble. Adicionalmente tendremos que tener cuidado
de no tocar con nuestros dedos el cobre para evitar engrasarlo. Es por ello que en este
paso también utilizaremos guantes de látex, pero cuidando que no queden en ellos restos
de viruta de acero que puedan dañar el dibujo sobre el cobre.

Para este paso requeriremos un marcador fino indeleble, uno grueso, un lápiz blando
(mina B), una o varias plantillas Logotyp de islas (esto depende de la cantidad de
contactos del circuito, así como del tipo de islas requeridas). Ambos marcadores deben
ser de tinta permanente al solvente. Hasta ahora el mejor que hemos usado es el edding
3000.Es conveniente, antes de usar las plantillas Logotyp, probarlas sobre otra superficie
para constatar que no esté vencido. Lo que arriba se ve a la izquierda (la de las líneas) no
pegaba sobre el cobre y tuvimos que hacer todos los trazos rectos con marcador y regla.
Lo mismo sucede con el marcador. Antes de aplicarlo sobre la placa hacer un par de
trazos sobre un cartón (preferentemente brilloso) a fin de ablandar la tinta en la punta.
Para aplicar los dibujos de las plantillas colocar la misma sobre la lámina de cobre y, con
el lápiz frotar cada uno suavemente hasta que queden estampados sobre el circuito
impreso. O en su caso, colocar la hoja impresa sobre la placa, y plancharlo suavemente
para que la tinta se impregne sobre el cobre.

Preparar el ácido:

Antes de sumergir la placa en el ácido hay que tomar algunos recaudos y precauciones.
También hay que seguir algunos pasos para que el ataque sea efectivo. Como dijimos
arriba, el ácido empleado es Percloruro de Hierro, el cual se puede comprar en cualquier
comercio del rubro. Para que el ácido funcione correctamente y pueda actuar sobre el
cobre debe estar a una temperatura comprendida entre 20 y50 grados centígrados. Para
mantenerlo en ese rango usaremos un calefactor eléctrico a resistencia, como el que se
ve abajo.

Cabe aclarar que al ser una resistencia de alambre esta se encuentra "viva" con tensión
de red en su recorrido, lo que obliga a separar al calefactor del fuentón al menos un
centímetro. Para ello utilizamos dos ladrillos acostados los que se ven en la foto de arriba.
Sobre esto se coloca el fuentón de aluminio, dentro del cual se colocará la batea plástica
donde verteremos el ácido. En el fuentón colocar agua previamente calentada para que el
ácido se caliente por el efecto "Baño María". Entre el fuentón y la batea es conveniente
colocar dos separadores para que el metal caliente no entre en contacto directo con la
batea plástica.

Ataque químico:

Una vez que el ácido está en temperatura colocamos la placa de circuito impreso flotando,
con la cara de cobre hacia abajo y lo dejamos así durante 15 minutos.

Ahí lo dejamos tranquilo y de no ser estrictamente necesario nos vamos a otra parte para
evitar respirar tan feo tóxico. Al cabo de los 15 minutos, con un guante de látex,
levantamos la placa de circuito impreso y observamos cómo va todo. Si es necesario
sumergir la placa en agua para observar en detalle es posible hacerlo, pero no frotar ni
tocar con los dedos el dibujo para evitar dañarlo. Si el cobre que debía irse aún
permanece colocar la placa al ácido otros 10 minutos más y repetir inmersiones de
10minutos hasta que el circuito impreso quede completo. Si en alguna de las
observaciones se nota que una pista corre peligro de cortarse secar cuidadosamente solo
en esa zona y aplicar marcador para protegerla de la acción oxidante del ácido. Una
forma práctica de ver si el ácido comenzó a "comer" el cobre es iluminando la batea
desde arriba con un potente reflector. Si se ve la silueta de las pistas marcada es clara
señal de buen funcionamiento. Si se ve todo opaco quiere decir que aún no comenzó el
ataque químico. Una vez que el ácido atacó todas las partes no deseadas del cobre sacar
de la batea, colocarla en un recipiente lleno de agua, llevarla hasta la pileta de lavar más
próxima y dejarla bajo agua corriente durante 10 minutos. Luego, secar con papel para
cocina y quitar el marcador con solvente. De ser necesario pulir suavemente con viruta de
acero.

Prueba de continuidad:

Con un probador de continuidad verificar que todas las pistas lleguen enteras de una isla
a otra. En caso de haber una pista cortada estañarla desde donde se interrumpe hasta el
otro lado y colocar sobre ella un fino alambre telefónico. De ser una pista ancha de
potencia colocar alambre más grueso o varios uno junto a otro. Si no se tiene un probador
de continuidad una batería de 9V con un zumbador auto-oscilado en serie y un juego de
puntas para que puedan ser de gran ayuda. Colocar todo en serie de manera que, al
juntar las puntas, se accione el zumbador. Comprobado el correcto funcionamiento
eléctrico de la plaqueta es hora de pasar al perforado.

Perforado:

Para que los componentes puedan ser soldados se deben hacer orificios en las islas por
donde el terminal de componente pasará. Un taladro de banco es de gran ayuda sobre
todo para cuando son varios agujeros. Para los orificios de resistencias comunes,
capacitores y semiconductores de baja potencia se debe usar una mecha (broca) de
0.75mm de espesor. Para orificios de bornes o donde se suelden espadines o pines una
de 1mm es adecuada. Aquí será de suma utilidad atinarle al orificio central de la isla para
que quede la hilera de perforaciones lo más pareja que sea posible.

Quizás sea necesario comprar un adaptador dado que la mayoría de los taladros de
banco tienen un mandril que toma mechas desde 1.5mm en adelante. Y luego vendrá el
dolor de cabeza porque centrar el adaptador y el mandril no es tarea simple. Hay que
prestar atención a que este bien centrado, porque de no estarlo el agujero saldrá de
cualquier forma, si es que sale.

Acabado final:

Con el mismo bollito de viruta de acero que veníamos trabajando hay que quitar las
rebabas de todas las perforaciones para que quede bien lisa la superficie de soldado y la
cara de componentes. Luego de esto comprobar por última vez la continuidad eléctrica de
las pistas y reparar lo que sea necesario.

MÉTODO SERIGRÁFICO
La serigrafía es una técnica de impresión empleada en el método de reproducción de
documentos e imágenes sobre cualquier material, y consiste en transferir una tinta través
de una malla tensada en un marco, el paso de la tinta se bloquea en las áreas donde no
habrá imagen mediante una emulsión o barniz, quedando libre la zona donde pasará la
tinta. El sistema de impresión es repetitivo, esto es, que una vez que el primer modelo se
ha logrado, la impresión puede ser repetida cientos y hasta miles de veces sin perder
definición.

Se sitúa la malla, unida a un marco para mantenerla tensa, sobre el soporte a imprimir y
se hace pasar la tinta a través de ella, una presión moderada con un rasero,
generalmente de caucho. La impresión se realiza a través de una tela de trama abierta,
enmarcada en un marco, que se emulsiona con una materia fotosensible. Por contacto, el
original se expone a la luz para endurecer las partes libres de imagen. Por el lavado con
agua se diluye la parte no expuesta, dejando esas partes libres en la tela. El soporte a
imprimir se coloca debajo del marco, dentro del cual se coloca la tinta, que se extiende
sobre toda la tela por medio de una regla de goma. La tinta pasa a través de la malla en la
parte de la imagen y se deposita en el papel o tela.
 MÉTODO DIRECTO
Existen dos maneras distintas para la elaboración de PCB´s por el método directo: dibujar
directamente sobre el lado cobrizo de la placa y a continuación sensibilizarla positiva o
negativamente;

Este método depende de cómo se manejen cada uno de los pasos del proceso, ya que es
un método tanto minucioso como delicado

INSOLACION

Para este método se debe:

1.-se debe de quitar el recubrimiento adhesivo de la placa fotosensible positiva

2.-coloca la cara o dibujo original sobre la placa fotosensible, se debe de determinar bien
la cara de los componentes y la de las soldaduras

3.- coloca cuidadosamente la placa junto al vidrio del marco de insolación

4.-insolar de 12 a 15 minutos si se utiliza acetato o película fotográfica

Insolar de 15 a 20 minutos si se utiliza papel albanene, cebolla o myler

REVELADO

1.-prepara el líquido de revelado

2.- Vacía el contenido de la bolsa de revelador AR45 y agregar 1 litro de agua, a 20 °C de

temperatura como mínimo.

3.-Espera a que los cristales se disuelvan completamente.

4.-Inmediatamente después de la insolación, sumerge la placa en el revelador y agita el

recipiente de plástico.

5.-Toda la resina fotosensible que ha sido insolada, deberá desaparecer en menos de un

minuto.

6.- por ultimo enjuaga la placa en agua corriente.

GRABADO

1.- Para realizar más rápidamente la operación de grabado, es necesario encender la

máquina de grabado antes de la insolación.

2.-Coloca la placa sobre el transportador de la máquina de grabado. El agente grabador

corroerá el cobre que no esté protegido por la resina. El tiempo de grabado, con
percloruro de hierro nuevo, será de aproximadamente 45 segundos.
3.-Cuando el tiempo de grabado se haya duplicado respecto a la primera operación de
grabado, deberá cambiarse el percloruro de hierro

.4.-debes de enjuagar la placa al salir esta de la máquina.

ELIMINACION DE LA RESINA

1.- Se debe eliminar la resina restante con un algodón mojado con STRIPPER AR61 o
con otro solvente.

2.-La resina se puede dejar mientras se efectúa el taladrado de la placa, para proteger el
cobre.

3.-También es posible eliminar la resina residual, volviendo a insolar la placa grabada y

destruir la resina con los rayos ultravioletas.

4.-Sumergir la placa en el líquido revelador.

5.-El circuito está terminado, ahora podrá barnizarse o estañarse.

Circuitos monolíticos

Los circuitos integrados monolíticos se construyen sobre una plaquita de silicio,

denominada sustrato, generalmente de tipo P. Se configura como una unidad inseparable
que forma una estructura única, cuyos componentes van formándose simultáneamente, y
que no puede ser dividida sin destruir de forma irreversible su función eléctrica. El proceso
de fabricación está basado en la técnica planar, vista anteriormente, pudiéndose distinguir
en él varios apartados: la preparación de las máscaras fotográficas, la elaboración del
circuito y, por fin, el encapsulado y verificación.

En primer lugar, una vez calculados los valores y ajustado el circuito en su funcionamiento
o las limitaciones propias de esta técnica, se procede a la disposición de los elementos
sobre el cristal. Una vez conformado el conjunto, se desarrollan las máscaras fotográficas
que, con sus correspondientes aberturas, irán dando lugar a las sucesivas partes del
circuito en procesos posteriores. Cada una de estas máscaras se corresponderá con una
fase de fabricación en la que se producirán varios elementos a la vez (por ejemplo, bases
y resistencias, emisores y capacidades, etc.). Las máscaras se diseñan inicialmente a
escala 500:1 y, más tarde, son reducidas al tamaño real, pasando a disponerse
conjuntamente de un número de ellas igual al número de circuitos que pueden obtenerse
de una oblea de silicio (que llega a ser de varias centenas). Esto se repite para cada fase
del proceso.
En la realización del circuito propiamente dicho, intervienen varios procesos bien
diferentes. Los principales son:

- Preparación y purificación del silicio.

- Crecimiento de la capa epitaxial.

- Oxidación.

- Fotolitografiado.

- Difusión.

- Conexionado (deposición metálica).

El correcto funcionamiento de estos circuitos depende del riguroso control que se realice
sobre el número de impurezas que se introduzcan en el silicio. Es, por lo tanto, de suma
trascendencia asegurar que el cristal utilizado como sustrato sea de la mayor pureza en
su composición y de la mayor regularidad en la formación de su estructura cristalina. Para
obtener la adecuada pureza se somete el silicio a una serie de procesos químicos y
físicos a elevadas temperaturas, de los cuales, tras sucesivas

mezclas, fusiones, destilaciones y descomposiciones, resulta un silicio con una pureza del
orden de un átomo de impureza por cada 1010 átomos de silicio. Para conseguir una
estructura cristalina totalmente regular, se realiza el alargamiento controlado del cristal
con un dispositivo, tal como se muestra:

Partiendo del silicio purificado fundido en el crisol, se le pone en contacto un cristal tipo
(germinador), que se hace girar a la vez que se retira lentamente; el silicio va creciendo
adherido al germinador y adoptando una estructura cristalina sumamente regular. Una vez
realizado este proceso, se procede a difundir una muy controlada cantidad de impurezas
donadoras o aceptoras (generalmente aceptoras), con lo cual se puede pasar a cortar el
silicio en discos que, una vez pulidos, constituyen los sustratos listos para la formación del
circuito.
El crecimiento de la capa epitaxial consiste en hacer crecer una película delgada de silicio
N o P sobre el sustrato preparado anteriormente. La película será de muy baja resistividad
frente a la resistividad de la oblea y de signo contrario a ella. El crecimiento de la capa
epitaxial se obtiene introduciendo las obleas en un ambiente de gas de silicio
adecuadamente dopado a elevada temperatura. La resistividad de la película crecida
depende de la concentración de impurezas en el gas; y el espesor de la capa, del tiempo
de exposición:

A lo largo del proceso, la oblea de silicio es sometida repetidamente a procesos de

oxidación. La finalidad de estas oxidaciones consiste en controlar las zonas donde han de
producirse las difusiones de impurezas; el óxido de silicio forma una barrera, a través de
la cual no puede difundirse el gas dopado que en cada momento se utiliza. De este modo,
abriendo las ventanas necesarias en el óxido de silicio, con ayuda de las máscaras
fotográficas, se consigue determinar las zonas donde difundir. La oxidación se consigue
calentando el sustrato con la capa epitaxial hasta unos 1000 °C y sometiéndolo a un
chorro de oxígeno o vapor. La temperatura y el tiempo de exposición determinan el
espesor de la capa oxidada:

En esta parte del proceso, como ya se ha señalado con anterioridad, se determinan las
zonas donde deben producirse las difusiones. Sobre el óxido de silicio se aplica una
emulsión fotosensible que, con la correspondiente máscara superpuesta, es sometida a
radiaciones ultravioleta. Las zonas de emulsión situadas bajo partes transparentes de la
foto mascara se polimerizan; en el resto de las zonas queda la emulsión blanda, siendo
eliminada junto con el óxido que hay debajo de ellas. Así, el disco de silicio queda
expuesto en esas partes a las difusiones pertinentes:
La difusión es, quizás, la parte más importante en la fabricación de los circuitos integrados
monolíticos. Consiste en introducir el disco fotolitografiado en una atmósfera, con una
exacta densidad de átomos de impureza, a una temperatura de unos 1200 °C. La
introducción de átomos de impureza, es muy lenta (2,5 m m por hora), lo que permite
regularla con toda precisión:

Normalmente se desarrolla en dos procesos diferentes: la sedimentación y la difusión. La

sedimentación se produce en la etapa comentada en el párrafo anterior, y la difusión se
logra introduciendo de nuevo los discos en otra estufa a temperatura más elevada, para
que las impurezas sedimentadas se desplacen o difundan en el silicio:

Sobre una capa difundida con determinada impureza pueden volverse a difundir
impurezas de signo contrario con una concentración más elevada, formándose así
sucesivas uniones NP, que dan lugar a los diversos componentes:
Una vez fabricados los diversos componentes del circuito, se conectan entre sí. Para esto,
se recubre la totalidad del circuito con una delgada capa de aluminio, que es atacada y
eliminada con ayuda de un nuevo proceso de foto grabación. Así, el circuito queda ya
montado y listo para una primera comprobación y su posterior encapsulamiento:

Una vez producidos los circuitos sobre la oblea, se comprueban superficialmente. La

misma máquina que los verifica mancha de tinta aquéllos que deben desecharse. Más
tarde, la oblea se raya con una fina punta de diamante en las dos direcciones, por los
espacios existentes entre circuito y circuito. Después se somete a una pequeña presión
que la descompone en pequeños cuadrados, que contienen los circuitos individuales:

Estos pequeños cristales son colocados en la cápsula adecuada sobre una base, a la cual
van fijos:
Más tarde, se sueldan los terminales mediante el sistema descrito en la figura siguiente,
denominado unión por esfera:

Una vez soldado el circuito, se cierra herméticamente la cápsula, procediéndose, por fin, a
verificar rigurosamente las funciones que el circuito debe cumplir. A continuación, se
representa completa la secuencia de operaciones estudiadas en apartados anteriores,
para la formación de los circuitos integrados monolíticos:

Puesto que todos los elementos se forman sobre un mismo sustrato conductor, es preciso
separarlos previamente, de modo que entre ellos sólo existan las conexiones aplicadas
con el metalizado. El aislamiento se suele realizar con dos técnicas: por diodos y por
oxidación. El aislamiento por diodos consiste en formar pequeñas islas de superficie
suficiente como para contener el elemento correspondiente. Esto se logra mediante la
difusión, por una serie de ventanas formadas en el óxido aplicado a la capa epitaxial, de
impurezas del mismo tipo que el sustrato. Estas impurezas se hacen penetrar hasta
atravesar la zona epitaxial. Queda, así, entre las islas una serie de diodos que las separan
eléctricamente:
Con el sistema de oxidación no es preciso formar la zona epitaxial. Sobre una lámina de
silicio se practica, mediante ataque químico, una serie de grietas con ayuda de la
oxidación y el fotolitografiado. Cuando las grietas tienen profundidad suficiente, se vuelve
a oxidar el conjunto y, sobre él, se hace crecer una nueva capa de silicio, que más tarde
es invertido y rebajado. En las grietas se alojarán con posterioridad los componentes:

El silicio es un material cuya resistividad depende de las impurezas que se difunden en él.
En esto se basa precisamente la formación de resistencias integradas. Como la
profundidad y concentración de las impurezas por difundir vienen fijadas por los
transistores que se construyen, la producción de las resistencias está siempre ligada a la
de los transistores. El valor de éstas sólo puede regularse variando la superficie por
difundir:
Las resistencias de valores normales se realizan a la vez que las bases de los
transistores, que requieren una pequeña concentración de impurezas, lográndose así
valores entre 20 ohmios y 30 kilo-ohmios. Las de pequeño valor, hasta unos 2 ohmios, se
producen a la vez que los emisores, realizados con una mayor densidad en la difusión.
Hasta el presente, no se ha logrado una tolerancia en la producción menor del 5 % para
las resistencias; sin embargo, se consiguen errores de hasta un 1 % en la relación de
valores entre resistencias fabricadas a la vez. Esto hace que en la actualidad se tienda a
calcular los circuitos, no por los valores absolutos de las resistencias, sino por las
relaciones entre ellos.

Las capacidades en los circuitos integrados pueden conseguirse por varios métodos. Los
más usuales son: el tipo unión NP y el tipo MOS. Las capacidades por unión NP se
forman usando la propiedad aislante de la barrera de unión polarizada de forma inversa
para conseguir el dieléctrico. Las armaduras son originadas por las zonas
semiconductoras:

Como las resistencias, los condensadores se forman simultáneamente a los transistores.

Por esto, sólo puede actuarse sobre la superficie de la zona difundida y sobre la tensión
inversa, aplicada a la unión por variar la capacidad. El condensador de tipo MOS se forma
a la vez que el emisor de un transistor, dopando fuertemente una zona que será la
primera placa conductora. El dieléctrico es una capa de óxido de silicio y la otra placa
conductora la constituye el mismo metal que produce el conexionado final. Este método
simplifica el proceso logrando capacidades mayores y con menos corriente de fuga:
Los transistores bipolares o de unión se forman de modo similar a la técnica planar. Una
vez formada la isla, se difunde la base con débil concentración. Sobre la base, se difunde
el emisor con gran densidad de impurezas. El colector, también fuertemente dopado, se
forma a la vez que el emisor, sobre la isla primitiva:

El problema mayor de estos transistores reside en que la corriente de colector ha de

circular horizontalmente a lo largo de una estrecha región, lo cual origina una resistencia
adicional. Para evitar esta dificultad, se suele difundir en el sustrato, previamente al
crecimiento epitaxial, una zona N de baja resistividad, facilitándose de este modo el
camino a la corriente. Esta técnica se denomina DUF, del inglés Diffusion Under The
Epitaxial Film (difusión bajo la capa epitaxial):

Los diodos se obtienen también dependiendo de la profundidad y concentración que se

determine para los transistores. En muchas ocasiones se utilizan incluso transistores
adecuadamente conexionados para formar el diodo correspondiente. En la figura
siguiente pueden verse las disposiciones más utilizadas para obtener diodos:

Los transistores de efecto de campo suelen sustituir, en muchas ocasiones, a los de unión
o BJT, por reunir las ventajas de una mayor simplicidad en la producción y una menor
superficie. También se utiliza, en muchas ocasiones, transistores MOS para suplir
resistencias, sobre todo, porque con ellos se consiguen valores mayores de 30 K en
superficies menores. Las figuras, que a continuación se muestran, nos enseñan un
transistor MOS en utilización normal, usado como resistencia, y la comparación entre los
resultados obtenidos para un circuito simple, usando técnica bipolar y técnica MOS.
Obsérvese, en esta última, la diferencia de superficie necesaria:

A continuación, se expone gráficamente, en vistas de corte y planta, un ejemplo ilustrativo

del proceso de formación de un circuito integrado completo:

Circuitos peliculares
Los circuitos integrados peliculares, en muchas ocasiones denominados comúnmente
circuitos híbridos, se desarrollan para salvar las limitaciones que la técnica planar impone
a los integrados monolíticos: una de estas limitaciones se refiere a las dificultades para
obtener resistencias y condensadores de pequeñas tolerancias y elevados valores; otra a
la producción de series de circuitos relativamente reducidas que, fabricadas en versiones
monolíticas, tendrían precios prohibitivos. La técnica de circuitos integrados peliculares
permite la realización, en un encapsulado simple, de combinaciones extremadamente
complejas de semiconductores.

Los circuitos integrados de película delgada (thin-film) son circuitos construidos sobre un
substrato de cerámica o de vidrio, en los que los elementos pasivos y las interconexiones
de los distintos elementos se obtienen por técnicas de evaporación al vacío sobre el
substrato, y los elementos activos son montados y soldados sobre éste como unidades
independientes.

En este tipo de circuitos, las resistencias se obtienen por condensación, generalmente, de

tantalio o cromo-níquel sobre áreas de geometría determinada. Los condensadores se
forman a partir de dos superficies conductoras separadas por un dieléctrico, que
generalmente es óxido de silicio. Los diodos y transistores son, por lo general, estructuras
planares montadas sobre soportes adecuados, que se unen al circuito mediante
soldadura, termocompresión o ultrasonidos. Los circuitos integrados de película delgada
se emplean fundamentalmente en circuitería analógica, dada la gran precisión con la que
se pueden obtener las resistencias (tolerancias inferiores ± 0,1 % ).

Los circuitos integrados de película gruesa (thick-film) son circuitos en los que los
elementos pasivos y las distintas interconexiones se forman sobre un substrato cerámico,
imprimiendo, por procedimientos serigráficos, distintos tipos de pasta, la cual contiene
elementos dieléctricos y conductores, que conformarán los diferentes elementos del
circuito a implementar. En este tipo de circuitos los elementos activos también son
incorporados como unidades independientes:

Las resistencias se forman mediante la colocación, sobre el substrato, de una pasta que
contiene, sobre un vehículo disolvente, partículas de paladio y de plata. Los
condensadores pueden ser de dos tipos: bien, unidades independientes que se montan
como los diodos o los transistores, o bien pueden ser de tipo pelicular formados sobre el
mismo substrato para valores de capacidad reducidos. Los elementos activos se
interconectan al resto del circuito de manera análoga a la descrita en los circuitos
integrados de película delgada:
 Cerámica piezoeléctrica.
Las cerámicas piezoeléctricas pertenecen al grupo que da mayor flexibilidad de formato y
de propiedades, siendo ellas ampliamente utilizadas en la fabricación de equipos
industriales, específicamente en el sistema de limpieza, equipos de soldadura por
ultrasonido, para ensayos no destructivos y equipos para monitorear vibraciones. El
elemento activo en la mayoría de los dispositivos y transductores ultrasónicos es un
elemento piezoeléctrico, que puede pertenecer a uno de estos grupos: cristales de
cuarzo, hidrosolubles, monocristales, semiconductores piezoeléctricos, cerámicas
piezoeléctricas, polímeros y compuestos piezoeléctricos

las cerámicas piezoeléctricas son cuerpos macizos semejantes a las utilizadas en

aisladores eléctricos, ellas están constituidas por innumerables cristales ferroeléctricos
microscópicos llegando a denominarse como policristalinas. Particularmente en
las cerámicas del tipo PZT, esos pequeños cristales poseen estructuras cristalinas tipo
Perovskita, pudiendo presentar simetría tetragonal, romboédrica o cúbica simples,
teniendo en cuenta la temperatura en la que el material se encuentre. Estando por debajo
de una temperatura crítica, conocida como Temperatura de Curie, la estructura Perovskita
presentará la simetría tetragonal donde el centro de simetría de las cargas eléctricas
positivas no coincide con el centro de simetría de las cagas negativas, dando origen a un
dipolo eléctrico. La existencia de este dipolo provoca que la estructura cristalina se
deforme en presencia de un campo eléctrico y genere un desplazamiento eléctrico cuando
es sometida a una deformación mecánica, caracterizando el efecto piezoeléctrico inverso
y directo respectivamente. La deformación mecánica o la variación del dipolo eléctrico de
la estructura cristalina de la cerámica no necesariamente implica efectos macroscópicos,
ya que los dipolos se organizan en dominios, que a su vez se distribuyen aleatoriamente
en el material policristalino. Para que ocurran manifestaciones macroscópicas es
necesario una orientación preferencial de estos dominios, conocida como polarización.
Inclusive esta polarización se desvanece con el tiempo y el uso, inutilizando el material
para la transformación de energía eléctrica en mecánica
 CERÁMICAS FERROELÉCTRICAS
Las cerámicas basadas en perovskita se producen comercialmente en grandes
cantidades y son usadas principalmente en condensadores y termistores de coeficiente de
temperatura positivo (PTC) y como piezocerámicos.

La cerámica de titanato de bario se emplea como un dieléctrico en los condensadores. La

dependencia de la permitividad de la temperatura y de la fuerza de campo, que por regla
general no es deseable, se puede minimizar mediante la sustitución parcial de Sr o Pb por
Ba, así como también Zr o Sn por Ti. Al mismo tiempo, la transición, que en cualquier
caso es difusa en el titanato de bario altamente dopado, se puede bajar a temperatura
ambiente, logrando así altas permitividades. También se debe prestar la atención en el
tamaño de grano, debido a los efectos de despolarización asociados.

Un bajo dopaje, por ejemplo, unas pocas décimas porcentuales en moles de Sb, Nb, o
tierra rara, hacen semiconductor al titanato de bario. Si la cerámica también contiene
trazas de Cu, Fe o Mn, la acumulación de estos elementos en los límites del grano
provoca la formación de capas eléctricamente aislantes, ya que estas impurezas, como
aceptores, capturan electrones libres.

Si la concentración de aceptor es lo suficientemente alta, la cerámica constituye un

condensador de capa de bloqueo con alta permitividad efectiva. Un dopaje ligero
(<0,01%) produce los llamados termistores PTC; su resistencia puede aumentar en más
de cuatro órdenes de magnitud en un intervalo de 100 K por encima de la temperatura de
Curie (Fig. 9). Por debajo del punto de Curie las barreras de potencial en los límites de
grano son anuladas por las cargas de polarización de los cristalitos ferroeléctricos, y la
resistencia eléctrica de la cerámica está determinada por la de los granos
semiconductores.

Dependencia de temperatura de la resistividad de termistores cerámicos PTC de titanato

de bario con diversas temperaturas de Curie.

Para aplicaciones piezoeléctricas la cerámica ferroeléctrico macroscópicamente isotrópica

es polarizada campos eléctricos. La orientación óptima de la polarización espontánea en
los granos dispuestos al azar se ve facilitada por las temperaturas elevadas. La cerámica
de soluciones sólidas de titanato de plomo - zirconato de plomo (PZT) son particularmente
adecuadas para aplicaciones piezocerámicas en virtud de sus altas temperaturas de Curie
y alta polarización espontánea, así como sus propiedades cristalográficas. El diagrama de
fases se muestra en la Figura 10. Los materiales con una composición cercana a la del
límite de fase morfo trópica entre la fase romboédrico rica en zirconato y la estructura
cristalina tetragonal rica en titanato presentan factores de acoplamiento hasta k = 0,7,
donde k2 es la fracción de la energía eléctrica suministrada que se almacena como
energía mecánica.