JOB 1

Karakteristik Transistor Emitor Bersama

Disusun Oleh :

Nama : M Kautsar RZ

NIM : 061730320208

Kelas : 3 EA

Kelompok :6

Politeknik Negeri Sriwijaya

Tahun Ajaran 2018

 Karakteristik Transistor Emitor Bersama

Tujuan Percobaan

Setelah melakukan percobaan ini, anda diharapkan dapat :

1. Menggambarkan macam-macam karakteristik transistor emitor bersama;

2. Menentukan resistansi masukan, resistansi keluaran dan penguatan arus dari kurva
karakteristik transistor emitor bersama.

Dasar Teori

Karakteristik arus/tegangan sangat berguna untuk mempelajari kerja transistor pada

suatu rangkaian. Untuk mendapatkan karakteristik ini, transistor harus diberi bias yang benar.

Dalam percobaan ini akan dilakukan pengukuran untuk mendapatkan karakteristik

transistor emitor bersama.

Ada tiga jenis karakteristik transistor CE yaitu :

1. Karakteristik input masukan ;

2. Karakteristik transfer (pindahan);
3. Karakteristik output (keluaran).

Karakteristik transfer transistor emitor bersama

Dalam karakteristik masukan menunjukkan hubungan perubahan arus masukan

terhadap perubahan tegangan masukan (dalam hal ini lb dan Vbe) dengan menjaga tegangan
keluaran konstan (Vce).

Masukan dalam hal ini basis, akan mendapat forward bias Vbb sehingga kurva yang
terjadi akan mirip dengan karakteristik dioda.
 Kurva ini akan menentukan besarnya resistansi masukan transistor yang besarnya
adalah pertandingan perubahan tegangan masukan terhadap arus masukan, seperti dalam
contoh berikut :

Rin =

Karakteristik transfer transistor emitor bersama

Karakteristik pindahan transistor menunjukkan hubungan perubahan arus keluaran

(Ic) terhadap perubahan arus masukan (Ib) dengan tegangan keluaran dijaga konstan (Vce).

Untuk mendapatkan gambaran yang lebih jelas tentang karakteristik pindahan ini
dapat dibuat lebih dari satu kurva yaitu dengan membuat kurva untuk beberapa nilai Vce
sehingga diperoleh gambar sebagai berikut.

Dari kurva pindahan ini menunjukkan penguatan arus transistor emitor bersama (hfe),
yaitu perbandingan antara perubahan arus keluaran terhadap arus masukan.

hfe =

Karakteristik keluaran transistor emitor bersama

Karakteristik keluaran transistor dalam konfigurasi transistor emitor bersama

menunjukkan hubungan perubahan arus keluaran (Ic) terhadap perubahan tegangan keluaran
(Vce) dengan menjaga arus masukan konstan (Ib).

Karakteristik keluaran merupakan sekelompok kurva yang dihasilkan dari beberapa

nilai Ib, sehingga dari kurva ini dapat ditentukan resistansi keluaran transistor emitor
bersama. Bahkan dengan menentukan nilai tertentu Vce dalam kurva, dapat pula ditentukan
nilai penguatan arusnya.
Alat dan bahan

1. DC catu daya 0 – 30 Volt 1 buah

2. Multimeter 1 buah
3. Osiloskop 1 buah
4. Transistor BD 130 1 buah
5. Transistor BD 150 1 buah
6. Potensiometer 1K ohm 1 buah
7. Potensiometer 220 ohm 1 buah
8. Resistor 47K 1 buah
9. Resistor 1K 1 buah
10. Resistor 1K5 1 buah
11. Proto Board 1 buah
12. Kabel Penghubung Secukupnya

Langkah Percobaan

A. Karakteristik masukan transistor CE

1. Susunlah rangkaian percobaan seperti pada gambar dibawah ini.
2. Pastikan posisi multimeter pada posisi yang tepat (A meter atau V meter) dengan
range yang telah disesuaikan dengan potensiometer pada posisi minimum.
3. Atur tegangan catu daya pada 6 volt dan hubungkan dengan rangkaian.
4. Perhatikan tabel pengukuran. Aturlah P1sehingga Vbe menunjukkan nilai 0,1.
Baca penunjukkan amperemeter dan catat dalam tabel.
5. Naikkan Vbe dengan memutar potensiometer P1 untuk harga 0,2V, 0,3 V sampai 0,7
V (sesuai tabel), catat penunjukkan Ib dan isikan dalam tabel.
6. Kembalikan potensiometer pada posisi semula (minimum).
7. Atur tegangan catu daya untuk tegangan 9V.
8. Ulangi langkah 4,5,6.
9. Setelah selesai matikan semua peralatan.

B. Karakteristik transfer transistor emitor bersama

1. Susunlah rangkaian seperti pada gambar dibawah ini.

2. Pastikan kedua multimeter pada posisi amperemeter, potensiometer pada posisi

minimum.
3. Atur catudaya pada tegangan 6V dan hubungkan ke rangkaian.
4. Perhatikan tabel pengukuran dibawah ini! Atur potensiometer P1, sehingga arus basis
(Ib) menunjukkan 0,2 mA, Baca penunjukkan arus kolektor (Ic) catat dalam tabel.
5. Naikkan harga Ib dengan mengatur P1 sesuai dengan setahap demi setahap. Catat
penunjukkan arus kolektor untuk setiap langkah dan masukkan dalam tabel.
6. Kembalikan potensiometer pada posisi semula (minimum).
7. Atur tegangan catu daya untuk tegangan 9V.
8. Ulangi langkah 4,5, dan 6.
9. Setelah selesai matikan semua peralatan.

C. Karakteristik keluaran transistor emitor bersama

1. Susunlah rangkaian seperti pada gambar dibawah ini.
 2. Pastikan kedua multimeter pada posisi amperemeter untuk mengukur arus basis (Ib)
dan arus kolektor (Ic), Vce diukur dengan osiloskop. P1 dan P2 pada posisi minimum.
3. Atur tegangan catu daya pada tegangan 9V dan hubungkan ke rangkaian.
4. Pelajari dan perhatikan tabel pengukuran.
5. Atur potensiometer P1 sehingga arus basis (Ib) menunjukkan 10A, 12A.
6. Atur P2 sehingga Vce menunjuk 0,25 V, catat penunjukkan arus kolektor dan isikan
dalam tabel.
7. Putar lagi P2 sehingga Vce akan bertambah untuk harga 0,5v, 0,75V dan seterusnya
sesuai dengan tabel dan catat penunjukkan arus kolektor untuk setiap langkah (jaga
penunjukkan Ib selalu tetap, jika berubah dikembalikan ke harga semula dengan
mengatur P1). Isikan pada tabel.
8. Kembalikan P2 ke posisi minimum.
9. Atur P1 sehingga arus dasar menunjuk 20mA.
10. Ulangi langkah 6,7, dan 8.
11. Ulangi langkah 9 dan 10 untuk Ib = 30mA dan Ib = 40 mA.
12. Kembalikan posisi P1, P2, dan juga catu daya pada posisi minimum.
13. Matikan semua peralatan.

Data Percobaan :

Tabel 1.1.

VBE 0,1 0,2 0,3 0,4 0,45 0,5 0,55 0,6

VBB = 6 IB =
0,025 0,055 0,08 0,10 0,12 0,16 0,155 0.175
V (mA)
VBB = 9 IB =
0,005 0,010 0,010 0,015 0,020 0,025 0,007 0,005
V (mA)

Tabel 1.2.

IB (mA) 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 1,4 1,8 2,2

VCC = 6 IC = 1,05 23 25 35 40 - - -
 V (mA)
VCC = 9 IC =
16 30 - - - - - -
V (mA)

Tabel 1.3.

IB
VCE (V) 0,25 0,5 0,75 1,0 1,5 2 3 4 6 8
(mA)
10 Ic (mA) 0,4 0,45 0,46 0,47 0,47 0,5 0,6 0,6 0,6 0,6
20 Ic (mA) 0,14 0,14 0,14 0,14 0,14 0,14 0,14 0,14 0,14 0,14
30 Ic (mA) 1,14 1,14 1,15 1,12 1,12 1,15 1,14 1,4 1,4 1,4
40 Ic (mA) 1,50 1,50 1,45 1,5 1,55 1,5 1,6 1,55 1,55 1,60

Keselamatan kerja

1. Yakinkan posisi alat ukur sesuai dengan pengukuran yang dilakukan

2. Sebelum di hubungkan dengan sumber daya, periksakan ke instruktur
3. Peukur disusun sehingga tidak mengganggu percobaan dan mudah dalam pembacaan
4. Komponen dan penghubung atau alat lain yang tidak di pergunakan dijauhkan dari
papan percobaan

Tugas dan pertanyaan

1. Gambarkan karakteristik masukan, karakteristik transfer dan karakteristik keluaran

dari transistor konfigurasi emitor bersama dengan skala yang benar
2. Tentukan nilai resistansi masukan dari kurva karakteristik masukkannya
3. Tentukan nilai penguatan arus transistor dari kurva karakteristik transfer
4. Tentukan resistansi keluaran transistor dari kurva karakteristik keluaran
5. Bandingkan hasil yang di peroleh dengan nilai yang ada pada data book
6. Bagaimana pendapat anda tentang konfigurasi transistor yang lain CB maupun CE
7. Apa kesimpulan yang anda peroleh dari percobaan ini
Penyelesaian

1. Gambar grafik karakteristik transistor emitor bersama

1.1 Grafik table 1.1

1.2 Grafik tabel 1.2
1.3 Grafik tabel 1.3

2. .Nilai resistansi masukkan dari kurva karakteristik

Rin =

Tabel 1.1
Untuk Vce = 6 volt

2.1. Vbe = 0,1 volt

Ib =2,5x10-5A

Rin = = 0,1/2,5x10-5= 4x10-6 kΩ

2.2 Vbe = 0,2 volt
Ib = 5,5x10-5A

Rin = = 0,2/5,5x10-5= 3,63x10-6 kΩ

2.3 Vbe = 0,3 volt

Ib = 8x10-5A

Rin = = 0,3/8x10-5= 3,75x10-6 kΩ

2.4 Vbe = 0,4 volt

Ib = 10x10-5

Rin = = 0,4/10x10-5= 4x10-6 kΩ

2.5 Vbe = 0,45 volt

Ib = 12x10-5A

Rin = = 0,45/12x10-5= 3,75x10-6 kΩ

2.6 Vbe = 0,5 volt

Ib = 16x10-5A

Rin = = 0,5/16x10-5= 3,125x10-6 kΩ

2.7 Vbe = 0,55 volt

Ib = 55x10-5A

Rin = = 0,45/55x10-5= 1x10-6 kΩ

2.8 Vbe = 0,6 volt

Ib = 175x10-5A

Rin = = 0,6/175x10-5= 3,42x10-7 kΩ

Tabel 1.1
Untuk Vce = 9 volt
2.1. Vbe = 0,1 volt
Ib = 0,5x10-5A

Rin = = 0,1/0,5x10-5=2x105 kΩ

2.2 Vbe = 0,2 volt

Ib = 1x10-5A

Rin = = 0,2/1x10-5= 2x10-5 kΩ

2.3 Vbe = 0,3 volt

Ib = 1x10-5A

Rin = = 0,3/1x10-5= 3x10-4 kΩ

2.4 Vbe = 0,4 volt

Ib = 1,5x10-5A

Rin = = 0,4/1,5x10-5= 26x10-7 kΩ

2.5 Vbe = 0,45 volt

Ib = 2x10-5A

Rin = = 0,45/2x10-5= 23x10-7 kΩ

2.6 Vbe = 0,5 volt

Ib = 2,5x10-5A

Rin = = 0,5/2,5x10-5= 2x10-5 kΩ

2.7 Vbe = 0,55 volt

Ib = 0,7x10-5A

Rin = = 0,55/0,7x10-5= 7,86x10-7 kΩ

2.8 Vbe = 0,6 volt

Ib = 0,5x10-5A

Rin = = 0,6/0,5x10-5= 12x10-5 kΩ

3. Nilai penguatan arus transistor dari kurva karakteristik

 hfe=

Tabel 1.2
Untuk Vce = 6 volt

2.1. Ic = 1,05 mA
Ib = 0,2 mA

hfe= =1,05/0,2=5,25

2.2. Ic = 23 mA
Ib = 0,4 mA

hfe= =23/0,4= 57,5

2.3. Ic = 25mA
Ib = 0,6 mA

hfe= =25/0,6=41,6

2.4. Ic = 35 mA
Ib = 0,8 mA

hfe= =35/0,8=43,75

2.5. Ic = 40 mA
Ib = 1,0 mA

hfe= =40/1,0=40

Tabel 1.2
Untuk Vce = 9 volt

2.1. Ic = 16 mA
Ib = 0,2 mA

hfe= =16/0,2=80
 2.2. Ic = 30 mA
Ib = 0,4 mA

hfe= =30/0,4= 75

4. Resistansi keluaran transistor dari kurva karakteristik

Rc=

Tebel 1.3
Untuk Ib = 10µA

4.1 Vce =0,25

Ic =0,4

Rc= =0,25/0,4= 0,625

4.2 Vce =0,5

Ic =0,45

Rc= =0,5/0,45= 1,1

4.3 Vce =0,75

Ic =0,46

Rc= =0,75/0,46= 1,63

4.4 Vce =1,0

Ic =0,47

Rc= =1,0/0,47= 2,12

4.5 Vce =1,5

Ic =0,47

Rc= =1,5/0,47= 3,19

4.6 Vce =2
Ic =0,5

Rc= =2/0,5= 4
4.7 Vce =3
Ic =0,6

Rc= =3/0,6= 5

4.8 Vce =4
Ic =0,6

Rc= =4/0,6= 6,6

4.9 Vce =6
Ic =0,6

Rc= =6/0,6= 10

4.10 Vce =8
Ic =0,6

Rc= =8/0,6= 13,3

Tebel 1.3
Untuk Ib = 20µA

4.1 Vce =0,25

Ic =0,14

Rc= =0,25/0,14= 1,78

4.2 Vce =0,5

Ic =0,14

Rc= =0,5/0,14= 3,5

4.3 Vce =0,75

Ic =0,14

Rc= =0,75/0,14= 5,3

4.4 Vce =1,0
Ic =0,14

Rc= =1,0/0,14= 7,14

4.5 Vce =1,5

Ic =0,14

Rc= =1,5/0,14= 10,7

4.6 Vce =2
Ic =0,14

Rc= =2/0,14= 14,2

4.7 Vce =3
Ic =0,14

Rc= =3/0,14= 21,4

4.8 Vce =4
Ic =0,14

Rc= =4/0,14= 28,5

4.9 Vce =6
Ic =0,14

Rc= =6/0,14= 42,8

4.10 Vce =8
Ic =0,14

Rc= =8/0,14= 57,1

Tebel 1.3
Untuk Ib = 30µA

4.1 Vce =0,25

Ic =1,14

Rc= =0,25/1,14= 0,21

4.2 Vce =0,5
Ic =1,14

Rc= =0,5/1,14= 0,43

4.3 Vce =0,75

Ic =1,15

Rc= =0,75/1,15= 0,65

4.4 Vce =1,0

Ic =1,12

Rc= =1,0/1,12= 0,89

4.5 Vce =1,5

Ic =1,12

Rc= =1,5/1,12= 1,34

4.6 Vce =2
Ic =1,15

Rc= =2/1,15= 1,74

4.7 Vce =3
Ic =1,14

Rc= =3/1,14= 2,6

4.8 Vce =4
Ic =1,14

Rc= =4/1,14= 3,51

4.9 Vce =6
Ic =1,4

Rc= =6/1,3= 4,28

4.10 Vce =8
Ic =1,4

Rc= =8/1,4= 5,71

Tebel 1.3
Untuk Ib = 40µA

4.1 Vce =0,25

Ic =1,5

Rc= =0,25/1,5= 0,16

4.2 Vce =0,5

Ic =1,50

Rc= =0,5/1,50= 0,33

4.3 Vce =0,75

Ic =1,45

Rc= =0,75/1,45= 0,52

4.4 Vce =1,0

Ic =1,5

Rc= =1,0/1,5= 0.66

4.5 Vce =1,5

Ic =1,55

Rc= =1,5/1,55= 0,96

4.6 Vce =2
Ic =1,5

Rc= =2/1,5= 1,33

4.7 Vce =3
Ic =1,6

Rc= =3/1,6= 1,86

 4.8 Vce =4
Ic =1,55

Rc= =4/1,55= 2,58

4.9 Vce =6
Ic =1,55

Rc= =6/1,55= 3,87

4.1 Vce =8
Ic =1,6

Rc= =8/1,6= 5

5. Hasil yang diperoleh pada percobaan ini berbeda dengan apa yang ada pada data
book. untuk data berasal dari karakteristik transistor itu sendiri. Karakteristik yang
diperlukan berdasarkan hasil pengukuran dan pengujian.

6. Konfigurasi common base(CB)

konfigurasi yang kaki basisnya diground kan dan digunakan bersama untuk input
maupun output pada konfigurasi common base,sinyal input dimasukan ke emitor dan
sinyal outputnya diambil dari kolektor sedangkan kaki basisnya digroundkan.
Konfigurasi common emitter (CE)
konfigurasi digunakan untuk penguat yang digunakan untuk penguat yang
membutuhkan pengutan tegangan dan arus secara bersamaan.hal in dikarnakan
konfigurasi transistor dengan common emitter ini menghasilkan penguat tegangan dan
arus antara sinyal input dan sinyal output.

Analisa

Dari hasil percobaan yang telah dilakukan, telah ditemukan analisis sebagai berikut :
 1. Transistor dikatakan bekerja aktif apabila transistor selalu mengalirkan arus dari
kolektor ke emitor, transistor akan mengalami kondisi terbuka apabila arus yang
melalui basis sangat kecil dan transistor akan mengalami jenuh apabila arus yang
melalui basis terlalu besar.
2. Pada percobaan kali ini digunakan jenis transistor NPN dengan ditandai anak panah
kearah luar pada bagian emitor dan arus mengalir dari kolektor ke emitor yang
basisnya dihubungkan ke ground. Konfigurasi yang di gunakan adalah konfigurasi
common emitter karena rangkaian ini dibutuhkan untuk penguatan tegangan dan arus
secara bersamaan.
3. Transistor memiliki daerah jenuh yaitu dimana Vce 0 volt - ≤0,2 volt akibat dari efek
dioda kolektor-base yang mana tegangan Vce belum mencukupi untuk dapat
menyebabkan aliran elektron dengan ditandai dengan arus maksimum dari kolektor ke
emitor sehingga seolah-olah short pada hubungan kolektor-emitor.
4. Pada hasil pengukuran dan perhitungan terdapat beberapa perbedaan(bisa dilihat pada
data tabel dan perhitungan), hal ini dikarenakan beberapa hal, antara lain kesalahan
pembacaan hasil pengukuran, unsur transistor hambatan dalam pada voltmeter, dan
lainnya.

KESIMPULAN

Dari percobaan yang kami lakukan, ada beberapa hal yang dapat kami simpulkan yaitu:
Untuk menentukan jenis resistansi apakah dia PNP atau NPN kita dapat melihatnya dari nilai
resistansi tersebut. Apabila resistansi yang ditunjukkan ohm meter rendah, maka transistor
tersebut jenis NPN. Sebaliknya, jika penunjukkan nilai resistansi yang besar dan posisi
 terminal dibalik dan menunjukkan nilai resistansi rendah yang rendah artinya transistor
tersebut adalah jenis PNP.
Ketika potensiometer ditambahkan sedikit demi sedikit sampai nilai maksimum, nilai
arus pada Ic juga bertambah secara proporsional. Pengaruh nilai resistansi ini membuat
transistor bekerja pada daerah jenuh(saturasi).
Ada tiga jenis karakteristik transistor emiter CE yaitu:
 Karakteristik input masukkan
 Karakteristik masukan (pindahan)
 Karakteristik output (keluaran)

Dosen Pembimbing Palembang, 11 Oktober 2018

Masayu Anisah, S.T., M.T. M Kautsar RZ