Tipos de tiristores

Flores Alejandra
Electrónica de potencia
Universidad Politécnica de Aguascalientes

Introducción
La invención del Rectificador Controlado de Silicio (SCR por sus siglas en inglés) dio origen
a la electrónica de potencia moderna, con el paso del tiempo fueron apareciendo otros
dispositivos, los cuales pueden ser clasificados según sus frecuencias de operación y
capacidades de procesamiento de energía y se describen a continuación. A la electrónica de
potencia le corresponden los circuitos con tiristores, su diseño y su función en el control de
potencia en un sistema.
Las características de disparo de los tiristores hacen que sean más útiles que los conmutadores
mecánicos en términos de velocidad y duración, ya que dicho disparo se realiza inyectando
corrientes en esas uniones de forma que conmuta a conducción y lo mantiene en este estado,
aunque la señal de disparo sea retirada, siempre que se verifiquen unos requerimientos
mínimos de voltaje y corriente.

Resumen
El diodo de potencia
Es el dispositivo de conmutación más simple, cuenta con dos terminales conocidas como
ánodo y cátodo. Si el ánodo experimenta un mayor potencial que el cátodo, el diodo entra en
polarización directa permitiendo el paso de corriente en una sola dirección, a causa de esto
sufre una pequeña caída de voltaje (< 1V) que en condiciones ideales es ignorada.

Fig. 1. Diodo
Cuando un diodo se polariza en inversa no conduce y experimenta una pequeña corriente en
sentido contrario llamada corriente de fuga, las Fig. 2 y Fig. 3 muestran el funcionamiento
de un diodo polarizado en directa y en inversa respectivamente.

Fig. 2. Polarización en directa

Fig. 3. Polarización inversa

Algunas propiedades de la unión PN

De la polarización directa e inversa, se puede notar que en directa la corriente es
incrementada rápidamente conforme aumenta el voltaje; mientras que la corriente en
inversa es relativamente pequeña hasta que se alcanza un voltaje de ruptura, una vez que el
voltaje aplicado este sobre ese límite la corriente aumentará rápidamente hasta un valor
limitado únicamente por una resistencia externa
Parámetros del diodo AC:
Tiempo de recuperación en directa: tiempo requerido para que el voltaje caída a un
determinado valor después de que la corriente comienza a fluir.
Tiempo de recuperación en inversa: intervalo de tiempo entre la aplicación de voltaje en
inversa y la caída de corriente en inversa.
Parámetros del diodo en DC
Voltaje en directa: voltaje de ánodo y cátodo cuando se encuentra en conducción.
Voltaje de ruptura también conocido como voltaje de avalancha.
Corriente inversa es la corriente a un determinado voltaje.
Tipos de diodos
Diodo de conmutación de señal pequeña: Son usados como switch en rectificadores,
limitadores, formación de ondas, etc. Sus parámetros principales son voltaje de polarización
en directa, voltaje de ruptura en inversa, corriente de fuga y tiempo de recuperación.
Diodo rectificador de silicio: Su corriente en directa está por encima de los cientos de amperes; su
principal aplicación se encuentra en convertidores como fuentes de alimentación,
rectificadores/inversores.

Diodo Zener: Su aplicación principal es regulación o referencia de voltaje debido a sus propiedades
de avalancha

Fotodiodo: Cuando se expone a la luz, fotones forman pares electrón – hueco, cuando las cargas se
distribuyen en la unión producen fotocorriente.

Los diodos expuestos anteriormente pueden ser usados en la rectificación completa de una señal
CA sin necesidad de usar un transformador.

Rectificador de media onda

Una forma de controlar la salida de un rectificador de media onda es usar un SCR en lugar
de un diodo, la Fig. 4 muestra un circuito rectificador con un SCR.

Fig. 4. Rectificador de media onda con SCR

Las siguientes formulas son aplicadas para una carga resistiva:

𝑉𝑚
𝑉𝑜 = (1 + cos 𝛼)
2𝜋

La potencia absorbida por el resistor es:

2
𝑉𝑟𝑚𝑠
P=
𝑅

Donde el voltaje es
𝑉𝑚 𝛼 𝑠𝑒𝑛 (2𝛼)
𝑉𝑟𝑚𝑠 = √1 − +
2 𝜋 2𝜋

Rectificador de onda completa

Al igual que en los circuitos rectificadores de media onda, se puede sustituir los diodos por
SCR; la salida será controlada por el ángulo de desfasamiento de cada SCR. Rectificadores
de onda completa controlados como el que se muestra en la Fig. 5 funcionan de la siguiente
manera: para el puente rectificador S1 y S2 estaran polarizados en directa cuando la fuente
este en su ciclo positivo pero no conduciran hasta que sean activados mediante su
compuerta; lo mismo sucede para S3 y S4 cuando la señal está en su ciclo negativo.
 Fig. 5. Rectificador onda completa con SCR

El voltaje de salida para un rectificador de onda completa controlado con una carga resistiva
es:
𝑉𝑚
𝑉𝑜 = (1 + cos 𝛼)
𝜋
La potencia entregada por la carga es una función del voltaje de entrada, el ángulo de
desfasamiento y los componentes de carga
2
P= 𝐼𝑟𝑚𝑠 ∙R

Donde
𝑉𝑚 1 𝛼 𝑠𝑒𝑛 (2𝛼)
𝐼𝑟𝑚𝑠 = √ − +
𝑅 2 2𝜋 4𝜋

Rectificadores trifásicos controlados:

La Fig. 6 muestra un rectificador trifásico de seis pulsos

Fig. 6. Rectificador de seis pulsos

La siguiente ecuación se usa para determinar el ángulo de desfasamiento requerido

𝑉𝑜 𝜋
𝛼 = cos −1
3𝑉𝑚,𝐿−𝐿

Rectificadores de doce pulsos

Representa una mejora en la calidad de la señal de CD respecto al rectificador monofásico.
Los armónicos del voltaje de salida son menores y a frecuencias que son múltiplos de 6 veces
la frecuencia de la fuente.
El controlador de voltaje CA monofásico
Operación básica
Los conmutadores electrónicos se muestran como tiristores en paralelo; este arreglo hace
posible tener corriente en ambos sentidos en la carga. La conexión mostrada en la Fig. X es
llamada antiparalelo o paralelo inverso debido a que el SCR lleva corriente en sentidos
opuestos. Un TRIAC es equivalente a los SCR en antiparalelo.

Fig. 7. SCR en antiparalelo

Tiristores
Se denominan tiristores a todos aquellos componentes semiconductores con dos estados
estables cuyo funcionamiento se basa en la realimentación regenerativa de una estructura
PNPN.
Un tiristor es uno de los tipos más importantes de los dispositivos semiconductores de
potencia. Los tiristores se utilizan en forma extensa en los circuitos electrónicos de potencia.
Se operan como conmutadores biestables, pasando de un estado no conductor a un estado
conductor.

Tipos de tiristores
Un tiristor tiene tres terminales: un ánodo, un cátodo y una compuerta. Cuando se hace pasar
una corriente pequeña por la terminal de la compuerta, hacia el cátodo, el tiristor conduce
siempre que la terminal del ánodo tenga mayor potencial que el cátodo. Los tiristores se
pueden dividir en once tipos:
1. Tiristor conmutado forzado
2. Tiristor conmutado por línea
3. Tiristor de abertura de compuerta (GTO, de sus siglas en inglés gate-turn-off
thyristor),
4. Tiristor de conducción inversa (RCT, de sus siglas en inglés reverse-conducting
thyristor)
5. Tiristor de inducción estática (SITR, de sus siglas en inglés static induction thyristor)
 6. Tiristor de abertura de compuerta asistida (GATT, de sus siglas en inglés gate-assisted
turn-off thyristor)
7. Rectificador fotoactivado controlado de silicio (LASCR, de sus siglas en inglés light-
activated silicon-controlled rectifier (LASCR)
8. Tiristor abierto por MOS (MTO, por sus siglas en inglés MOS turn-off),
9. Tiristor abierto por emisor (ETO, por sus siglas en inglés emitter turn-off)
10. Tiristor conmutado por compuerta integrada (IGCT, por sus siglas en inglés
integrated gate-commutated thyristor)
11. Tiristores controlados por MOS (MCT, por sus siglas en inglés MOS-controlled
thyristor).
Para comprender su funcionamiento en general, se tiene que una vez que un tiristor está en
modo de conducción, el circuito de la compuerta no tiene control, y el tiristor continúa
conduciendo. Un tiristor que conduce se puede apagar haciendo que el potencial del ánodo
sea igualo menor que el potencial del cátodo [1].
Características estáticas
Estudian el comportamiento del tiristor entre A (ánodo) y K (cátodo), con la G (puerta)
abierta. Son valores máximos que nunca deben ser superados en el funcionamiento del
tiristor.
Dichos parámetros se muestran a continuación, así como su descripción:
𝑉RWN → Tensión inversa de Trabajo máximo
𝑉FDM → Tensión directa de Trabajo máximo
𝑉FT → Caída de tensión directa de ruptura o avalancha
𝐼𝐹𝐴𝑉 /𝐼𝐸𝐹 → Corriente media y corriente eficaz
𝐼𝐹𝐷 → corriente directa de fugas (en corte)
𝐼𝑅 → Corriente inversa de fugas
𝑇𝐹 → Temperatura de funcionamiento

Características dinámicas
Se refiere a aquellas características que definen el comportamiento del tiristor en régimen
transitorio.
Comportamiento del tiristor frente a sobretensiones: Se puede sobrepasar durante un
tiempo menor a 10 ms, la tensión 𝑉RWN sin peligro de dañar al tiristor.
Comportamiento del tiristor frente a sobrecorrientes: Se puede sobrepasar durante
un tiempo menor a 10 ms, la corriente 𝐼𝐹𝐴𝑉 /𝐼𝐸𝐹 sin dañar al tiristor.
 𝑑𝑉
→ velocidad critica de crecimiento de tensión en el estado de bloqueo, designa el
𝑑𝑡
ritmo de crecimiento máximo permitido de la tensión en el ánodo antes de que el
TRIAC pase al estado de conducción. Se da a una temperatura de 100C y su unidad
es V/ s.
𝑑𝑖
→ velocidad crítica de crecimiento de la corriente en estado conductor a una
𝑑𝑡
temperatura de unión, corriente de compuerta y 𝑉DRM especificados.

SCR
El tiristor SCR es un dispositivo electrónico que tiene la característica de conducir la
corriente eléctrica en un solo sentido tal como lo hace un diodo, pero para que comience a
conducir el tiristor SCR necesita ser activado, mientras el tiristor SCR no sea activado este
no conducirá. Un SCR posee tres conexiones: ánodo, cátodo y gate (puerta) tal cual se
observa en la Fig. 1. La puerta es la encargada de controlar el paso de corriente entre el ánodo
y el cátodo.

Fig. 8. Conexiones del SCR

Trabajando en corriente alterna el SCR se desexcita en cada alternancia o semiciclo.

Trabajando en corriente continua, se necesita un circuito de bloqueo forzado, o bien
interrumpir el circuito [2].
La Fig. 2 muestra un circuito equivalente del SCR para comprender su funcionamiento.

Fig. 9. Circuito equivalente SCR

Explicación de funcionamiento:
Al aplicarse una corriente 𝐼𝐺 al terminal G (base de Q2 y colector de Q1 ), se producen dos
corrientes: I𝐶2 = I𝐵1 .
I𝐵1 es la corriente base del transistor Q1 y causa que exista una corriente de colector de Q1
(I𝐶1 ) que a su vez alimenta la base del transistor Q2 (IB2), este a su vez causa más corriente
en I𝐶2 , que es lo mismos que I𝐵1 en la base de Q1 ; este proceso regenerativo se repite hasta
saturar Q1 y Q2 causando el encendido del SCR.
• Características estáticas
Corresponden a la región ánodo- cátodo y son los valores máximos que colocan al elemento
en un límite de sus posibilidades:

Tabla 1. Parámetros del SCR

Parameter Description
𝑉𝑅𝑊𝑀 Working peak reverse voltage
𝑉𝐷𝑅𝑀 Peak repetitive forward off-state voltage
𝐼𝑇(𝐴𝑉) , 𝐼𝐹(𝐴𝑉) Average forward on-state current at
specified case or junction temperature
𝐼𝑇(𝑅𝑀𝑆) , 𝐼𝐹(𝑅𝑀𝑆) RMS forward on-state current
𝑇𝑗 Junction operating temperature

• Características dinámicas
Tensiones transitorias: son valores de tensión que van superpuesto a la señal sinusoidal de la
fuente de alimentación. Son de escasa duración, pero su amplitud es considerable.
• Características de conmutación
Los tiristores necesitan un tiempo para pasar de bloqueo a conducción y viceversa. Para
frecuencias inferiores a 400hz estos efectos son despreciables. En la mayoría de las
aplicaciones se requiere una conmutación más rápida por lo que este tiempo debe tenerse en
cuenta.
• Características por temperatura
Dependiendo de las condiciones de trabajo de un tiristor disipa una cantidad de energía que
produce un aumento de la temperatura en las uniones del semiconductor. Este aumento de la
temperatura produce un aumento de la corriente de fuga, creando un fenómeno de
acumulación de calor que debe ser evitado.
• Aplicaciones del SCR
Las aplicaciones de los tiristores se extienden desde la rectificación de corrientes alternas, en
lugar de los diodos convencionales hasta la realización de determinadas conmutaciones de
baja potencia en circuitos electrónicos, pasando por los onduladores o inversores que
transforman la corriente continua en alterna. La principal ventaja que presentan frente a los
diodos cuando se les utiliza como rectificadores es que su entrada en conducción estará
controlada por la señal de puerta. A continuación, se mencionan algunos de sus usos más
comunes:
▪ Circuitos de protección.
▪ Controles de calefacción.
▪ Inversores
▪ Circuitos de retardo de tiempo

GTO (Gate Turn-Off Thyristor))

Igual que el tiristor (SCR), el GTO se enciende por medio de un impulso de corriente de
puerta de corta duración, y una vez en el estado activo, el GTO se mantiene encendido sin
más corriente de puerta [1].
Sin embargo, a diferencia de un SCR un GTO se apaga mediante la aplicación de un voltaje
negativo de puerta a cátodo para que fluya una corriente negativa bastante grande, la cual
solo necesita fluir durante algunos microsegundos y debe tener una magnitud muy grande,
normalmente hasta una tercera parte de la corriente de ánodo que se esté desconectando. Los
GTO actuales no se pueden usar para un apagado inductivo como el que se muestra a menos
que se conecte un circuito de amortiguador (Snubber) a través del GTO.
El voltaje del estado activo (2 a 3 V) de un GTO es un poco más alto que los voltajes de
tiristores. Las velocidades de conmutación de GTO están en el rango de unos cuantos
microsegundos a 25 μs. Debido a su capacidad de manejar voltajes grandes (hasta 4.5 kV) y
corrientes grandes (hasta unos cuantos kiloamperios), el GTO se usa cuando se necesita un
interruptor para altos voltajes y altas corrientes en un rango de frecuencia de conmutación de
unos cuantos cientos de hertzios a 10 kHz [1].

Fig. 10. GTO

Tiristores controlados Mos (MCT)

El tiristor controlado MOS (MOS-controlled thyristor, MCT), su símbolo se muestra en la
Fig. 4. Los dos símbolos para el MCT denotan si el dispositivo es un P-MCT o un N-MCT
cuya diferencia surge por las diferentes ubicaciones de las terminales de control.
 Fig. 11. Símbolos para el MCT

Es sobre todo un tiristor con dos MOSFET integrados en la estructura de la compuerta, con
uno de los dos MOSFET, el ON-FET responsable del encendido del MCT, y el otro
MOSFET, el OFF-FET, responsable de apagar el dispositivo tal cual se muestra en la Fig. 5
y representa un circuito equivalente. El ON-FET es un MOSFET de canal p, y el OFF-FET,
un MOSFET de canal n.
Ánodo

Compuerta
Canal
Canal ON-FET
OFF-FET

Cátodo

Fig. 12. Circuito equivalente MCT

El MCT tiene una caída de baja tensión en el estado activo con relativamente altas corrientes,
así como una característica de activación (enclavado), además permanece encendido incluso
cuando se quita la activación de la puerta) y es controlado por tensión, igual que el IGBT y
el MOSFET; se requiere más o menos la misma energía para conmutar un MCT que para un
MOSFET o un IGBT.
Sus requisitos de control son mucho más sencillos ya que no se necesita una corriente de
puerta negativa grande para la desconexión, como en el GTO, y sus velocidades de
conmutación son más rápidas (tiempos de conexión y desconexión de unos cuantos
microsegundos), los MCT tienen caídas de voltaje de estado activo más pequeñas en
comparación con IGBT [1].
Encendido y apagado controlado por el Mosfet
Apagado
 El apagado del N-MCT se realiza mediante el encendido del OFF-FET de canal p en
el circuito equivalente de la Fig. 5, al aplicar un voltaje negativo de compuerta-cátodo
al MCT. Cuando el OFF-FET conduce, pone en cortocircuito la unión de base-emisor
del transistor NPN en el par de tiristores, y la corriente de base al transistor se desvía
a través del OFF-FET. Esto causa que el transistor NPN comience a apagarse. Durante
la desconexión del tiristor, el otro MOSFET en el circuito, el ON-FET de canal n, se
mantiene en estado de bloqueo por la tensión negativa de compuerta-cátodo. El P-
MCT se apaga en forma análoga. Sin embargo, debido a la diferencia de estructura,
la señal de desbloqueo debe ser y aplicarse entre la compuerta y el ánodo [1].
Encendido
El encendido se realiza al llevar el ON-FET al estado conductor y al mismo tiempo
llevar el OFF-FET a su estado de bloqueo. El encendido del ON-FET en un P-MCT
por medio de una tensión negativa de compuerta-ánodo permite el flujo de corriente
de base al transistor NPN en el par de tiristores, lo que de este modo activa el transistor
NPN.
En un N-MCT, el ON-FET se activa por medio de una tensión positiva de compuerta-
cátodo que en forma simultánea asegura que el OFF-FET se lleve a su estado de
bloqueo.

SITH (Static Induction Thyristor)

Tiene baja resistencia o caída de voltaje en estado activo, y se puede fabricar con mayores
especificaciones de voltaje y corriente. Tiene grandes velocidades de conmutación.
Encendido
En el caso normal, un SITH se enciende aplicando en la compuerta un voltaje positivo
con respecto al cátodo. El voltaje positivo en la compuerta reduce la barrera de
potencial en el canal, que en forma gradual se vuelve conductora.
Apagado
En el caso normal, un SITH se apaga aplicando a la compuerta un voltaje negativo
con respecto al cátodo, en consecuencia, el voltaje negativo en la compuerta establece
una barrera de potencial en el canal, que impide el transporte de electrones de cátodo
a ánodo [2].
 Compuerta

Fig. 13. Circuito equivalente SITH

Fig. 14. Símbolo del SITH

Tiristor activado ópticamente (LASCR)

La activación óptica es particularmente útil en aplicaciones de disparo, ya que el disparador
se puede aislar eléctricamente en una jaula de Faraday que sólo requiere entradas de fibra
óptica no conductora para el control. Esto reduce la posibilidad de introducción inadvertida
de energía eléctrica y permite un margen adicional de seguridad en el diseño del disparador.
LASCR
Este dispositivo enciende por irradiación directa, con luz, los pares electrón- hueco
que crea la radiación producen la corriente de disparo, un LASCR permanece en
conducción, aunque desaparezca la luz una vez que fue activado. La estructura de la
compuerta se diseña para proporcionar la sensibilidad suficiente para hacer la
activación con fuentes luminosas normales (por ejemplo, un LED), y para obtener
𝑑𝑖 𝑑𝑉
grandes capacidades de las tasas 𝑑𝑡 y .
𝑑𝑡

Los LASCR se usan en aplicaciones de alto voltaje y gran corriente, por ejemplo y
ofrecen un aislamiento eléctrico completo entre la fuente luminosa de activación y el
𝑑𝑖
dispositivo de conmutación de un convertidor de potencia. La 𝑑𝑡 normal es 250 A/ms
𝑑𝑉
y la podría ser hasta de 2000 V/µs.
𝑑𝑡
 Fig. 15. Símbolo y composición de un LASCR

BCT
Es un dispositivo que combina las ventajas de tener dos tiristores en un encapsulado,
permitiendo diseñar equipos más compactos, simplificando el sistema de enfriamiento y
aumentando la fiabilidad del sistema [2].

Fig. 16. Símbolo del BCT.

El comportamiento eléctrico de un BCT corresponde al de dos tiristores en antiparalelo,

integrados en una oblea de silicio, como se ve en la Fig. 10.

Fig. 17. Tiristores en antiparalelo.

Encendido y apagado.
Un BCT tiene dos compuertas: una para encender e iniciar el flujo de la
corriente en sentido directo, y una para corriente en sentido inverso. Enciende
con un pulso de corriente a una de sus compuertas. Se desactiva si la corriente
anódica baja del valor de la corriente de detención [2].

Conclusión
Los tiristores representan una evolución en el campo de la electrónica de potencia, cada uno
de ellos cuenta con áreas de operación distintas dependiendo de sus características, a pesar
de sus diferencias, todos ellos tienen ciertas propiedades en común: son dispositivos de
estado sólido que se disparan bajo ciertas condiciones, pasando de un estado de alta
impedancia a uno de baja, además estructuralmente, todos los tiristores consisten en varias
capas alternadas de silicio dopado con impurezas p y n. Permitieron implementar
metodologías de control más avanzadas en la industria para convertidores de electrónica de
potencia.
Se puede concluir que en la actualidad los dispositivos de potencia, se encuentran en todos
de los sistemas que procesan en forma estática la energía eléctrica. Estos permiten que el
proceso se realice con pérdidas reducidas y alto rendimiento en los equipos de esta forma se
aplica uno de los principales objetivos de la electrónica de potencia el cual busca el
procesamiento de energía de manera eficiente.

Referencias

[1] U. M. T. R. P. W. Mohan Ned, Electrónica de potencia: convertidores, aplicaciones y diseño,

McGRAW-HILL, 2009.

[2] R. H. Muhammad, Electrónica de potencia: circuitos, dispositivos y aplicaciones., Prentice Hall,

1993.