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IEEE/de ANSI *Std 176-1987

Un Nivel Nacional americano

Nivel de IEEE en *Piezoelectricity

Patrocinador
Comité de niveles
del.
IEEE *Ultrasonics, *Ferroelectrics, y Sociedad de Control de la Frecuencia

Marcha aprobada 12, 1987


Junta de Niveles del IEEE

Septiembre aprobado 7, 1987


Instituto de Niveles Nacional americano

© Copyright 1988 por


El Instituto de Eléctrico e Ingenieros de Electrónica,
*Inc 345 Este 47.ª Calle, Nueva York, *NY 10017,
EE.UU.
Ninguna parte de esta publicación puede ser reproducida en cualquier forma, en un electrónico *retrieval sistema
o *otherwise, sin el permiso escrito previo del editor.
Documentos de Niveles del IEEE están desarrollados dentro de los Comités Técnicos de las Sociedades de
IEEE y los Niveles que Coordinan Comités de la Junta de Niveles del IEEE. Los miembros de los comités
sirven voluntariamente y sin compensación. No son necesariamente miembros del Instituto. Los niveles
desarrollaron dentro IEEE representa un consenso de la pericia ancha en el tema dentro del Instituto así como
aquellas actividades exteriores de IEEE qué tiene expresado un interés en participar en el desarrollo de el
nivel.

El uso de un Nivel de IEEE es completamente voluntario. La existencia de un Nivel de IEEE no implica que hay no
otras maneras de producir, prueba, medida, compra, lonja, o proporcionar otros bienes y los servicios narraron a el
alcance de el Nivel de IEEE. Además, el punto de vista expresado en el tiempo un nivel está aprobado y emitido
es @subject de cambiar traído aproximadamente a través de desarrollos en el estado del arte y los comentarios
recibieron de usuarios de el nivel. Cada Nivel de IEEE está sometido para revisar al menos una vez cada cinco
años para revisión o reafirmación. Cuándo un documento es más de cinco años, y no ha sido reafirmado, es
razonable de concluir que sus contenidos, a pesar de que todavía de algún valor, no completamente reflejar el
estado presente del arte. Los usuarios son *cautioned para comprobar para determinar que tienen la edición
más tardía de cualquier Nivel de IEEE.

Comentarios para la revisión de Niveles de IEEE es bienvenida de cualquier fiesta interesada, a toda costa de
afiliación de afiliación con IEEE. Sugerencias para los cambios en documentos tendrían que ser en la forma de
un cambio propuesto de texto, junto con comentarios #de apoyo apropiados.

Interpretaciones: Ocasionalmente las cuestiones pueden surgir con respecto al significado de porciones de
niveles como narran a aplicaciones concretas. Cuándo la necesidad para interpretaciones está traída a la
atención de IEEE, el Instituto iniciará acción para preparar respuestas apropiadas. Desde entonces Niveles de
IEEE representan un consenso de todo concernió intereses, es importante de asegurar que cualquier
interpretación ha también recibió la concurrencia de un saldo de intereses. Por esta razón IEEE y los miembros
de sus comités técnicos no son capaces de proporcionar una respuesta de instante a peticiones de interpretación
exceptúa en aquellos casos donde el asunto anteriormente ha recibido consideración formal.

Comentarios en los niveles y las peticiones para interpretaciones tendrían que

ser dirigidos a: Secretario, Junta de Niveles del IEEE


345 Este 47.ª Calle
Nueva York, *NY
10017 EE.UU.
Prólogo

(Este Prólogo no es una parte de IEEE/de ANSI *Std 176-1987, Nivel de IEEE en *Piezoelectricity.)

El documento presentó *herein es una revisión de IEEE/de ANSI *Std 176-1978 cuál, en turno, tenido como sus
antecedentes cuatro niveles más tempranos en *piezoelectricity. Estos niveles más tempranos estuvieron
preparados dentro del marco de Comité de los Niveles de la IRA y más tarde llevado encima y publicado tan
Niveles de IEEE: IEEE *Std 176-1949 (*R1971), Niveles en Cristales Piezoeléctricos; IEEE *Std 177-1978,
Métodos y Definiciones Estándares de Medida para Vibradores Piezoeléctricos; IEEE *Std 178-1958
(*R1972), Niveles en Cristales Piezoeléctricos: Determinación del Elástico, Piezoeléctrico, y Constantes
Dieléctricas—El Electromecánicos *Coupling Factor; e IEEE *Std 179-1961 (*R1971), Niveles en Cristales
Piezoeléctricos: Medidas de Cerámica Piezoeléctrica.

La relación de IEEE/de ANSI *Std 176-1978 a los niveles más tempranos citaron encima puede ser
*summarized como sigue: IEEE/de ANSI *Std 176-1978 IEEE reemplazado *Std 176-1959 e IEEE *Std 178-1958.
IEEE *Std 177-1966 ha continuado en vigor hasta el tiempo este Prólogo estuvo escrito. IEEE *Std 179-1961
ha sido dejado a lapso..

Cuándo IEEE/de ANSI *Std 176-1978 estuvo escrito, la subcomisión que lo preparó quiso producir un estándar
que sería útil a las personas que hacen obra analítica así como a aquellos obrando con materiales y diseñando
aparatos. Un número grande de profesionales dentro IEEE entonces obraba en actividades que implicó
aplicación extensa de programas de ordenador para análisis y diseño #asistido. Con este en mente, un
énfasis pesado estuvo colocado encima proporcionando la base analítica para formulaciones piezoeléctricas
y para traer definiciones de ángulos y hachas a acuerdo con aquellos ampliamente utilizado en análisis
matemático. Este pensamiento pone detrás de los cambios de signo asociaron con los ángulos para cuarzo. El
mismo punto de vista es también la razón para el uso de un sistema de coordenada diestro para describir
ambos cuarzo diestro y zurdo. Consiguientemente, IEEE/de ANSI *Std 176-1978 intentado para presentar tres
cambios importantes relativos a las prácticas recomendadas en niveles más tempranos:

(1) Uso de una convención de signo separada para las constantes piezoeléctricas de cuarzo estuvo
abandonada. Sobre los años, en el curso de su aumento a prominencia tan el material piezoeléctrico más
importante, un número de convenciones de signo diferente ha sido asociado con cuarzo. Para traer las
convenciones de signo para las constantes de cuarzo a acuerdo con aquellos utilizado para otros materiales, la
subcomisión decidió a favor de cambiar la convención uno más tiempo.

(2) En parte, algunos de la proliferación de convenciones de signo utilizó con el cuarzo estuvo causado por
el hecho que el cuarzo es un *enantiomorphous material existiendo generalmente en formas zurdas y diestras.
Un segundo cambio importante presentado por IEEE/de ANSI *Std 176-1978 era para abandonar la práctica de
utilizar un sistema de coordenada zurdo con cuarzo zurdo y un sistema de coordenada diestro con cuarzo
diestro, utilizando en cambio un sistema de coordenada diestro para especificar las constantes materiales
para ambas formas de cuarzo y para cualquier otro *enantiomorphous material. Esta decisión estuvo
apuntada por el *desirability de preservar las convenciones de signo para vector y cantidades de tensor
cuándo haciendo análisis de aparato-fenómenos físicos narrados.

(3) Definiciones de electromecánicos *coupling los factores basaron encima energías de interacción estuvieron
abandonadas. En IEEE/de ANSI *Std 176-1978 , cuándo un sólido piezoeléctrico habiendo una forma sencilla
estuvo utilizada dinámicamente como *singly elemento resonante, el material *coupling los factores estuvieron
definidos como surgieron naturalmente en soluciones analíticas para vibraciones conducidas
eléctricamente. Por otro lado, cuándo el sólido piezoeléctrico estuvo utilizado esencialmente *statically tan
parte de una estructura resonante grande, las definiciones de materiales *coupling los factores estuvieron
basados en las proporciones definieron en plazos de las cantidades que surgen en estrés prescrito-ciclos de
tensión.

Los tres cambios importantes en prácticas recomendables, como describió anteriormente, ha sido continuado en
el nivel presente, incluso aunque las convenciones de signo nuevas para el cuarzo no ha obtenido mientras tanto
mucha aceptación por la industria de aparato que utiliza cuarzo cristalino.

iii
Esta revisión ha dejado el contenido básico y estructura de IEEE/de ANSI *Std 176-1978 sin cambios. La lista
siguiente de secciones está dada con el propósito de *summarizing los contenidos de las secciones y
proporcionando una indicación breve de el cambia aquello ha sido hecho.

*i Copyright © 1998 IEEE Todos los


v Derechos Reservaron
Señalamiento (Variable) *HeaderTitleLeft (Variable)

Sección 1. Introducción—1.1 contiene una declaración de el alcance de el nivel; 1.2 contiene una discusión de
unidades, y Mesa 1, el cual es una lista de símbolos y sus unidades; y 1.3 remisiones de listas.

Sección 2. Teoría lineal de *Piezoelectricity—Esta sección proporciona una reseña concisa de las cantidades
físicas, conceptos teóricos, y las relaciones matemáticas básicas a la teoría lineal de *piezoelectricity. Esta
sección es esencialmente sin cambios.

Sección 3. La cristalografía Aplicó a Cristales Piezoeléctricos—Una parte grande del material en esta sección
era primero presentado en IEEE *Stds 176-1949 y 178-1958 y sustancialmente revisado cuándo incluido en
IEEE/de ANSI *Std 176-1978. Un número de cambios ha sido hecho en esta sección. Varios errores en Mesa 3,
“Resumen de Sistemas de Cristal,” todo teniendo que hacer con los símbolos de grupo del punto para el
sistema cúbico, ha sido corregido. El inciso 3.2.5.1, Aplicación a Cuarzo, ha sido reescrito para aclarar la
relación de las convenciones de signo de el nivel presente a aquellos utilizado en IEEE *Std 176-1949. Una
omisión importante de la subcomisión que IEEE de ANSI/preparado *Std 176-1978 era una mesa que asoma todo
el piezoeléctrico, dieléctrico, y constantes elásticas para ambos cuarzo diestro y zurdo en un sistema de
coordenada diestro. Esto tendría que haber sido hecho porque el cuarzo ha sido y continúa ser el material
piezoeléctrico más importante para aplicaciones tecnológicas y comerciales, y porque el cuarzo existe
generalmente en ambas formas. Este descuido ha sido corregido por la inclusión de Mesa 6, “*Elasto-*Piezo-
Matrices Dieléctricas para Derechos- y Cuarzo Zurdo.” A suplemento más lejano la información encima el cuarzo y
las convenciones asociaron con *rotated cortes, Mesa 7, titulado “*Elasto-*Piezo-Matriz Dieléctrica para Cuarzo
Diestro,” ha sido añadido e Higo 6, Ilustración “titulada de un Doblemente *Rotated Plato de Cuarzo, el *SC
Corte, Habiendo la Notación (*YXwl) 22.4/33.88,” ha sido incluido. Higo 5 en la 1978 versión de este nivel
asomó un *GT corte de cuarzo como un ejemplo de un doblemente *rotated corte y tuvo un error en el dibujo.
Este error ha sido corregido.

Sección 4. Ondulatorio y Teoría de Vibración—Esta sección presenta los resultados de análisis para plano
vibraciones y mociones ondulatorias en sólidos piezoeléctricos. El lector principalmente interesado en hacer
medidas de laboratorio necesitan no ser concernidos con los detalles matemáticos de esta sección; aun así, esta
sección contiene varios *cautionary comentarios de importancia cuándo teoría de resonador suele interpreta
resultados experimentales. Una razón importante para incluir esta sección en el nivel es que los análisis ventaja
asomada naturalmente a las definiciones de electromecánicos *coupling factores para un número de casos de
interés práctico. Además, esta sección proporciona las ecuaciones utilizaron en derivar resultados numéricos de
las técnicas experimentales habladas en Sección 5. Muchos de las ecuaciones en esta sección han sido
cambiadas para corregir errores de signo que parecidos en la 1978 versión.

Sección 5. Sencillo *Homogeneous Soluciones Estáticas—Esta sección presenta las ecuaciones aplicables para
*quasi-comportamiento mecánico estático y proporciona definiciones de *quasi-estáticos materiales *coupling
factores. Ningún cambio ha sido hecho en esta sección.

Sección 6. Medida de Elástico, Piezoeléctrico, y Constantes Dieléctricas—Esta sección presenta una reseña breve
de las técnicas de medir y las ecuaciones importantes utilizaron para determinar el *electroelastic las
constantes que caracterizan materiales piezoeléctricos. Incluye una presentación de los métodos que emplean
pulso-técnicas de eco y altos *overtone modos así como el más convencionales técnicas de resonador de modo
fundamental. Reemplaza el tratamiento más temprano de técnicas de medida contuvo en IEEE *Std 178-1958. La
gama de aplicabilidad de las técnicas de medir y las ventajas y las desventajas asociaron con los métodos
diferentes están hablados. La definición de *f *p, originalmente definido en IEEE *Std 177-1966 para el circuito
equivalente sencillo como la frecuencia de resonancia paralela, está generalizado para cubrir el caso de
materiales con altos *coupling factores. Ningún cambio ha sido hecho en esta sección.

Sección 7. Bibliografía—Excepto unos cuantos cambios menores, los restos de Bibliografía esencialmente igual
tan en IEEE *Std 176-1978.

v
IEEE/de ANSI *Std 176-1978 estuvo preparado durante el periodo de 1967 a 1978. Los miembros de la
Subcomisión en Cristales Piezoeléctricos quién participó en esta obra sobre este periodo era el siguiente:

A. *H. *Meitzler, Silla

D. F. *S. Galés, III *H. *F. *Tiersten


*Berlincourt A. *W. *Warner
G. Un.
*Coquin

Los créditos para la autoría primaria de las varias secciones es como sigue:

Sección 1.: Un. *H. *Meitzler

Sección 2.: *H. *F. *Tiersten

Sección 3.: Un. *W. *Warner, D. *Berlincourt, Un. *H. *Meitzler, y *H. *F. *Tiersten

Sección 4.: *H. *F. *Tiersten

Sección 5.: D. *Berlincourt

Sección 6.: G. Un. *Coquin Y *F. *S. Galés, III

Además de los nombres mencionaron encima, había otros quién estuvo asociado con la subcomisión en varios
tiempo durante el periodo en qué este nivel estuvo preparado y quién hizo contribuciones valiosas a la obra de
la subcomisión. Aquellos cuyos nombres tendrían que ser mencionados aquí incluir *R. *Bechmann, *J.L.
*Bleustein, *E.M. *Frymoyer, y *R.*T. Smith. La preparación de el borrador final de IEEE/de ANSI *Std 176-1978
benefició mucho de la coordinación de actividades y la moderación de diferencias de la opinión cumplida
por *J. *E. Mayo, quién en 1977 servido como el Presidente de el IEEE Comité Técnico en *Transducers y
Resonadores..

*i Copyright © 1998 IEEE Todos los


v Derechos Reservaron
La versión presente de este documento estuvo empezada en 1985 y reseña completada durante 1986. El
borrador de el nivel revisado estuvo preparado por Un. *H. *Meitzler Con la ayuda de contribuciones de Un.
*Ballato Y *H. *F. *Tiersten Y con la ayuda adicional de una lista de sugirió los cambios y los comentarios
compilaron por *T. *R. *Meeker. Los miembros de la Subcomisión de IEEE en Cristales Piezoeléctricos quién
participó en el proceso de reseña en el tiempo era como sigue:.

*T. *R. *Meeker, Silla

Un. *Ballato (Ex *W. *H. *H. *F. *Tiersten


*officio) *Horton *W. L Herrero
D. *T. Bell *J. Un. Un. *W. *Warner
E. *Hafner *Kusters
Un. *H.
*Meitzler
*R. C.
*Smythe

Las personas siguientes eran en el *balloting comité que aprobó este documento para sumisión a la Junta
de Niveles del IEEE:

Un. *Ballato *J. Un. *R. C. *Smythe


D. C. Bradley *Kusters *W. L Herrero
L. *N. *T. *R. *H. *F. *Tiersten
*Dworsky *Meeker Un. *W. *Warner
*W. *H A. *H.
*Horton *Meitzler
B. *K. *Sinha

*vi
i
Cuándo la Junta de Niveles del IEEE aprobó este estándar encima Marcha 12, 1987, tenga la afiliación
siguiente:

Donald C. *Fleckenstein, Silla


Marco *W. *Migliaro , Silla de
Vicio *Sava yo. *Sherr,
Secretario

James *H. *Beall Leslie *R. Donald *T. Michael*


Dennis *Bodson *Kerr Jack L. John *Rankine
Marshall L. *Cain *Kinn Irving John *P. *Riganati
James M. Daly *Kolodny Gary *S. Robinson
Stephen *R. Dillon Joseph L. Frank L. Rose
Eugene *P. *Fogarty *Koepfinger* Edward Robert *E. *Rountree
Jay *Forster *Lohse William *R. *Tackaberry
Kenneth D. John mayo William *B. *Wilkens
*Hendrix Irvin *N. Lawrence V. *McCall Helen M. Madera
*Howell L. Bruce *McClung

*Miembro *emeritus

*
vi
PÁGINA de
CLÁUSULA
1. Introducción ........................................................................................................................................ 1

1.1 Alcance ....................................................................................................................................... 1


1.2 Símbolos y Unidades ................................................................................................................. 1
1.3 Remisiones ................................................................................................................................. 2

2. Teoría lineal de *Piezoelectricity. ...................................................................................................... 4

2.1 General ....................................................................................................................................... 4


2.2 Consideraciones mecánicas ....................................................................................................... 4
2.3 Consideraciones eléctricas ......................................................................................................... 5
2.4 Lineal *Piezoelectricity ................................................................................................................ 6
2.5 La frontera Condiciona ................................................................................................................ 9
2.6 Alterna Formas de Ecuaciones Constitutivas ........................................................................... 10

3. La cristalografía Aplicó a Cristales Piezoeléctricos ......................................................................... 11

3.1 General ..................................................................................................................................... 11


3.2 Terminología básica y los Siete Sistemas de Cristal ............................................................... 11
3.3 Convenciones para Hachas ...................................................................................................... 17
3.4 *Elasto-*Piezo-Matrices dieléctricas para Todas Clases de Cristal .......................................... 21
3.5 Uso de Medidas Piezoeléctricas Estáticas para Establecer Cristal Sentido Axial ..................... 22
3.6 Sistema de Notación para Designar la Orientación de Platos y Barras Cristalinos ................. 25

4. Ondulatorio y Teoría de Vibración ................................................................................................... 29

4.1 General ..................................................................................................................................... 29


4.2 El plano piezoeléctrico Agita ..................................................................................................... 29
4.3 Excitación de grosor de Vibraciones de Grosor ....................................................................... 30
4.4 Excitación lateral de Vibraciones de Grosor. ........................................................................... 34
4.5 Abajo-Frecuencia *Extensional Vibraciones de Cañas ............................................................ 35
4.6 Modos radiales en Platos Delgados .......................................................................................... 39

5. Sencillo *Homogeneous Soluciones Estáticas ................................................................................. 41

5.1 General ..................................................................................................................................... 41


5.2 Ecuaciones aplicables ............................................................................................................... 42
5.3 Aplicabilidad de Soluciones Estáticas en la Gama de Frecuencia Baja (*Quasistatic) ............ 44
5.4 Definición de *Quasistatic Material *Coupling Factores ............................................................ 44
5.5 *Nonlinear Abajo-Características de Frecuencia de *Ferroelectric Materiales (Efectos de Ámbito)
.................................................................................................................................................. 45

6. Determinación de Elástico, Piezoeléctrico, y Constantes Dieléctricas ........................................... 46

6.1 General ..................................................................................................................................... 46


6.2 Constantes dieléctricas ............................................................................................................. 47
6.3 Estático y *Quasistatic Medidas ............................................................................................... 47
6.4 Medidas de resonador .............................................................................................................. 49
6.5 Medida de Plano-Velocidades Ondulatorias ............................................................................ 59
6.6 Coeficientes de temperatura de Constantes Materiales .......................................................... 63

7. Bibliografía ....................................................................................................................................... 64

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Derechos Reservaron
Un Nivel Nacional americano

Nivel de IEEE en *Piezoelectricity

1. Introducción

1.1 Alcance

Este nivel en *piezoelectricity contiene muchas ecuaciones basaron al análisis de vibraciones en materiales
piezoeléctricos habiendo formas geométricas sencillas. Disipación mecánica y eléctrica nunca es presentada
al tratamiento teórico, y excepto una discusión breve de *nonlinear efectos en Sección 5., todos los resultados
están basados en lineales *piezoelectricity en qué el elásticos, piezoeléctricos, y los coeficientes
dieléctricos están tratados como las constantes independientes de la magnitud y frecuencia de énfasis
mecánicos aplicados y campos eléctricos.

Los materiales reales implican disipación mecánica y eléctrica. Además, pueden asomar fuertes *nonlinear
comportamiento, *hysteresis efectos, *temporal *instability (envejecimiento), y una variedad de *magneto-
*mechano-interacciones eléctricas. Por ejemplo, *poled *ferroelectric cerámica, generalmente cerámica
piezoeléctrica llamada, es una clase de materiales de importancia importante en aplicaciones comerciales;
todavía debido a la presencia de *ferroelectric ámbitos, exhiben una variedad de *nonlinearities y el
envejecimiento efectúa cuáles no son dentro del alcance de este nivel. A pesar de que este nivel no trata
*nonlinear o envejeciendo efectos en cerámicas, presenta las ecuaciones generalmente utilizadas para
determinar las haciendas piezoeléctricas de *poled materiales cerámicos y utiliza el *elastoelectric matrices de
la clase de cristal equivalente (6*mm) en un número de ejemplos..

No es posible de declarar *concisely un conjunto concreto de afecciones bajo qué las definiciones y las
ecuaciones contuvieron en este nivel aplica. En muchos casos de interés práctico la disipación mecánica es la
limitación más importante en la validez de un análisis llevó fuera para un material piezoeléctrico ideal. IEEE/de
ANSI *Std 177-1966 [5]1 habla en detalle las características eléctricas de resonadores hicieron de materiales con
pérdidas mecánicas y el circuito equivalente sencillo que puede soler representar estos resonadores en una
gama de frecuencia resonancia fundamental cercana. Sección 6. De este estándar también proporciona discusión
de el *bounds impuso en la aplicación de este estándar a materiales reales. Brevemente, las medidas basaron
en este nivel será más significativo cuándo están llevados fuera en materiales piezoeléctricos con disipaciones
pequeñas e insignificantes *nonlinearities, como solos-cristal sólidos dieléctricos o alto-*coupling-cerámica
de factor.

1.2 Símbolos y Unidades.

Todas las ecuaciones y las constantes físicas que parecen en este nivel está escrito en el Sistema
Internacional de Unidades (*SI unidades), según IEEE/de ANSI *Std 268-1982 [2]. Mesa 1 listas muchos de
los símbolos utilizados y, cuando proceda, asoma las unidades asociaron con las cantidades físicas
designaron por los símbolos.

*vi
ii
1Los números en #grupo corresponden a aquellos de las remisiones listaron en 1.3; cuándo precedido por *B, corresponden a la bibliografía en
Sección 7.

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Derechos Reservaron
IEEE *Std 176- NIVEL de IEEE
1987

1.3 Remisiones

Este nivel está escrito para ser un *self-el documento contenido útil a el lector sin requerir otros niveles para ser a
mano. Aun así, el lector puede encontrar que los niveles que cubren otro narrados especializó temas, como
materiales dieléctricos, *piezoelectricity, y *piezomagnetism poder implementación de ayuda de este nivel.
Una lista de estos narró las remisiones está dada aquí.

[1] ANSI/*EIA 512-1985, Métodos Estándares para Medida de los Parámetros Eléctricos Equivalentes de
Unidades de Cristal del Cuarzo, 1 *kHz a 1 *GHz.2

[2] IEEE/de ANSI *Std 268-1982, americano Práctica Métrica Estándar Nacional.3

[3] *ASTM D150-87, Pruebas para *AC-Pérdida *haracteristics y Constante Dieléctrica (Permitividad) de
Materiales Aislantes Eléctricos Sólidos.4

[4] *IEC 444 (1973), Método Básico para la Medida de Frecuencia de Resonancia y Resistencia de Serie
Equivalente de Unidades de Cristal del Cuarzo por Técnica de Cero Fases en  -Red.5

[5] IEEE *Std 177-1978, Métodos y Definiciones Estándares de Medida para Vibradores Piezoeléctricos.

[6] IEEE *Std 178-1958 (*R1972), Niveles en Cristales Piezoeléctricos: Determinación de el Elástico,
Piezoeléctrico, y Constantes Dieléctricas de Cristales Piezoeléctricos—El Electromecánicos *Coupling
Factor.

[7] IEEE *Std 179-1961 (*RI971), Niveles en Cristales Piezoeléctricos: Medidas de Cerámica Piezoeléctrica.

[8] IEEE *Std 319-1971, Nivel de IEEE en *Magnetostrictive Materiales: *Piezomagnetic Nomenclatura.

2ANSI/*EIA las publicaciones pueden ser obtenidas del Departamento de Ventas, Instituto de Niveles Nacional americano, 1430
Broadway, Nueva York, *NY 10018, o del Departamento de Ventas de los Niveles, Asociación de Industrias Electrónicas, 2001 yo
Calle, *NW, Washington, D.C. 20006.
3publicaciones de IEEE pueden ser obtenidas de el Centro de Servicio, El Instituto de Eléctrico e Ingenieros de Electrónica, 445 *Hoes
Camino, apartado de correos 1331,
*Piscataway, *NJ 08855-1331.
4*ASTM los documentos son disponibles de Sociedad americana para Probar y Materiales, 1916 Calle de Raza, Filadelfia, *PA

2 Copyright © 1988 IEEE Todos los


Derechos Reservaron
EN IEEE *Std 176-
*PIEZOELECTRICITY
19103. 1987
5*IEC los documentos son disponibles en los EE.UU. de el Departamento de Ventas, Instituto de Niveles Nacional americano, 1430 Broadway,

Nueva York, *NY 10018.

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Derechos Reservaron
IEEE *Std 176- NIVEL de IEEE
1987

Mesa 1—Lista de Símbolos y Sus Unidades


El símbolo que Significa *SI Unidad
Un, *b, *c hachas Naturales de metro de cristal
Un Radio de un metro de disco
*c*ijkl, *c*pq Elástico *stiffness newton constante por metro cuadrado
C *Capacitance faradio
C0 *Shunt *capacitance en resonador circuito Fara
equivalente
C1 Serie *capacitor en resonador circuito dio
equivalente
de

farad

io

*d*ijk, *d*ip metro constante Piezoeléctrico por culombio = de voltio por newton
D (superíndice) En cubicaje eléctrico constante
D*i culombio de componente de cubicaje Eléctrico por metro cuadrado
*e*ijk, *e*ip culombio constante Piezoeléctrico por metro cuadrado
*E (Superíndice) En voltio de campo eléctrico constante por metro
*E*i Voltio de componente de campo eléctrico por metro
*f Frecuencia *hertz
*f1 frecuencia crítica más Baja, *hert
máximo *admittance (*lossless)
*f2 frecuencia crítica Superior, z
impedancia máxima (*lossless)
*hert

*fUn *Antiresonance frecuencia (cero reactancia) *hertz


*f*r Frecuencia de resonancia (cero susceptancia) *hertz
*f*m Frecuencia de impedancia máxima *hertz
*f*n Frecuencia de impedancia mínima *hertz
*f*p Frecuencia de resistencia máxima *hertz
*f*s Frecuencia de conductancia máxima *hertz
*f *f*p – *f*s *hertz
G*ijk, g*ip metro de voltio constante Piezoeléctrico por newton = metro cuadrado
por culombio
*H Joule de densidad de entalpía electromecánico por metro cúbico
*h*ijk, *h*ip voltio constante Piezoeléctrico por newton = de metro por culombio
*J1(*z) Modificó cociente de funciones de
cilindro (*Eq 112)
*l
* 31 Rod *extensional *coupling factor
k con excitación transversal
*l
* 33 Rod *extensional *coupling factor
k con excitación longitudinal
*t
* 15 Grosor-*shear *coupling factor
k *t
* 33 Grosor-*extensional *coupling factor
k
*k Planar *coupling factor
*p
l Metro de #periodo
L1 Serie inductancia en resonador circuito M cifra de Resonador de mérito.
equivalente
4 Copyright © 1988 IEEE Todos los
Derechos Reservaron
EN IEEE *Std 176-
*PIEZOELECTRICITY 1987

m Espejo o plano de reflejo en un *henry


cristal
*n*i *Outwardly Dirigió la unidad normal
*R1 resistencia de Serie en resonador
circuito equivalente

Ohmio
*s*ijkl, *s*pq conformidad Elástica metro cuadrado constante por newton
*S Una superficie arbitraria metro cuadrado

Copyright © 1988 IEEE Todos los 5


Derechos Reservaron
IEEE *Std 176- NIVEL de IEEE
1987

Símbolo Significa *SI


do Unidad
*S En tensión constante
(Superíndice)
*S*ij, *S*p Componente de tensión
*T En estrés constante
(Superíndice)
*T*i Componente de vector de la tracción Newton por metro cuadrado
*t Grosor Metro
*T*ij, *T*p Componente de estrés Newton por metro cuadrado
 Velocidad Metro por segundo
*w Ancho Metro
X, *Y, *Z Hachas rectangulares de un cristal Metro
*x*i Eje de coordenada rectangular Metro
X Reactancia de circuito eléctrico Ohmio
*Y Circuito eléctrico *admittance *siemens
*Z Impedancia de circuito eléctrico Ohmio
, ,  Ángulos entre *crystallographic Segundo
hachas
*ij *Impermittivity Componentes Metro por faradio
0 Permitividad de espacio libre Faradio por metro
*ij Componente de permitividad Faradio por metro
 *Motional *capacitance Constante Faradio por metro
 Temperatura *kelvin
 Densidad de masa Kilogramo por metro cúbico
 Entropía Joule por *kelvin
 Planar *Poisson proporción
 Tiempo Segundo
 Potencial eléctrico escalar Voltio
, ,  Los ángulos utilizaron en símbolo
rotacional
 Frecuencia angular (2  *f) *hertz

2. Teoría lineal de *Piezoelectricity

2.1 General

En lineal *piezoelectricity las ecuaciones de elasticidad lineal son *coupled a la ecuación de cargo de
electrostáticas mediante las constantes piezoeléctricas. Aun así, las variables eléctricas no son puramente
estáticos, pero únicos *quasistatic, debido a el *coupling a las ecuaciones mecánicas dinámicas. Así, para
proporcionar una base teórica apropiada para el material cubierto en este nivel, el campo mecánico y eléctrico
pertinente las variables serán brevemente definidas y las ecuaciones mecánicas y eléctricas pertinentes
presentó en esta sección.

2.2 Consideraciones mecánicas

El *Cartesian componentes de el cubicaje mecánico infinitesimal de un punto material está denotado por *u*i.

NOTA — *Cartesian notación de tensor está utilizada durante este nivel. Ve *Jeffreys [*B1]. Para una discusión más
completa de cubicaje mecánico, ve *Tiersten ([*B2], Capítulo 3, Sección 1.).

El *symmetric porción de el gradiente espacial de el cubicaje mecánico determina el tensor de tensión *S*ij.
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NOTA — Una coma seguida por un índice denota diferenciación parcial con respetar a una coordenada
*PIEZOELECTRICITY 1987espacial.

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Así,
1
*S*ij = -- *u*i *j + 
2
*u *j *i (1)

Dónde

*u*i,*j = *u*i/*x*j

La porción antisimétrica de el gradiente de cubicaje mecánico determina la rotación rígida local infinitesimal
([*B2], Capítulo 3, Sección 2.), El cual está dejado para tener lugar sin constreñimiento en el *continuum,
y es de ninguna consecuencia en este nivel. La velocidad de un punto del *continuum está dado por


 *i = *u̇ *i = *u *i 
(2)


Dónde  denota el tiempo. La masa por volumen de unidad está denotada por , el cual será una constante
para cualquier material durante este nivel.

La interacción mecánica entre dos porciones de el *continuum, separados por una superficie arbitraria *S, está
asumido para ser dado por el vector de tracción, el cual está definido como la fuerza por área de unidad *T*i
obrando a través de una superficie en un punto y dependiente en la orientación de la superficie en el
punto.

NOTA — Para una discusión más completa de tracción, ve ([*B2], Capítulo 2, Sección 1.).

De hecho la existencia de el vector de tracción y la forma integral de las ecuaciones de el saldo de


momento lineal determina ([*B2], Capítulo 2, Sección 2.) La existencia de el tensor de estrés *T*ij, el cual está
narrado a el vector de tracción *T*j por la relación

*T *j =
(3)
*n*i*T*ij

Dónde *n*i denota los componentes de el *outwardly la unidad dirigida normal a la superficie a través de qué el
vector de tracción leyes. Claramente, *T*ij es un segundo-tensor de fila.

NOTA — El *summation la convención para índices de tensor repetido está empleada por todas partes. Ve [*B1],
Capítulo 1.

De *Eq 3 y las formas integrales de las ecuaciones de el saldo de momento lineal resulta las ecuaciones de
estrés de moción:.

*T *i *j *i =
(4)
*u̇˙*j

Dónde, de la conservación de momento angular, el tensor de estrés *T*ij es *symmetric.

En teoría lineal los componentes de el vectoriales *flux de la energía mecánica a través de una superficie está
dada por (*T*ijj).

2.3 Consideraciones eléctricas

En teoría piezoeléctrica las ecuaciones electromagnéticas llenas no son normalmente necesitó. El *quasielectrostatic
la aproximación es adecuada porque las velocidades de fase de olas acústicas son aproximadamente cinco
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órdenes de magnitud menos de las velocidades de olas electromagnéticas.

NOTA — Para más detalle respecto de la #carácter y limitaciones de la aproximación, ve ([*B2], Capítulo 4, Sección
4.).

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Bajo estas circunstancias los efectos magnéticos pueden ser asomados para ser insignificantes comparados a
efectos eléctricos. En teoría eléctrica el *Cartesian componentes de la intensidad de campo eléctrica y el cubicaje
eléctrico están denotados, respectivamente, por *E*i y D *i. En *MKS unidades estos dos vectores están
narrados a cada cual otro por

D*i = 0*E*i +
(5)
*P*i

Dónde *P*i denota los componentes de el vector de polarización, y la permitividad de espacio libre 0 está
dado por

0 = 8.854  10–12 *F 
(6)
*m

El vector de campo eléctrico *E*i es derivable de un potencial eléctrico escalar :

*E*i = – 
(7)
*i

El vector de cubicaje eléctrico D*i satisface la ecuación electrostática para un aislante,

D*i *i =
(8)
0

Tenga que ser notado que a pesar de que las ecuaciones de campo eléctricas parecen para ser estáticos, son
tiempos dependientes porque son *coupled a las ecuaciones mecánicas dinámicas presentaron en 2.2. El tiempo-
vector dependiente *flux de la energía eléctrica a través de una superficie está dada por (+ *i), el cual es la forma
degenerada tomado por el *Poynting vector en el *quasistatic aproximación eléctrica.

NOTA — Para detalles respecto del *derivation de la forma degenerada de el *Poynting vector para el *quasistatic campo
eléctrico, ve ([*B2], Capítulo 4, Secciones 3. Y 4.)..

2.4 Lineal *Piezoelectricity

La conservación de energía ([*B2], Capítulo 5, Secciones 1.–3.) Para el lineal piezoeléctrico *continuum
resultados en la primera ley de termodinámicas:.

*U˙ = *˙ +
*ij
*T S
*ij*E *i Ḋ* (9)
i

Dónde *U es la densidad de energía almacenada para el piezoeléctrico *continuum. La entalpía eléctrica [*B3]
densidad *H está definido por

*H = *U –
*E*iD*i (10)

Y de *Eqs 9 y 10 allí resultados

*Ḣ = *T *ij *Ṡ *i*j –


(11)
D *i *Ė *i

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*Eq 11 implica


*H = *H *S*kl
(12)
*E*k

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Y de *Eqs 11 y 12 allí resultado

*T *ij = *H 
(13)
*S *ij

(14)
D*i = –*H 
*E *i

Dónde tenga que ser notado que

*S*ij  *S *ji *i 


*j (15)
= 0

En tomar los derivados pidieron en *Eq 13.

En teoría piezoeléctrica lineal la forma tomada por *H es


1 1
*S*ij – -- *ij *E*i*E *j
*H = -- *c*E*ijkl *S*ij*S*kl – *e*kij*E*k*S
2 2
(16)

Dónde *ijk , *e*kij, y Es el elástico, piezoeléctrico, y constantes dieléctricas, respectivamente. En general hay
*c *E l *S * 21
ij
Constantes elásticas independientes, 18 constantes piezoeléctricas independientes, y
6 constantes dieléctricas
independientes. De
*Eqs 13, 14, y 16 con *Eq 15 allí resultar las ecuaciones constitutivas piezoeléctricas:

*T *ij = *c *E –
*ijk (17)
*S*kl l *e*kij*E*
k

D*i = *e*ikl*S*kl +* 
*S *E ij (18)
*k

Nota que la sustitución de *Eqs 10 y 18 a *Eq 16 cosechas


1 *E 1 *S
*U = -- *c*ijkl *S*ij*S*kl + -- *ij *E*i*E *j
2 2
(19)

Y hay no plazo de interacción piezoeléctrica en la función de energía almacenada definitiva positiva *U. Desde
el*e *kij no *
Parece en *Eq 19, el positivo *definiteness de *U restricciones de sitios *ijk Y el  *S ,ijpero no en el *e *kij. Nota
en el *c *E l
Más allá que la sustitución de *Eqs 1 y 7 a *Eqs 17 y 18, y entonces *Eqs 17 y 18 a *Eqs 4 y 8 cosechas el
cuatro
Ecuaciones diferenciales

*E 
*c*ijk *k + , =
l * *li *e*kij *ki *u̇˙*j (20)
u

*e *kij *u *i *jk* – ,*ij = 0


(21)
 *S  ij

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En las cuatro variables dependientes *u*j y . *Eqs 20 y 21 es las ecuaciones diferenciales tridimensionales para
el lineales piezoeléctricos *continuum.

Ningún *notational distinción entre el isotermo y las constantes materiales adiabáticas está hecha en este nivel. Los
símbolos escalares  y está recomendado para temperatura y entropía para evitar confusión con los símbolos
de tensor *S*ij y *T *ij empleó en este nivel. Naturalmente, debajo rápidamente variando afecciones, los valores
adiabáticos de las constantes están entendidos, y debajo despacio variando o afecciones estáticas, los
valores isotermos están entendidos. La forma de las ecuaciones constitutivas dadas en *Eqs 17 y 18 es el único
uno aquello es útil para el tridimensional *continuum cuando

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Ninguna frontera es presente, porque es la forma única que cosechas *Eqs 20 y 21 de *Eqs 4 y 8. hay, aun así,
otras formas de las ecuaciones constitutivas, y estos acaecen útiles en casos concretos seguros cuándo las
fronteras son presentes. El alternar formas que parece más frecuentemente en la literatura está presentada y
hablado en 2.6.

Para escribir los tensores elásticos y piezoeléctricos en la forma de una variedad matricial, una notación
matricial comprimida está presentada en sitio de la notación de tensor, el cual ha sido utilizado exclusivamente
hasta ahora. Esta notación matricial consta de reemplazar *ij o *kl por *p o *q , donde *i,*j,*k,*l tomar los valores 1,
2,3 y *p,*q tomar los valores 1,2,3,4,5,6 según Mesa 2.

Las identificaciones

*E
* *ijk  *c*p*E , *ik  *e *ip , *T  *T
cl *q *l *ij *p (22)
e

Está hecho. Entonces el constitutivo *Eqs 17 y 18 puede ser escrito:

*T *p = *c *E – *e
*p *k
*q (23)
*S*q *E
*p *k

D*i = *e*iq*S*q +*i 


*S *E k (24)
*k

Dónd
e = *S*P Cuándo *i = *j *p = 1 2 3
*S *i
j
2*S*ij = *S*p cuándo  *j *p = 4
(25)
5 6

NOTA — El *summation la convención para todo repitió los índices está entendido.

Mesa 2—Notación Matricial


*ij O *kl. *p O
*q.
11 1

22 2

33 3

23 o 32 4

31 o 13 5

12 o 21 6

Tenga que ser notado que cuándo la notación matricial comprimida está utilizada, las haciendas de
transformación de los tensores acaecen *unclear. De ahí, los índices de tensor tienen que ser empleados
cuándo transformaciones de coordenada son para ser hechos. También tenga que ser notado que el tiempo-
vector dependiente *flux de la energía piezoeléctrica es la suma de los plazos mecánicos y eléctricos
mencionaron en 2.2 y 2.3, respectivamente, y está dado por

– *T *ij *u̇ *j – Ḋ *i 


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(26)

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2.5 *Boundar*y Afecciones

En la presencia de fronteras las afecciones de frontera apropiadas tienen que ser *adjoined a el diferenciales
*Eqs 20 y 21 de el lineales piezoeléctricos *continuum. Si hay una superficie material de discontinuidad, entonces
a través de la superficie allí es las afecciones de continuidad ([*B2], Capítulo 5, Sección 4.; Capítulo 6,
Sección 4.)

*n *T Yo = *n *T II
*i *i *ij (27)
*ij

*u*j Yo =*j*u II
(28)

*n*iD yo = *n D II
*i *i *i (29)

Yo = II (30)

Dónde indica los valores de las variables encima un lado e II los valores de las variables por otro lado de
la superficie de discontinuidad, y *n *i denota los componentes de la unidad normal a la superficie. En una
tracción-superficie libre, las afecciones de frontera, *Eq 27, acaecidos

*n*i*T*ij =
(31)
0

En un cubicaje-superficie libre, las afecciones de frontera, *Eq 28, acaecidos

*u *j =
(32)
0

En casos más generales combinaciones diferentes de *Eqs 31 y 32 aplica. Si la constante dieléctrica


apropiada de el material es grande comparado a la constante dieléctrica de aire (*vacuum), la afección de
frontera, *Eq 29, en un aire-la interfaz dieléctrica acaece, aproximadamente,

*n*iD*i =
(33)
0

Dónde D*i es el cubicaje eléctrico en el material. En una superficie con un electrodo  tiene que ser tampoco
especificado o alguna relación entre  y *n *iD*i dado. Si los electrodos son cortos-*circuited y el potencial de
remisión es cero,

=0 (34)

En cada electrodo. Si un par de electrodos opera a un circuito de *admittance *Y, la


afección es

Un
Yo = *n *i Ḋ*i *d*s =  *YV (35)

Dónde el  depende en la orientación de las hachas de coordenada, Un representa el área de el electrodo, y el


voltaje
V está narrado a la diferencia potencial según

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V = 1 – 2 (36)

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NOTA — Para una discusión de circuito *admittance, ve ([*B2], Capítulo 15).

2.6 Alterna Formas de Ecuaciones Constitutivas

Para el *unbounded medio piezoeléctrico, la forma única de las ecuaciones constitutivas qué es de cualquier
valor está dado en *Eqs 17 y 18. Algunos otras formas de las ecuaciones constitutivas son

*S*ij = *s *E +
*ijk
l *d*kij*E*
(37)
*T*kl
k

D*i = *d*ikl*T*kl +*i *T


k (38)
*E*k

*S*ij = *s D +
*ijk
l G*kijD*k
(39)
*T*kl

*E*i = –G*ikl*T*kl +*i


*T D k (40)
*k

*T *ij = *c D
*ijk – *h *kij (41)
*S*kl l D *k

*E*i = – *h*ikl*S*kl *i+ 


*S D k (42)
*k

Estas formas últimas de las ecuaciones constitutivas, a pesar de que exactos, está empleado en aproximaciones
qué es válido bajo circunstancias limitativas seguras. La utilidad de cualquiera de estos tres pares de ecuaciones
constitutivas depende en el hecho que las variables seguras en los lados derechos son aproximadamente cero bajo
circunstancias apropiadas. Consiguientemente, el conjunto para utilizar en un caso dado depende *crucially
en el concreto geométrico, mecánico, y circunstancias eléctricas. Como un ejemplo, para vibraciones de
frecuencia baja de una caña uno utilizaría cualquier *Eqs 37 y 38 o *Eqs 39 y 40, porque bajo estas circunstancias
todos componentes de estrés desaparecen, tampoco exactamente o aproximadamente, excepto el *extensional
estrés a lo largo de la #periodo de la caña. Aun así, es en absoluto aclarar si para utilizar el primer o el
segundo conjunto a no ser que información más concreta respecto de la forma de la sección de cruz y
*placement de los electrodos está dado. De hecho, en un caso dado es bastante posible que un conjunto
diferente de ecuaciones constitutivas a algún lugar entre el dos sería útil.

Las relaciones entre los coeficientes que parecen en los cuatro conjuntos de ecuaciones constitutivas, *Eqs 17, 18
y *Eqs 37–42, puede ser escrito
*c*E
*pr
*E
= *cD
*pr
D
=  *pq
*s*qr *pg ,
*s*qr = 

*S
*S  =  , 
*T
*T 
*ik *jk *ij *ik *jk *ij
*c D = *c *E + *e *h *s D = *s *E – *d g
,
*pq *pq *kp *pq *pq *kp
*kq *kq (43)
* =
*T  **S + D
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*
*iq*e *jq *iq*h *jq
T
,



*
S

G * *
ij ij
*e*ip = *E
*c
*iq , *d* =  *T G*kp
*d *qp ip *i
k
G*ip = *i*T *kp *h* = *D
*iq
*d k , ip G c
*qp

Utilizando la notación comprimida presentada en 2.4 y donde *i,*j,*k = 1,2,3 y *p,*q,*r = 1,2,3,4,5,6 y *ij es el 3 *·
3 matriz de unidad y *pq es el 6 *· 6 matriz de unidad. Como consecuencia de *Eqs 22 y 25 el control de
relaciones siguiente:

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(44)
* *E *E
*p = *s *ijk , *i = *j Y *k = *l *p *q = 1 2 3
sq l
* *E *E
*p = 2*s *ijk , *i *j Y  *p = 1 2 3, *q = 4 5 6
s=q l *k. *l

*p = 4*s *ijk , *i  *j Y
* *E 
*E *p *q = 4 5 6
sq l *k. *l

Y control de relaciones similares*ppara *s D :

*d *iq = *d *ikl , *k = *q = 1 2 3 q

*l
*d*iq = 2*d*ikl,  *l, *q = 4 5 6
(45)
*k

Y control de relaciones similares para g*iq. Las constantes piezoeléctricas *h*iq está narrado a el *h*ijl en la misma
manera que *e*iq es *ijk *p
l
Narrado a el *e *ikl, y las constantes *p Está narrado a el
*c En la misma manera queq Está narrado al.
q D el *c *E
elásticas *c D
*E
* *ijkl .
c

3. La cristalografía Aplicó a Cristales Piezoeléctricos

3.1 General

El vacío entre el tratamiento de los sólidos piezoeléctricos que utilizan los conceptos teóricos de *continuum
mecánica, como presentado en Sección 2., y la aplicación de las ecuaciones de aquella sección a materiales
piezoeléctricos particulares está abarcada por la rama de ciencia cristalografía llamada. La mayoría de
materiales piezoeléctricos del interés para aplicaciones tecnológicas es sólidos cristalinos. Estos pueden ser
cristales solos , tampoco formados en #carácter o formado por procesos sintéticos, o materiales
policristalinos como *ferroelectric cerámica cuáles pueden ser *rendered piezoeléctricos y dados, en una escala
macroscópica, una simetría de cristal solo por el proceso de *poling. Desde los principios teóricos desarrollaron
en Sección 2. Está presentado con la generalidad de formulaciones de tensor, conexión de la teoría de
Sección 2. Con los materiales piezoeléctricos reales requiere como primer paso la definición de hachas de
cristal dentro del diferentes *crystallographic grupos de punto y la asociación de las hachas de cristal con el
*Cartesian hachas de coordenada utilizaron en análisis matemático. Además de asociación e identificación
axiales, la ciencia de cristalografía proporciona una nomenclatura altamente desarrollada y una riqueza de
los datos útiles a los ingenieros y los científicos que obran con cristales piezoeléctricos. Tal dato es, por ejemplo,
dimensiones de celda atómica y ángulos, *interfacial ángulos, haciendas ópticas, y haciendas de
radiografía.

3.2 Terminología básica y los Siete Sistemas de Cristal

El cristal de plazo está aplicado a un sólido en qué los átomos está arreglado en un patrón solo repetido durante el
ente. En un cristal los átomos pueden ser pensados de tan ocurriendo en grupos pequeños, todo agrupa ser
exactamente igualmente, de modo parecido orientado, y asiduamente alineado en todo tres dimensiones. Cada
grupo puede ser considerado como acotado por un paralelepípedo, y cada paralelepípedo consideró tan uno de
los bloques de edificio definitivos de el cristal. El cristal está formado por *stacking junto en todo tres dimensiones
*replicas de el paralelepípedo básico sin cualesquier espacios entre ellos. Tal bloque de edificio se apellida una
celda de unidad. Desde la elección de un conjunto particular de átomos para formar una celda de unidad es
arbitraria, es evidente que hay una gama ancha de elecciones en las formas y dimensiones de la celda de
unidad. En práctica, aquella celda de unidad está seleccionada qué es más sencillamente narrado a las caras de
cristal reales y reflejos de radiografía, y cuál tiene la simetría de el cristal él. Exceptúa en unos cuantos casos
especiales, la celda de unidad tiene la medida posible más pequeña.
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En cristalografía las haciendas de un cristal están descritas en plazos del sistema de coordenada natural
proporcionado por el cristal él. Las hachas de este sistema natural, indicado por las letras un, *b, y *c, es los bordes
de la celda de unidad. En un cristal cúbico, estas hachas son de #periodo igual y es mutuamente perpendicular;
en un cristal triclínico son de las #periodo desiguales y ningún dos son mutuamente perpendiculares. Las caras
de cualquier cristal son todo paralelos a planos de quién intercepta en el un, *b, *c las hachas son múltiplos
pequeños de distancias de unidad o más infinidad, para que su *reciprocals, cuándo multiplicado por un factor
común pequeño, es todos los enteros pequeños o cero. Estos son los índices de los planos. En esta
nomenclatura tenemos, por ejemplo, caras (100), (010), (001), también llamó el un, *b, *c caras, respectivamente.
En el *orthorhombic, tetragonal, y cúbico.

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Sistemas, estas caras son normales a el un, *b, *c hachas. Incluso en los sistemas monoclínicos y triclínicos,
estas caras contienen, respectivamente, el *b y *c , un y *c , y un y *b hachas. Como referido a el conjunto de
hachas rectangulares X, *Y, *Z, estos índices son en general irracionales excepto cristales cúbicos.

Según sus grados de simetría, los cristales son generalmente clasificados a siete sistemas: triclínico (el
menos simétrico), monoclínico, *orthorhombic, tetragonal, trigonal, hexagonal, y cúbico. Los siete sistemas, en
turno, está dividido a grupos de punto (clases) según su simetría con respetar a un punto. hay 32 tales
clases, once del cual contiene *enantiomorphous formas (ve 3.3.2). Doce clases son de demasiado alto un grado
de simetría para asomar haciendas piezoeléctricas. Así veinte clases pueden ser piezoeléctricas. Cada
sistema contiene al menos uno clase piezoeléctrica. Un resumen conveniente de las 32 clases con
ejemplos está dada en Mesa 3.

El internacional *crystallographic sistema [*B4] (*Hermann-*Mauguin notación) toca una función clave en la
interpretación de Mesa 4. En este sistema, un eje de rotación está indicado por uno de los números 1, 2, 3,
4, 6. El número indica a través de su recíproco la parte de una rotación llena sobre el axial cuál está requerido
para traer el cristal a una #puesto equivalente con relación a sus haciendas estructurales internas. El número 1
indica ninguna simetría en absoluto, desde cualquier estructura tiene que volver a coincidencia después de una
rotación completa, mientras 2 indica un eje doble de rotación. Los Símbolos
, , , , indicar hachas de rotatorios *inversion. El símbolo implica un centro sencillo de *inversion. El símbolo es
equivalente a un plano de reflejo, y desde entonces planos de reflejo son tan importantes una característica de la
estructura, el símbolo para tal plano, *m, está escrito en vez de . Si un eje tiene una perpendicular de plano del
reflejo a él, este hecho está escrito tan parte del símbolo para aquel eje por siguiente el numerar cuál
describe la simetría de el eje con la notación /*m.

El señalamiento para cualquier clase de simetría está hecha arriba en el sistema internacional de uno, dos, o tres
símbolos, cada indicando la simetría con respetar a un tipo de dirección en el cristal. *Crystallographically Las
direcciones idénticas están agrupadas juntas debajo un símbolo. Por ello un cúbico *NaClO3 cristal tiene tres
rotación doble hachas y cuatro *threefold hachas de rotación, pero el símbolo es 23, porque cada eje doble es
idéntico, y cada *threefold el eje es idéntico. Sólo dónde el *crystallographic las direcciones no son idénticas es los
símbolos diferentes utilizaron. El primer símbolo refiere a el eje principal de el cristal si hay uno, indicando el
tipo de simetría de el axial y la existencia de una perpendicular de plano del espejo a aquel eje, si cualquiera.
El segundo símbolo refiere a la simetría de el segundo cristal más importante dirección, dando la simetría a lo
largo de aquel axial y una perpendicular de plano del espejo a él, si cualquiera. El tercer símbolo declara la
simetría a lo largo del tercera dirección más importante. Mesa 3 listas los símbolos de grupo de punto
internacionales para todo 32 grupos de punto, y Mesa 4 proporciona aclaración por identificar las direcciones de
simetría para cada sistema de cristal. En todo pero el sistema cúbico, tanto el segundo y terceras direcciones
necesitan no ser direcciones de simetría; en el sistema cúbico, la tercera dirección necesita no ser una
dirección de simetría; y en la ausencia de simetría, ningún símbolo está dado.

Para caracterizar un cristal piezoeléctrico, un conjunto de constantes piezoeléctricas está necesitado; y


para hacerles inequívoco, una convención de signo es necesaria para ambas las constantes y el sentido axial. Una
relación concreta entre el un, *b, *c hachas de cristalografía y el X, *Y, *Z las hachas está dada en 3.2.1–3.2.6, y
*summarized en Mesa 3. El lector es *cautioned al llegar a este punto aquello, sin acuerdo general encima
convenciones de signo, puede haber mucha confusión. El dato expresado en plazos de uno *abc–*XYZ la
relación mira muy diferente de el mismo dato en plazos de otro *abc–*XYZ relación. En este nivel, los sentidos
positivos de el *XYZ las hachas están definidas tales aquellas constantes piezoeléctricas seguras es positivo.
Detalles para determinar sentidos de el *XYZ las hachas están descritas en 3.5. La elección de el sentido
positivo es arbitraria en algunos casos. Una discusión de medidas estáticas narró para firmar la determinación
será encontrada en 6.3.

3.2.1 El Sistema Triclínico

Un cristal triclínico ha tampoco hachas de simetría ni planos de simetría. Las #periodo de las tres hachas son
en general desiguales; y los ángulos , , y entre hachas *b y *c , *c y un , y un y *b , respectivamente, es
también desigual. El un eje tiene la dirección de la intersección de las caras *b y *c (extiende las caras a
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intersección si es necesario), el *b el eje tiene la dirección de la intersección de caras *c y un , el1987
*c el eje tiene la
dirección de la intersección de caras un y *b (ve Mesa 3).

El X, *Y, *Z las hachas están asociadas tan estrechamente tan posibles con el un, *b, *c hachas, respectivamente.
El *Z el eje es paralelo a *c, *Y es normal a el *ac plano, y X es así en el *ac plano. El +*Z y + #X hachas están
escogidas de modo que *d33 y *d 11 es positivo. El +*Y el eje está escogido de modo que forma un sistema
diestro con + *Z y + X.

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EN
Mesa 3—Resumen de Sistemas de
Cristal
Identificación Identificació
Grupos de axial, n axial, +/
Punto *Crystallographi Rectangular Hach
internacional c as
Crystal Sistema X *Y *Z (Nota *Schoenflies Ejemplo Fórmula
Corto Lleno *c Un *b 3) Símbolo
Triclínico *p 1 1 1(010) *Z X C1 *Aminoethyl *ethanolamine C8*H17*O7*N2
Hidrógeno *d-*tartrate
(*AET)
*c*o < Un*o < *b*o; ,  > 1(010) C1(*S2) Cobrizo *sulfate *CuSO4*·5*H2*O
90 *pentahydrate
*p 2 2 2 1(100 *b *c Y C2 *Ethylene *diamine C6*H14*N2*
) *tartrate (*EDT)

Monoclínico *p *m *m /*m 1(100 *b *c Z X C8(C1*h) Litio *trihydrogen selenita O6


)
2
*c*o < Un*o,  > 90;  = 2/*m ---- 1(100 *b *c C2* Yeso *LiH3(*SeO3
 = 90 *m ) h

)2

*CaSO4*·2*H2*O
*p 222 222 2 2 2 Un *b *c D2(V) Rochelle sal, exceptúa *NaKC4*H4*O6*·4
entre Curie puntos *H2 *O

*Orthorhombic *p *mm (Ve Nota 1) (Ve Nota 1) *Z C2*h Sodio de bario *niobate *Ba2*NaNb5*O15
2 22
*c*o < Un*o < *b*o;  =  2 ------------ 2 2 2 Un *b *c D2*h(V*h) *Barite *BaSO4
=  = 90 *mm
*mm m
m

Tetragonal *c Un1 Un
Un*o = *b*o:  =  =  = 2
90 4 4
*p 4 † (Un1) (un2) *c *Z C4 Estroncio de potasio *KSr2*Nb5*O15
*niobate
*p 4 † (Un1) (*c2) *c *Z *S4 *Anorthite *Ca2Al2*SiO7
4/*m ----
*m 4 † (Un1) (un2) *c C4* Scheelita *CaWO4
422 422 h

1987
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*p 4 2 2 (Un1) (un2) *c * D4 Níquel *sulfate *hexahydrate, *NiSO4*·6*H2*O,
*Paratellurite TEO2
4*mm 4*mm
*p 4 /*m /*m (Un1) (un2) *c *Z C4 Bario *titanate *BaTiO3
2*m 2*m
*p 2 2 (Ve Nota 2) *Z D2*d(V*d) Amonio *dihydrogen fosfato *NH4*H2*PO4
4 22 (ADP)
4/ ------------
13

*mmm 4 2 2 (Un1) (un2) *c * D4*h *Zircon *ZrSiO4


*mm
m
*c Un1 Un2 Un3 Cua
lqui
er
dos
Trigonal *p 3 3 3 † (Un1) *c C3 Sodio *periodate *trihydrate *NaIO4*·3*H2*O

(Un*o)1 = (un*o)2 = † (Un1) *c C3*i(*S6) *Dolomite *CaCo3*MgCO3


(un*o)3
*p 32 32 3 2 2 2 (Un1) *c X D3 -Cuarzo *SiO2

*p 3*m 3*m 3 /*m /*m /*m (Un1) *c *Z *Y C3 Litio *niobate *LiNbO3
14

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Identificación Identificació
Grupos de axial, n axial, +/
Punto *Crystallographi Rectangular Hach
internacional c as
Crystal Sistema *c X *Y *Z (Nota *Schoenflies Ejemplo Fórmula
Corto Lleno Un *b 3) Símbolo
2
----
(Ve 2.2.5) *m 3*m 2 2 2 (Un1) *c D3*d Calcita *CaCO3

Hexagonal *p 6 6 6 † (Un1) *c *Z C6 Litio *iodate *LiIO


3
(Un*o)1 = (un*o)2 = *p † (Un *c X *Y C3*h Peróxido de litio
(un*o)3 6 1) *Li2*
(Ve 2.2.5) 6/*m ----
*m 6 (Un1) *c C6*h Apatito O3
622 622
*p 6 2 2 2 (Un1) *c D6 -Cuarzo *CaF2,3*Ca3*P2*O8
6*mm 6*mm
*p 6 /*m /*m /*m (Un1) *c *Z C6 Cadmio *sulfide *SiO2
*m2 *m2
*p 6 22 2 2 2 (Un1) *c X D3*h *Benitoite *CdS
6/ ------------
*mmm 6 2 2 2 (Un1) *c D6*h *Beryl *BaTiSi3*
*mm
m O9

3*BeO·Al2*O3*·6*
Si *O2
Un1 Un2 Un3

Cúbico *p 23 23 2 2 2 (Un (Un2) (Un3) *Z *T Óxido de germanio del *Bi12*GeO20


2 bismuto
1)
Un*o = *b*o = *c*o; =  = ----3
= *m
90 *m3 2 2 2 (Un1) (Un2) Un3 * *T*h *Pyrite *FeS2
432
432 4 4 4 (Un1) (Un2) Un3 * *O Fluoruro de cadmio *CdF2
3*m
*p 3*m 432 (Un1) (Un2) (Un *Z *T*d Galio *arsenide *GaAs
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----
*m ---- 3)
*m
*m3* 4 4 4 (Un1) (Un2) (Un * *O*h Cloruro de sodio *NaCl
m 3)

NOTAS:
1 — *Z Es el eje polar, los cuales pueden ser un, *b, o *c . Según si un, *b, o *c es polar, el grupo de punto internacional lleno el símbolo es 2*mm, *m2*m, o *mm 2, respectivamente. X es paralelo a el más
pequeño de el *nonpolar hachas.
Así en clases 2*mm, *m2*m, y *mm 2, X está escogido paralelo a *c, *c, y un , respectivamente.
2 — En clase 2*m la elección axial es tan listada aquí para seis de los grupos espaciales. Para el otro seis el un eje está escogido en 45 grados a las hachas dobles para tener la celda de unidad más pequeña.
En todos los casos X y *Y está escogido paralelo a las hachas dobles. Ve 2.2.4.
3 — Hachas cuyo sentido está determinado por el signo de una constante piezoeléctrica. No necesariamente

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tenga un eje polar. Para † y * ver texto.
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3.2.2 El Sistema Monoclínico

Un cristal monoclínico ha tampoco un eje solo de simetría doble o un plano solo de simetría de reflejo, o
ambos. Cualquiera el eje doble o el normal a el plano de simetría ( son igual si ambos existen, y esta
dirección se apellida el eje único de todas formas) está tomado como el *b o *Y eje. De las dos hachas
restantes, el más pequeños es el *c eje. En clase 2, +*Y está escogido de modo que *d22 es positivo; +*Z está
escogido paralelo a *c (el sentido trivial), y + X tal que forma un derecho- sistema entregado con + *Z y + *Y. En
clase *m, +*Z está escogido de modo que *d33 es positivo, y + X de modo que *d11 es positivo, y + *Y para formar
un sistema diestro.

Mesa 4—
Direcciones de Simetría significativa para el Internacionales (*Hermann-*Mauguin) Símbolo*

Crystal Sistema Primer Segundo Tercer


Símbolo Símbolo Símbolo
Triclínico Ninguno

Monoclínico *b (1)

*Orthorhombic Un (1) *b (1) *c (1)

Tetragonal *c (1) Un (2) [110] (2)

Trigonal *c (1) Un (3)

Hexagonal *c (1) Un (3) *Digonal (3)


[1010 axial]

Cúbico Un (3) [111] (4) [110] (6)


*El número después de cada dirección indica la multiplicidad de aquella dirección en el cristal.

La NOTA — Positiva y negativo puede ser comprobado utilizando un carbono-batería de linterna del zinc. La conexión de
ánodo del carbono tendrá el mismo efecto encima metro *deflection como el + fin de el eje de cristal a emisión de
compresión. Para más el detalle ve 3.5 y 6.3..

3.2.3 El *Orthorhombic Sistema

Un *orthorhombic el cristal tiene tres hachas dobles mutuamente perpendiculares o dos planos mutuamente
perpendiculares de simetría de reflejo, o ambos. El un, *b, *c las hachas son de #periodo desigual. Para clases
222 y 2/ *m 2/*m 2/*m distancias de unidad están escogidas tal aquel *c0 < un0 < *b0. Para la clase restante, el
cual es polar, *Z siempre será el eje polar a toda costa de si es un, *b, *c en el *crystallographer notación.
Hachas X y *Y entonces será escogido de modo que X es paralelo a el restante axial aquello es más
pequeño. Esta clase por tanto puede ser propiamente designado *mm2, 2*mm, o *m 2*m, según si *c, un, o *b es
el eje polar. El sentido axial es trivial excepto la clase polar para qué +*Z está escogido tal aquel *d33 es positivo.

La NOTA — Ve nota en 3.2.2.

3.2.4 El Sistema Tetragonal

Un cristal tetragonal tiene un solo *fourfold eje o un *fourfold *inversion eje. El *c el eje está tomado a lo largo de
este *fourfold eje, y el *Z mentiras axiales a lo largo de *c . El un y *b las hachas son equivalentes y es
normalmente llamó un1 y un 2. Hay siete clases de cristales tetragonales, cinco de los cuales pueden ser
piezoeléctricos; estos son clases , 4, 2*m, 422, y 4 *mm. Tres de estos tener ninguna hacha doble para guiar en
una elección de un un eje; aun así, para todo de ellos exceptúa 2*m hay no alternativo a la elección de un un
axial de tal manera tan para hacer la celda de unidad de volumen más pequeño. En clase 2*m, el cual
tiene un eje doble, la celda más pequeña no puede tener su un axial paralelo a este eje. Hay doce arreglos
posibles de asunto (grupos espaciales) aquello tiene simetría 2*m. De estos doce, seis tiene la celda más
pequeña cuándo el un eje es un eje de simetría doble, y seis tiene la celda más pequeña cuándo un está
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escogido en 45 grados a hachas dobles (mientras perpendicular quieta a el *c eje). Las mesas internacionales
para cristalografía de radiografía [*B5] ahora utilizar la celda más pequeña en todo doce casos. En

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Orden para este nivel no para ser en choca es por tanto necesario a escogió el un eje en 45 grados a las hachas
dobles en grupos espaciales *Pm2, *Pc2, *Pb2, *Pn2, *Im2, y *Ic 2, de clase 2*m.

Con clases 4 y 4 *mm el +*Z el eje está escogido de modo que *d33 es positivo y + X y + *Y es paralelo a un
para formar un derecho- sistema entregado. Con clase , +*Z está escogido de modo que *d31 es positivo y + X y
+ *Y es paralelo a un para formar un sistema diestro. En clases 2*m y 422 el +*Z eje (paralelo a *c ) está
escogido arbitrariamente. En clase 2*m el +X y + *Y las hachas están escogidas paralelas a las hachas
dobles (cuáles no son paralelos a el un eje para los grupos espaciales listados) tal aquel *d36 es positivo. En
clase 422 los sentidos de el +X y + *Y las hachas son triviales pero tienen que formar un sistema diestro con + *Z.

La NOTA — Ve nota en 3.2.2.

3.2.5 Los Sistemas Trigonales y Hexagonales.

Estos sistemas están distinguidos por un eje de *sixfold (o *threefold) simetría. Este eje es siempre llamó el *c
eje. Según el *Bravais-Miller sistema axial, el cual es más generalmente utilizado, hay tres hachas secundarias
equivalentes, un1, un2, y un 3, *lying 120 grados aparte en un plano normal a *c . Estas hachas están escogidas
como siendo cualquier paralelos a un eje doble o perpendicular a un plano de simetría, o si hay tampoco las
hachas dobles perpendiculares a *c ni planos de la simetría paralela a *c , las unas hachas están escogidas
con objeto de dar la celda de unidad más pequeña.

El *Z el eje es paralelo a *c . El X eje coincide en dirección y sentido con cualquiera de las unas hachas.
El *Y el eje es perpendicular a *Z y X , así que orientado como para formar un sistema diestro.

Reglas de sentido positivo para +*Z, +X, +*Y está listado en Mesa 5 para los cristales trigonales y hexagonales
piezoeléctricos. Las reglas más lejanas para identificación de sentido axial están dadas en 3.5 y 6.3..

La NOTA — Ve nota en 3.2.2.

3.2.5.1 Aplicación a Cuarzo

Las hachas según la convención de este nivel está asomada en Higo 1 para derecho- y cuarzo zurdo. Las
convenciones para *handedness y el sentido de las hachas ha cambiado muchos cronometra antiguamente, así
que las reglas eléctricas y ópticas para determinar estas características y el sentido angular de cortes de cristal
común ha sido añadido. Brevemente, la relación de la convención presente para hachas de coordenada a aquel
utilizados en IEEE *Std 176-1949 es (para ambos derecho- y cuarzo zurdo) que los sistemas de coordenada
diestros utilizaron en este nivel es *rotated 180 sobre el *Z-axial de los sistemas de coordenada diestros
utilizaron en IEEE *Std 176-1949. La aclaración más lejana de las convenciones de signo utilizó en este nivel
está proporcionado por la inclusión de Mesas 6 y 7. Mesa 6 espectáculos valores representativos de las
constantes en el *elasto-*piezo-matrices dieléctricas para derechos- y cuarzo zurdo. Los signos asomados para
el*e 11 y *e 14 constantes son compatibles con las convenciones de este nivel. Mesa 7 ha sido incluido para
proporcionar un ejemplo de cómo la variedad de constantes en el *elasto-*piezo-cambios matriciales dieléctricos
debajo rotación de las hachas, y es, para el caso concreto de un *SC corte, hecho de cuarzo diestro. Los
valores para las constantes utilizaron en Mesa 6 está tomado de una publicación por *Bechmann [*B6].

3.2.6 El Sistema Cúbico

Las tres hachas equivalentes son un , *b (=un), y *c (=un), a menudo llamó un1, un2, y un 3. Están escogidos
paralelos a hachas de *fourfold simetría o, si hay no cierto *fourfold simetría, entonces paralelo a hachas
dobles. El X, *Y, y *Z las hachas forman un sistema diestro paralelo a el un, *b, y *c hachas.

Un positivo *d14 = *d36 determina el +X y + *Y hachas después de que cualquiera de el un1, un2, unas3 hachas
está escogida arbitrariamente tan +*Z.

La NOTA — Ve nota en 3.2.2.

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3.3 Convención*s para Hachas

3.3.1 Relación Entre *Crystallographic y *Cartesian Hachas

Las hachas están asignadas a cristales según Mesa 3, el cual *summarizes la discusión en 3.2.1–3.2.6. Clases de
cristal están listadas utilizando el sistema internacional para designar la clase. El método de selección de ambos el
*crystallographic hachas y las hachas rectangulares de físicas e ingeniería es para ser leídos de la mesa. Los
símbolos un, *b, *c está utilizado para el *crystallographic hachas; un0, *b0, *c0 refiere a las dimensiones de la
celda de unidad a lo largo de estas hachas; X, *Y, *Z es las hachas rectangulares, los cuales siempre tienen que
formar un sistema diestro, si para un izquierdo- o un cristal diestro. Los símbolos , ,
 Está utilizado para los ángulos entre los pares de *crystallographic hachas (*c y *b , un y *c , y *b y un ,
respectivamente). Ambos el internacionales y el *Schoenflies los símbolos están dados, a pesar de que el uso
de el anterior está preferido. En la columna “el punto Internacional Agrupa” aquellas clases qué es
piezoeléctrico está marcado con un “*p”. Bajo “Axial,” los números 2, 3, 4, 6 significa un eje de dos-, tres-,
cuatro-, o *sixfold simetría; (leído 4 barra) significa un *fourfold, un *sixfold eje de *inversion; *m o / *m es
un plano de perpendicular de simetría a un eje.

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Mesa 5—Sentido Positivo Reglas para *Z, X, y *Y para Cristales Trigonales y Hexagonales
Clase +*Z +X +*Y
3 Positivo *d33 Positivo *d11 Forma sistema diestro
32 Arbitrario Positivo *d11 Forma sistema diestro

3*m Positivo *d33 Forma bien- Positivo *d22


Sistema entregado
6 Positivo *d33 Forma Arbitraria sistema diestro
Forma Positivo *d11 Positivo *d22
sistema bien
entregado

622 Forma Arbitraria Arbitraria sistema diestro

6*mm Positivo *d33 Forma Arbitraria sistema diestro

6*m2 Arbitrario Positivo *d11 Forma sistema diestro

Cifra 1—Izquierdo- y Cristales de Cuarzo Diestro, Clase Trigonal 32

El procedimiento para determinar el un, *b, *c las hachas de cualquier cristal implica satisfacer una serie de
convenciones. La primera convención está indicada bajo el nombre de cada sistema, y da reglas generales para
identificación de hachas en plazos de las magnitudes relativas de las distancias de unidad y de los ángulos
entre el *crystallographic hachas. Con *orthorhombic.
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Clases 222 y 2/*m 2/*m 2/*m, esto uno gobierna inequívocamente prescribe todo *crystallographic hachas.
Con cristales monoclínicos el *b el eje está definido en plazos de la simetría según la tercera columna bajo
“Axial.” Con los sistemas restantes, excepto triclínicos y *orthorhombic, el *c el eje es el primer para ser
identificado y es siempre el eje de simetría alta. Dónde el símbolo † parece hay no regla especial más allá que
para la elección de el *c eje, exceptúa que las hachas restantes serán seleccionadas de tal manera tan para
dar la celda más pequeña compatible con la especificación de *c .

Mesa 6—*Elasto-*Piezo-Matrices Dieléctricas para Derechos- y Cuarzo Zurdo

NOTA — La matriz *e*t es el *transpose del piezoeléctrico matricial *e.

Paréntesis alrededor de un 1 y un 2 en columnas para identificación axial (clases tetragonales y cúbicas)


indica que el señalamiento es arbitrario como al cual de el dos *crystallographic las hachas perpendiculares a
*c (*Z) será X. Paréntesis alrededor de un 1 (hexagonal y trigonal) indica que cualquiera de el tres unas hachas
pueden ser tomadas como X. Excepto clase 2*m, cualquier elección de sentido puede ser hecha para el *Z eje,
después de nombrar el X eje, y la elección no afectará los signos de las constantes. La restricción única es
que el sistema axial será diestro. En dos clases tetragonales (422 y 4/ *m 2/ *m 2/*m) y tres clases cúbicas (432,
2/*m , y 4/ *m 2/*m) esta elección es trivial en el sentido que los signos, valores, y #puesto matriciales de
elásticos, dieléctrico, o las constantes piezoeléctricas son de ningún modo afectadas así. Estos cinco clases
están designadas por un asterisco (*) en la columna para +/ hachas.

Algunos *nonpiezoelectric clases de cristal (1, 2/*m, 4/*m, 3, y 3 2/*m) tiene constantes elásticas seguras cuyos
signos dependen a elección de sentido positivo para las hachas. Ninguna convención está establecida aquí para
una elección única de sentido positivo en estos casos.
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La columna encabezó “+/ las hachas” indica clases para qué el sentido de el eje está escogido tal aquello las
constantes piezoeléctricas dadas son positivas.

La NOTA — Ve nota en 3.2.2.

Dónde dos hachas están listadas, la elección de el tercer eje es tal que unos resultados de sistema diestros.
Dónde sólo uno axial está listado, el otros pueden ser escogidos arbitrariamente tal que un sistema diestro
está obtenido.

3.3.2 Tratamiento de *Enantiomorphous Formas

En las once clases de cristal (grupos de punto) teniendo ningún centro de *inversion o plano de simetría, dos
tipos diferentes de la misma especie pueden existir. Cada tipo es la imagen de espejo de el otro, ni el tipo
puede ser hecho para mirar exactamente como el otro por una rotación sencilla. Si el cristal derecho tiene hachas
rectangulares diestras, las hachas de el cristal izquierdo entonces parecerá zurdo. Aun así, es estándar
*crystallographic práctica para utilizar sistemas axiales diestros para todos los cristales, si derechos- o zurdos.
Esta convención está adoptada en el nivel presente para *piezoelectricity. Bajo esta convención, la forma
zurda tendría que ser considerada como el *crystallographic *inversion de la forma diestra, más que su imagen
de espejo.

Mesa 7—*Elasto-*Piezo-Matriz Dieléctrica para Cuarzo Diestro (*YXwl) 22.4/33.88


NOTA — Para cuarzo zurdo, *c*E y *S es


completamente sin cambios; todo *e los plazos están revocados en
signo.

NOTA — El *inversion la operación consta de mover cada punto a el negativo de su #puesto presente con respetar a un
punto *P llamó el centro de *inversion. Un *inversion es equivalente a una rotación de 180 grados sobre cualquier
eje a través de *P seguido por reflejo en una perpendicular de espejo a este eje de rotación en el punto *P.

Las once clases (grupos de punto) que el permiso tampoco derecho- o las formas zurdas son triclínicas
1, monoclínicos 2, *orthorhombic 222, tetragonales 4 y 422, trigonales 3 y 32, hexagonales 6 y 622, y cúbicos 23
y 432. Todo pero 432 es piezoeléctrico. Todo once está incluido entre el quince *optically clases activas.

Los signos de todas las constantes elásticas son igual para izquierdos- y cristales diestros. Todo constantes
piezoeléctricas, aun así, tiene signos opuestos para izquierdos- y cristales diestros.

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En aquellas clases en qué *enantiomorphous las formas existen, las reglas siguientes identifican la forma
diestra para cristales transparentes:

1) Clase *l. Rotación derecha de ligero *propag*ating a lo largo del *optic eje más casi paralelo a *Z .
2) Clase 2. Rotación derecha de ligero propagando a lo largo del *optic eje más casi paralelo a *Y .
3) Clase 222. Rotación derecha de ligero propagando a lo largo de cualquier *optic eje.
4) Clases 3, 32, 6, 4, 422. Rotación derecha de ligero propagando a lo largo del *Z eje.
5) Clases 432, 23. Rotación derecha de ligero propagando en cualquier dirección.

NOTA — Este nivel asume que zurdo es sinónimo con izquierdo-*rotating (*levorotatory) actividad óptica. Esto no puede ser el
caso con todo *enantiomorphous cristales, y por eso remisión a “*dextrorotatory” y “*levorotatory” sería más
riguroso que “diestro” y “zurdo.”.

Rotación derecha de ligero ocurre si los avances de vector de la polarización en la dirección de un tornillo
zurdo. Esto significa que en un *polariscope el *analyzer tendría que ser girado en el sentido de las agujas del
reloj para mantener la oscuridad de campo si el grosor de el cristal estuvo aumentado. Esto estuvo descrito con
más detalle en 3.2.5.1 cuál define las hachas de cuarzo..

3.4 *Elasto-*Piezo-Matrices dieléctricas para Todas Clases de Cristal

Una presentación simplificada de el *elasto-*piezo-matriz dieléctrica para todo siete sistemas de cristal y 32
clases, utilizando ambos internacionales [*B4] (*Hermann-*Mauguin es) y *Schoenflies' notación (el último en
paréntesis), está asomado en Mesa 8. El sistema tetragonal y el sistema trigonal están divididos a dos grupos
designaron como (un) y (*b). Para el sistema tetragonal IV(*b), *s16 *equals cero; para el sistema trigonal V(*b),
*s25 *equals cero. Las 20 variedades de constantes piezoeléctricas reducen a 16 variedades independientes,
desde las operaciones de simetría para *n = 4 o *n = 6 tiene el mismo efecto en la variedad piezoeléctrica y
las variedades para clases 23 y 3 *m es idéntico. El arreglo de las clases en Mesa 8 es de acuerdo con práctica
aceptada generalmente. Los números en el lado derecho de cada variedad indica, de superior a fondo, el
número de el independiente elástico, piezoeléctrico, y constantes dieléctricas.

El tipo de simetría de polarizado materiales cerámicos policristalinos, como bario *titanate o ventaja *titanate
*zirconate cerámica, está asociado con el *crystallographic clase 6*mm de el sistema de cristal hexagonal con
relación a todas aquellas haciendas físicas que está descrito por tensores de filas hasta cuatro y cuáles
incluyen dieléctricos, piezoeléctricos, y fenómenos elásticos.

Las ecuaciones de estatales utilizados para describir los fenómenos piezoeléctricos pueden ser escritos en las
formas análogas a aquellos utilizados para describir fenómenos piezoeléctricos [*B7]. *Piezomagnetism No es
considerado en este nivel exceptúa para notar aquí que el *piezomagnetic las matrices para clases de cristal
magnéticas concretas pueden no, como regla general, ser determinado de las matrices piezoeléctricas
presentaron en este nivel. Ve IEEE *Std 319-1971 [8]. Aun así, para los casos importantes de *poled
*piezomagnetic y materiales cerámicos piezoeléctricos, las matrices de el eficaces elásticos, *piezomagnetic, y
coeficientes de permeabilidad para *piezomagnetic la cerámica es similar en formar a las matrices de el
eficaces elásticos, piezoeléctricos, y coeficientes dieléctricos para cerámica piezoeléctrica.

Mesa 9 cristal de listas clases según ocurrencia de *piezoelectricity, *pyroelectricity, actividad óptica, y
*enantiomorphism.

3.5 Uso de Medidas Piezoeléctricas Estáticas para Establecer Cristal Sentido Axial

Las reglas para identificación de sentido positivo en el ortogonal X, *Y, *Z las hachas son *summarized en 3.2 y
3.3. Para el primer eje para ser identificado, un signo positivo está requerido para el primer un de las
constantes siguientes que no desaparece : *d33, *d11, *d22, *d36, *d31. Un segundo eje es entonces identificado
como a el sentido por aplicar la regla a el próximo *d constante en el grupo, si cualquiera, el cual no
desaparece . Finalmente el último eje está escogido tal que unos resultados de sistema diestros. Con
cristales que es *enantiomorphic, la regla está aplicada tan declarada a un cristal diestro; para cristales zurdos la
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regla lee “negativa” más
*PIEZOELECTRICITY que “positivo” con remisión a las constantes piezoeléctricas. 1987

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Un valor positivo de *d 33 significa inequívocamente que tensión (cumplido por emisión de compresión) paralelo a
el *Z el eje causará una diferencia potencial para ser generada con su terminal positiva en el +*Z cara, aquello
es, la cara hacia qué +*Z puntos de dentro del cristal. La situación con *d 11 y *d 22 es idéntico con remisión
a + X y + *Y, respectivamente. Con *d 36 la regla es que +*Z acaece positivo cuándo un *tensile el estrés está
aplicado a lo largo de una línea 45 grados entre +X y + *Y. Con *d 31 prórroga paralela a #X causas +*Z para
acaecer positivo.

La NOTA — Ve nota en 3.2.2.

Sólo con clase triclínica 1 y clase monoclínica *m los cristales es necesarios de especificar eficazmente
medida de circuito a escaso. Con todas otras clases una medida de circuito abierto puede ser utilizada
también. Para la medida de circuito corto un grande lineal *capacitor, aquello es, con *capacitance al menos
100 tiempo que de el espécimen de prueba, tendría que ser conectado a través de un voltímetro de
impedancia alta (preferentemente un electrómetro electrónico) en paralelo con el espécimen de prueba. El
espécimen tendría que tener electrodos de metal depositaron en las caras a qué una diferencia potencial está
desarrollada por el estrés.

El espécimen tendría que ser de tal forma que un unidimensional *compressive el estrés puede ser
aplicado. Para afecciones estáticas y el paralelos *d constantes (*d33, *d11, *d22) esto significa que la dimensión
lateral más grande en el *electroded la cara no tendría que ser más de aproximadamente cinco tiempo como
sumo como el grosor. Si el espécimen es un plato cuadrado con borde aproximadamente dos veces el grosor,
entonces la afección mecánica será una virtualmente libre de constreñimiento lateral, y con un grande paralelo
*capacitor todos los componentes de perpendicular de campo eléctrico a el plato será virtualmente cero.
Para *d 36, una barra *elongated en una dirección 45 grados entre +X y + *Y y con el grosor paralelo a *Z
está escogido. Bajo estas afecciones frontera mecánica y eléctrica las afecciones están satisfechas. El +*Z la cara
acaece positiva encima emisión de el *compressive el estrés aplicó paralelo a la #periodo de la barra. La elección
de + X y + *Y forma un sistema diestro. Para *d 31 una barra *elongated en la X dirección y con el grosor paralelo
a *Z está escogido. El +*Z la cara acaece positiva encima emisión de *compressive el estrés aplicó paralelo a
la #periodo de la barra. El potencial generado a través de el *capacitor es positivo en el terminal conectado en
el fin positivo de el eje a emisión de compresión, negativo a compresión.

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Mesa 8—*Elasto-*Piezo-Matrices Dieléctricas para las 32 Clases de Cristal*

*Los números en el lado derecho de cada esquema indica, de superior a fondo, los números de el independientes
elásticos, piezoeléctricos, y constantes dieléctricas.

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Mesa 9—Ocurrencia de *Piezoelectricity, *Pyroelectricity, Actividad Óptica, y *Enantiomorphism


Crystal Clases *Pyroelectri Clases con Clases con
Sistem piezoeléctr c Clases Actividad *Enantiomorphis
a icas Óptica* m.
Triclínico 1 1 1 1

Monoclínico 2, *m 2, *m 2, *m 2

*Orthorhombic 222, *mm2 *mm2 222, *mm2 222

Tetragonal 4, 4, 422 4, 4, 422 4, 422


4*mm, 42*m 4*mm 4, 42*m

Trigonal 3, 32, 3*m 3, 3*m 3, 32 3, 32

Hexagonal 6, 6, 622 6, 6, 622 6, 622


6*mm, 6*m 6*mm
2
Cúbico 23, 43*m Ningun 23, 432 23, 432
o
*El punto agrupa que puede tener *nonzero componentes de el *gyration tensor [*B8] está definido como
*optically activo. Aun así, para *uniaxial materiales sólo aquel punto agrupa aquello deja *enantiomorphism
puede exhibir rotación óptica de polarizado ligero propagando a lo largo del *optic eje. Esto afecta
clases únicas 4 y 42 *m.

La NOTA — Ve nota en 3.2.2.

El cuidado tiene que ser tomado no para ser confundido por *pyroelectric los cargos generaron por drift de
temperatura con cristales polares. Si el *compressive el estrés está aplicado, estabilizado a una afección
casi neutra, y entonces liberado bastante de repente, *piezoelectrically generó los cargos normalmente lejos
superan *pyroelectrically generó cargos. El cuidado también tiene que ser tomado para aplicar un estrés tan casi
paralelo a el eje deseado como posible. Por tanto afronta perpendicular a este eje preferentemente tendría
que ser plano y paralelo..

3.6 Sistema de Notación para Designar la Orientación de Platos y Barras Cristalinos

3.6.1 General

Un plato de cristal cortado de un solo-el cristal que empieza el material puede tener un pariente de
orientación arbitrario a el tres cristal ortogonal hachas X, *Y, y *Z . El símbolo rotacional proporciona una manera
en qué el plato de orientación arbitraria puede ser especificado. Los usos de símbolo rotacionales como empezar
remisión uno de tres platos hipotéticos con grosor a lo largo de X, *Y, o *Z , y entonces lleva este plato a través de
rotaciones sucesivas aproximadamente hachas de coordenada, fijados en el plato de remisión, para lograr la
orientación final.

Desde los platos rectangulares son frecuentemente utilizados, los símbolos *l, *w, y *t denotar la #periodo, ancho, y
grosor de el plato; utilizamos la notación *l, *w, *t para denotar las hachas de coordenada ortogonales fijadas en
el plato de remisión. El símbolo rotacional está definido por la convención que la primera letra (X, *Y, o *Z ) indica
la dirección principal inicial de el grosor de el plato hipotético y la segunda letra (X, *Y, o *Z ) indica la
dirección principal inicial de la #periodo de el plato hipotético. Las letras restantes del símbolo rotacional
indican los bordes sucesivos de el plato hipotético utilizaron rotación tan sucesiva hachas. Por ello la tercera letra
(*l, *w, o *t ) denota cuál de la tres coordenada ortogonal las hachas en el plato hipotético es el eje de la primera
rotación, la cuarta letra (*l, *w, o *t ) el eje de la segunda rotación, el la quinta letra (*l, *w, o *t ) el eje de
tercera rotación. Consiguientemente, si un sufijos de rotación para describir la orientación final de el plato,
hay sólo tres letras en el símbolo, y si dos rotaciones bastan, hay cuatro letras en el símbolo. Claramente, no más
de cinco letras son nunca necesitadas para especificar la orientación más general de un pariente de plato a las
hachas de cristal mediante el símbolo rotacional. El símbolo está seguido por una lista de ángulos de rotación ,
, , cada ángulo que corresponde a las hachas de rotación sucesivas en orden. La especificación de ángulos
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de rotación negativa consta de la magnitud de el ángulo precedido por un signo negativo. Un ángulo es positivo si
la rotación es *counterclockwise mirando abajo el fin positivo de el eje hacia el origen. Por ello un ejemplo de el
símbolo rotacional para el tipo más general de rotación podría ser

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(*YXlw*t) //

Cuál significa que inicialmente el grosor y la #periodo de el plato hipotético es a lo largo del *Y y #X hachas,
respectivamente, la primera rotación de cantidad  es sobre el *l eje, la segunda rotación de cantidad 
sobre el *w eje, y la tercera rotación de cantidad  sobre el *t eje. Como ejemplo concreto, considerar el
siguiente:

(*YZtwl)30/15/40,

*t = 0.80, *l = 40.0, *w = 9.03 *mm

Esto es una especificación para un plato cuyo grosor era inicialmente escogido a lo largo del *Y eje y la #periodo
a lo largo del *Z eje. El plato era entonces *rotated exitosamente 30 sobre su grosor, 15 sobre su ancho, y
40  sobre su #periodo. Una declaración de la magnitud de *t, *l, *w completa la especificación para un plato
prescrito o barra. Si el plato final o la barra es otro que rectangular (aquello es, ronda o irregularmente *shaped),
entonces el *l y *w las hachas tienen que ser dadas como hachas ortogonales definidas concretas en el plano de
el plato, al menos uno de los cuales tienen que ser notados en el plato real. Si el plato es cuadrado, uno axial en
el plano de el plato es específicamente identificado como *l y el otro tan *w .

3.6.2 *Nonrotated Platos

Cifra 2 espectáculos dos ejemplos de *nonrotated cortes. Nota que sólo dos letras están necesitadas en el
símbolo rotacional. Prácticamente todo el generalmente utilizado *flexural y *extensional modo (excepto el
*NT-cortado) resonadores de cuarzo pueden ser obtenidos por una rotación sola de el (*XY) plato.
Prácticamente todo el grosor generalmente utilizado y cara-*shear resonadores de cuarzo del modo pueden ser
obtenidos por una rotación sola de el (*YZ) plato.

3.6.3 *Singly *Rotated Platos

Prácticamente todo del generalmente-utilizado *flexural y *extensional modo (excepto el *NT-cortado)


resonadores de cuarzo pueden ser obtenidos por una rotación sola de el (*XY) plato. Prácticamente todo el
grosor generalmente utilizado-*shear y cara-*shear modo (excepto el *SC-cortado) resonadores de cuarzo
pueden ser obtenidos por una rotación sola de el (*YZ) plato. Cifra 3 espectáculos un ejemplo de un *singly
*rotated plato, en este caso el generalmente sabido EN cortado. (De hecho, el EN cortado representa una familia
de cortes donde el valor preciso de el ángulo  varía por tanto como 1, de según qué los detalles de el
empezando materiales y la aplicación concreta.) En Higo 3, el plato tiene su #periodo a lo largo del *digonal
(o X ) eje y tiene el símbolo rotacional (*YXl) 35. Un *BT-plato de cuarzo cortado con su #periodo a lo largo
del *digonal el eje tiene el símbolo rotacional (*YXl) 49. Un ejemplo de este corte está asomado en Higo 4.

3.6.4 Doblemente *Rotated Platos

Cifra 5 espectáculos un ejemplo de un doblemente *rotated plato, en este caso el *GT corte. El símbolo
rotacional tiene cuatro letras siguieron por dos ángulos y está dado por (*YXlt) 51/45. Otro ejemplo de un
doblemente *rotated el corte está dado en Higo 6, el cual asoma un *SC corte. En este caso, el símbolo
rotacional que suele especificar el corte es (*YXwl) 22.4/33.88. Como en el caso de el EN cortado, el *SC
corte como asomado aquí de hecho representa una familia de cortes donde las gamas en los ángulos
Y es 2 en  y 1 en , otra vez de según qué el empezando material y la aplicación concreta.

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Cifra 2—Ejemplos de *Nonrotated Platos

Cifra 3—Ilustración de un EN-Plato de Cuarzo Cortado Habiendo la Notación (*YXl) 35




Cifra 4—Ilustración de un *BT-Plato de Cuarzo Cortado Habiendo la Notación (*YXl) 49

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Cifra 5—Ilustración de un Doblemente *Rotated Plato de Cuarzo, el *GT
Corte, Habiendo la Notación (*YXlt)51/45


Cifra 6—Ilustración de un Doblemente-*Rotated Plato de Cuarzo, el *SC Corte, Habiendo la Notación
(*YXwl) 22.4/33.88

3.6.5 *Triply *Rotated Cortes

Mientras ningún *triply *rotated las barras o los platos han encontrado aplicaciones sustanciales, el símbolo
rotacional proporciona para su uso, y la especificación puede ser derivada por una prórroga de los
métodos ilustró.

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4. Ondulatorio y Teoría de Vibración

4.1 General

Aquellos interesados en medidas de laboratorio sólo pueden omitir esta sección. Aun así, esta sección
contiene muchos *cautionary declaraciones y está requerido para la descripción de vibradores de grosor seguro
y *extensional y resonadores cilíndricos.

Esta sección considera firme-estatal propagando y estando-soluciones ondulatorias del sistema de ecuaciones
presentó en Sección 2. Estas soluciones son fácilmente asequibles, proporciona mucha información valiosa, y
formar la base para muchos de las ecuaciones utilizaron en conexión con las medidas en Sección 6.. En
particular, plano-soluciones ondulatorias para el arbitrariamente anisótropos, el medio piezoeléctrico infinito
está presentado, y, como ejemplos de la teoría general, está especializado a los casos de propagación a lo
largo de una dirección principal particular para el cristal un poco similar clases 32 y 3 *m. El, las diferencias en las
características de propagación están habladas para la dirección principal particular considerada en los dos
cristales. Las soluciones para las frecuencias de resonancia y *antiresonance para las vibraciones de grosor
de un plato piezoeléctrico arbitrariamente anisótropo conducido por electrodos en cualquier el importantes
(grosor- excitación) o menor (lateral-excitación) las superficies de el plato están presentadas. En el caso
de excitación de grosor de vibraciones de grosor la solución general está aplicada a los casos especiales de *Y
-cortar platos en las clases de cristal 32 y 3 *m, y está asomado que a pesar de que un solo piezoeléctrico
*coupling el factor puede ser definido para el *Y corte de clase de cristal 32, uno no puede ser definido para el
*Y corte de clase de cristal 3*m. La ecuación de frecuencia para las resonancias de grosor debajo
excitación de grosor en el caso anisótropo general está asomada para simplificar considerablemente cuándo el
piezoeléctrico *coupling es pequeño.

Las ecuaciones aproximadas para el bajos-frecuencia *extensional moción de las cañas piezoeléctricas
anisótropas de sección de cruz rectangular están presentadas. El tres diferente posible *placements de conducir los
electrodos en superficies rectangulares enteras están hablados. Las soluciones para las frecuencias de resonancia
y *antiresonance de el *extensional los modos de las cañas están presentados para cada de los tres casos. Las
ecuaciones aproximadas pertinentes para el bajos-frecuencia moción radial de platos circulares delgados en clase
de cristal C3, o las subclases C3, C6, C6, con el plenamente *electroded las superficies circulares normales a el
tres- o *sixfold las hachas están presentadas. La solución para las frecuencias de resonancia y *antiresonance de
los modos radiales de el plato circular delgado están presentados.

4.2 Olas de Plano piezoeléctrico

Para plano-propagación ondulatoria en el medio infinito, *Eq 20 y *Eq 21 puede ser combinado para dar ([*B2],
*Eq 9.51)

 *v
*jk *k =
* *vv *u̇˙*j (46)
u

Dónde
*v = *c *E *n *n + n *n *e *n *n   *S *n *n
*e
*jk *ijkl *i *mij *m *i *lnk *l *rs *r *s
*l *n
= *c*vjkv (47)

Denota el *piezoelectrically agarrotó constantes elásticas para plano-propagación ondulatoria en la dirección *n*i,
donde  = *n*i*x *i denota la magnitud de #periodo en la dirección de propagación y *n *i los componentes de la
unidad pariente normal ondulatorio a las hachas de cristal, y la convención que un índice griego repetido no es
para ser *summed ha sido adoptado. Cuándo el segundo plazo en *Eq 47 desaparece, la constante elástica
está dicha para ser *unstiffened.

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Firme-plano estatal-soluciones ondulatorias de *Eq 46 


puede ser escrito 

*u*j = Un *e *i x̂* *v –  (48)

*j

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Dónde Un *j representa la amplitud de cada componente de cubicaje. De *Eqs 46 y 48 las tres velocidades
ondulatorias para la dirección *n*i puede ser encontrado de el tres asumido-positivo *eigen-valores (*n) de

*v
*j
– *c*n  *jk = 0
k (49)

Mediante la relación

*c*n = *n = 1 2 3 (50)
*n2

Las direcciones de cubicaje de las tres olas son ortogonales debido a la simetría de *v
*j . Aun así, en general,
las tres olas tienen vectores de cubicaje que es tampoco paralelo ni perpendicular k a la dirección de
propagación. No obstante, para direcciones especiales seguras en los cristales que poseen alguna simetría, puede
haber un longitudinal y dos olas transversales o uno ola transversal y dos olas mixtas. Estos puramente olas
longitudinales o puramente transversales, los cuales propagan a lo largo de direcciones de simetría segura, es
frecuentemente de valor práctico significativo. Como ejemplos de el *foregoing tratamiento general, una
dirección de propagación concreta en ambos cuarzo (clase 32) y litio *niobate (clase 3*m), los cuales tienen
algunos similares y algunos características diferentes, está tratado en esta sección.

Las variedades de constantes refirieron a las hachas de cristal [*XYZ], los cuales en esta sección están
denotados por (*x1, *x2, *x3) para un cristal en clase 32, puede ser obtenido de Mesa 8. Para propagación en
el *x2 dirección, *Eq 49 toma la forma

*c2112 – 0 0
*c – *c *E = 0 (51)
*c *E *c
0 2222 2232
0
*E
*c *c *E –
*c
2232 2332
Dónde, de *Eq 47,
*e 2
 2
221
*c = = *c *E + ---------
2112 11 2112
*S22
(52)

Es el *piezoelectrically agarrotó constante elástica para propagación en la dirección *n*i = *i2 para cristales en
clase 32. *Eq 51 espectáculos que en este caso hay uno agarrotó piezoeléctrico *shear ola y dos olas puramente
elásticas, cada cual del cual tiene componentes del cubicaje mecánico normal y transversal a la dirección de
propagación..

Las variedades de constantes refirieron a las hachas de cristal para materiales en clase de cristal 3*m puede ser
obtenido de Mesa 8. Para propagación en el *x2 dirección, *Eq 49 toma la forma
*E

* 2112
– 0 0 
c
0
*c *c2222 – *c2232 = 0 (53)
*c *c2332 –
0
*c2232 *c
Dónde el *piezoelectrically agarrotó constantes elásticas C2*jk2
*j =  2 puede ser determinado de *Eq 47 en la
k
misma manera como *Eq 52. *Eq 53 espectáculos que en este caso hay uno *unstiffened puramente elástico
*shear ola y dos agarrotó piezoeléctrico agita cuáles han *coupled mociones longitudinales y transversales..

En la misma manera, *Eq 49 puede soler encontrar el plano-haciendas de propagación ondulatoria para
cualquier orientación en cualquier cristal piezoeléctrico.

4.3 Excitación de grosor de Vibraciones de Grosor


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NOTA — Estos tratos de sección sólo con el *lossless resonador. En este caso la fase de el *admittance o la impedancia es
siempre
/2. La frecuencia generalmente identificada como la frecuencia de resonancia es el más bajo de
el par de frecuencias críticas identificó en este nivel como *f 1 y *f 2. La frecuencia crítica más baja *f1
está definido como la frecuencia de máximo *admittance (*Y = *i para el *lossless resonador). La
frecuencia crítica superior *f2 está definido como el

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Frecuencia de impedancia máxima (*Z = *i para el *lossless resonador) y en esta sección, así
como encomún práctica, esto se apellidará el *antiresonance frecuencia. Estas definiciones suelen
evita confusión con las definiciones de IEEE *Std 177-1978 [5]. En Sección 6., El cual trata medidas
en materiales reales, está explicado que *f1 corresponde a *f *s y, bajo afecciones seguras, *f2
corresponde a *f *p.

Cifra 7—Excitación de Grosor de un Plato

Un esquema esquemático de el plato piezoeléctrico está asomado en Higo 7. El plato anisótropo de grosor *t
está conducido por la aplicación de un *ac *v*oltage a través de electrodos de grosor *t en el importante
*sur*fases, y las otras dimensiones son suficientemente más grandes que *t que las afecciones de frontera en
las superficies menores pueden ser ignoradas [*B9]. Las frecuencias de resonancia están dadas por las
raíces de el *determinantal ecuación ([*B2], *Eq 9.69, y Capítulo 16, Sección 3.)

*k*n *v
*jk
*n *cos *n (54)

 *e *mij *n *m *n*i *e *lnk *n *l *n*n


– -----------------------------------------
  *S *n *n
*rs *r *s

+ *Rc*n  Pecado  *n = 0
*jk
2*n2   

Dónde el  *n
* es los componentes de la unidad *eigenvectors asoció con cada *eigenvalue (*n) de *Eq 49
para la dirección
k *x, y
*t *n *n 1  2 2'*t'
 = -----  =   *c  , *R = ----------
2 *t (55)

Y es la densidad de el material de plato,  el electrodo *densit*y, y el circular *frequen*c*y.

La cantidad *R es una consecuencia de la inercia de el electrodo *plating. *Eq 54 es un 3  3 determinante


trascendental, cada plazo del cual es muy complicado. *Eq 54 puede ser puesto en un más sencillo, forma más
compacta, el cual es útil para muchos propósitos, y resultados directamente de la expresión para el eléctrico
*admittance (*Y = yo/V) de el cristal oscilante. Para V = V*o*e*i, el *admittance está dado por
+ *i*S Un
22
*Y = ----------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------
- *
3
t
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1 –  *k *m  2  *m  –1 *cot *m – (56)

*R *m  –1
*m=
1

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Dónde Un es el área de uno *electroded superficie del plato, y

*m  *S *n *n 1  2
*k*m = *m *n *n  *c
*e *j *lij *l *rs *r *s
*i (57)

De *Eq 56 las frecuencias de resonancia de el plato de cristal oscilante están dadas por las raíces de la
ecuación trascendental ([*B2], *Eq 9.77)
3
*m

*k
1–  ---------------------------------------------------------------------
2 =0
(58)
*m *cot *m – *R*m
*m=1

Tenga que ser notado que *Eqs 54, 56, y 58 es válido sólo cuándo el grosor de el electrodo es mucho
menos que una longitud de onda, los cuales condicionan puede ser escrito en la forma

*t << *t/(*n)

Cualquier *Eq 54 o *Eq 58 *sh*o*w*s que, en general, todo tres plano-*wun*v*e solución*s para la dirección *x̂*v ,
hablado en 4.2, es
*coupled Por las afecciones de frontera en las superficies de dirigir de el plato en resonancia. No obstante, para
seguro
Orientaciones de platos de cristal con simetrías seguras, simplificaciones importantes en *Eqs 54 y 58
resultado.

Cuándo la inercia de electrodo es insignificante (*R0), el *admittance, *Eq 56, para un cristal arbitrariamente
anisótropo resonador (con sus superficies importantes *electroded) se acerca cero para

*cos *n = *n = 1 2 3 (59)


0

Qué así define el *antiresonance frecuencia *f2:


*m * 
*f 2 = ---- *c
n *n = 1 2 3 *m
2*t -------- extraño (60)


En aquella afección allí es no *coupling entre el tres plano diferente-soluciones ondulatorias para la dirección .
*Eq 60 también sirve como frecuentemente aproximación útil para la frecuencia de resonancia *f1 en cualquier
*overtone, para materiales con pequeños *k, e incluso para materiales con grandes *k en más altos (7)
*overtones, dónde  es muy grande. Finalmente, aun así, un punto está logrado allende qué la inercia de
electrodo *R es ya no insignificante, y las relaciones 59 y 60 es ya no válido. Más*o *v*e*r, si el *o *v*ertones es
*su *f*ficientl*y alto que el *w un*v*elength es del orden , *e*v*en *Eqs 54, 56, y 58 cesa para ser válido.

Como ejemplos de el *foregoing tratamiento general, una orientación concreta de ambos un plato de cuarzo
(clase 32) y un plato de litio *niobate (clase 3*m) está tratado en esta sección. En el caso de *Y-cuarzo
cortado, los resultados de simetría en una simplificación importante de *Eqs 54 y 58 mientras en el caso de
*Y -litio cortado *niobate la simetría no resulta en una simplificación importante de *Eqs 54 y 58. En ambos
casos, la influencia de inercia de electrodo está ignorada—aquello es, *R está asumido para desaparecer.

La orientación de las hachas de cristal de un cristal en clase 32 con respetar a las hachas de coordenada es el
mismo tan en 4.2. Para *Y—cuarzo de corte, el *electroded las superficies de el plato son normales a el *x2
dirección,  = 2,* y como consecuencia de la forma de *Eq 51  *n no es diagonal. No obstante, desde los
j
plazos fuera diagonales afectan sólo puramente plazos elásticos, *Eq 58 cosechas la ecuación trascendental

Bronceado 1 = 26 (61)


1  *k 2
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En *Eq 61, *k26 es el grosor-*shear piezoeléctrico *coupling factor para un *Y corte del material y está dado
por

*S 1  2
*k26 = *e221  211222 (62)
*c

Además de *Eq 61, *Eq 54 cosechas las dos ecuaciones trascendentales

*cos *n = *n = 2 3 (63)


0

Cuáles rigen dos conjuntos de puramente modos elásticos que no puede ser conducido eléctricamente por una
excitación de grosor perfecta, y no es contenido en el *admittance relación *Eq 56 porque *Eq 56 automáticamente
excluye modos *undriven eléctricamente. La ecuación trascendental (*Eq 61) rige el conjunto de grosor
piezoeléctrico-*shear modos qué está conducido eléctricamente por una excitación de grosor perfecta. La forma
de *Eq 61 espectáculos que las frecuencias de resonancia no son múltiplos integrales del fundamentales
[*B10].

Litio *niobate, litio *tantalate, y la turmalina es entre los cristales en clase 3*m. La orientación de las hachas
principales de un cristal en clase 3*m con respetar a las hachas de coordenada es el mismo tan en 4.2. Para un *Y
cortado el *electroded las superficies de el plato son normales a el *x2 dirección,  = 2, y como
* consecuencia
de la forma de *Eq 53,  *n no es diagonal. En este caso los plazos fuera j diagonales afectan
*piezoelectrically agarrotó plazos y, como consecuencia, *Eq 58 cosechas la ecuación trascendental
2 3
2 2 bronceado  3 2 bronceado 
*k  ----------------------+  ----------------------= 1
*k 3
2 (64)

Dónd
e  +  *n *e 2
*n*e
*k *n  2 = -------------------------------------------------------
2 222 3 223

-
*n *S (65)
*c 22

Además de *Eq 64, *Eq 54 cosechas la ecuación trascendental

*cos 1 = 0 (66)

Cuál rige un conjunto de puramente grosor elástico-*shear modos que no puede ser conducido eléctricamente
por una excitación de grosor pura, y no es contenido en el *admittance relación *Eq 56. La ecuación
trascendental (*Eq 64) rige el conjunto de piezoeléctrico *coupled *shear y *extensional modos qué está conducido
eléctricamente por una excitación de grosor perfecta. *Eq 64 contiene dos *dimensionless coeficientes
materiales *k(2) y *k (3), así asomando que el dos *piezoelectrically agarrotó estar las olas son *coupled en las
superficies de dirigir para esta orientación principal del plato de cristal. Aun así, a pesar de que los modos más
bajos tienen que ser determinados analíticamente de las raíces de *Eq 64, el altos *overtones (séptimo y
más altos) es esencialmente elástico y puede ser determinado de las raíces de *Eq 59. Además, para bajo
*coupling materiales, *Eq 64 normalmente puede ser aproximado por
*m
*m 2 bronceado 
*k  ----------------------- 1 *m = 2 3
*m
(67)

A no ser que las constantes materiales son tal que (2) no es muy diferente de (3), o aguantan algunos relación
inusual a cada cual otro. Además, para alto *coupling materiales, las constantes materiales pueden ser tal que
puede haber unas cuantas orientaciones para qué *Eq 64 puede ser aproximado por *Eq 67. Aun así, tales
orientaciones son más encontradas analíticamente después de las constantes materiales fundamentales están
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determinadas de medidas apropiadas [*B11]. En cualquier caso el *k(*m) no es combinaciones sencillas de las
constantes materiales como es *k26 en *Eq 62, pero está dado por la combinación complicada de las constantes
materiales asomadas en *Eq 65.

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Cuándo la ecuación trascendental (*Eq 54) factores a tres partes separadas, como aquellos asomados en *Eqs
61 y 63 (dónde inercia de electrodo está ignorada), e inercia de electrodo está incluida, la ecuación trascendental
que rige el conjunto de modos de grosor piezoeléctrico puede ser escrito en la forma ([*B2], Capítulo 16,
Sección 3.)


Bronceado 1 = 26
+ *R 2
(68)
1  *k 2 12

En sitio de la forma asomada en *Eq 61. Una ecuación similar a *Eq 68 controles en todos otros casos análogos
hablados en esta sección.

Cuándo el piezoeléctrico *coupling *i Es pequeño, aquello es, *k*iq « 1, así como la inercia de electrodo,
factor *k 2 q aquello es, *R « 1, y
*Eq 68 es válido, podemos escribir ([*B2], Capítulo 16, Sección 3.)
4*k *n 12
21    *c 
*f
*i q* = ---- 1 – *R – ------- --------
---
1 2*t  2    
(69)

Para valores particulares de *i y *q. De *Eq 69 para la frecuencia de resonancia *f1 y la afección para
*antiresonance, *Eq 60, la diferencia en frecuencia *f entre el más bajo *antiresonance y la resonancia
está dada por
4*k *n 12
21    *c 
*f
*i q*
= ---- *R + ------- --------
---
2*t  2    
(70)

Para pequeño
*i *k 2 y *R .
q

En la misma manera, *Eq 58 puede soler encontrar las vibraciones de grosor de cualquier orientación de
cualquier grosor plato de cristal entusiasmado.

4.4 Excitación lateral de Vibraciones de Grosor

Un esquema esquemático de el plato piezoeléctrico está asomado en Higo 8. El plato anisótropo de grosor *t
está conducido por la aplicación de un *ac voltaje a través de electrodos encima un par de superficies menores,
los cuales están tomados normales a . La #periodo y el ancho a proporciones de grosor es suficientemente
grande que las afecciones de frontera en las superficies menores pueden ser ignoradas [*B9], y la solución
obtenida para las regiones distantes de las superficies menores. Para este caso el eléctrico *admittance por
ancho de unidad está dado por

3
*Y = +*i*t 
*l*
*v
v
*n2*n–1bronceado (71)
*n + 1
*n=1
Dónde

*nk* *e *v k*


* 2
 *n  2 = --------------------------- , *n = 1 2 (72)
3
*c*n *

*vk
Y *
*
e
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= *e*vk  *S
*e *v *v
– ---*v---*k------
----- (73)
*S
* 
v
v
 *S 2
 *v
* = * – ------ -- -----
S -
  *S
*vv

Y el *n* es los componentes de la unidad *eigenvectors asoció con cada *eigenvalue *c(*n) de
k

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Cifra 8—Excitación Lateral de un Plato

*Eq 49 para la dirección *x,  y está definido en *Eq 55, y el campo de conducción entre los electrodos ha sido
uniforme asumido. De *Eq 71 las frecuencias de resonancia están dadas por las raíces de la ecuación
trascendental

*cos *n = *n = 1 2 3 (74)


0

Y las frecuencias de resonancia pueden ser determinadas de la relación


*m * 
*f 1 = ---- *c
n *n = 1 2 3, *m
2*t -------- extraño (75)


Así cuándo las superficies importantes son *nonconducting, el piezoeléctricos estando-soluciones


ondulatorias de las ecuaciones diferenciales no son *coupled en resonancia de grosor.

De *Eq 71 el *antiresonance frecuencias (*Y = 0) para la excitación lateral de vibraciones de grosor está dada por
las raíces de la ecuación trascendental

3
Broncea
do *n = –1 (76)
*n2 ----------------------
*n=1
*n
*Eq 76 espectáculos que en general el tres piezoeléctrico estando-las soluciones ondulatorias son *coupled en grosor
*antiresonance para excitación lateral. En alto *overtones *Eq 76 puede ser aproximado por *Eq 74. Cuándo la
simetría es presente, *Eq 76 frecuentemente puede ser simplificado considerablemente. Las simplificaciones son
análogas a aquellos discutidos en 4.3. La excitación lateral es de valor práctico como método de eléctricamente
entusiasmando *unstiffened puramente modos de grosor elástico, de qué constantes elásticas seguras pueden
ser determinadas de medidas de resonancia cuándo la simetría apropiada existe [*B11]. Consiguientemente, el
*antiresonance la solución es de ninguna especial importancia, y simplificaciones en *Eq 76 para las simetrías
particulares no serán habladas en este nivel. Además, desde la simetría requerida para la excitación eléctrica
lateral de puramente modos de grosor elástico es directamente narrados a el programa de medida para la
determinación de todas las constantes materiales para un cristal particular, discusión de algunos de estos
modos especiales está dado en la sección en medidas, Sección 6., donde lo más propiamente pertenece.

4.5 Abajo-Frecuencia *Extensional Vibraciones de Cañas.

En las ecuaciones aproximadas para el bajos-frecuencia *extensional mociones de cañas


piezoeléctricas anisótropas de sección de cruz rectangular, tres casos distintos tienen que ser distinguidos. Estos
tres casos tienen que hacer con el *placement de los electrodos de conducción relativos a la cruz-*sectional
geometría. En Higo 9 una caña rectangular de #periodo *l, grosor *t, y ancho *w está asomado, donde *l » *t,*l » *w
y *w > 3*t. En la cifra el eje de coordenada arbitrario 1 , pariente a las hachas de cristal, está dirigido a lo largo
del eje de caña, 3 en la dirección de grosor, y 2 en la dirección de ancho. En el bajo-frecuencia *extensional
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moción de cañas delgadas es apropiado de tomar la frontera de desaparecer énfasis en las superficies
*bounding el dos pequeño

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Dimensiones para desaparecer en todas partes. Consiguientemente, en todo tres casos todo *T *ij
desaparecer excepto *T11  *T1. Aun así, las afecciones eléctricas son diferentes en cada caso.

Si las superficies de cruz-*sectional área *lw es plenamente *electroded, las afecciones eléctricas apropiadas
son *E 1 = *E2 = 0 en todas partes, y las ecuaciones constitutivas pertinentes son

*E
*S 1 = *ŝ11 + *d̂
(77)
*T 1 31 *E 3

D 3 = *d̂ 31 *T + ˆ33
*T
1 *E3 (78)

Dónde
*h – –*h V
–*E 3 = -------------------------------- = ---
*t *t
(79)

Y V es el voltaje de conducción; el *carets ha sido colocado en las constantes para indicar que las constantes están
referidas a las coordenadas 1, 2, 3, y la notación matricial comprimida ha sido empleada. La ecuación diferencial
pertinente y afecciones de frontera son
1
- *u 1 11 = *u̇˙1
------
*sˆ*
11
E (80)

*T 1 = 0 en *x̂ 1 =  *l 
(81)
2

Cifra 9—Una Barra Rectangular Colocada en un *Cartesian Sistema de Coordenada

El eléctrico *admittance para V = V0*e*iwr está dado por



*lw ˆ *T ˆ *l 2 ˆ *l 2
bronceado
*E 
*Y = + *i ----- *k31 -----------------------+ 1 – *k 31 
33 * 
t  *E  (82)

Dónde

 = *wl  *E  *ŝ 11


*

2 = E (83)
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Y *k ˆ31*l es uno de la caña *extensional piezoeléctrico *coupling factores, y está dado por

231
*k̂ *l  2 = *d
-------------- (84)
-
31
ˆ33
*T *E
11
*s
De *Eq 82 las frecuencias de resonancia están dadas por las raíces de la ecuación trascendental

*cos *E  = (85)


0

Y las frecuencias de resonancia pueden ser determinadas de la relación


*m 1
*f 1 = ---- ---------- *m
2*l *ŝ *E11 Extra (86)
ño

De *Eq 82 el *antiresonance las frecuencias están dadas por las raíces de la ecuación trascendental

Bronceado   *E  = –  *E  1 – *k̂ *l  2   *k̂ *l  2


31 31 (87)

Si las superficies de cruz-*sectional área *lt es plenamente *electroded, las afecciones eléctricas apropiadas son
*E 1 = 0 y D 3 = 0 en todas partes, y las ecuaciones constitutivas pertinentes son

*S 1 = *s̃11 *T 1 + *d̃
(88)
21 *E 2

(89)
D 2 = *d̃ 21 *T 1 +
̃22 *E 2

Dónd
e ˆ2 *d̂ 31 ̂ *T
*E *d 31 33
= *ŝ 11 -------  *d̃ 21 = *d̂ 21 – ---------------,
*s̃11 – ˆ33
* *T
ˆ33
T *T 2
̂  (90)
23
̃22 = ̂ 22 – --------*T------
ˆ33

*E2 = V/*w

*E
En este caso la ecuación diferencial pertinente está obtenida por * 11 P * 11 En *Eq 80, y el pertinente
reemplazar s˜ or s˜
Afecciones de frontera son g *i*v*en por *Eq 81, y ha sido asumido que ̂ 33 es mucho más sumo que la constante
dieléctrica
De el *surroundinmedio de g. Consiguientemente *Eqs 82–87 queda *v*alid *pr*o*vided *w y *t es *interchanged,
11
*ŝ *E
está reemplazado
Por *s ˜ , ̂ *T por ̃ , por *d ˆ , por *d ˆ , y *k ˆ *l por *k̂ *l .
11 33 22 31 31 21 31 21

Si las superficies de cruz-*sectional área *wt es plenamente cubierto por un electrodo, las afecciones eléctricas
apropiadas son D 2
= D3 = 0 en todas partes, y las ecuaciones constitutivas pertinentes son

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D *T +
*S 1 = *ŝ11 11D1
1 Ĝ (91)

*E 1 = – 11 *T + ˆ11
*T

D1 (92)
ĝ 1

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Las ecuaciones diferenciales pertinentes y afecciones de


frontera son
1
D
- *u 1 11 = *u̇˙1
------ (93)
*ŝ 11

Ĝ 11 *u 1 11 – 11
*ŝ D ,11 = 0
(94)


*T 1 = = En *x̂ 1 = *l 
0*e*i (95)
0 2

Dónde 20 = V es la amplitud de el voltaje de conducción. En este caso último ha sido asumido que las
constantes dieléctricas de el material son considerablemente más sumos que la constante dieléctrica de el
medio circundante, y no es esencial que el *w/*t relación ser adherido a, o incluso que la caña tiene una sección de
cruz rectangular. Tenga que ser notado que en todo tres casos el *l/*t » 1 y *l/*w » 1 requisitos acaecen más
*stringent como el piezoeléctricos *coupling aumentos.

El eléctrico *admittance está dado por

*i*w*t 1 – *k̂11*l  2 
*Y = ---------------------------------------------------------------------
*l  2 bronceado (96)
*k̂ 11
*T   D
 *l 1 – ----------------------------------------
-
11
 D

Dónde

 = *wl  D = *ŝ 11


D
2 (97)

Ĝ 211
*k̂ *l  2 = -------------------------------------------------- (98)
-
11
ˆ *T *ŝ D 1  Ĝ121 
+ ----------------
11 11
 ˆ *T
11 *ŝ11 
D

De *Eq 96 las frecuencias de resonancia están dadas por las raíces de la ecuación trascendental

Bronceado   D =  11


D 
*l (99)
*k̂  2

De *Eq 96 el *antiresonance las frecuencias están dadas por las raíces de la ecuación trascendental

*cos D = 0 (100)

Y puede ser determinado de *Eq 86 *pr*o*vided *E está reemplazado por * s ˆ D .


11 *ŝ 11

Cuándo el piezoeléctrico *coupling factor


*i *kˆ *l para las cañas es pequeñas, la expresión
q
*f 4*k̂ **l
i *q 
2
------ = ----------- -------
*f 1 2
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(101)

Controles, donde *f es la diferencia entre la frecuencia más baja de *antiresonance y resonancia.

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4.6 *Radia*l Modos en Platos Delgados

Un esquema esquemático de un plato circular delgado de un material en clase de cristal C3 o las subclases
C3, C6, C6, los cuales incluyen el polarizados cerámicos, con las superficies circulares normales a el tres-
o *sixfold el eje está asomado en Higo 10. Las superficies importantes de el plato son plenamente cubiertos por
electrodos. El *x3 eje de coordenada está dirigido normal a las superficies circulares en qué *r y está medido.
El plato está conducido a vibración radial por la aplicación de un *ac voltaje a través de los electrodos de
superficie. La ecuación diferencial para la moción radial de el disco es [*B12]
 2*u *r 1 *u *r *u*r  2*u *r
*c *p ---------- + -- -------- – ---- = ----------
11
*r2 *r *r 2
(102)
*r
2

Dónde *u*r es el componente radial de cubicaje y


*p *s11*E
* 11 = *s
-----------------
*E  2---–
---------------
*s *E 2
c 11 12
(103)

Las ecuaciones constitutivas pertinentes son


*u*r
*u*r *p *p
*T*rr = *p
*c11 -------- + *c12 ---- – *e31 *E3
*r (104)
*
r

*p 1  *p
D3 = *e31 -- ----- *ru*r + 33 (105)
*E3 *r
*r

Dónde [*B12], [*B13]


– *s12*E
*p
* 12 = *s
--------------------
*E  2 – ---------------
*s *E 2
c 11 12
*d31
*e31*p= ---------------------
*s *E + *s *E (106)
11 12
– 2*d
31
2
 *p = --------------- -- ----+  *T
33
*s11*E +12 *s *E 33

–*E3 = V 
(107)
*t

Dónde V es el voltaje de conducción. El *nontrivial afección de frontera para los modos radiales planares
es

*T *rr = 0 en *r =
(108)
un

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Cifra 10—Modo Radial Excitación de un Disco Circular

El firme-estatal forzado *vibrational solución de *Eq 102, y satisfaciendo *Eq 108, puede ser escrito en la
forma

*u*r = *AJ1 *r   


*p*e*i
(109)

Dónde  es la frecuencia de conducción, *J1 es el *Bessel función de la primera clase y primer orden, y

 *p *c11*p 
=  (110)

El eléctrico *admittance está dado por


–*i *p 2*k*p
Un 33
2
2
*Y = --------------------------- -----------------------– 1
- 1 –  – *J1 (111)
*t

Dónde *J1 es el cociente modificado de funciones de cilindro [*B14] del primer orden, definido por

*J1*z = *zJ0*z 
(112)
*J1*z

Y *J 0 es el *Bessel función de la primera clase y cero orden,

 *p = – *s *E  *s *E
12 11
(113)

Y puede ser interpretado como planar *Poisson proporción. El coeficiente *k*p es un planar radial
piezoeléctrico *coupling coeficiente para el delgado disco cerámico polarizado circular y está dado por
*e *p 31
2
* k *p  2 = ---------------
*c11*p33  *p
(114)

Está narrado al habitual planar *coupling factor *k*p por la relación


 +  *k 
*p 2
1
*p
* k *p  2 = ---------------  --------------
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2 1 – *k*2 
p (115)

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Y, donde *k*p está narrado a *k 31, por la relación bien sabida


* 2* = 2*k 31  1 –
k 2p *p (116)

Combinando *Eqs 106, 111, y 115,.

 *p + *k*p2
*J1 – 1 + -----------------2 -
Un2 1 – *k*p
*Y
2 
= *i *T --------1 – *k ------------------------------------ --- (117)
*
33 *t p
*J1 – 1 +  *p

De *Eq 111 las frecuencias de resonancia están dadas por las raíces de la ecuación trascendental

*J1un   *p = 1 –
(118)
 *p

De *Eq 111 el *antiresonance frecuencias (*Y= 0) está dado por las raíces de la ecuación trascendental

*J1un   *p = 1 –  *p –
(119)
2*k*p2

Cuándo el planar piezoeléctrico *coupling factor *k*p es pequeño, la expresión


2
*k*p------ *f
-------- *p 2   –2 1 +  
= ------------------------
1 – *k* *f 1 +  *p1
2 p (120)

Controles, donde *f es la diferencia entre la frecuencia más baja de *antiresonance y resonancia, y 1, la raíz más
baja de

*J11 = 1 – 
*p
(121)

5. Sencillo *Homogeneous Soluciones Estáticas

5.1 General

La caracterización de un ente piezoeléctrico está simplificada considerablemente bajo afecciones estáticas y en


las frecuencias bajas lejos sacadas de su resonancia elástica más baja. En el caso general allí no obstante
podría ser distribuciones bastante complicadas de tensión y campo eléctrico. El caso habitual y el consideraron
aquí es, aun así, *homogeneous—aquello es, las tensiones y el campo eléctrico son independientes de #puesto.
*Quasistatic *flexure Implica *nonuniform tensión y es por tanto no considerado aquí.

Estático y *quasistatic las medidas o las aplicaciones son prácticas sólo con materiales piezoeléctricos
habiendo permitividad alta y conductividad baja. Para el efecto directo la permitividad baja requiere una
impedancia extremadamente alta carga eléctrica, y la conductividad causa escape interno. Para el conversar
conductividad de efecto constituye un desagüe de poder, y con bajo-permitividad *piezoelectrics las tensiones
mecánicas son abajo. Estático y *quasistatic las medidas y las aplicaciones son así generalmente considerados
sólo con *ferroelectrics, principalmente el piezoeléctricos (*poled *ferroelectric) cerámica. Con estos, el
producto de volumen *resistivity y la permitividad es generalmente encima 103 segundos, y gama de
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permitividades relativas de 200 a 3500 en temperatura de sala.

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5.2 *Applicabl*e Ecuaciones

A pesar de que *Eqs 37 y 38 es válido en un sentido estricto *ijk , *d*mij, y Es constantes, las ecuaciones
sólo cuándo el *s *E l *T son
Empleado para propósitos seguros incluso *ijk , *d*mij, y No es constantes
*mpero es funciones de el*T *kl y *E
cuándo el*s *E l *T . n
*m *m
n
Para las aplicaciones de interés en esta sección, de *Eq 37, conjunto

*S*ij = *d*mij*T 0  *E 0*E*m


*rs *j (122)

Para un *increment de tensión *S*ij en *m , y de *Eq 38, conjunto


constante *T 0 n

D*n = *d*nkl*T 0  *E 0*T*kl


*rs *j
(123)

Para un *increment de cubicaje eléctrico D*n en constante* *E 0 . El uso de este procedimiento lo hace posible de
obtener valores de *d *mij = *d*mij ( *T 0 , *E 0 ) de los procedimientos
j experimentales hablados en esta sección.
Cuándo el*d *mij es constante,
*rs *j
el
Las curvas experimentales son directamente tacha tan asomado en Higo 11(un) y (*b), y la ladera de la línea
recta en cualquier cifra
Determina el valor de aquel particular *d*mij. Curvas experimentales típicas para variables *d*mij está asomado en
Higo 11(*c) y (*d), y los valores de un particulares *d*mij = *d*mij ( *T 0 , *E 0 ) puede ser determinado de las laderas
de estas curvas. Cuándo el *rs *j
Los coeficientes materiales son constantes, el procedimiento es completamente justificó. Aun así, cuándo los
coeficientes materiales varían,
Tenga que ser notado que incluso aunque el procedimiento no es obtenido de un apropiado *nonlinear
descripción, resulta para ser útil para *correlating dato experimental bajo las circunstancias antedichas.

NOTA — Para apropiado *nonlinear descripciones en la existencia en la literatura abierta ve [*B15].

En vista de estas consideraciones, la constante piezoeléctrica *d*mij poder en el caso estático ser determinado
por medida de la tensión *S*ij desarrolló a raíz de un campo aplicado *E*m en estrés constante.
Alternativamente, la densidad de cargo D*n desarrollado por un estrés aplicado *T*kl puede ser medido en
campo eléctrico constante. Todo piezoeléctrico *d constantes en qué *i = *j y *k = *l puede ser medido directamente
utilizando las barras o los platos con bordes orientaron a lo largo de *XYZ . Detalles de esquemas de medida
para cara *shear y grosor *shear *d las constantes están dadas en 6.4.5 y 6.4.7, respectivamente. La
caracterización sencilla de elementos piezoeléctricos implica el *d constantes para bajos-frecuencia y
aplicaciones estáticas y el *e constantes para aplicaciones de frecuencia alta. Desde matricial *inversion
implica multiplicación considerable de errores de medida, está recomendado que el conjunto de *e constantes
no ser derivados de el conjunto de *d constantes, sino ser medidos directamente, utilizando los
procedimientos perfilaron en 4.3 y 6.4.7..

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Cifra 11—Ilustración Esquemática de Lineal y *Nonlinear Comportamiento


Piezoeléctrico (un), (*b) Constante *d*ikl (*c), (*d) Variable
*d*ikl

Las afecciones de frontera describieron para bajos-la frecuencia o las medidas estáticas son *summarized
abajo:

1) Para medida de *S*ij, estrés constante, sólo un componente del campo eléctrico que cambia.
2) Para medida de D*n campo eléctrico constante, sólo un componente de acentúa cambiar.

Estas afecciones pueden ser conseguidas fácilmente con atención apropiada. Para (1) es necesario sólo que allí
ser ningún cambio en estrés y que *E*m ser el tiempo único-componente dependiente de campo eléctrico. Esto es
fácilmente cumplido en el estático o abajo-caso de frecuencia por mantener una afección de cero estrés y
aplicando el campo eléctrico paralelo a una dimensión pequeña con respetar a las dimensiones de electrodo
laterales. Para medidas de el tipo *d31, la barra tendría que ser relativamente mucho tiempo y el grosor
pequeño.

NOTA — Donde concreto *electroelastic los coeficientes están listados en esta sección, la notación matricial presentada
en 2.4 está utilizado.

Para medidas de el tipo *d33, la experiencia asoma que las dimensiones laterales tendrían que ser
aproximadamente dos veces el grosor; esto representa un *compromise entre requisitos de afección de la frontera
(con *rotated cortes o para clases 1 y *m ) y exactitud de medida de cubicaje mecánica.

Para (2) la presencia de único un tiempo-componente de estrés dependiente está asegurado por la ausencia de
acentuar otro que aquello proporcionado para producir el estrés *T*kl, aquello es, expansión de cruz puede ocurrir
fácilmente. El campo eléctrico está mantenido constante (en muy cercano a cero) por un *capacitor con al
menos 103 tiempo el *capacitance de el espécimen a través de su *electroded terminales (102 es suficiente
para el caso práctico donde la sensibilidad más alta está requerida). Para todas clases de cristal exceptúan 1 y
*m , todos los componentes de el campo eléctrico serán cero para los cortes orientaron a lo largo del X, *Y, y *Z
hachas. Con clases de cristal 1 y *m , todos los componentes de el campo eléctrico serán cero sólo si el
*electroded la cara es perpendicular a uno de las tres hachas principales de el elipsoide dieléctrico. Si el efecto
directo es para ser utilizado para la medida de constantes piezoeléctricas de cristales en clases 1 y *m , es
necesario que el grosor ser pequeño comparado a las dimensiones de electrodo laterales. Aun así, nota que la
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técnica no puede ser 1987
utilizada para especímenes en clase *m aquello es *electroded en *Y caras, porque *d32 es
cero. Un razonable *compromise para medidas de el tipo *d33 es para tener una dimensión lateral dos veces la
dimensión de grosor. Esto asegura libertad razonable de constreñimiento mecánico y eléctrico lateral. Para
medidas de el tipo *d31 la barra tendría que ser mucho tiempo, paralelo a el estrés aplicado, y adelgazar
entre electrodos.

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A no ser que el elemento piezoeléctrico es sólo parcialmente *electroded, está sometido a un estrés tal aquel
*flexure resultados, o es @subject a constreñimiento lateral concreto, la tensión y el campo eléctrico son
*homogeneous para el estático y abajo-casos de frecuencia. La situación es un poco más compleja, para caso,
con un piezoeléctrico *bender. El lado convexo del *bender es debajo la tensión y el lado cóncavo es debajo
compresión, y un punto de cero estrés existe en una capa intermedia. hay también una distribución de estrés a
lo largo de la #periodo de el *bender. En todas las discusiones en Sección 5., configuraciones únicas con
un *homogeneous distribución de la tensión y el campo eléctrico están considerados.

5.3 *Applicabilit*y De Soluciones Estáticas en la Gama de Frecuencia Baja (*Quasistatic)

Las soluciones estáticas pueden ser utilizadas no sólo para el caso estrictamente estático pero también sobre
una gama de frecuencia bajo qué hay no variación espacial apreciable en estrés o campo eléctrico. La gama
concreta depende un poco al mecánico *Q de el espécimen, pero en general el error será menos de 1% y 0.1%,
respectivamente, si la frecuencia es menos de uno décimo o 0.03 tiempo la frecuencia resonante más baja
de el espécimen.

La gama de frecuencia baja especificó extiende a el *kilohertz gama excepto especímenes grandes. Como un
alternativo a métodos de resonancia *quasistatic las medidas de constantes piezoeléctricas son más
convenientes que puramente medidas estáticas debido a una impedancia más favorable nivel y eliminación de
factores anómalos como *pyroelectric respuesta en cristales polares. La exactitud es mejor, aun así, utilizando
métodos de resonancia. Estos están descritos en 6.4.

5.4 Definición de *Quasistatic Material *Coupling Factores

La caracterización de cerámica y cristales piezoeléctricos puede ser cumplida a través del piezoeléctrico,
dieléctrico, y tensores elásticos, incluyendo todos alternan las formas describieron en 2.6. El *coupling los
factores son *nondimensional coeficientes qué es útil para la descripción de un material piezoeléctrico
particular bajo un estrés particular y configuración de campo eléctrico para conversión de energía almacenada a
obra mecánica o eléctrica. El *coupling los factores constan de combinaciones particulares de piezoeléctricos,
dieléctrico, y coeficientes elásticos. Desde entonces son *dimensionless, es claro que el *coupling los factores
sirven para proporcionar una comparación útil entre los materiales piezoeléctricos diferentes independientes de
los valores concretos de permitividad o conformidad, ambos de los cuales pueden variar ampliamente.

Cifra 12 sirve para ilustrar *graphically el significado del *coupling factor *k33*l para el valor 0.70 típico para
un
Piezoeléctrico cerámico. El elemento es *plated en las caras perpendiculares a *x 3, el eje polar, y es corto-
*circuited como *compressive estrés *T3 está aplicado [Higo 12 (un)]. El elemento es libre de cruzar expandir de
modo que *T3 es el único *nonzero componente de estrés. De la cifra pueda ser visto que la energía almacenada
total por volumen de unidad en compresión máxima es *W 1
+ *W2. Con anterioridad a traslado de el *compressive estrés, el elemento es abierto-*circuited. Es entonces
conectado a una carga eléctrica ideal para completar el ciclo. Como la obra está hecha en la carga eléctrica, los
regresos de tensión a su estado inicial. Para el idealizado
El ciclo ilustró, la obra *W1 hecho en la carga eléctrica y la parte de la energía inutilizable a la carga eléctrica
*W2
Está narrado al *coupling factor33*k *l como sigue:
*s 3*E3 – *s
*W 1 D *d 323
33
* k33*l  2 = ---------------------- = -------------------- = ---------------
*W 1 + *W 2 *s *s *E  *T
*E
33 33 33
(124)

Cifra 12(*b) ilustra conversión de la energía obtenida de una fuente eléctrica a obra mecánica. El elemento es
*mechanically liberar cuándo la fuente eléctrica está conectada. Entonces el elemento está bloqueado
*mechanically paralelo a *x 3 antes de la fuente eléctrica es *disconnected. Entonces con *E 3 = 0 el bloque
mecánico está sacado y en su sitio una carga mecánica finita está proporcionada. Para este ciclo idealizado la
obra *W1 entregado a la carga mecánica y la parte del
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La energía inutilizable a la carga mecánica *W2 está narrado a el *coupling 33 Como sigue:
factor *k *l
*W
*T
 –  *S 3=0 *d 2
1 33 33 33
* k33*l  = ---------------------- = ------------------------ = ---------------
2
*W 1 + *W 2  *s  *T
*E
*T
33 33 33
(125)

Bajo estático o *quasistatic afecciones, la distribución espacial de la tensión y los campos eléctricos es
uniformes, y es posible de definir *coupling constantes de un material para un estrés particular y
configuración de campo eléctrico. Estos están denominados materiales *coupling factores. Para clases de
cristal seguro y configuraciones seguras, no es posible de tener un

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Modo resonante sencillo. Tenga que ser notado aquello no cada *quasistatic *coupling el factor corresponde a un
*coupling factor para un modo piezoeléctrico hablado en 6.4.

Mesa 10 listas importantes estáticos y *quasistatic *coupling factores con afecciones mecánicas apropiadas. Otro
*coupling los factores pueden ser definidos para otros conjuntos de afecciones de frontera, pero aquellos
listaron es el importante unos.

5.5 *Nonlinear Abajo-Características de Frecuencia de *Ferroelectric Materiales (Efectos de


Ámbito)

Desviaciones de comportamiento lineal qué ocurrir con *ferroelectrics se debe a influencias mecánicas y
eléctricas encima configuraciones de ámbito. Esto no será hablado en detalle aquí. Tenga que, aun así, ser
notado que tal *nonlinearities es más pronunciado bajo estático y *quasistatic afecciones. Estático y *quasistatic
medidas de cerámica piezoeléctrica y *ferroelectric los cristales son así @subject a la variación considerable
dependiente a la amplitud del campo eléctrico aplicado o estrés mecánico. Los resultados mejores están
obtenidos por *compromise entre amplitud y sensibilidad, y elección de un periódico más que estrictamente
estrés estático o campo eléctrico. Estático o *quasistatic las medidas son *inherently menos cuidadosos
que medidas de resonancia.

Cifra 12—Ilustración Gráfica de Definición y Conversión Electromecánicas del Piezoeléctricos


*l para el Valor 0.70 Típico para la cerámica Piezoeléctrica Utilizada en
*Coupling Factor * 33
*Transducers k
(a) Conversión de Energía De una Fuente Mecánica a Obra Eléctrica
(b) Conversión de Energía De una Fuente Eléctrica a Obra Mecánica

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Mesa 10—Importante Estático y *Quasistatic *Coupling Factores

Material *Coupling Factor Afección de Frontera Elástica


** = = *d    *T *s
k*l31 *d 31 *E33 11 Todos acentúan cero de
*l componentes excepto *T1
33 33  *T *s
*E33 33 Todos acentúan cero de componentes excepto *T3

**l36 = 36   *T *s
*E33 36
Todos acentúan cero de componentes excepto *T6
k *d

*k*p = 2  1 –  *p
Todos acentúan cero de componentes
*k31  *

1*E
– *s------ excepto *T1=*T2 *T2, *T1 único
2
*d
*d
*nonzero estrés
31
*s2*E 32 *S = 0
*w 2 2
* 31 = ------------------------------------------------------------------
k  *T *d322   *E *s *E
2
12
 33
 – -------  *s – -------
 *s22*E  11 *s22 *E
 


*d – *d *s *T3, *T1 único *nonzero estrés


*E13
------
33 31 *s *E *S = 0
*w 11 1
* 33 = ------------------------------------------------------------------
k  *T *d312   *E *s *E
2
13

 33 – -------  *s – -------
 *s11*E  33 *s11 *E
 

* 33 = *e33 *c D
k*t *S33 33
*S3 único *nonzero
tensión
D
**t15 = 15  *c
*S55 11
k *e *S5 único *nonzero tensión

NOTA — Sólo el primer cuatro *coupling los factores existen bajo estáticos y *quasistatic afecciones.
El otros requieren constreñimiento estático que puede no estrictamente
ser proporcionado exceptúa en resonancia y con elección apropiada
de dimensiones relativas.
**k*p En estos controles de forma sólo para *m, 6*m, 3*m, 3, y 6; *p = – *s *E  *s *E .
12 11

Ámbito-energía de causas de moción de #muro disipación, especialmente en frecuencias bajas, incluso bajo
afecciones de señal baja cuándo la moción es reversible. Es por tanto encontrado que hay variación
considerable en permitividad, conformidad, y respuesta piezoeléctrica con frecuencia. Las variaciones con
frecuencia son más pronunciadas con *ferroelectric materiales habiendo relativamente conformidad y
permitividad disipadas. Los cambios pueden ser tan alto como 5% por década de frecuencia por encima de
frecuencias de aproximadamente 1 *Hz.

6. Determinación de Elástico, Piezoeléctrico, y Constantes Dieléctricas

6.1 General

El elástico, piezoeléctrico, y las haciendas dieléctricas de un material piezoeléctrico están caracterizadas por un
conocimiento de las constantes fundamentales refirió a un sistema de coordenada rectangular pariente fijo al
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*crystallographic hachas. Una determinación de estas constantes fundamentales requiere una serie de medidas
en muestras de varias orientaciones. Hay un número de geometrías de muestra concreta y técnicas
experimentales que uno puede utilizar para hacer las medidas. La elección del cual técnicas para emplear es
@subject a muchas consideraciones como la medida y forma.

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De muestras y la instrumentación disponible. Es por tanto no deseable de especificar una técnica sola para
medir materiales piezoeléctricos. Las cantidades de hecho medidas no obstante tiene que ser narrado a el
fundamental elástico, piezoeléctrico, y constantes dieléctricas por procedimientos que es teóricamente sonido. Estos
presentes de sección algunos ejemplos de técnicas experimentales y el narró las ecuaciones utilizaron para la
determinación de el *electroelastic constantes.

6.2 Constantes dieléctricas

Las constantes dieléctricas pueden ser evaluadas de medidas de el *capacitance de los platos proporcionados
con los electrodos que cubren las superficies importantes. Estas medidas son más hechas en una frecuencia
sustancialmente baja ( 0.01 o menos) que la frecuencia de resonancia más baja de el plato de cristal, en qué caso
las medidas ceden las permitividades dieléctricas como
* estrés constante o “permitividades” dieléctricas libres
 *T . ij

En un cristal de el sistema triclínico allí es seis “permitividades” dieléctricas libres. De las medidas de tres platos
cortaron
11 , 22 , y
Normal a el X, *Y, y *Z hachas, las tres permitividades *T *T Está obtenido directamente. El
33
dieléctricas  *T restante
Tres permitividades *T , y *T Está encontrado más directamente de medidas encima tres platos
23
dieléctricas  *T , 13 12 *rotated
Sobre el X, *Y, y *Z hachas, respectivamente. En todos otros sistemas de cristal, menos que seis orientaciones
son necesarias.

En frecuencias que es alto comparado a las frecuencias naturales principales de el plato pero bien bajo
cualesquier resonancias iónicas, y suficientemente sacados de altos *overtone frecuencias de resonancia,
las permitividades dieléctricas un
Las medidas corresponden a la tensión constante o “*clamped” permitividades dieléctricas
*  *S . Las relaciones
entre el ij
Permitividades dieléctricas en la tensión constante y el estrés constante están dados por *Eqs 43,
concretamente,

 *T –  *S = *d *e = *e *s *E *e
*ij *iq *ip *pq *jq (126)
* *jq
ij

* el  puede ser medido con un poco exactitud mejor que el*  , principalmente
En practica está encontrado que *T *S

porque el ij ij

**T Está medido en frecuencias bajas. Por esta razón está recomendado que el midió valores de *T* ser aceptados
Directamente
ij y que el*  *S ser calculado de *Eq 126 una vez las constantes piezoeléctricas son sabidas.
ij Desde
entonces es a veces ij
Necesario de saber el valor de un *s para calcular un piezoeléctrico *e constante de midió cantidades, *Eq 126
puede tener que ser solucionado para *s por iteración, particularmente si el material en cuestión tiene
simetría baja. En este caso es conveniente de utilizar un medido *s, si es posible, para empezar la
iteración..

Medidas de el bajos-frecuencia las permitividades dieléctricas son más hechas en una calidad buena
*capacitance puente y normalmente es sincero (ve *ASTM D150-87 [3]). Algunos materiales problemas
especiales presentes, por ejemplo, un material con finito *resistivity o un material aquello ha abajo-
frecuencia relajaciones dieléctricas de modo que las permitividades dieléctricas varían con frecuencia.
Ocasionalmente un cristal puede tener una anisotropía dieléctrica muy grande (como *BaTiO3), en qué caso
el cuidado extremo tiene que ser tomado para minimizar *fringing campos cuándo midiendo las constantes
dieléctricas más pequeñas. Esto puede ser hecho por utilizar un electrodo de guardia como descrito en *ASTM
D150-87 [3], o por hacer las superficies menores de el piso de muestra y perpendicular a las superficies
importantes y extendiendo los electrodos allende los bordes de la muestra por una distancia al menos cinco
tiempo el grosor de muestra.

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6.3 Estático y *Quasistatic Medidas

El más temprano *experimenters con los materiales piezoeléctricos determinaron constantes elásticas y
piezoeléctricas por pruebas estáticas. Desde entonces es difícil de controlar las afecciones de frontera eléctricas,
las medidas estáticas de constantes elásticas son ya no utilizados para materiales piezoeléctricos. Aun así, las
medidas estáticas de constantes piezoeléctricas son todavía utilizados ocasionalmente, y naturalmente, las
pruebas estáticas son necesarias para determinar el sentido positivo de hachas de coordenada como descritos en
3.5.

Ha Habido alguna confusión con respecto al uso de pruebas estáticas para determinar el sentido positivo de
hachas, así que la técnica está hablada en algún detalle aquí. Considerar el plato-*shaped la muestra asomada
en Higo 13. Las superficies importantes, los cuales son perpendiculares a el *x3 axiales y es de área Un,
tiene electrodos que es *shunted por un *capacitor con *capacitance C. Cuándo un *uniaxial estrés *T3 está
aplicado a la muestra, las ecuaciones que rigen los cargos resultantes y los campos generaron por el estrés es
como sigue:.

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D3 = *d33*T 3 + 33 *E3
*q = D3 Un
V = *q  C (127)
*E3 = – V  *t
*P3 = D3 – 0*E3

Dónde *t es el grosor de muestra, *q es el cargo en el plato superior de el *capacitor, V es la diferencia potencial


entre los platos superiores y más bajos de el *capacitor, y ha sido asumido que *E1 = *E2 = 0 debido a los
electrodos en las superficies importantes. Cuándo estas ecuaciones están solucionadas para V, el cual es la
cantidad uno normalmente medidas, uno obtiene
*d33*T 3 Un
V = ----------------------------
C +  *T Un  *t
33
(128)

»  *T Un  *t , *Eq 128 reduce a


Así V es positivo si *d33 > 0 y *T 3 > 0. Si C 33

*d33 = CV  *T 3 Un = *q  (129)
*F3

Dónde *F3 es la fuerza aplicó a el cristal. Los signos de los cargos y los campos asomados en Higo 13 es correcto
para el caso
*d33 > 0 y *T 3 > 0, y es naturalmente revocado si *T3 está revocado en signo.

Medidas estáticas [*B16] de las magnitudes de constantes piezoeléctricas pueden ser hechas utilizando
tampoco el efecto piezoeléctrico directo o el conversar efecto. Para el efecto directo, aplicación de un estrés
constante bajo afecciones de cero campos eléctricos cosechas

D*i = *d*ip*T
*p
(130)

*Eq 130 proporciona la base para muchas técnicas para medir las magnitudes y signos del *d *ip constantes. El
campo eléctrico es aproximadamente cero dentro de un plato-*shaped muestra con electrodos en las superficies
importantes que es *shunted por un grande *capacitor. Aun así, si el estrés es para ser aplicado a las
superficies importantes, es entonces difícil, debido a fricción, para asegurar que el estrés es *uniaxial. Así,
como *compromise, las dimensiones laterales tendrían que ser aproximadamente dos veces el grosor. Un
problema adicional con el uso de el efecto directo es que algunos de el cargo generado por la aplicación (o
traslado) de el estrés puede filtrar fuera antes de que está medido. Drift debido a *pyroelectric los efectos causa
confusión más lejana con cristales en clases polares.

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Cifra 13—Signos de Cargos y Campos para Prueba Estática de Muestra Con *d 33 > 0 Debajo
Tensión

Para el conversar efecto, aplicación de un campo eléctrico constante bajo afecciones de cero estrés dentro de las
cosechas de muestra

*S*p =
(131)
*d*ip*E*i

Uso de el conversar el efecto es generalmente más cuidadoso para medir constantes piezoeléctricas que uso de el
efecto directo, a pesar de que las tensiones pequeñas produjeron por un campo eléctrico de medida razonable
puede dirigir a dificultades experimentales. Una afección de cero estrés dentro de una muestra puede ser
asegurado a toda costa de su forma, y es relativamente fácil de aplicar un campo eléctrico uniforme. La
tensión puede ser medida con exactitud razonable, aproximadamente 1%, mediante tensión *gauges o con
*interferometric técnicas.

Desde las señales eléctricas alternas eliminan la influencia de *pyroelectric efectos y es más conveniente de
medir que *dc señales, una prórroga útil de técnicas estáticas está hecha por la aplicación de un estrés alterno o
campo eléctrico a la muestra [*B16]. Mientras la frecuencia de la señal aplicada es mucho menos que la
frecuencia de resonancia fundamental de la muestra con su montura en el instrumento de prueba, *Eqs 130 y
131 todavía aplicar, y la exactitud mejorada puede ser obtenida de este modo..

En general, estático y *quasistatic técnicas para medir las constantes piezoeléctricas son capaces de exactitud
razonable, #unos cuantos porcentaje o menos bajo afecciones óptimas, y ha probado útil en casos especiales
seguros. Un ejemplo es testaje rutinario de *poled *ferroelectric cerámica. Estas técnicas no son recomendadas
en este nivel, aun así, para investigaciones de cristales nuevos, particularmente cristales con simetría baja,
porque los métodos dinámicos son capaces de exactitud más suma y puede ser aplicado fácilmente a una
mucha gama más ancha de orientaciones de cristal y geometrías de muestra.

6.4 Medidas de resonador

Las haciendas eléctricas de un vibrador piezoeléctrico son dependientes en el elásticos, piezoeléctricos, y


constantes dieléctricas de los materiales de vibrador. Así, los valores para estas constantes pueden ser obtenidos
de medidas de resonador en un *suitably *shaped y espécimen orientado, proporcionado la teoría para el
modo de la moción de aquel espécimen es sabida. Las medidas básicamente constan de determinar la
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impedancia eléctrica de el resonador como función de frecuencia. En principio es necesario de medir la


resonancia y *antiresonance frecuencias, el *capacitance, y el factor de disipación bien sacado de la gama de
resonancia para obtener la información requerida para encontrar las constantes materiales. En algunos casos una
medida cuidadosa de el *antiresonance la frecuencia no puede ser hecha, y es entonces conveniente a

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Caracterizar el resonador por un *lumped-parámetro circuito equivalente y para calcular las constantes materiales
de el midió parámetros de este circuito.

6.4.1 El Circuito Equivalente

Las haciendas de impedancia de un *piezoelectrically el vibrador entusiasmado puede ser representado cerca
una resonancia aislada por un *lumped-parámetro circuito equivalente, la forma más sencilla del cual está
asomado en Higo 14.

NOTA — La impedancia y *admittance funciones para un *piezoelectrically el vibrador entusiasmado derivado en


Sección 4. A menudo puede ser representado más exactamente por una línea de transmisión circuito
equivalente [*B17], [*B18].

La representación de un vibrador piezoeléctrico por este circuito es útil sólo si los parámetros de circuito son
constantes e independientes de frecuencia. En general los parámetros son aproximadamente independientes
de frecuencia sólo para una gama estrecha de frecuencias se acerca la frecuencia de resonancia y sólo si el
modo en cuestión es suficientemente aislado de otros modos.

Cifra 14—Circuito Eléctrico Equivalente de un Vibrador Piezoeléctrico

NOTA — El cercano *proximity en frecuencia de varios modos de vibración pueden ser representados por añadir adicional *R-
L-#C ramas en paralelo a el *R 1-L1-C1 rama asomada. Si el *admittance de más de uno de estas ramas es
apreciable en una frecuencia dada, las dificultades están encontradas.

Dentro de esta gama de frecuencia, los parámetros generalmente se acercan valores constantes como la
amplitud de vibración se acerca cero. La amplitud que puede ser tolerado antes de los parámetros son
apreciablemente afectados varía ampliamente entre vibradores de varios tipos y sólo puede ser determinado
por experimento.

El *motional resistencia *R1 en el circuito equivalente representa la disipación mecánica de el resonador


piezoeléctrico, el cual no es considerado en Secciones 2. Y 4.. Un *dimensionless la medida de la disipación
es el factor de calidad *Q,
L 1  C 1 1  2
*Q = -----------------------------
*R1
(132)

Un análisis detallado de el vibrador piezoeléctrico para qué el circuito equivalente de Higo 14 aplica está
contenido en IEEE *Std 177-1977 [5].
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NOTA — El caso de pérdidas mecánicas más altas donde el circuito equivalente está asumido para aguantar exactamente
está descrito en [*B19]. Una contabilidad de análisis para dieléctrico, piezoeléctrico, y las pérdidas elásticas
está descrita en [*B20].

Un circuito equivalente más complejo qué cuentas para los elementos parásitos debido a la montura de
resonador está tratado en [*B21]. Cada esfuerzo tendría que ser hecho para minimizar los efectos de estos
elementos parásitos en resonadores que está construido para el propósito de medir constantes
materiales.

6.4.2 Efecto de Disipación en la Definición y Medida de Frecuencias Resonancia Cercana y


*Antiresonance

La teoría de resonador presentada en Sección 4. Aplica a ideal *lossless materiales, en qué caso la impedancia de
resonador es puramente reactiva y las frecuencias características *f1 y *f 2 es bien definió. El presente de disipación
en materiales reales oculta la definición de estas frecuencias.

Mientras que en el *lossless el resonador allí es frecuencias solas (*f1 y *f 2) cuáles coinciden con el
*admittance y máximos de impedancia, respectivamente, hay, en un resonador disipado, tres frecuencias de
interesar acercarse el *admittance máximo y, de modo parecido, tres frecuencias se acercan el máximo de
impedancia. Consiguientemente, las frecuencias críticas *f1 y *f 2 cada cual tiene tres asoció frecuencias, *f1 
(*f*m, *f*s, *f*r) y *f 2  (*f*n, *f*p, *fun) correspondiendo a máximos absolutos*admittance (impedancia), conductancia
máxima (resistencia), y cero susceptancia (reactancia), respectivamente. En este nivel *f*s está definido como la
frecuencia de conductancia máxima y *f *p está definido como la frecuencia de resistencia máxima. Estas
definiciones son independientes de el *lumped-parámetro circuito equivalente.

La diferencia relativa en las frecuencias *f*s y *f *p depende en ambos el material *coupling factor y la geometría
de resonador. Por esta razón una cantidad llamó el eficaz *coupling el factor ha sido utilizado, particularmente
en literatura de diseño del filtro, como medida conveniente de esta diferencia:

*k*eff 2 =  *f 2 – *f 2  *f 2
*p *s
*p (133)

También la cifra de resonador de mérito M está definido aquí en plazos de *k*eff y *Q como sigue:

M = *k 2 *Q  *l – *k 2 
*eff *eff
(134)

Cuándo *k*eff es pequeño, esto reduce a la definición dada M en IEEE *Std 177-1978 [5].

La definición dada *f*s aquí es equivalente a la definición dada *f*s como la frecuencia de resonancia de la serie
de el circuito equivalente en IEEE *Std 177-1978 [5]. Aun así, la definición dada *f*p aquí es equivalente a la
definición dada *f*p como la frecuencia de resonancia paralela en IEEE *Std 177-1978 [5] sólo para resonadores
con pequeños *k*eff y altos *Q. Las relaciones dadas en IEEE *Std 177-1978 [5] entre las frecuencias *f*m, *f*s,
*f*r, *fun, *f*p, y *f *n es cuidadoso sólo para resonadores con pequeños *k*eff.

Las frecuencias críticas de el resonador disipado tienen que corresponder a las frecuencias críticas de un
resonador ideal hecho de un *lossless material habiendo el mismo *electroelastic constantes como el material
de resonador real. Aquello es, si contabilidad de plazos para disipación estuvo presentada a las ecuaciones
básicas de Sección 2., y la impedancia eléctrica del resonador disipado estuvo calculada, las frecuencias *f1 y *f 2
iguales las frecuencias características obtuvieron en el límite como el *dissipative aproximación de plazos
cero.

Para la evaluación de constantes materiales es siempre suficiente de sustituir un valor experimental de *f *s


para *f1 en las ecuaciones de Sección 4.. Para resonadores con M > 5, un valor experimental de *f *p es igual a
*f 2 dentro del error experimental en determinar el máximo de resistencia. En general, *f*p difiere de *f 2 por
aproximadamente 1/*Q2.
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Para resonadores habiendo > M 50 es suficiente de utilizar un valor medido de *f *m o *f *r directamente para *f1, y
un valor medido de
*f*n O *f un directamente para *f2. Técnicas para medir *f*m y *f *n está descrito en IEEE *Std 177-1978 [5], las
técnicas para

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Midiendo *f*r y *f un está descrito en *IEC 444 (1973) [4]. Cuándo M < 50 lo puede ser necesario de hacer las
correcciones a las cantidades midieron, o para hacer más detalló medidas en un *admittance o puente de
impedancia para determinar *f*s y *f *p directamente tan descrito en [*B21]. Cuándo M < 5 la frecuencia *f*p no
puede ser medido con exactitud, a pesar de que *f*s todavía puede ser medido con exactitud razonable
mientras *Q > 5.

Para todas las ecuaciones en el resto de esta sección está asumido que la correspondencia *f1 = *f*s y *f 2 = *f*p ha
sido hecho.

6.4.3 El *Motional *Capacitance Constante y Medida del *Motional *Capacitance

Además de las frecuencias *f*s y *f *p el *motional *capacitance C1 de el circuito equivalente es un parámetro


conveniente para narrar la respuesta de resonador a el elástico, piezoeléctrico, y constantes materiales
dieléctricas. En esta conexión es útil de definir el *motional *capacitance constante  = C1 (*t/Un), donde C1 es el
*motional *capacitance de el vibrador, *t es la dimensión lineal paralela a la dirección de el campo eléctrico, y
Un es el área de electrodo. La cantidad  tiene las mismas dimensiones físicas como permitividad.

Tres métodos están descritos aquí para medir C1. El primer método, el cual está preferido, es para medir la
dependencia de frecuencia de la reactancia de resonador resonancia cercana con un puente de impedancia. Los
puntos mentira aproximadamente en una línea recta y la ladera en *f = *f*s está narrado a C 1 por

------
 *dX
*df = 1   *f*s21C 
*f = *f
*s  (135)

El error en C 1 es menos de 1% para los resonadores con M > 10.

Un segundo método es para medir el *motional frecuencia de resonancia *f*sL para la combinación de un
resonador en serie con un *capacitor CL. Una trama de *f *s/2(*f*sL  *f*s) *versus CL entonces cede una
línea recta con una ladera de 1/ C1 como asomado por la relación aproximada siguiente:
C0 + CL *f
-------------------  *s
---------------------------
C1 2 *f *sL – *f
(136)
*s 

Cualquier lado de *Eq 136 tendría que ser más sumo que 10 para la aproximación para ser válida. Este
método es más propio para resonadores con una cifra alta de mérito, M > 50, y no necesariamente requerir
el uso de un puente.

El tercer método, el cual es propio para resonadores con cifras bajas de mérito, es para hacer determinaciones
separadas de *f *s, el factor de calidad *Q, y el *motional resistencia *R1. Entonces C1 está dado por la
expresión


C1 = 1  2 *f
(137)
*s*R1*Q

Valores para *Q y *R 1 puede ser obtenido de medidas de la conductancia de resonador *versus frecuencia en
un *admittance puente.

6.4.4 Relaciones Entre Respuesta de Vibrador y Constantes Materiales

Para cada de los modos de la vibración analizada en Sección 4. Hay una expresión trascendental para la
impedancia eléctrica *Z() que, en la ausencia de pérdidas, es exacto excepto las aproximaciones hicieron en
obtener la ecuación de moción y afecciones de frontera. Las expresiones que narran las frecuencias *f*s y *f *p a las
constantes materiales están obtenidas de las ecuaciones *Z(*f*s) = 0 y 1/ *Z(*f*s) = 0, respectivamente.

El procedimiento apropiado para obtener una expresión que narra el *motional *capacitance la constante a las
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constantes materiales es para emparejar la impedancia de circuito equivalente. *Z*eq() (Dejando *R1 = 0 para
este cálculo) y su primer derivado a aquellos de la impedancia exacta *Z() en la frecuencia *s = 2*f*s.
Así, de

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*Z*eq*s = *Z *s = (138)


0

Uno obtiene

L1 = 1  2C
* 1
s (139)

Y de

*Z*eq   =  = *Z   = 


*s
*
s (140)

Uno obtiene


C1 = *i2  2**Z   = *s
s (141)

El paralelo *capacitance C0 en el circuito equivalente no es fácilmente narrado a las constantes materiales. Aun
así, nunca es necesario de medir C0 para determinar constantes materiales. Si uno realmente quiere un valor
representativo para C0 de un resonador, por ejemplo, para una aplicación de filtro, un procedimiento es para
encontrar el valor que da la #acceso mejor a la impedancia correcta sobre la gama de frecuencia de interés
[*B22]. Naturalmente, si el *coupling el factor es pequeño, 0.1 o menos, entonces C0 puede ser calculado con
exactitud de la constante dieléctrica y dimensiones de el resonador.

6.4.5 #Periodo-*Extensional Modos de Barras.

La #periodo-*extensional modos de barras [*B23] tiene importancia particular para la determinación de


constantes materiales porque estos son los modos sencillos únicos de la vibración para qué el material puede
ser un cristal arbitrariamente orientado en clase 1. Medidas de la #periodo-*extensional modos de un número
suficiente de independientemente orientó las barras cortadas de un material asimétrico resultará en la
determinación de las nueve conformidades elásticas:

*S11, *S22, *S33, *S15, *S16, *S24, *S26, *S34, *S35

Y seis combinaciones del restantes doce conformidades:

*S44 + 2*s23, *S55 + 2*s13, *S66 + 2*s12

*S14 + *S56, *S25 + *S46, *S36 + *S45

Aquí las conformidades son *s *E o *s D , según si el campo eléctrico está aplicado perpendicular a o paralelo a
*ij *ij
La #periodo de la
barra.

Para los otros sistemas de cristal el número de las conformidades elásticas determinables de medidas en
disminuciones de barras con simetría creciente. Las medidas limitaron a el *extensional los modos de
barras son en ningún caso suficientes de determinar todas las conformidades elásticas.

Para medidas con la perpendicular de campo eléctrica a la #periodo de la barra, hay dos casos distintos como
discutidos en 4.5. Refiriendo a Higo 9, sólo el caso con el campo aplicado a lo largo de la dimensión más
pequeña *t está recomendado para uso en determinar constantes materiales. En este caso la impedancia
eléctrica de el resonador está dada por

*t  *i̂ 33 *wl
*Z  = ---------------------------------------------------------------------- (142)
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1 – *k̂ *l 2  Bronceado  4 *f *s


31  1 – -----------------------------
  4 *f *s 

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Dónde las cantidades*Epareciendo en *Eq 142 es tan definido en 4.5. Una medida de la frecuencia *f*s determina
*ŝ
la conformidad elástica 11 de

*E = 1  4 *f
* 11 *
sˆ2*l2 s (143)

El electromecánico *coupling factor *kˆ*l 31 Puede ser determinado de las Y *f *p:


frecuencias *f*s
ˆ *l 2 ˆ *l 2  *f  *f
*p
*k31   1 – *k31   = -- ------ bronceado -- ------
2 *f *s 2 *f
*s (144)

Dónde *f = *f*p  *f*s o del *motional *capacitance constante

 = 8 *k̂ 31 2 ˆ  2
*l *T 33 (145)

Dónde *Eq 145 está obtenido por sustituir *Eq 142 a *Eq 141. El piezoeléctrico constante *d31 entonces puede ser
calculado
De *k ˆ *l , *ŝ *E , y *T , ingenio*h su *sig*n encontrado por un *stati*c prueba. Medida*s de este tipo en un
*su*f*ficien*t número de
31 33 33
Independientemente orientó las barras resultarán en la determinación de la nueve tensión piezoeléctrica
constantes:

*d12, *d13, *d14, *d21, *d23, *d25, *d31, *d32, *d36

Y seis combinaciones de las otras nueve constantes:

*d26  *d11, *d35  *d11, *d34

 *d22 *d16  *d22, *d15 

*d32, *d24  *d33

Aquí, naturalmente, las constantes están referidas a las hachas de cristal, y algunos de ellos pueden ser

cero debido a simetría. Cuándo el campo eléctrico está aplicado paralelo a la #periodo de el resonador

de barra, la impedancia eléctrica está dada por


*Z  = ˆ *T *l  *i*w*t 1 – *k̂ *l  2 
33 33
bronceado (146)
ˆ *l 2
 4 *f *p
 1 – *k 33 ------------------------------
  4 *f *p
 D
*s 33
Dónde las cantidades que parecen en *Eq 146 es tan definido en 4.5. La conformidad está determinado del
elástica *antiresonance frecuencia por

D = 1  4 *f 2
* 33 *
sˆ*l2 p (147)

El electromecánico *coupling factor *k *l 33 Puede ser obtenido de las frecuencias *f*s y *f *p por
ˆ *l 2  *s  *f
*f
*k 33  = -- ------ bronceado -- ------
2 *f *p 2 *f
*p (148)
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O del *motional *capacitance constante por


1 – *q *f *p  *f *s2
 = 8*q   2 ˆ 33  ------------------------------------------------------------------------
*T

1 – 4*q1 – *q *f *p  *f *s2


(149)
 2

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*wher*e *q  33
*k̂ *l  2 , y *Eq 149 está encontrado por *substituting *Eq 146 a *Eq 141. El *e *xpression para  es
considerablemente más
Complicado aquí que en el caso anterior con el campo aplicó perpendicular a la #periodo de la barra. Cuándo 33 *k
ˆ
*l
es
Menos de 0.1, entonces

  8*k̂ 33  2   2 ˆ *T
*l 33 (150)

Es una aproximación adecuada a *Eq 149. Valores de la 33  Para valores más Está dado en Mesa
cantidad ˆ*T grandes de *k ˆ*l 33 11.

Mesa 11—*Motional *Capacitance Constantes para la #Periodo-*Extensional Modo de una Caña y el


Modo de Grosor de un Plato como Función de Electromecánico *Coupling Factor
*k ˆ *T
33 /*s

0.15 0.0183 0.0187

0.20 0.0327 0.0341

0.25 0.0513 0.0548

0.30 0.0744 0.0817

0.35 0.1020 0.1162

0.40 0.1342 0.1598

0.45 0.1715 0.2150

0.50 0.2138 0.2851

0.55 0.2617 0.3752

0.60 0.3153 0.4926

0.65 0.3749 0.6492

0.70 0.4411 0.8649

0.75 0.5141 1.1752

0.80 0.5946 1.6515

0.85 0.6828 2.4606

0.90 0.7794 4.1022

0.95 0.8850 9.0765

El g constante p
iezoeléctriô Puede ser calculado k̂ *l , *ŝ D , y
**T ˆ . Medidas de este tipo en un suficiente
de
33 33 33 33 33
Número de independientemente orientó las barras determinarán las tres constantes piezoeléctricas:

G11, g22, g33

Y siete combinaciones del restantes quince constantes:

G21 +g16, g31 + g15, + g12 + g26,

g13 + g35, g23 + g34, g32, + g24,

g14 + g25 + g36


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Antes de llevar fuera de medidas en barras, es más para medir primero todo de las constantes dieléctricas
*  *T ,
como perfilados en ij
6.2. La frecuencia *f*s es siempre medido para cada espécimen. Aun así, uno tiene una elección de medir
tampoco el *motional *capacitance o *f *p. Uno la consideración importante utilizó para hacer esta elección es la
muestra *capacitance. Si es pequeño, entonces el parásito *capacitance *shunting el espécimen puede ser
comparable a la muestra *capacitance. Esto causará una medida de *f *p para ser erróneo. Aun así, un parásito
*shunt *capacitance tiene ningún efecto en medidas de *f *s o el *motional *capacitance. Cuándo la muestra
*capacitance es bastante grande, una medida de *f *p es más sencillo y es para ser preferido.

Los especímenes de barra tendrían que ser bastante estrechos a *render sin importancia cualesquier errores
debido a la influencia de el ancho-proporción de #periodo. Para medidas de las constantes de frecuencia el
ancho-proporción de #periodo tendría que ser menos de 0.1 para aproximar el asumido infinitamente barra
estrecha. Aun así, para las medidas hicieron para obtener el *coupling factor, el ancho-proporción de #periodo
puede ser aumentada a 0.3 para comodidad, desde entonces en practica no tanta exactitud está requerida para
constantes piezoeléctricas en cuanto a constantes elásticas. El ancho-proporción de grosor tendría que
ser más suma que 2 para medidas con la perpendicular de campo a la #periodo.

6.4.6 Modos radiales de Discos.

Un modo radial [*B12], [*B13], [*B24]–[*B26] puede ser entusiasmado en los discos cortados normales a el *Z
eje para materiales en clases 3, 3*m, 6, y 6*mm . Debido a la dificultad de preparar discos de especímenes
cristalinos, este modo ha sido utilizado casi exclusivamente para medidas en *poled *ferroelectric cerámica. No
obstante, su importancia en esta conexión *warrants cobertura en este nivel.

De la teoría básica del resonador de disco presentado en 4.6 uno encuentra que la impedancia eléctrica está
dada por

*Z  = *t  *i33*T Un2


*J1un   *p +  *p (151)
–1
 ------------------------------------------------------------------------------------------
1 – *k*  *J1 un   *p +  *p – 1* + 2*k 2
2
p p
Dónde *t es el grosor de disco, un el radio, y *J 1 está definido por *Eq 112. Si 1 está definido como 2*f*sun/*p,
entonces 1 es la raíz más baja de

*J1 1 = 1 –  (152)


*p

Mesa 12 da las variaciones de 1 con *p. Así, de una medida de la frecuencia de resonancia fundamental de
un resonador de disco, uno obtiene

*s *E 1 –  *p2 = 2  2 *f un2


11 1 (153)
*s

*Eq 153 es claramente no suficiente de determinar11 O *p. Uno método conveniente [*B12] para obtener *p es
cualquier *s *E para medir
También la frecuencia de resonancia *f 2 de el primer *overtone modo radial, dado por la segunda raíz más
*
baja de *Eq 152. El s
Proporción *f 2  *f entonces depende sólo *p y está dado como función de *p en Mesa 12. Una vez *p
* *s 11
está encontrado
s de este modo, *s *E

Puede ser calculado de *Eq 153. Otro método para medir *p está descrito en *IEC 444 (1973) [4].

Si 1 está definido tan *pun/*p, aquello es,

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 *f 
1 =  1 *f *p  *f *s =  1  1 + ------ (154)
*f
 *s

Entonces el planar *coupling el factor puede ser calculado como sigue de medidas de la resonancia y
*antiresonance frecuencias:

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(155)
*J 1  1  +  *p –
*2 1
k = ----------------------------------------
*
p
*J1 1 – 2

Mesa 12—Constante de Frecuencia de Resonador de Disco 1 = 2*f*sun/*p y Proporción de


Primer *Overtone a *
Frecuencias de Resonancia *fs 2  Como Función del Planar *Poisson Proporción
*f *s
fundamental
*
s
*p 1 *f 2  *f *s

0 1.84118 2.89566

0.05 1.87898 2.84258

0.10 1.91539 2.79360

0.15 1.95051 2.74826

0.20 1.98441 2.70617

0.25 2.01717 2.66699

0.30 2.04885 2.63043

0.35 2.07951 2.59625

0.40 2.10920 2.56423

0.45 2.13797 2.53416

0.50 2.16587 2.50589

0.55 2.19294 2.47926

0.60 2.21922 2.45414

0.65 2.24434 2.43040

Cifra 15 espectáculos una trama de *k *p *versus *f/*f*s para *p = 0, 0.3, y 0.6 como calculado de *Eq 155. El
*coupling factor *k*p puede ser calculado también de una medida de el *motional *capacitance constante,
2 *T 1 +  *p
 = 2*k *p 33 -----------------------------------
 *p2 – 1 + 1
2 (156)

Pero una medida de *f *p normalmente es preferible en este caso.

El dieléctrico constante 33 Presentado en 4.5 está narrado a las constantes Y *S Por el siguiente
*p dieléctricas *T 33 33
Expresiones:
*p = * 1 – *k 2 
T  
33 *33
p
2
(157)
 *p
= *  1 – 33
S *k *t
33 33
33

Así, para materiales en clases 3,3*m, 6, y 6 *mm, las constantes Y *S Está narrado por el
33
dieléctricas *T sencillo
Expresión

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 *S*t =  *T 1 – *k 2  1 – 2
*k
33 33 *p 33
(158)

También, el planar *coupling factor *k*p y el *extensional modo *coupling factor *k31 está narrado por *Eq 117,
concretamente,

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*l 2 = *k 2 1 –  *p 
* 31
(159)
*
k 2 p

Esta última relación proporciona otra técnica para medir *p.

Cifra 15—Planar *Coupling Factor de Disco Delgado *Versus (*f*p – *f*s)/*f*s para *p = 0, 0.3, y
0.6

En medir resonadores de modo radial un tener que normalmente ha < *t 20un para aproximar el asumido
infinitamente disco delgado. Aun así, cuándo uno está midiendo el primer *overtone modo radial para determinar *p,
esta afección no es adecuada, y uno tiene que haber < *t 40un para asegurar resultados fiables. El uso de
*Rayleigh-correcciones de tipo como discutidos en IEEE *Std 178-1958 (*R1972) [6], no es recomendado
cuándo el primario *intent de la medida es la determinación de constantes materiales.

6.4.7 Modos de grosor de Platos.

En general, los modos de grosor de platos son bastante complejos, como hablados en 4.3. Para simetrías de
cristal seguro y orientaciones, aun así, sólo un modo de grosor solo está entusiasmado por un campo
eléctrico en la dirección de grosor, y medidas en los resonadores que vibran en estos modos son útiles para
determinar constantes piezoeléctricas seguras. En particular, un plato cuyo normal es a lo largo de un dos-, tres-,
cuatro-, o *sixfold eje, y cuyo plano no es un plano de espejo y contiene no eje doble, vibrará en un grosor puro
*extensional modo. Un plato cuyo plano contiene exactamente uno eje doble (esto incluye , cuatro-, y *sixfold
hachas) vibrará en un grosor puro *shear modo, polarizado a lo largo del eje doble.

Para ambos grosor *extensional y grosor *shear modos, hay tres constantes materiales pertinentes, una
constante elástica *c*E, una constante piezoeléctrica *e, y un dieléctrico constante *S. El electromecánico
*coupling factor *k está dado en plazos de estas constantes por

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*k2  1 – *k2 = *e2  *S*c*E


(160)

La constante elástica está narrada a la


frecuencia *f*p:

*c*E = 41 – *k2 **f


2*t2 p (161)

Dónde *t es el grosor de plato, y la impedancia eléctrica es de la forma


Bronceado 
*Z  = *t  *i*SUn 1   4 *f  
2 -------------------------------
– *k * (162)
p   4 *f *p

Dónde Un es el área de electrodo. De *Eq 162 uno encuentra que el *coupling el factor puede ser determinado de
las frecuencias
*f*s Y *f *p,
2  *f *s  *f
*k = -- ------ Bronceado -- ------
2 *f *p 2 *f
*p (163)

O del *motional *capacitance constante:


 *f *p  *f *s2
 = 8*S *k 2   2  -----------------------------------------------------------------------
---
1 – 4*k 2 1 – *k 2   *f *p  *f (164)
*s   2
2

Cuándo *k < 0.1,  = 8*s*k2/ es una aproximación adecuada a *Eq 164, y para *k > 0.1 valores de /*S
*versus *k está dado en Mesa 11.

Para algunos ejemplos concretos, un *Y-plato de cuarzo cortado (clase 32) vibra en un grosor puro *shear modo y
el pertinente
Las constantes*c66, *e26 22
*S , y *t . Un *Z-cadmio cortado *sulfide plato (clase 6*mm) vibra en un grosor
* 26
son k puro
,
*
E
*extensional El modo y las constantes pertinentes son *c *E , *e33,  *S , y *k *t .
33 33 33

En medir resonancias de modo del grosor, el grosor de plato tendría que ser 0.1 o menos cronometra la
dimensión transversal más pequeña. Incluso si esto es el caso , *coupling a alto *overtone modos de contorno es
frecuentemente un problema serio. A menudo las dimensiones de plato tienen que ser cambiadas ligeramente
para coger una resonancia clara para medir *f*s.

Debido a el muchos *spurious resonancias de altos *overtone modos de contorno, no es deseable de


intentar una medida directa de *f *p. Es preferible de determinar *f*p de alto *overtone resonancias como
mencionados en 4.3 y hablados más allá en 6.5. El *coupling el factor entonces puede ser calculado utilizando *Eq
163. Un procedimiento alternativo [*B10] es para medir las frecuencias de el fundamentales y primero o más
altos *overtone resonancias y utilizar la proporción para calcular el *coupling factor. Para materiales con
pequeños *coupling factores, aun así, *f es pequeño, y pueda ser más cuidadoso de medir el *motional
*capacitance.

6.4.8 Otros Modos

IEEE *Std 178-1958 (*R1972) [6] discutido seguro otros modos, específicamente modos de contorno de platos
cuadrados. Desde el análisis de estos modos implica aproximaciones más severas que aquellos utilizados en este
nivel, y desde la gama de la validez de estas aproximaciones puede no fácilmente ser determinado en todos

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los casos, el uso de estos modos para medir las constantes materiales no es recomendadas en este nivel.

6.5 Medida de Plano-Velocidades Ondulatorias

Para materiales piezoeléctricos, el plano-velocidades ondulatorias, como hablados en 4.2, está narrado a las
constantes materiales fundamentales por *Eqs 49, 50, y 47, los cuales pueden ser escritos como sigue:.

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*ik – V 2*ik = 0 (165)

Con 
  *E *e *uij *e *kl *n *u *n 
*i*k = *c *ijk*l + ------------------------------ *n *j *n *l
  *S *n *n 
*rs *r *s
(166)

El *determinantal ecuación 165 cosechas tres positivos reales *eigenvalues V2 para dar las velocidades de el
tres plano agita propagar en la dirección *n. Por ello es posible, en principio, para determinar cada cual de el
tensor elástico y piezoeléctrico elementos si uno mide las velocidades de propagación de olas de plano
para un número suficiente de partícula y propagación distintas direcciones de cubicaje en el sólido. Uno
entonces tiene que encontrar valores de las constantes que cosecha el midió las velocidades cuándo
sustituidas a *Eqs 165 y 166..

6.5.1 Pulso-Métodos de Eco

El pulso “de plazo-métodos de eco” abarca aquellas técnicas en qué el plano-las velocidades ondulatorias están
determinadas de pulso *transit medidas de tiempo. Hay una variedad de técnicas concretas para medidas de
este tipo. La elección del cual uno a uso depende a si medidas absolutas o relativas están queridas, la exactitud
requerida de la medida de velocidad, y también a las haciendas de el materiales debajo consideración. Para
todo el pulso común-técnicas de eco, un piezoeléctricos *transducer, normalmente un plato de cuarzo delgado,
está fijado a la muestra para obrar como generador y auricular para el estrés de propagar olas. (A veces dos
*transducers está empleado en un arreglo de transmisión donde la ola de estrés está generada en uno acaba de la
muestra y recibido en el otro fin.) A escaso radiofónico- frecuencia el pulso eléctrico está aplicado a el
*transducer, y una serie de pulsos es entonces observado (en un osciloscopio, por ejemplo) como el alboroto
acústico está reflejado atrás y adelante dentro de la muestra. La velocidad es entonces computada del pulso
*transit tiempo y el grosor de muestra (Higo 16). Las variaciones de este esquema básico son disponibles de medir
más con exactitud el retraso de tiempo entre el resuena. Con estas variaciones un puede compensar para varios
*inaccuracies que puede ocurrir, por ejemplo, el turno de fase en el vínculo entre *transducer y muestra, el efecto de
distorsión de los pulsos durante reflejo, y tan adelante. Las características predominantes de algunos de
las técnicas más comunes son *summarized en Mesa 13 junto con remisiones a prendas en qué los detalles de
un método particular pueden ser encontrados. Es evidente de la mesa que los métodos más cuidadosos son
aquellos cuáles confían en una técnica de interferencia del pulso. Varias discusiones generales de medidas
de velocidad ultrasónica son también disponibles [*B28], [*B35]–[*B37].

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Cifra 16—Pulso-Medida de Eco de Velocidad (un) Reflejo de Pulso (*b) Transmisión de Pulso
(*c) Recibió Patrón de Pulso, Velocidad  = *t/

Tenga que ser notado que para el plano agita propagar en una dirección arbitraria en un cristal, la energía *flux
vector, definido por *Eq 26, generalmente no es *collinear con la dirección de propagación *n. Si la
desviación es grande y las dimensiones de muestra no son mucho más grandes que la medida de el
*transducer, alguna porción o todos de la viga ultrasónica pueden pegar las fronteras de lado antes de lograr
el fin lejano de la muestra.

6.5.2 Alto *Overtone Modos de Grosor

Como indicado en 4.3, los modos de grosor de un plato arbitrariamente anisótropo son extremadamente
complejos. Mientras es posible en principio para extraer información sobre constantes materiales de medidas
de la impedancia *versus frecuencia cerca una resonancia, no es práctico de hacer tan. Así, en este caso
las medidas están restringidas a las frecuencias de resonancia de altos *overtones, en los límites donde *Eqs
59 y 60 aplica. Esta medida entonces cede el plano-velocidades ondulatorias para las olas que propagan en la
dirección de grosor de el plato. Aquello es, de *Eq 60,
V *n  2 *s
*f *n*t *n = 1 2 3
 *m *m

*m = 7 9 11 13
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(167)

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Dónde *f*s*n es el *m *th *overtone frecuencia de resonancia de el*n *th modo, V(*n) es el plano-la velocidad
ondulatoria
*m que corresponde a aquel modo, y *t es el grosor de plato. El *overtone las frecuencias son alto bastante

cuándo la velocidad computada de *Eq 167 constante de restos hasta dentro 0.1% para tres valores
sucesivos de *m .

Para medir el alto-*overtone frecuencias de resonancia, uno puede utilizar cualquier técnica conveniente para
entusiasmar el modo para ser medido. Así, algunos modos (*unstiffened modos) no puede ser entusiasmado por
un campo eléctrico en la dirección de grosor del plato. Uno a veces puede entusiasmar estos modos por un campo
eléctrico en el plano de el plato (ve 4.4), y por ello ambas configuraciones de electrodo asomadas en Higo 17
es útil para estas medidas.

Mesa 13—Pulso Común Técnicas de Medida para Determinaciones de Velocidad Ultrasónica


Sensibilidad de Exactitud de Características de método
Remisiones
Detectó retraso de Tiempo de los pulsos entre sucesivo 102 103 *Lazarus
principal [*B27]
Bordes del detectados resuena *McSkimin
está medido. El aparato requerido [*B28]
es relativamente sencillo.
Pulsos con Mismo como el precediendo, exceptúa 103 105 *Forgacs [*B29]
exposición que el retraso está encontrado por
cargadora observar el plano medio- ciclo de el
*RF transportista en cada eco.
La mayoría de útil para bajo-
*megahertz frecuencias en
materiales de pérdida baja. 104 105 *McSkimin [*B30]
Pulso *superposition o Williams y Cordero
anulación de fase Cualquiera la tasa de repetición del [*B31] *McSkimin y
pulso o la frecuencia cargadora está *Andreatch [*B32],
ajustada con objeto de causar [*B33]
interferencia constructiva o
destructiva de sucesivo resuena. La
exactitud y la sensibilidad dependen al
aparato y asumir que correcciones
adecuadas para *transducer y el vínculo
ha sido añadido.
Canta-alrededor de Un detectó el pulso transmitido suele 103 2 *· *Forgacs [*B34]
gatillo el generador de pulso para el 105
pulso próximo. La velocidad es A
entonces medida por observar la tasa 10
7
de repetición del pulso. Esta técnica
es más útil para medir cambios
pequeños en velocidad.

El efecto de concentra cargar por los electrodos, hablados en 4.3, es más importante para la medida de alto
*overtone resonancias que para cualquier de las otras medidas de resonador, pero esto no es encontrado para ser
un problema serio en práctica. Si el plato está hecho con un grosor razonable (1 *mm ha sido encontrado para ser
una elección buena para muchos materiales), y si un material de electrodo de densidad baja como aluminio está
utilizado, la reducción de frecuencia de la resonancia debido a inercia de electrodo es fácilmente aguantado a
unas cuantas partes en 104.

Finalmente, tenga que ser notado que medidas de altos *overtone resonancias de modo del grosor ceden
exactamente la misma información como pulso-medidas de eco de plano-velocidades ondulatorias. Las
velocidades midieron de este modo es cuidadoso a aproximadamente 1 parte en 103, principalmente debido a
limitaciones en hacer las superficies importantes de el piso de platos y paralelo y determinando el grosor
de plato. La exactitud es casi un orden de la magnitud peor que que asequible por pulso- técnicas de eco. Por ello
el pulso-métodos de eco están preferidos si la instrumentación y las muestras son disponibles de utilizarles .
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6.5.3 Un Ejemplo

Pulso-medidas de eco de velocidad ultrasónica pueden ser utilizadas conjuntamente con otras técnicas
experimentales para determinar las constantes materiales fundamentales. O en algunos casos, pueda ser
conveniente de determinar todas las constantes de el plano-velocidades ondulatorias. Como un ejemplo, un
procedimiento para obtener las constantes para un material de clase 23 (óxido de germanio del bismuto, por
ejemplo) está perfilado aquí. Esta simetría alta está escogida para simplicidad-, un más bajo

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Clase de simetría requeriría un análisis más complicado. Un cristal de esta simetría tiene tres constantes elásticas
independientes, uno constante piezoeléctrica, y uno constante de permitividad dieléctrica (ve Mesa 8). Estos cinco
constantes pueden ser encontradas de cuatro velocidad ultrasónica medidas y uno abajo-frecuencia
*capacitance medida, qué
Determina la “permitividad” libre 11*T . Para propagación en el (100) dirección, el longitudinal-la velocidad 1
ondulatoria es 2 =
*c *E   , y hay dos *shear olas, cada cual habiendo la misma velocidad 2 = *c *E   , dónde  es la densidad.
Para
11 2 44
Propagación en el (011) dirección (rotación de el2 cristal por 45 grados sobre el X axial), uno mide las velocidades
2 = [*frac12] ( *c *E 
De
*E
el dos *shear olas para qué  2 = *c + *S
*e /  (Cubicaje a lo largo de (100)) y
*E
*c )
3 44 14 11 4 11 12
(Cubicaje a lo largo de (011)). Estas medidas, junto con la relación  *S 11 = 11  * 14 / *c44 , es suficiente a
*T 2 *E

Determinar todas las *E e


11 Y *c 44 Está determinado 12 Es entonces computado de 4, y el
constantes: *c *E directamente, *c *E piezoeléctrico
Constante *e14 está computado de las ecuaciones

2 = *c = *c *E + *e 2   *S
3 44 44 14 11
 *S =  *T – *e 2  *c *E
(168)
11 11 14 44
O

*e 2 = *c *E  *T 1 – *c *E  2
14 44 11 44 3
(169)

El signo de *e14 es positivo según la convención en la elección de hachas en Sección 3.

Cifra 17—Configuraciones de Electrodo para Vibraciones de Grosor

Aviso de *Eq 169 que *e14 está dado en plazos de la diferencia entre un agarrotado y un *unstiffened velocidad.
Si *e14 es muy pequeño, no pueda ser determinado con exactitud de este modo. Por ello el uso de
medidas de velocidad para obtener las constantes piezoeléctricas es más adaptadas a casos donde el
piezoeléctricos agarrotando es grande. Aun así, el elástico *stiffness las constantes pueden ser encontradas
más con exactitud de pulso-medidas de eco que por cualquier otro método.

6.6 Coeficientes de Temperatura de Constantes Materiales

Coeficientes de temperatura de el elásticos, piezoeléctricos, y las constantes dieléctricas son importantes para
pronosticar la variación con temperatura de la respuesta de frecuencia de filtros y resonadores prácticos.
Para materiales con pequeños electromecánicos *coupling, como cuarzo [*B38]–[*B40], las constantes
piezoeléctricas y dieléctricas normalmente tienen un efecto insignificante en la respuesta de temperatura de los
aparatos que utilizan el material; sólo los coeficientes de temperatura de las constantes elásticas y los
coeficientes de expansión térmicos son significativos. Cuándo el electromecánico *coupling es grande, por ejemplo,
como en *LiTaO3 [*B41], los coeficientes de temperatura de todas las constantes pueden ser
significativos.
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El *n *th-coeficiente de temperatura del orden de la cantidad *q en la temperatura de remisión 0 está


definido por
*n 1   *q 
*n
*T *q = ---------- ------------
*q0*n!  *n 
=
0 (170)

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Dónde *q0 = *q(0 de modo que




*q – *q0  *q0 = *q  *q0 =  *T *n*q


– 0*n (171)
*n=
1

Las medidas de el tipo describieron anteriormente en esta sección hecha como la función de temperatura suele
obtener los coeficientes de temperatura de constantes materiales. Dos métodos son disponibles para computar
los coeficientes de las medidas.

1) Las ecuaciones para frecuencia o velocidad ultrasónicas pueden ser diferenciadas con respetar a
temperatura y los coeficientes de las constantes explícitamente computadas de los coeficientes
de velocidades o frecuencias..
2) Las constantes pueden ser calculadas en cada de varias temperaturas y sus coeficientes encontrados por
torce caber.

El primer método es particularmente apropiado tampoco cuándo el material es de simetría alta de modo que
las ecuaciones son sencillas, o cuándo los resultados satisfactorios están obtenidos por desatender las
constantes piezoeléctricas y dieléctricas. El segundo método es matemáticamente más sencillo pero menos
directo. Normalmente no más de el más bajo dos coeficientes pueden ser extraídos *reliably por estos métodos.
Una excepción ocurre cuándo los coeficientes más bajos acaecen muy pequeños para orientaciones concretas
seguras.

Las precauciones seguras tienen que ser observadas en la medida de coeficientes de temperatura. La validez de
la aproximación de serie del poder a el comportamiento de temperatura tendría que ser probada. Si más de dos
coeficientes están necesitados para caber el dato, la presencia posible de una transición de fase o la anomalía
debido a una impureza tendría que ser investigada. Los efectos de apoyos mecánicos, medida de electrodo,
geometría de plato, y nivel de paseo para medidas de resonador tendría que ser minimizado lo más lejos posible.
Patrones de pulso anómalo debido a irregularidades en la muestra, *transducer, o el vínculo tiene que ser evitado
en el caso de pulso ultrasónico-medidas de eco. Tales efectos a menudo pueden ser detectados por comparación de
medidas en ligeramente frecuencias diferentes.

Finalmente, una prueba buena de los coeficientes de temperatura derivados es la predicción y


confirmación de el comportamiento de temperatura de resonadores de geometría sencilla de las
constantes fundamentales.

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