ESCUELA POLITÉCNICA NACIONAL

FACULTAD DE INGENIERÍA ELÉCTRICA Y ELECTRÓNICA

Laboratorio de Electrónica de Potencia
Nombre: Pila Cárdenas Edgar Geovanny

Fecha: 23 de noviembre 2018

PREPARATORIO N°4
TEMA
1
CARACTERIZACIÓN DEL TRANSISTOR BIPOLAR DE JUNTURA

2 OBJETIVOS
 Diseñar e implementar el circuito de control para la activación de un transistor bipolar de juntira
de potencia
 Conocer las características de conmutación del transistor bipolar de juntura en circuitos de
potencia.
 Tomar medidas de voltaje, corriente y potencia para observar el desempeño en las
conmutaciones que realiza el transistor bipolar de juntura

1. Consultar las condiciones para el disparo de TBJs en aplicaciones de electrónica de potencia, incluir el
dimensionamiento de la resistencia en la base y el disparo mediante el uso de un opto-transistor.

Para el encendido completo del TBJ se necesita del suministro de una corriente en la base, que sea lo
suficientemente grande con respecto a la corriente de colector. La curva característica del transistor muestra
este objetivo.

Se puede observar esta fórmula de la corriente de base para garantizar el encendido:

A continuación, se debe calcular la corriente de colector en saturación.

A continuación, se determina la corriente de base en saturación.

Se calcula la resistencia de base.

Se debe asegurar en el diseño que la corriente de base sea mayor a la corriente de base en saturación.

Se debe tomar en cuenta los valores máximos de corriente y voltaje en la salida y entrada de optotransistor

2. Consultar a cerca de los Gate Drivers comerciales para el disparo de TBJs

Se utiliza un transistor Darlington NPN, también se aprecia un diodo entre emisor y colector, este se debe aplicar
para prevenir las sobretensiones producidas en las cargas inductivas que pueden destruir el transistor.
 3. Diseñar y simular el circuito de la figura 2 si la fuente a usarse es de aproximadamente 100V y la
resistencia de carga es un foco de 120V/100W. El generador de onda PWM se obtiene utilizando el
circuito diseñado en la práctica 1 con el 555.

Calculando la resistencia de entrada del optoacoplador.

Calculando la resistencia de salida del optoacoplador.

La resistencia de carga se calcula con los valores nominales del foco a utilizarse.

Para el diseño se utiliza un TIP 122 Darlington

Se considerará una corriente 10 veces mayor a la corriente de saturación para asegurar que el transistor entre
en saturación. Se debe considerar el límite de 120 mA DC dado por el fabricante.

Gráficas de la simulación.
 Corriente de base.

Corriente de colector

Voltaje colector-emisor

REFERENCIAS:
Apuntes de Clase, Ing. Jorge Medina Mora.
Electrónica de Potencia, Mohan, 3ra edición.
http://www.alldatasheet.com/view.jsp?Searchword=1n4001&gclid=CjwKCAiAz7TfBRAKEiwAz8fKOGiK
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