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PROPRIÉTÉS PHYSICOCHIMIQUES DE SULFURE

DE CADMIUM CDS ÉLABORÉ PAR SPRAY
PYROLYSIS

Conference Paper · April 2011

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7 authors, including:

Bouchaib Hartiti Philippe Thevenin

Université Hassan II de Casablanca University of Lorraine
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Ammaih Youssef Khalid Dakhsi

Faculté des sciences et techniques Résultats Université Ibn Tofail
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 Congrès International sur les Energies Renouvelables et l’Efficacité Energétique
20-21 avril 2011, FST-Fès
PROPRIÉTÉS PHYSICOCHIMIQUES DE SULFURE DE CADMIUM
CDS ÉLABORÉ PAR SPRAY PYROLYSIS

Y.ARBA a, B. HARTITI a, A. RIDAH a, P.THEVENIN b, Y.AMMAIH a, K. DAKHSIa et K. F.

KONANa

a
Laboratoire LPMAER.FST de Mohammedia, Maroc
c
Laboratoire LMOPS Supelec de Metz, France

Résumé
L'exploitation de l'énergie solaire, gratuite et quasi-illimitée, suscite évidemment de
grands espoirs, la cellule photovoltaïque a priori est l'un des moyens privilégiés de cette
exploitation pour convertir directement les rayons solaire en électricité. Parmi les matériaux
utilisés pour cette conversion on trouve le sulfure de cadmium (CdS) qui a été largement
sollicité en raison de ses bonnes propriétés physicochimiques. En effet, le CdS a permis
d’atteindre des rendements de conversion photovoltaïque relativement élevés à l’aide des
techniques facilement mise en ouvre telle que la technique de la pulvérisation chimique
réactive en phase liquide dite « Spray Pyrolysis ».

I. Introduction
Le sulfure de cadmium (CdS) a été largement sollicité en raison des bonnes propriétés
physicochimiques qu’il présente. En effet, Le CdS est un semi-conducteur de la famille II-VI,
il sert comme couche tampon ou fenêtre optique dans les structures
Métal/Absorbeur/Tampon/Fenêtre/métal [1]. Ce composé binaire a permis d’atteindre des
hauts rendements à faible prix on procédant des nouvelles technologies telles que la technique
du spray pyrolyses dans leurs élaborations [2]. Dans ce travail, les couches minces du CdS ont
été déposées par la technique « spray pyrolysis » sur des substrats de verre. Les propriétés
physicochimiques des films du CdS ont été analysées par La diffraction des rayons X et
Microscope électronique à balayage MEB.

II. Mode expérimental

Nous avons préparé une solution aqueuse de CdCl2 de 0,1 mol /l et une autre de la
thiourée CS (NH2)2 avec une concentration de 0,1 mol/l. Après une fixation de plusieurs
paramètres influant le dépôt, tel que le temps de déposition qui est de l’ordre de 8 min, une
distance Substrat-Gicleur de 250 mm, un débit de la solution de 0,66 ml/min et un gaz vecteur
de nature Aire compressé avec une pression de 3,5 mbar, nous avons varié la température de
substrat dans un intervalle de [400,475]°c.

III. Résultats et discutions:

· Caractérisation structurel
La figure 1 montre les spectres de diffraction des rayons X d’une couche de CdS
élaboré dans les conditions expliquées ci-dessus. Les spectres présentent des pics indiquant la
nature polycristallin des couches. Il est à noter que le sulfure cadmium CdS, peut se cristalliser

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suivant les deux structures : cubique (C) et hexagonale wurtzite (H). En effet, Nous avons
obtenues les plans réticulaires C(100), C(002), H(101), C(102), C(110), H(103) et H(112).
Le dépôt présente une orientation préférentielle suivant le plan (C) (002) pour les deux
conditions. Nous remarquons que pour la température 425 °C a un rapport d’intensité est

plus important que le rapport d’intensité de la température 400 °C et que le rapport

d’intensité est plus important que le rapport d’intensité d’où on déduit que

l’augmentation de la température améliore la qualité cristalline du matériaux. Plusieurs travaux

sur la structure cristalline de dépôt du CdS par spray pyrolysis ont montré la formation CdS de
structure cubique comme rapporter par O.de Melo et Al [3] et par Riek P.C et Al [4] alors que
A.kapman [5] et Al ont déposé des couche mince de CdS de structure hexagonal tandis que
Chu et Al [6] ont trouvés les deux forme cubiques et hexagonal sur un substrat de SnO2.

425 °C 400 °C

(002) (002)
800
1500

600
intensity (counts)

1000 (112)
(112)
(101)
400
(101)
intensity (counts)

500
200 (103)
(102)
(102)
(103)

0 0
20 25 30 35 40 45 50 55 60 20 25 30 35 40 45 50 55 60
2 Théta (°) 2 Théta (°)

Figure 1 : Spectres de diffraction des rayons X de CdS.

· Caractérisation morphologique
Les figures 3-1 et 3-2 montrent les images MEB de deux couches préparées par spray.
La surface de CdS, déposée à une température de 400 °C, est rigoureuse et présentent des
grains de différentes formes par contre les surfaces de CdS élaborer à une température de 425
°C sont très homogène, dense et présentent des grains de même taille.

Figure 3-1 : Images MEB des échantillons de CdS déposé à 425°C

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Figure 3-2 : Images MEB des échantillons de CdS déposé à 400°C

· Caractérisation optique
La figure 4 donne les courbe typique de transmission d’échenillons de CdS déposée à
différentes temps de dépôt. La qualité des transmissions optiques des échantillons testés
s’améliore avec l’augmentation de l’épaisseur des couches. La distance antre deux maximas
avec la l’augmentation de la température d’où on peut déduire l’influence de la température
sur l’épaisseur. L’énergie de gap est de 2,45 eV pour les différentes températures. Voir fig. 4.
400 °C
400 °C

85
80
75 4,00E+016
70
65
60
55
Transmission %

50
45
40
35 2,00E+016
30
25
20
15
10
5
0
-5 0,00E+000
400 600 800 1000 1200 2,4

Longueur d'onde nm hv (eV)

425 °C
425 °C 6,00E+016

85
80
(ahv)2eV2cm-2

75
70
65 4,00E+016
60
55
Transmission %

50
45
40
35
2,00E+016
30
25
20
15
10
0,00E+000
5
2,0 2,2 2,4 2,6
0
-5 hv (eV)
500 1000 1500
Longueur d'onde (nm)

Figure 4 : Courbes de transmission et d’absorbance du CdS déposé aux différentes

températures

Pour les épaisseurs élevées on note une augmentation relative du gap optique comme reporté.
Chu et al. [6] ont préparé des couches minces de CdS par ablation laser. Ils ont montré que les
déplacements du gap optique vers les grandes énergies (courtes longueur d’ondes) deviennent
très prononcés lorsque l’épaisseur des couches est inferieur de 5 µm. ils ont expliqué ce
déplacement sur la base des effets de la taille quantique de CdS pour des épaisseurs faibles et
des grains ultra petits.

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Tableau 2 : l’évolution de l’épaisseur en fonction de la température
λ1 (nm) λ2 (nm) e (nm) T °C
HAI 01-2 731,62475 906,41005 824,803253 475
HAI 01-4 901,8475 1181,58199 828,119708 475
HAI 02 695,1749 858,7777 793,279585 450
HAI 03-3 766,8018 981,1814 762,941331 425
HAI 04 816,284227 1082,4971 721,574641 400

Nous avons comparé l’épaisseur des couches déposés aux différentes températures. La
figure 5 montre l’effet de la température sur les couches. Ainsi les meilleures transmissions et
la valeur du gap optique Eg ont été obtenues pour des couches déposées à 475°C.
F(T)=e

820

800

780
Epaisseur (nm)

760

740

720

700
390 400 410 420 430 440 450 460 470 480
Température (°C)

Figure 5 : L’évolution de l’épaisseur en fonction de la température

Pour le calcul de l’absorbance (αhv)² en fonction de hv, nous avons pu déterminer, à

partir de la figure 4, la largeur de la bande interdite Eg= 2.4 eV et Eg=2.43 eV respectivement
pour les dépôts aux température de 400 °C et 425 °C, ces valeurs sont en bon accord avec
celles de la littérature [7]. Après l’augmentation de la température, nous avons observé une
légère variation du front d’absorption d’environ 0.03 eV. Cette variation a eu pour
conséquence une augmentation du gap optique comme il a été observé dans des résultats
similaires obtenue par d’autres auteurs [2].
Les spectres de transmission de CdS traité a haute température nous présente un
phénomène d’interférences, ce qui nous permis d’estimer l’épaisseur de l’échantillon e (*), le
coefficient d’absorbance α (**), et ainsi l’absorbance du matériau (αhv) ² (***).

(***)

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IV. Conclusion
Nous avons obtenu des couches minces de sulfure de cadmium qui sont élaboré par
spray pyrolysis. L’analyse par diffraction des rayons X a montré que le CdS déposé cristallise
dans la structure cubique avec une orientation préférentielle suivant la direction (002). Le
microscope électronique à balayage MEB révèle que les couches de CdS son homogène et
présentent des grains de petit taille. L’augmentation de la température des échantillons
améliore ces propriétés physicochimiques. Pour confirmer la qualité optique et électrique de
notre composé nous allons le caractériser par la méthode de Van der Paw pour mesurer la
résistivité, le gap optique en effectuant des mesures de transmission et optique par la
spectroscopie Raman.

Références
[1] H.Metin, R Esen journal of crystal grozth 258 (2003) 141-148
[2] O. Zelaya Angel, J.Jalvarador gil, Appl. Phys. Let., 64 (1994) 17
[3] Vacuum, Volume 46, Issues 8-10, August-October 1995, Pages 1083-1085
O Zelaya-Angel, L Hernandez, O de Melo, JJ Alvarado-Gil, R Lozada-Morales, C Falcony,
H Vargas, R Ramirez-Bon
[4] P.C. Rieke and S.B. Bentjen, Chem. Mater. 5 (1993) 43.
[5]A. Kampmann, P. Cowache, J. Vedel, D. Lincot J. Electroanalytical chem. 387 (1995) 53.
[6] T.L.Chu, S. S. Chu, J.Britt, G.Chen, C. Ferekides, N. Schultz, C. Wang and C. Q. Wu11th
Eur. Solar Energy conf. (1992) p. 988
[7] A. Mondal, T.Kchaudhuri, P.Pramanik, Solar Energy Mater 12 (1985) 137.

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