Nanomaterial : Nanowire

Abstrak

Nanoscience merupakan ilmu yang mempelajari struktur dan material yang memiliki
ukuran nanometer. Struktur nano telah ada di alam jauh sebelum para ilmuwan mulai
mempelajarinya di laboratorium. Contohnya satu DNA, blok penyusun semua makhluk hidup,
memiliki ukuran sekitar tiga nanometer. Para ilmuwan bahkan telah membuat struktur nano di
laboratorium yang meniru beberapa struktur nano yang luar biasa di alam. Para ilmuwan dan
insinyur dari beberapa disiplin ilmu termasuk fisika, kimia, biologi, dan ilmu material
menggunakan prinsip-prinsip nanosains untuk aplikasi tingkat lanjut dalam energi, obat-
obatan, penyimpanan informasi, komputasi dan di tempat lain. Meskipun terobosan dalam
bidang penelitian sulit diprediksi, masa depan nanosains kemungkinan akan melibatkan
peningkatan dari perakitan atom dan nanodevices individu ke sistem dan struktur makroskopis
dengan sifat yang berevolusi dan berbagai fungsi.

Pendahuluan

Pada dekade trakhir nanowire merupakan salah satu nanoteknologi yang menjadi bahan
perbincangan menarik. Nanowire ini ada dalam beberapa bentuk, terbuat dari logam,
semikonduktor, isolator dan senyawa organik - dan sedang dipelajari untuk diaplikasikan
dalam elektronik, konversi energi, optik dan penginderaan kimia, di antara bidang lainnya.
Karena strukturnya yang dikatakan quasi satu dimensi karena "Dua dimensi mereka berada
pada skala nanometer." oleh seorang Profesor ilmu material dan teknik - Silvija Gradečak,
MIT. Dimensi-dimensi ini memberikan sifat listrik dan optik yang khas. Sehingga elektron
dan foton dalam nanowires ini mengalami " quantum confinement effects”. Namun, tidak
seperti bahan-bahan lain yang menghasilkan efek kuantum seperti, titik-titik kuantum, panjang
nanowires memungkinkan mereka untuk terhubung dengan perangkat makroskopik lain dan
dunia luar.

Struktur nanowire sangat sederhana sehingga tidak ada ruang untuk defects, dan
elektron dapat lewat tanpa adanya hambatan. Sehingga mengesampingkan masalah utama yang
biasa terjadi pada semikonduktor kristalin, seperti yang terbuat dari wafer silikon: bahwa selalu
ada defects pada struktur tersebut, dan defects tersebut mengganggu jalannya elektron.

Nanowire pertama (struktur semikonduktor berlapis tipis) dikembangkan pada 1987

oleh para ilmuwan di Bell Laboratories. Sebuah nanowire desain dengan struktur lebih halus
dikembangkan dan dijelaskan pada tahun 1991 oleh insinyur Belgia Jean-Pierre Colinge. Sejak
itu, nanowire telah diselidiki untuk kemungkinan diaplikasikan dalam berbagai bidang,
termasuk optik, elektronik, dan genetika.

Nanowires dapat dibuat dari berbagai material, termasuk silikon, germanium, karbon,
dan berbagai logam konduktif, seperti emas dan tembaga. Ukurannya yang kecil membuatnya
menjadi konduktor yang baik, karena elektron dapat mudah melewatinya tanpa ada defects
tadi, sifat tersebut yang memungkinkan kemajuan penting dalam ilmu komputer. Sebagai
contoh, pengembangan saklar fotonik optik menggunakan nanowire kadmium sulfida khusus
yang memungkinkan foton untuk melewati kawat dan bertindak sebagai sinyal biner (yaitu, 0
dan 1) memiliki potensi untuk meningkatkan kecepatan komputer.

Sifat dari nanowire sudah tidak hanya berasal dari sifat intrinsik bahan penyusunya,
karena skalanya tapi juga geometri materialnya. Nanowires memiliki struktur anisotropik
dengan diameter dari satu hingga ratusan nanometer dan panjang puluhan hingga ratusan
mikron, menyediakan platform unik untuk memanfaatkan fenomena berskala nano ini. Banyak
nanowire adalah kristal tunggal, dan sebagai hasil dari diameter nanonya sehingga memiliki
luas permukaan yang sangat besar. Rasio luas permukaan-ke-volume yang tinggi ini membuat
nanowire sangat sensitif terhadap perubahan kimia dalam permukaan dan dapat dikembangkan
dalam bidang sensor. Diameter nanowire juga cukup kecil untuk memungkinkan penetrasi
struktur biologis tanpa kerusakan, sementara panjangnya memungkinkan untuk
menghantarkan sinyal masuk dan keluar dari sel. Sifat ini juga membuat nanowire sangat
efektif sebagai elektroda baterai, dengan jalur konduksi panjang yang mencapai konduktivitas
tinggi dan luas permukaan yang besar yang memungkinkan pengisian cepat.
 Diameter kawat nano kurang dari panjang gelombang cahaya tampak; sebagai hasilnya,
sebuah nanowire aktif dalam rentang gelombang optik. Absorpsi dan reflektifitas dapat diatur
dengan memanipulasi geometri nanowire untuk memilih mode optik tertentu. Demikian pula,
nanowire berada di bawah mean free path untuk fonon, memungkinkan pengurangan
konduktivitas termal di bawah batas massal (bulk).

Untuk memahami bagaimana sifat yang dialami oleh nanowire ini kita memerlukan
pendekatan secara mekanika kuantum. Karena ukuran dan aspek rasio yang dimiliki ileh
nanowire ini menyebabkan elektron dibatasi kuantum yang demikian menempati tingkat energi
yang berbeda dari kesatuan tingkat energi. Pembatasan kuantum oleh nanowire tertentu yang
ditandai dalam nilai-nilai diskrit dari konduktansi listrik. Nilai diskrit tersebut berasal dari
pembatasan mekanika kuantum pada jumlah elektron yang dapat melakukan
perjalanan/berpindah melalui kawat pada skala nanometer. Nilai-nilai diskrit sering disebut
sebagai konduktansi kuantum dan merupakan kelipatan bilangan bulat

Hasil diatas merupakan inversi dari satuan hambatan yang dikenal h/e2, yang sebanding dengan
nilai sekitar 25812.8 ohm, dan dirujuk sebagai konstanta von Klitzing RK (dinamai dari Klaus
von Klitzing, pencetus kuantisasi pasti).

Metode Sintesis

Sifat mekanik kawat nano juga berbeda dari yang dari bahan massal karena kemampuan
nanowire untuk menghilangkan ketegangan pada permukaannya. Untuk menghasilkan dan
memanfaatkan sifat-sifat ini, sintesis nanowire yang andal dan dapat dikontrol diperlukan,
tetapi metode sintetis sangat bervariasi dalam bagaimana struktur anisotropik yang sangat
ekstrim dihasilkan. Secara garis besar, teknik sintesis dapat dibagi menjadi dua kategori:
fabrikasi top-down dan sintesis bottom-up.

Pendekatan top-down dilakukan dengan mereduksi potongan besar material menjadi

potongan-potongan kecil (subtraktif) seperti mengukir patung dari blok marmer, menggunakan
bahan kimia daripada pahat untuk mencapai kontrol nano, ini menggunakan teknik yang
digunakan oleh industri semikonduktor, seperti litografi atau elektroforesis. Secara umum,
fabrikasi top-down bergantung pada instrumentasi besar, mahal, dan tepat.
 Di antara teknik top-down paling populer untuk fabrikasi nanowire adalah litografi,
yang digunakan secara luas dalam industri mikroelektronika. Teknik ini melibatkan
pengendapan bahan resist, seperti poli (methylmethacrylate) yang akan bertindak seperti film
fotografi untuk menghasilkan pola setelah paparan dan pengembangan menggunakan cetakan
bermotif. Resolusi fotolitografi dibatasi oleh teknik litografi dan panjang gelombang cahaya
yang digunakan, namun sering tidak cocok atau praktis untuk nanowire kecil. Pola dengan
resolusi yang lebih tinggi dapat dicapai dengan litografi elektron-beam, yang merupakan
metode paparan langsung-tulis tanpa cetakan. Untuk produksi nanowire vertikal, pola akan
terdiri dari serangkaian lingkaran atau lubang di atas lapisan dari bahan target. Untuk nanowire
horizontal, pola akan menjadi serangkaian garis seperti substrat berlapis, seperti silikon-on-
isolator (SOI).

Fabrikasi nano top-down menarik karena kemudahan yang membuat susunan nanowire
dapat dibangun. Ini memfasilitasi kontak listrik ke kawat nano dan integrasinya ke perangkat
berskala besar. Selain itu, banyak dari proses ini yang cocok dengan proses industri
mikroelektronika standar, yang memungkinkan peningkatan skala. Fabrikasi ini juga memiliki
kekurangan, seperti penerapan photolithography untuk proses ini berkurang karena skala
panjang yang diinginkan menurun, membutuhkan penerapan metode yang lebih maju seperti
litografi ultaviolet ekstrim (EUV). Alternatif untuk photolithography, seperti electron-beam
dan scanning probe lithographies, adalah teknik direct-write, yang membutuhkan penulisan
serial lambat dari masing-masing elemen. Paralelisasi teknik ini akan diperlukan untuk
produksi skala industri. Nanowires yang dibentuk oleh proses top-down juga sering
menimbulkan kurangya karakteristik elektronik yang rumit. Ketika terukir dari lapisan, setiap
modulasi komposisi yang diinginkan harus dikodekan ke dalam lapisan sample dengan teknik
seperti epitaksi balok molekul (MBE) atau dikodekan setelah pertumbuhan melalui metode
implantasi. Proses ini dapat sangat meningkatkan biaya bahan perangkat nanowire
dibandingkan dengan teknik bottom up.

Pendekatan bottom-up mensintesis kawat nano dengan menggabungkan konstituen

adatom (atom yang berada pada permukaan kristal) . Kebanyakan teknik sintesis menggunakan
pendekatan bottom-up. Sifat anisotropik nanowire sering dicapai dengan menggunakan katalis
nanopartikel dan prekursor fase gas. Salah satu metode yang paling umum adalah proses
Vapor-liquid-Solid (VLS), dimana prekursor gas dari bahan nanowire yang diinginkan, seperti
SiCl4 (Prod. No. 215120) untuk silikon, larut ke dalam katalis cair-logam. katalis menjadi
jenuh, nanowire padat kemudian mengkristal dari katalis cair, seperti yang diilustrasikan pada
Gambar 2A. Sintesis ini melibatkan sistem deposisi uap kimia (CVD), di mana suhu, tekanan,
dan laju aliran prekursor dapat diatur. Kondisi harus dikendalikan untuk meminimalkan proses
bahan non-katalitik berada pada sisi nanowire, yang akan mengganggu geometri silindris.
Nanopartikel logam mulia umumnya berfungsi sebagai katalis awal untuk proses nanowire.
Untuk proses VLS, logam harus membentuk tetesan cair yang membentuk komposisi eutektik
yang meleleh pada suhu yang lebih rendah dari logam murni atau bahan semikonduktor.
Namun, ketika mensintesis material biner atau terner yang mengandung logam leleh rendah,
seperti Ga in GaAs, proses VLS dapat dikatalisis sendiri menggunakan tetesan cair Ga yang
secara kontinyu dipasok oleh prekursor fase uap seperti trimetilgalium (Prod. No. 730734).
Proses VLS ini memiliki keuntungan untuk mengatur komposisi dari sampel, yang kemudian
dapat mengatur rasio dan struktur komponennya. Namun pada proses ini sering terjadi
kekurangan yaitu adanya kontaminasi dari bahan lain yang sulit dihindari.

Kesimpulan

Nanowires memiliki sejumlah sifat unik yang berasal dari struktur anisotropik namun
kebanyakan tunggal-kristal. Nanowire ini sangat sensitif terhadap perubahan kimia permukaan
karena luas permukaannya yang tinggi. Dan juga menyediakan untuk jalur hantaran muatan
anisotropik yang tinggi, memungkinkan untuk penghantaran radial cepat atau injeksi elektron
dikombinasikan dengan jalur konduksi panjang sepanjang sumbu nanowire. Diameter kawat
nano cukup kecil untuk memungkinkan banyak properti massal (bulk) untuk dimanipulasi oleh
geometri nanowire. Sifat optik nanowire dapat diatur dengan memanipulasi diameter, yang
kemudian mengubah mode resonansi optik nanowire. Demikian pula, transportasi termal dapat
diubah melalui geometri nano. Karena diameter nano mereka, nanowire dapat meringankan
beban lebih efisien daripada bahan massal (bulk) , membuat mereka jauh lebih fleksibel.

Perhatian utama yang mendasari sintesis atau fabrikasi nanowire adalah bagaimana
mencapai anisotropi yang diperlukan. Teknik fabrikasi top-down memanfaatkan kristal dan
menggunakan pola untuk secara selektif menghilangkan material untuk menghasilkan
nanowire. Sebaliknya, teknik bottom-up menyusun nanowire dari prekursor reaktif,
menggunakan nanopartikel atau template berstruktur nano untuk menyediakan struktur
anisotropi. Integrasi yang saling melengkapi teknik top-down dan bottom-up akan sangat
penting untuk integrasi nanowire dalam proses industri. Nanowires memberikan kesempatan
untuk mengatasi keterbatasan material secara massal melalui kontrol elektronik dan struktural
skala nano, yang akan memungkinkan generasi baru perangkat dan aplikasi.
References

[1] G. Yuri, Nanomaterials Handbook, 2006.

[2] David J. Hill, James F. Cahoon*, Nanowire Synthesis: From Top-Down to

Bottom-Up , Material Matters, 2017, 12.1

[3] David L. Chandler, Explained: Nanowires and nanotubes tiny filaments and
cylinders are studied for possible uses in energy, electronics, optics and other
fields, MIT News Office, April 11, 2013.