ACCION

ESCUELA PROFESIONAL DE INGENIERIA ELECTRICA
PROYECTO DE DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES

Análisis de Tiristores Rectificadores de Silicio (SCR)
1.- FUENTE DE TENSION VARIBLE CC

MATERIALES
 Transformador 220/12 ac
 Puente de diodos
 Circuito LM317 t
 Potenciómetro de 5 KΩ
 Resistencia de 470 Ω
 Condensador electrolítico de 4700 µF, 100µF
 Condensador cerámico de 0.1 µF
CARACTERISTICAS LM318T
Página 1
 Voltaje de referencia: 1.25V

 Corriente máxima: Consideraremos 1.5 A
CALCULOS
Caída de tensión en el puente de diodos:
 𝑉𝑝 = 2𝑥0.7 = 1.4
La tensión cc que se obtiene del puente de diodos es:
 𝑉1 = √2 𝑥 12 − (2 𝑥 0.7) = 15.57 𝑉
Página 2
Hallamos el valor de R1 para una entrada de 15.57 V

𝑅2
 𝑉𝑜𝑢𝑡 = 1.25 𝑉 𝑥 (1 + )
𝑅1
5000 Ω
15.6 = 1.25 x (1 + )
𝑅1
R1= 435.5 Ω
Valor comercial más cercano
R1 = 470 Ω
Armamos el siguiente circuito
Obtenemos una fuente regulable de 1.25 V a 15.5 V a 1.5 A
BASE TEORICA DEL TIRISTOR RECTIFICADOR DE SILICIO

Página 3
Como su nombre lo indica, el SCR es un rectificador construido con material de

silicio con una tercera terminal para efecto de control. Se escogió el silicio
debido a sus capacidades de alta temperatura y potencia.
La operación básica del SCR es diferente de la del diodo semiconductor de dos

capas fundamental, en que una tercera terminal, llamada compuerta, determina
cuándo el rectificador conmuta del estado de circuito abierto al de circuito
cerrado. No es suficiente sólo la polarización directa del ánodo al cátodo del
dispositivo. En la región de conducción la resistencia dinámica el SCR es
típicamente de 0.01 a 0.1Ω
La resistencia inversa es típicamente de 100 k o más. Un SCR actúa a

semejanza de un interruptor. Cuando esta encendido (ON), hay una trayectoria
de flujo de corriente de baja resistencia del ánodo al cátodo. Actúa entonces
como un interruptor cerrado. Cuando esta apagado (OFF), no puede haber flujo
de corriente del ánodo al cátodo. Por tanto, actúa como un interruptor abierto.
Dado que es un dispositivo de estado só1ido, la acción de conmutación de un
SCR es muy rápida.
CARACTERISTICAS
 Estructura de cuatro capas p-n alternadas.

 Directamente polarizado tiene dos estados: cebado y bloqueado.
Inversamente polarizado estará bloqueado.
 Dispositivo capaz de soportar las potencias más elevadas. Único
dispositivo capaz de soportar I>4000Amp. (Von ≈2÷4Volt.) y
V>7000Volt.
 Control del encendido por corriente de puerta (pulso). No es posible
apagarlo desde la puerta. El circuito de potencia debe bajar la
corriente anódica por debajo de la de mantenimiento.
 Frecuencia máxima de funcionamiento baja, ya que se sacrifica la
velocidad (vida media de los portadores larga) para conseguir una
caída en conducción lo menor posible. Su funcionamiento se centra
en aplicaciones a frecuencia de red.
Página 4
 La derivada de la corriente anódica respecto al tiempo en el momento

del cebado debe limitarse para dar tiempo a la expansión del plasma
en todo el cristal evitando la focalización de la corriente.
 La derivada de la tensión ánodo cátodo al reaplicar tensión positiva
debe limitarse para evitar que vuelva cebarse. También se debe
esperar un tiempo mínimo para reaplicar tensión positiva.
Página 5
VBO = Tensión de ruptura directa (entra en conducción)
IG =Corriente en la puerta
IH = Corriente de mantenimiento (hold) Mínima corriente para que el
tiristor se mantenga en conducción
IL = Corriente de enganche; Corriente mínima en el ánodo para que el

tiristor pueda conducir
VGTMAX = Tensión máxima admisible entre puerta (gate) y cátodo
VDMAX = Tensión máxima admisible entre ánodo y cátodo, tanto en

directa bloqueado o inversa
Página 6
Esta directamente polarizada cuando deja pasar corriente del anodo al catodo,
para esto la compuerta gate, debe de estar alimentada por una corriente de
mantenimiento
2.- DEMOSTRACION DE FUNCIONAMIENTO DEL TIRISTORES SCR
Armaremos el siguiente circuito
Página 7
MATERIALES
 1 Tiristor SCR MCR106L-5

 1 switch pulsador
 3 Leds
 2 resistencias de 1KΩ y 220 Ω
 1 placa perforada
ALGUNAS CARACTERISITICAS
DATASHEET DEL MCR106L-5
Página 8
DATOS MEDIDOS
Voltajes Medidos
VR1 (1KΩ) VR2(100Ω) V GK VAK VAG V leds
8.29 V 0.22 V 0.76 V 0.7 0.07 8.18 V
IR1 (1KΩ) IR2(100Ω) I GK I AK I leds

8.29 mA 2.2 mA 8.17mA 2.1 mA 2.2mA
3.-CIRCUITO EQUIVALENTE CON DOS TRANSITORES
Página 9
Armaremos el siguiente circuito
MATERIALES
 1 Transistor PNP 2N3906

 1 transistor NPN 2N3904
 1 switch pulsador
 3 Leds
 2 resistencias de 1KΩ y 10KΩ
 1 placa perforada
ALGUNAS CARACTERISITICAS
DATASHEET 2N3904 (PNP)
Página
10
DATASHEET 2N3904 (NPN)
Página
11
SENTIDO DE CORRIENTES
CIRCUITO ARMADO
DATOS MEDIDOS
Voltajes Medidos
Vak VR1(4.7kΩ) VR2(10KΩ) VR3(1kΩ) V leds VEC 3906 VEC 3904
0.69V 3.12 V 8.65 V 0.68 V 3.67 V 13mV 12mV
Corrientes Medidas
Página
12
IR1(mA) IR2(mA) IR3(mA) I leds(mA)

0.66 0.57 0.67 0.65
Página
13

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PROYECTO DE DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES

1.- FUENTE DE TENSION VARIBLE CC

 Voltaje de referencia: 1.25V

Hallamos el valor de R1 para una entrada de 15.57 V

BASE TEORICA DEL TIRISTOR RECTIFICADOR DE SILICIO

Como su nombre lo indica, el SCR es un rectificador construido con material de

La operación básica del SCR es diferente de la del diodo semiconductor de dos

La resistencia inversa es típicamente de 100 k o más. Un SCR actúa a

 Estructura de cuatro capas p-n alternadas.

 La derivada de la corriente anódica respecto al tiempo en el momento

VBO = Tensión de ruptura directa (entra en conducción)

IL = Corriente de enganche; Corriente mínima en el ánodo para que el

VGTMAX = Tensión máxima admisible entre puerta (gate) y cátodo

VDMAX = Tensión máxima admisible entre ánodo y cátodo, tanto en

2.- DEMOSTRACION DE FUNCIONAMIENTO DEL TIRISTORES SCR

Armaremos el siguiente circuito

 1 Tiristor SCR MCR106L-5

DATASHEET DEL MCR106L-5

IR1 (1KΩ) IR2(100Ω) I GK I AK I leds

Armaremos el siguiente circuito

 1 Transistor PNP 2N3906

DATASHEET 2N3904 (PNP)

DATASHEET 2N3904 (NPN)

IR1(mA) IR2(mA) IR3(mA) I leds(mA)

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