Deposición química en fase de

vapor activada por plasma

(PECVD)
 PECVD

PECVD

Las especies gaseosas en la camara de reaccion

son llevadas a estados de mayor energia
mediante la aplicacion de descarga electrica.
 Proceso de deposición de
películas por medio de técnicas
PECVD
 PECVD

El proceso PECVD se puede describir a través de

cinco pasos:

 Reacciones primarias
 Formacion de especies excitadas
 Transporte a la superficie
 Reacción en la superficie
 Interacción de los radicales con la superficie
PECVD
 PECVD

Reacciones primarias
 PECVD

Formacion de especies excitadas

 PECVD

Transporte a la superficie
 PECVD

Reacción en la superficie
 PECVD

Interacción de los radicales con la superficie de

la película en crecimiento por difusion o ligado
químico.
PECVD Asistido por RF
 PECVD

Es la activación del plasma por corriente

alterna del método PECVD por radio frecuencia
RF PECVD. Las descargas alternas en el rango
de la radio frecuencia generan plasmas
uniformes y estables en grandes regiones en
procesos a bajas temperaturas.
 PECVD

Un reactor RF PECVD
esta formado por dos
electrodos, el de menor
área, el cátado, esta
conectado a un fuente
RF, sobre este se ubica
el sustrato, el ánodo
(paredes de la cámara)
está conectado a tierra.
 PECVD

El sistema RF PECVD, en general, el sistema está

formado por las siguientes partes:

⊡ Cámara o reactor de alto vacio.

⊡ Sistema de transporte de los gases de reacción.
⊡ Equipo o sistema de vacio.
⊡ Sistema de escape y eliminación.
⊡ Sistema electrónico generador de RF.
PECVD
 PECVD
La fuente de RF produce un plasma entre los dos
electrodos, la mayor movilidad de electrones en el plasma
crea una región llamada VAINA (Sheath).
El cátado que tiene menor
capacitancia se torna
negativo respecto al ánado,
generando el bombardeo
necesario para la
formación de los enlaces
en peliculas delgadas.
Tecnología de vacío en PECVD
 PECVD

Para el metodo PECVD, el plasma debe ser operado

a presiones lo más bajas posibles, pero en
presiones iguales o menores a 50 mTorr, los iones
pueden perder parte de su energía en colisiones
cuando son acelerados en la zona de las vainas.
 PECVD

Los gases utilizados en

los reactores RF PECVD,
son de gran importancia
en las propiedades de las
peliculas delgadas. Son
gases precursores con
bajos coeficientes de
ionización.
 PECVD

En reactores RF PECVD a presiones bajas no puede

formarse el plasma, por lo cual se ha diseñado
reactores que puedan trabajar a bajas presiones
del gas utilizado en un campo magnético para
confinar el plasma.
PECVD
DC-pulsado PECVD
 PECVD

En esta técnica la fuente de corriente es tipo DC-

pulsada modificada. La cual emite pulsos
negativos de corriente directa DC.
PECVD
 PECVD

En los intervalos b y d posibilita la neutralización

del plasma y posteriormente, un favorecimiento a
la re-ionización del mismo, muy utilizada ya que
aumenta la energía de bombardeo de los iones
sobre la película en formación.