TEORIA DE

BANDAS EN
SOLIDOS
FISICA IV

• CAPRISTAN PALMA JOHANN

• DAGA CORRO JHON
• HIDALGO VALDERRAMA JAMIE
• HUARAZ RODRIGUEZ MIGUEL
 Teoría de Bandas en Sólidos
Una forma útil de visualizar la diferencia entre conductores, aislantes y semiconductores, es
dibujar las energías disponibles de los electrones en el material. En lugar de tener energías
discretas como en el caso de átomos libres, los estados de energía disponibles forman
bandas. La existencia de electrones en la banda de conducción, es crucial para el proceso de
conducción. En los aislantes, los electrones de la banda de valencia están separados de la
banda de conducción, por una banda prohibida grande. En los conductores como los
metales la banda de valencia se superpone con la banda de conducción, y en los
semiconductores existe una banda prohibida suficientemente pequeña entre las bandas de
valencia y conducción, que los electrones pueden saltarla por calor u otra clase de
excitación. Con tales bandas prohibidas pequeñas, la presencia de un pequeño porcentaje de
material dopante, aumenta la conductividad de forma espectacular.

Un parámetro importante en la teoría de banda es el nivel de Fermi, el máximo de los

niveles de energía de electrones disponibles a bajas temperaturas. La posición del nivel de
Fermi con relación a la banda de conducción es un factor fundamental en la determinación
de las propiedades eléctricas.
Conductores y Aisladores

Los metales se caracterizan por su alta conductividad eléctrica. Considérese, por ejemplo,
el magnesio metálico. La configuración electrónica del Mg es [Ne]3s2, de modo que cada
átomo tiene dos electrones de valencia en el orbital 3s. En un metal los átomos se
encuentran empacados muy cerca unos de otros de tal forma que los niveles energéticos de
cada átomo de magnesio se ven afectados por los de los átomos vecinos, lo cual da lugar a
traslape de orbitales. La interacción entre dos orbitales atómicos conduce a la formación de
un orbital molecular de enlace y otro de antienlace. Como el número de átomos existente
incluso en un pequeño trozo de sodio metálico es demasiado grande, el correspondiente
número de orbitales moleculares que se forman es también muy grande. Estos orbitales
moleculares tienen energías tan parecidas que se describen en forma más adecuada como
una "banda". Este conjunto de niveles tan cercanos en energía se conoce como banda de
valencia, como se muestra en la figura 1. La parte superior de los niveles energéticos
corresponde a los orbitales moleculares deslocalizados vacíos, que se forman por el traslape
de los orbitales 3p. Este conjunto de niveles vacíos cercanos energéticamente se llama
banda de conducción.

Figura 1

Se puede imaginar al magnesio metálico como un conjunto de iones positivos inmerso en

un mar de electrones de valencia deslocalizados. La gran fuerza de cohesión resultante de la
deslocalización es en parte responsable de la fortaleza evidente en la mayoría de los
metales. En virtud de que las bandas de valencia y de conducción son adyacentes, se
requiere sólo una cantidad despreciable de energía para promover un electrón de valencia a
la banda de conducción, donde adquiere libertad para moverse a través de todo el metal,
dado que la banda de conducción carece de electrones. Esta libertad de movimiento explica
el hecho de que los metales sean capaces de conducir la corriente eléctrica, esto es, que
sean buenos conductores.

¿Por qué las sustancias como la madera o el vidrio no conducen la electricidad? La figura 1
da una respuesta a esta pregunta. Básicamente, la conductividad eléctrica de un sólido
depende del espaciamiento y el estado de ocupación de las bandas de energía. Otros
metales se parecen al magnesio en el hecho de que sus bandas de valencia son adyacentes a
las de conducción y, por lo tanto, estos metales actúan fácilmente como conductores. En un
aislante la brecha entre las bandas de conducción y de valencia es considerablemente mayor
que en un metal: en consecuencia, se requiere mucho mayor energía para excitar un
electrón a la banda de conducción. La carencia de esta energía impide la libre movilidad de
los electrones. El vidrio, la madera y el hule son aislantes comunes.
Semiconductores

Numerosos elementos, en especial el Si y el Ge del grupo 4A, o grupo 14, tienen

propiedades intermedias entre las de los metales y las de los no metales y, por ello se
denominan elementos semiconductores. La brecha energética entre las bandas llenas y las
vacías en estos sólidos es mucho menor que en el caso de los aislantes (véase la figura 1), si
se suministra la energía necesaria para excitar electrones de la banda de valencia a la de
conducción, el sólido se convierte en un conductor. Nótese que este comportamiento es
opuesto al de los metales. La capacidad de un metal para conducir la electricidad disminuye
al aumentar la temperatura, ya que se acentúa la vibración de los átomos a mayores
temperaturas y esto tiende a romper el flujo de electrones.

Dentro de los sólidos semiconductores están el germanio y el silicio. Tanto uno como el
otro tienen cuatro electrones en la órbita externa, la que por su distancia al núcleo
correspondería que tuviese ocho electrones para lograr una configuración estable.
Admitiremos como principio que entre varios estados posibles los sistemas de la naturaleza
tienden a tomar el de mayor estabilidad, es por esto que tanto el Ge como el Si cuando se
solidifican toman una estructura cristalina tal que cada átomo tiene a otros cuatro a su
alrededor compartiendo con ellos un electrón en coparticipación ignorando la estabilidad de
ocho electrones que necesita en su última capa. En consecuencia cerca del cero absoluto el
germanio tiene todos sus electrones con baja energía dentro de las bandas de valencia y se
transforma en un aislador absoluto. En cambio a temperatura ambiente alguno de los
electrones toma la energía necesaria para pasar a la banda de conducción y el germanio se
comporta como un semiconductor(Ver figura 2.). El electrón que se independiza de la
atracción del núcleo se convierte en electrón libre y origina en la covalencia que se
destruye, la ausencia de una carga negativa o pozo positivo, que se denomina, laguna o
agujero. Se admite que esta laguna o agujero se va corriendo sucesivamente a través del
sólido, pues puede ser llenada por electrones de covalencias vecinas originando en ellas el
nuevo hueco (ver figura 3).

Cerca del O ºK, - Temperatura Ambiente ®

Figura2 2.

Figura 3.
La movilidad del agujero puede ser simulada por estudiantes. Cinco estudiantes son
electrones y una silla vacía es un agujero. Por cada movimiento de los estudiantes una silla
hac-ia la derecha (flechas oscuras) produce un resultado que es equivalente a una silla vacía
que mueve a la izquierda (flechas blancas). (Ver analogía en figura 4.)

Figura 4.

La conductividad que presenta un semiconductor a temperatura ambiente se denomina

conductividad intrínseca y mejora con la temperatura. Si a un trozo de Ge se le aplica una
diferencia de potencial ésta logrará orientar los electrones de manera tal que recorran el
circuito dirigiéndose hacia el polo positivo mientras que las lagunas se orientan recorriendo
el circuito hacia el polo negativo.

Por supuesto que un electrón que se dirige al polo positivo saliendo del semiconductor y
creando una nueva laguna será compensado por otro electrón que entra por el polo negativo
llenando otra laguna y manteniendo de esta manera el número de electrones y lagunas
originales.

Las lagunas y los electrones en estado libre en un semiconductor son los llamados
portadores de corrientes. Conviene aquí citar las experiencias de Rouland quien demostró
que se lograban los mismos efectos electromagnéticos haciendo girar a gran velocidad
cargas eléctricas positivas o negativas en sentido contrario. En otras palabras podríamos
decir que la corriente eléctrica es la acción conjunta del desplazamiento de electrones en un
sentido y de lagunas en sentido contrario.
Semiconductores del tipo "n":

La impurificación consiste en agregar al semiconductor átomos de otros elementos,

hablamos de una contaminación de un átomo contaminante por cada 108 átomos de la red.

Una de las impurezas usadas es el Arsénico que tiene 5 electrones en la última capa,
necesitando 3 para lograr la configuración estable de 8 electrones.

Poniendo en condiciones adecuadas de presión y temperatura cristales de Ge en presencia

de As, el mismo desplaza a los átomos de Ge y con 4 de sus electrones forma 4 covalencias
compartiendo electrones con otros cuatro átomos de Ge logrando 8 en la última capa a
expensas de liberar el quinto a la red. El electrón libre que se incorpora al sólido mejora la
conductividad del mismo porque se aumenta dentro del sólido el número de portadores de
corriente.

El ion arsénico (+) que se forma constituye una laguna fija ya que los electrones de la órbita
externa están formando una configuración estable sin necesidad que intervenga otro
electrón.

El nuevo semiconductor formado por la contaminación se llama semiconductor de tipo "n".

La impureza que lo originó, en este caso el arsénico, se llama impureza donadora; porque
dona un electrón a la red. Como lo que se ha aumentado es el número de electrones libres
en los semiconductores del tipo "n", a los electrones se los llama portadores hereditarios, ya
que estos predominan respecto de las lagunas.
Semiconductores del tipo "p"

El Ge se puede contaminar también con otras impurezas como el Boro o el Indio. Tanto
uno como el otro tienen 3 electrones de valencia en la última capa y también en condiciones
adecuadas de presión y temperatura estos pueden sustituir a un átomo de Ge de la red, pero
al hacer esto en las covalencias vecinas faltaría un electrón generando un hueco positivo
llamado laguna. Ésta genera estabilidades y tiende a ser llenada con electrones de
covalencias vecinas pasando el hueco o la laguna (+) alternativamente entre los átomos de
la red, es decir contrariamente a lo que hacía el Arsénico , el Boro deja lagunas libres
forzando a los electrones a ocuparlas y haciendo que estos queden en minoría resultando
como portadoras mayoritarias las lagunas. Este nuevo semiconductor se denomina del tipo
"p" y a la impureza, "aceptora".

Cuando la conducción es dominada por impurezas de aceptor o donador el material se

denomina semiconductor extrínseco.
Unión p-n

Una unión p-n se obtiene por la unión de un semiconductor tipo "p" y uno "n". En el tipo
"p" los portadores mayoritarios son lagunas y tratarán de difundirse hacia el "n" por lo
contrario los portadores mayoritarios del "n" que son los electrones tratarán de difundirse
ocupando parte de "p".

Pero tanto uno como otro semiconductor son neutros, cada electrón que deja el "n" y pasa
al "p" carga negativamente al "p" y positivamente al "n" y cada laguna que pase del "p" al
"n" aumenta también la positividad de "n" y la negatividad de "p".

Al principio los primeros electrones y lagunas que difunden cerca de la juntura no

encuentran resistencia de ningún campo eléctrico pero a medida que van cruzando la unión
van dejando una zona sin portadores y creando un potencial eléctrico intenso que actúa en
contra del movimiento de otros portadores que quieren intentar el mismo camino.

Llega un momento que los portadores que no han cruzado la unión, si quieren hacerlo
necesitan energía extra para vencer el potencial y pasar la zona deprimida que es del orden
de un micrón.

El ancho de la zona deprimida depende de la concentración de los portadores mayoritarios.

El dispositivo que venimos analizando constituye lo que se llama un diodo semiconductor

de estado sólido.

Cuando al diodo se le aplica externamente una diferencia de potencial como si estuviera en

paralelo con una pila imaginaria que formó el potencial de la unión, los electrones del lado
n no pueden pasar al lado p porque la pila con su lado positivo refuerza la barrera de
potencial.
Por la misma razón las lagunas tampoco pueden pasar al lado n porque el potencial
negativo de la pila refuerza la barrera de potencial de la unión.

También podemos decir que no circulará ninguna corriente porque la pila exterior ensancha
mucho la zona deprimida. En realidad siempre circula una corriente pequeña debida a los
portadores minoritarios. La polarización del diodo realizada de esta forma se llama
polarización inversa, es decir si el diodo se polariza inversamente no conduce corriente. Si
invertimos la polarización de los portadores mayoritarios toman la energía necesaria para
atravesar la unión venciendo la barrera de potencial y a ésta se la denomina polarización
directa.

En forma no muy rigurosa podemos decir que un diodo polarizado directamente se

comporta como un interruptor cerrado mientras que inversamente polarizado como uno
abierto. El signo que se utiliza para individualizar a un diodo en un circuito es el siguiente:

A veces el cátodo viene marcado con un punto rojo sobre la cápsula del diodo y otras con
una banda negra próxima al extremo que hace al cátodo.
La tensión de polarización directa que vence la barrera de potencial natural del diodo se
denomina tensión de umbral y es menor en los diodos de germanio que en los de silicio.
Pasada esta tensión se pueden lograr grandes cantidades de corriente como muy pocas
caídas de potencial debido a la resistencia interna del diodo (aprox. 1 V).

Diodos luminiscentes (LEDS)

Los diodos luminiscentes son diodos semiconductores que al ser atravesados por una
corriente eléctrica emiten radiaciones electromagnéticas en una estrecha banda de
longitudes de onda (565nm a 950nm), dependiendo del semiconductor en que estén
construidos.

Algunas de sus ventajas son:

 Bajas temperaturas de funcionamiento.

 Gran estabilidad mecánica: insensibilidad frente a sacudidas o vibraciones.
 Facilidad para modular su emisión.
 Compatibilidad TTL.
 Pequeñas dimensiones.
 Inmunidad contra campos magnéticos y eléctricos, importante para la transmisión
de fibra óptica.

Dependiendo de la radiación emitida se subdividen en:

 Diodos Infrarrojos (IRED).

 Diodos Emisores de Luz Visible (LED).
 Diodos Láser.
Algunas aplicaciones son:

 Lámparas indicadoras o pilotos.

 Visualizadores numéricos de siete segmentos o alfanuméricos.
 En aparatos de medida.
 En instalaciones telefónicas, de datos y de señalización.
 Aparatos de electrónica moderna.

Industria de los semiconductores

El crecimiento de la industria de los semiconductores desde los inicios de la década de

1960 ha sido verdaderamente notable. Hoy en día los semiconductores son componentes
esenciales de casi cualquier equipo electrónico, desde la radio y el televisor hasta las
calculadoras de bolsillo y las computadoras. Una de las principales ventajas de los
dispositivos de estado sólido sobre los bulbos electrónicos es que los primeros se pueden
construir en un solo circuito integrado (chip) de silicio no mayor que la sección transversal
de una goma de lápiz de esta forma se puede almacenar mucho más equipo en un espacio
pequeño—un aspecto de particular importancia en los viajes espaciales y en las
minicalculadoras y microprocesadores (computers on a chip).

Unión PN

El diodo (Unión PN)

Para comprender la conducción de corrientes en los semiconductores, debemos entender
primero como funciona la unión P-N, es decir la unión de un semiconductor tipo P donde
hay huecos libres y un semiconductor tipo N donde hay electrones libres.

Diodo
La unión P-N la conocemos en los diodos, cuando aplicamos un voltaje a la unión P-N los
electrones y los huecos se mueven respectivamente hacia la unión de los dos materiales
porque polaridades del mismo signo se repelen, el voltaje positivo que se aplica al material
tipo P repele los huecos y estos cruzan la unión hacia el material tipo N, y así cada hueco
encuentra un electrón y de esta forma las cargas se neutralizan, por otro lado los electrones
cruzan la unión hacia el material tipo P y sucede lo mismo, los electrones y huecos que se
neutralizan son remplazados por mas electrones y huecos que entran en la unión P-N.
Entonces si se aplica el voltaje positivo al material tipo P y el voltaje negativo al tipo N la
corriente fluye y es lo que nosotros llamamos polarización directa. Cuando invertimos este
voltaje los huecos y electrones son atraídos a cada terminal y se alejan de la unión, lo que
hace que las partículas cargadas no puedan pasar la unión y de esta forma el flujo de
corriente se anula, esto es lo que conocemos como polarización inversa. Esta propiedad de
dejar pasar o bloquear la corriente en un semiconductor de unión P-N no solo se usa en los
diodos sino también en los transistores.

Polarización

Corrientes en los semiconductores

Para hablar de la corriente en los semiconductores debemos tener varios conceptos claros y
así entender mejor las cosas. Cuando hablamos de corriente eléctrica nos estamos refiriendo
al flujo de carga eléctrica, es decir, los portadores de carga que se mueven libremente por
un conductor producen una corriente y ese movimiento puede ser originado mediante una
excitación por medio de energía. Los mecanismos o formas de excitación para producir el
movimiento de estos portadores de carga se llaman fenómenos de transporte que pueden
producir conducción por arrastre o por difusión. La conducción por arrastre se presenta
cuando a un material semiconductor se le aplica una diferencia de potencial es decir un
voltaje, o se somete a un campo eléctrico. El campo eléctrico hace que los portadores de
carga es decir electrones y huecos, tomen una dirección y una velocidad, y de esta forma se
produce una corriente de arrastre. La cantidad de cargas de esta corriente que se mueven
por el conductor en un determinado tiempo depende de la fuerza con que actúa el campo
eléctrico.

Para entender esto de una manera sencilla ya sabemos por ejemplo que en un
semiconductor los electrones se están moviendo continuamente y de forma aleatoria debido
a la influencia de la energía térmica, pero cuando se le aplica la influencia de un campo
eléctrico, cada electrón percibe una fuerza que hace que los electrones se muevan con
sentido contrario al campo eléctrico y los huecos si se muevan en el mismo sentido de este.
La fuerza que ejerce el campo eléctrico en los electrones y huecos hace que estos se
muevan con una velocidad que se conoce como velocidad de arrastre.
 Difusión enuniónPN

Cuando no hay campos eléctricos aplicados los portadores de carga se mueven

aleatoriamente y se dispersan generando un flujo de corriente, llamada corriente
de difusión que se da porque hay una diferencia en la concentración de huecos y
electrones originada en la unión P-N. Entonces de esta forma los huecos y los
electrones se pasaran al otro material, es decir, los electrones del semiconductor
tipo N al tipo P y los huecos del semiconductor tipo P al tipo N, con la intención
de combinarse. De esta manera quedan iones en la parte más cercana a la unión
de cada material quedando iones positivos en el material tipo N y iones negativos
en el material tipo P. En la región que van formando estos iones cerca de la unión
de los semiconductores tipo N y tipo P se va generando un campo eléctrico.
En conclusión tenemos que las corrientes en los semiconductores se generan por
el movimiento de los portadores de carga, es decir de los de huecos(+) y los
electrones(-).

La corriente de arrastre es originada por el movimiento aleatorio de portadores de

carga los cuales están influidos por un campo eléctrico, y la corriente de difusión
es la concentración de portadores de carga en zonas menos concentradas, estas
dependen del gradiente de concentración.
Diodo Zener
El diodo Zener es un tipo de diodo que funciona con polarización inversa, y
cuando se polariza directamente se comporta similar a un diodo ordinario,
trabajando como un rectificador común. Cuando trabaja en polarización inversa
el diodo zener mantienen constante un voltaje entre sus terminales y por esto son
utilizados como reguladores de tensión.

Diodo Zener
La diferencia de un diodo zener y un diodo común esta en el dopado de la unión
que determina el punto de avalancha donde trabaja este tipo de diodos. Este
punto de avalancha se conoce como zona zener, en la cual el diodo mantiene
una tensión fija, independientemente de la corriente que circule por el.

Diodo túnel
El diodo túnel es otro tipo de diodo que trabaja con polarización directa
aprovechando un efecto conocido como túnel. En el efecto túnel el
comportamiento de la corriente que circula por el diodo esta en función de
la tensión en sus terminales. Cuando se aplica un pequeño voltaje comienza a
circular corriente en el diodo, si se sigue aumentando el voltaje la
corriente sigue aumentando hasta cierto punto conocido como valle en el cual
empieza a disminuir, cuando llega a un punto mínimo vuelve a incrementarse el
paso de corriente en función del voltaje que se aplique al diodo.

Diodo túnel
Diodo emisor de luz (LED)
El LED es un tipo de diodo que se comporta como un diodo común con la
diferencia de que al ser atravesado por una corriente emite luz que varia de
acuerdo a los elementos semiconductores utilizados en su fabricación. Cuando
circula corriente por la union PN que compone el diodo los electrones y huecos
se recombinan generando radiaciones con diferentes longitudes de onda debido a
los materiales con los que esta construido, y de acuerdo a la longitud de
onda varían los colores de la luz emitida por el diodo.

Longitud de onda
Compuesto Color
(nm)
Arseniuro de galio (GaAs) 940 Infrarrojo
Arseniuro de galio y aluminio (AlGaAs) 890 Rojo e infrarrojo
Arseniuro fosfuro de galio (GaAsP) 630 Rojo, anaranjado y amarillo
Fosfuro de galio (GaP) 555 Verde
Nitruro de galio (GaN) 525 Verde
Seleniuro de zinc (ZnSe) Azul
Nitruro de galio e indio (InGaN) 450 Azul
Carburo de silicio (SiC) 480 Azul

LED
La conversión de energía solar en energía eléctrica y de ahí en energía rotativa, cinética,
electromagnética, calorífica, luminosa u otra, ha sido uno de los objetivos del hombre en las
últimas décadas. El efecto fotoeléctrico se produce cuando un material en concepto es
irradiado con energía luminosa y genera corriente eléctrica. Desde que se descubrió este
efecto, los científicos han centrado sus esfuerzos en conseguir los mejores rendimientos en
la conversión de la energía solar.

Investigación en
energía fotovoltaica

Hay diferentes dispositivos de conversión directa de energía solar en energía eléctrica,

como los convertidores termoeléctricos, los termoiónicos y los fotovoltaicos. Entre ellos,
destaca la conversión fotovoltaica ya que es la única que ha demostrado su eficacia en
aplicaciones terrestres a gran escala y constituye un camino muy prometedor hacia la
potencia electro-solar. Este proceso, llamada también proceso de foto emisión interna, se
produce fundamentalmente por foto emisión que posee un umbral inferior a la absorción de
fotones, y la luz a ser electricidad sin pasar antes por un estadio de energía térmica.

La conversión fotovoltaica se realiza mediante materiales semiconductores, para los que la

excitación de los electrones tiene efectos importantes sobre su conductividad. Al no ser
suficiente que los electrones se hayan excitado para que sean capaces de moverse
libremente, se precisa una fuerza externa que los haga mover. Esta fuerza necesaria puede
surgir con la presencia de un gradiente de potencial eléctrico, como el que se produce en la
unión p-n de los materiales semiconductores dopados.

La unión p-n es una unión de semiconductor tipo p con un tipo n. Dicha unión produce un
campo eléctrico que hace que los electrones excitados por la radiación solar se muevan
desde el semiconductor tipo p al de tipo n y den lugar a la formación de huecos, dejados por
los electrones al moverse en sentido contrario. Si los electrones y los huecos llenan a sus
respectivos ejes de material semiconductor, el dispositivo es capaz de suministrar energía
eléctrica a un circuito exterior. Esta unión p-n puede utilizarse para convertir la energía
solar directamente en energía eléctrica a través de las células solares, dispositivos que
aprovechan esta propiedad.
Las células solares o fotovoltaicas se desarrollaron tal y como las conocemos ahora en
1953, y se han usado en los satélites espaciales desde 1958, en las telecomunicaciones
remotas y en sistemas de señalización desde mediados de los 60, en áreas residenciales
alejadas desde la década de los 70 y, a partir de los 80. Con el precio de la tecnología
mucho más bajo y la subida, tanto medioambiental como económica, de las fuentes
convencionales de energía, ha entrado en una nueva era de crecimiento internacional.

Aparte de las células fotovoltaicas existen otras, pero la fotovoltaica es la única que posee
una absorción óptica muy alta y una resistencia eléctrica lo suficientemente baja como para
poder convertir la energía solar en energía útil de modo económico. Gracias a que hay una
amplia elección de semiconductores con el intervalo apropiado de absorción espectral,
podemos seleccionar un material apropiado que abarque el espectro solar. Estos
semiconductores se hacen uniendo partes positivas y negativas de silicio, que actualmente
es el que más rinde. Todas las células solares actuales tienen en común tres características:

 Un absorbente óptico que convierte los fotones en pares electrón-hueco.

 Un campo eléctrico interno que separe estas cargas.
 Contactos en los extremos del semiconductor para la conexión con una carga
externa.

Integración de las nuevas

energías en la edificación

La parte de los convertidores que absorbe los fotones es el semiconductor que se elige de
forma que tenga una banda prohibida similar a la del espectro solar. No podríamos coger
una célula solar con un valor bajo de energía de banda prohibida aunque pareciera lo ideal
para que absorbiese casi todo el espectro, pero la fuerza electromotriz también lo será. Es
poco probable que un fotón tenga el doble de energía que el nivel de fermi, y por eso,
siempre sólo habrá un par electrón-hueco por fotón absorbido y la energía en exceso del
fotón se disipará.

Un proyecto futurista propuesto para producir energía a gran escala propone situar módulos
solares en órbita alrededor de la Tierra. La energía concentrada de la luz solar se convertiría
en microondas que se emitirían hacia antenas terrestres para su conversión en energía
eléctrica. Para producir tanta potencia como cinco plantas grandes de energía nuclear, de
mil millones de kilowatios cada una, tendrían que ser ensamblados en órbita varios
kilómetros cuadrados de colectores, con un peso de más de 4.000 toneladas.
Bibliografía Utilizada:

 Raymond Chang Quimica General

 Whitten K.W. Galey K.D. y David R.E. Quimica General
 Serway Fisica II
 Tipler Fisica II
 Newdeck, Gerold – El diodo de union P-N
 Mortimer Quimica.
 Alicia Jubert, Edgardo Donati – Quimica General para Ingenieria.