TUJUAN
Mempelajari pengoperasian dan karakteristik dari diode varactor.
Memahami pengoperasian osilator pengatur tegangan.
Menerapkan sebuah modulasi frekuensi dengan osilator pengatur tegangan.
II.DASAR TEORI
Prinsip Operasi Modulasi Frekuensi
Modulasi Frekuensi (FM) adalah sebuah proses dimana frekuensi pembawa yang divariasikan
oleh amplitude dari modulasi sinyal (contoh: sinyal intelejen). Sinyal modulasi frekuensi
dapat diperoleh dari persamaan berikut:
xFM (t) = Ae cos θ (t) = Ae cos [2πfe t+ 2πfN ʃ x(λ)d λ] …….. (7-1)
jika x (λ) Am cos (2πfm λ), kemudian
fN Am
xFM (t) = Ae cos [2πfet + sin (2πfmt)]
fm
Dari persamaan (7-3), kita dapat simpulkan bahwa frekuensi dari sinyal modulasi frekuensi
tergantung pada komponen dari frekuensi pembawa pusat ketika amplitude intelejensi
berbeda.
Dioda Varaktor
Dioda varaktor sering disebut dengan diode tuning, dimana kapasitansi diode yang
nilai kapasitansinya proporsional untuk tegangan bias maju pn. Naiknya tegangan reverse
yang diaplikasikan melintasi diode, menurunnya kapasitansi yang seharusnya untuk
menghabiskan lebar daerah menjadi lebih luas. Sebaliknya, ketika tegangan reverse menurun,
berkurangnya lebar daerah menjadi sempit dan meningkatnya kapasitansi. Ketika sebuah
tegangan bolak-balik (ac) diaplikasikan melewati diode, maka kapasitansi berubah dengan
mengubah amplitude.
Hubungan antara sebuah diode varaktor dengan sebuah kapasitor yang biasa tampak
pada gambar 7-1. Faktanya, sebuah diode varactor reverse mirip dengan sebuah kapasitor.
Ketika sebuah p dan n semikonduktor dikombinasikan bersama, terbentuklah sebuah daerah
kecil yang habis karena difusi carrier minoritas. Positif dan negative menempati harga sisi n
dan p dari lintasan masing-masing. Ini sama halnya seperti kapasitor. Harga dari lintasan
internal kapasitor dapat dihitung dengan rumus kapasitor:
𝜀𝐴
C =𝑑 …….(7-4)
Dimana: 𝜀 = 11.8𝜀𝑜
𝜀𝑜 = 8.85 𝑥 1012
A = luas penampang kapasitor
d = lebar daerah yang berkurang
Dari rumus diatas, kita ketahui bahwa kapasitor varaktor adalah berbanding terbalik terhadap
lebar daerah yang berkurang (atau jarak antara lapis) jika area A konstan. Oleh karena itu,
sebuah tegangan reverse yang kecil akan menghasilkan sebuah daerah yang berkurang dan
sebuah kapasitansi yang besar. Dalam kata lain, bertambahnya dalam sebuah bias reverse
akan mengakibatkan sebuah daerah deplesi yang besar dan sebuah kapasitansi yang kecil.
Sebuah diode varactor dapat dipertimbangkan menjadi sebagai sebuah kapasitor dan resistor
dihubungkan seri seperti yang ditunjukkan pada gambar 7-2. Cj adalah kapasitor diantara p
dan n. Rs adalah jumlah dari resistansi yang terbesar dengan resitansi yang berhubungan,
kira-kira beberapa omh dan itu adalah sebuah parameter penting yang menentukan kualitas
dari diode varaktor.
Rasio Tuning (TR) digambarkan sebagai rasio dari kapasitansi dari diode varaktor pada
tegangan reverse V2 terhadap pada tegangan reverse yang lain V1 dan dapat diperoleh dengan:
𝐶𝑟2
TR = 𝐶𝑟1
Dimana: TR = rasio tuning
Cr1 = kapasitansi diode varaktor V1
Cr2 = kapasitansi diode varaktor V2
Dioda Varaktor 1SV55 digunakan dalam eksperimen kita dan karakteristik utamanya yaitu:
C3V = 42pF (kapasitansi diode varaktor pada tegangan 3V
TR = 2.65 (pada tegangan 3V~30𝑉)
V.HASIL PERCOBAAN
Tabel 7-1
3
KHz
5
KHz
8
KHz
TABEL 7.3
Input Voltage (V) Output Frekuensi (KHz)
2.7 3.731
3.0 3.165
3.3 2.660
3.6 2.097
3.9 1.645
4.2 1.111
4.5 0.640
TABEL 7.4
Input Voltage (V) Output Frekuensi (KHz)
2.7 42.38
3.0 34.83
3.3 29.25
3.6 20.00
3.9 15.47
4.2 11.12
4.5 5.82
Tabel 7-5
(Vm = 500 mVp-p, C3 = 0.01𝜇𝐹, fm = 20 KHz)
fin Input Waveform Output Waveform
1 KHz
3 KHz
5 KHz
Tabel 7-6
(Vm = 1 Vp-p, C3 = 0.01𝜇𝐹, fm = 20 KHz)
fin Input Waveform Output Waveform
1 KHz
3 KHz
5 KHz